Nvidia发布新一代GPU芯片H200，HBM3e助力性能升级。11月13日，NVIDIA宣布推出新一代的GPU H200，本次新品发布的最大亮点在于，H200为全球首款搭载HBM3e内存的GPU。在全球最快内存HBM3e的助力下，H200在内存容量、带宽和性能等方面迎来了全面升级。一方面，H200能以每秒4.8TB的速度提供141GB内存，内存较A100和H100几乎翻倍，带宽较A100和H100分别增加2.4/1.4倍；另一方面，高内存带宽也使H200能够实现更快的数据传输，对于模拟、人工智能等内存密集型的高性能计算场景，H200可实现较CPU快110倍的生成结果时间，为处理生成AI和HPC工作负载的海量数据提供强大支持。

AI高算力需求推动下，HBM将大放异彩。AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求。HBM在此背景下应运而生。与传统DDR存储器不同，HBM使用TSV和微凸块垂直堆叠多个DRAM芯片，并通过封装基板内的硅中介层与GPU直接相连，从而具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，相同功耗下其带宽是DDR5的三倍以上。因此，HBM突破了内存瓶颈，成为当前AI GPU存储单元的理想方案和关键部件。TrendForce认为，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，2023年全球搭载HBM总容量将达2.9亿GB，同比增长近60%，SK海力士预测，HBM市场到2027年将出现82%的复合年增长率。

HBM成为存储大厂兵家必争之地，H200或将再次掀起HBM布局大战。作为AI芯片的主流解决方案，HBM受到了存储巨头的高度重视。自2013年SK海力士首次成功研发HBM以来，三星、美光等存储巨头也纷纷入局，展开了HBM的升级竞赛，目前HBM已从第一代（HBM）升级至第四代（HBM3）。据报道显示，三星正在向AMD提供HBM3和交钥匙封装服务，并完成了与主要客户关于2024年HBM供应的谈判；SK海力士则于今年8月向Nvidia提供了HBM3e的样品，并正在向AMD供应HBM3。与此同时，台积电也宣布将CoWoS产能扩大两倍，以期更好地支撑水涨船高的HBM需求。展望未来，H200的推出有望再次掀起HBM布局浪潮，随着存储巨头的持续发力，产业链上下游企业也将紧密部署，HBM的影响力将逐步扩大并带来全新机遇。

投资建议：半导体方向，建议关注上游设备、材料、零部件国产替代机会，如昌红科技、新莱应材、正帆科技、汉钟精机、腾景科技、英杰电气等，以及IC封装领域重点公司，如长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技等；PCB方向，建议关注积极参与AI及服务器相关赛道的公司，如沪电股份、胜宏科技等；消费电子方向，建议关注消费电子行业的触底复苏机会，如顺络电子、风华高科、飞荣达、汇顶科技、春秋电子等。

风险提示：地缘政治风险，电子行业景气复苏不及预期，消费电子下游需求不及预期，AI芯片下游需求不及预期，相关公司新产品研发不及预期，半导体国产替代进度不及预期

（来源：华福证券）