行情中心 沪深京A股 上证指数 板块行情 股市异动 股圈 专题 涨跌情报站 盯盘 港股 研究所 直播 股票开户 智能选股
全球指数
数据中心 资金流向 龙虎榜 融资融券 沪深港通 比价数据 研报数据 公告掘金 新股申购 大宗交易 业绩速递 科技龙头指数

三星:3纳米GAA制程研发进度领先台积电

来源:财联社 2021-08-26 15:32
点赞
收藏
【三星:3纳米GAA制程研发进度领先台积电】《科创板日报》26日讯,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung25日在一场网络技术论坛中表示,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构,将之由鳍式场效电晶体(FinFET)的3D转为GAA的4D。(Businesskorea)
(来源:
财联社)

免责声明

以上内容仅供您参考和学习使用,任何投资建议均不作为您的投资依据;您需自主做出决策,自行承担风险和损失。九方智投提醒您,市场有风险,投资需谨慎。

写评论

声明:用户发表的所有言论等仅代表个人观点,与本网站立场无关,不对您构成任何投资建议。《九方智投用户互动发言管理规定》

发布
0条评论

暂无评论

赶快抢个沙发吧

相关股票

相关板块

  • 板块名称
  • 最新价
  • 涨跌幅

相关资讯

扫码下载

九方智投app

扫码关注

九方智投公众号

头条热搜

涨幅排行榜

  • 上证A股
  • 深证A股
  • 科创板
  • 排名
  • 股票名称
  • 最新价
  • 涨跌幅
  • 股圈