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【行业洞察】HBM风头正劲 GMC、电镀液等迎增量

来源:九方智投 2023-11-20 17:51
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英伟达在算力GPU领域一统江湖的同时,也带火了一款海力士的DDR新产品——HBM,英伟达数据中心加速计算GPUV100、A100、H100均搭载HBM显存,而作为加速计算领域追赶者的AMD对于HBM的使用更为激进,其最新发布的MI300XGPU搭载容量高达192GB的HBM3显存,为H100的2.4倍。基于算力芯片的火爆需求,有报道称三星、SK海力士据悉正计划将HBM产量提高至2.5倍,HBM正成为HPC军备竞赛的核心。

最开始数据中心通过提高CPU、GPU的性能进而提高算力,但处理器与存储器的工艺、封装、需求不同,导致二者之间的性能差距逐步加大。英伟达创始人黄仁勋曾表示计算性能扩展的最大弱点就是内存带宽。以谷歌第一代TPU为例,其理论算力值为90TFOPS,但最差真实值仅1/9,即10TFOPS算力,因为其相应内存带宽仅34GB/s。此外,在传统架构下,数据从内存到计算单元的传输功耗是计算本身能耗的约200倍,而用于计算的能耗和时间占比很低,数据在内存与处理器之间的频繁迁移带来严重的功耗问题。因此,比GDDR功耗、带宽性能更强的HBM就应运而生。

HBM(HighBandwidthMemory)即高带宽存储器,按照JEDEC的分类,HBM属于图形DDR内存的一种,通过使用先进的封装方法(如TSV硅通孔技术)垂直堆叠多个DRAM,与GPU通过中介层互联封装在一起,在较小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗,已成为数据中心新一代内存解决方案。

HBM与传统GDDR内存相比,有什么不同呢?HBM相对于GDDR拥有面积更小、功耗更低、带宽更高的优势。如下图,HBM不同于传统的内存与处理器基于PCB互联的形式,而是基于与处理器相同的“Interposer”中介层互联实现近存计算,显著减少数据传输时间,且节省了布线空间。而基于TSV工艺的DRAM堆叠技术则显著提升了带宽,并降低功耗和封装尺寸。以GDDR5为例,从单片封装性能对比,HBM在总线位宽、时钟速率、带宽及工作电压各个性能参数较GDDR5均更具优势。从带宽功耗比的角度来看,相同功率下,HBM带宽是GDDR5的3倍以上。而从性能面积比的角度量化,1GBHB较1GBGDDR5的面积节省多达94%。

根据TrendForce,2022年全球HBM容量约为1.8亿GB,2023年增长约60%达到2.9亿GB,2024年将再增长30%。以HBM每GB售价20美元测算,2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元,预计至2026年市场规模将达127.4亿美元,对应CAGR约37%。

不过,虽然HBM已经大火,但国内在这个市场上还是相对缺位。从市场格局来看,HBM的市场份额仍由三大家所主导。根据TrendForce,2022年全年SK海力士占据了HBM全球市场规模的50%。其次是三星,占40%,美光占10%。TrendForce预测,今年海力士和三星的HBM份额占比约为46-49%,而美光的份额将下降至4%-6%,并在2024年进一步压缩至3%-5%。

反倒是在HBM的封装材料上,国内有一些公司有相关布局,但目前相关公司产品还未起量,关注HBM3、HBM3E等新产品快速发展下对GMC、电镀液等领域的新需求刺激。

1、华海诚科。2022年公司高性能环氧模塑料收入占全部收入超过50%,占比持续提升,正逐步实现国产替代。公司颗粒状环氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封装,并且GMC技术上可以实现对日系两家公司产品的替代。公司相关产品已通过客户验证,现处于送样阶段。

2、联瑞新材:公司为国内无机填料和颗粒载体行业龙头。其持续聚焦高端芯片(AI、5G、HPC等)封装、异构集成先进封装(Chiplet、HBM等)、新一代高频高速覆铜板(M7、M8等)等下游应用领域的先进技术,并不断推出多种规格低CUT点Lowα微米/亚微米球形硅微粉、球形氧化铝粉,高频高速覆铜板用低损耗/超低损耗球形硅微粉等功能性粉体材料。GMC中需要添加TOPCUT20um以下球硅和Lowα球形氧化铝,其中Lowα球铝主要应用于高导热存储芯片封装等高端芯片封装领域。公司部分客户是全球知名的GMC供应商,公司配套供应HBM所用球硅和Lowα球铝。

3、壹石通:公司为封装用球铝核心供应商。在芯片封装材料领域,公司主要产品包括Lowα球形二氧化硅、Lowα球形氧化铝,可作为EMC(环氧塑封料)和GMC(颗粒状环氧塑封料)的功能填充材料。其中,Lowα球形二氧化硅产品的新增产能正在施工建设中;Lowα球形氧化铝产品预计在2023年四季度陆续投产,规划年产能200吨。

4、上海新阳。HBM核心技术是TSV,TSV成本结构中通孔填充占比25%。电镀液是硅孔填充的材料之一,上海新阳突破第二代电镀和清洗技术,填补我国芯片制造铜互连工艺材料的空白,是目前国内唯一能满足芯片90-14纳米铜制程全技术节点对电镀清洗产品要求的企业,公司的铜互连电镀液目前已进入中芯国际、海力士供应链。

5、天承科技。先进封装电镀液领军者,电镀液为先进封装材料中第一大单品,较传统产品价值量提升翻倍以上。公司产品为应用于高端PCB生产中沉铜、电镀、铜面处理等环节的专用电子化学品,主要客户包括深南电路兴森科技崇达技术博敏电子等国内知名PCB企业,在中国大陆高端市场中份额位居第二,市占率约为20%。

参考资料:

20231114-方正证券-电子行业专题报告:先进封装专题二-HBM需求井喷,国产供应链新机遇

20231119-华西证券-半导体行业点评报告:HBM3e助力英伟达H200算力芯片,抓住上游确定性较高的原材料投资机会

20231025-平安证券-上海新阳-半导体材料保持正增长,公司业务进一步聚焦

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(来源:
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