高端刻蚀付运显著提升。在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。

CCP方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；

ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备PrimoAngnovaTM在3DDRAM的应用中，取得了140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。

全新的化学气相刻蚀设备PrimoDomingoTM实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3DDRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。

先进薄膜设备快速放量。公司以行业领先的研发速度，在短时间内成功开发出十多种薄膜设备,包括LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长，2025年薄膜设备营收同比大幅增长约224.23%，成为业绩增长的重要新引擎。

公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的ALD系列产品，设备性能达到国际领先水平的同时，表现出更优异的生产效率。同时，可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发，项目顺利推进中。公司所开发的多款核心介质沉积设备都在有序推进，与客户的各项验证工作也有良好的进展。公司的减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。

杭州众硅股权过户，深化平台化发展。截至5月29日，杭州众硅64.69%股权已过户登记至上市公司名下，这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速公司在主流产线的规模化渗透。通过本次并购双方将形成显著的战略协同，同时标志着上市公司向“集团化”和“平台化”迈出关键的一步。目前公司的三十多种设备产品已经覆盖了约30%前道集成电路设备产品，未来五年，公司计划通过有机生长和外延扩展，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。

技术壁垒深厚，核心产品领跑国产替代。中微公司是国内半导体高端装备龙头，核心产品覆盖等离子体刻蚀设备、MOCVD设备及薄膜沉积设备，技术实力稳居行业前列。

研发方向：加大存储领域刻蚀设备研发投入保持全球第一赋能客户，薄膜沉积种类较多，量测设备。

刻蚀设备领域，截至2025H1，CCP刻蚀设备累计装机超4500个反应台；ICP刻蚀设备累计装机接近1200个反应台，NanovaLUX-Cryo等机型获重复订单。

MOCVD设备在氮化镓基领域全球领先，PRISMOUniMax等机型主导高端Mini-LED显示外延片市场，同时推进氮化镓、碳化硅功率器件设备研发，2025年新一代功率设备有望进入客户验证。薄膜沉积设备已推出6款产品，钨系列覆盖存储与逻辑关键应用，金属栅系列产品性能达国际先进水平，独创方案实现60:1深宽比填充突破，多类产品获头部客户量产订单，持续巩固国产设备技术话语权。

研发与团队双轮驱动，成长动能强劲。公司构建了国际化、高学历的核心团队，创始人尹志尧博士拥有三十余年半导体设备经验，2024年研发人员达1190人，占员工总数47.98%，硕博占比54.71%，跨学科技术储备深厚。研发投入持续加强，2025年上半年增至14.92亿元（yoy：+53.70%），占营业收入比例约为30.07%，截至2025年年中，公司在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。同时，公司通过大规模股权激励绑定核心人才，2024年激励覆盖1798人（占比99.72%），2025年计划授予不超过1200万股限制性股票，考核目标锚定营收增速对标行业均值，为长期创新与业绩增长提供保障。2025年上半年营收49.61亿元、归母净利润7.06亿元，LPCVD设备收入同比激增608.19%，新品放量推动增长韧性凸显。

受益行业高景气，市场空间广阔。全球半导体设备市场规模超千亿美元，2024年达1090亿美元，刻蚀设备作为核心环节（Gartner数据显示2022年占比22%），2024年全球半导体刻蚀设备市场规模预计为256.1亿美元，2024-2029年CAGR预计为7.6%，AI、5G、3DNAND等驱动刻蚀工艺复杂度与设备需求提升，3DNAND向千层堆叠演进更放大高深宽比刻蚀设备价值。国内市场方面，中国大陆半导体设备国产化率快速提升。公司作为国产刻蚀设备领军者，南昌、上海临港基地投产，广州、成都基地规划落地后有望进一步支撑产能扩张，叠加三维立体发展战略，有望持续受益于国内晶圆厂扩产与全球技术竞争，长期成长确定性较高。

存储器电路结构复杂拉动刻蚀/沉积需求：逻辑电路制程升级会增加刻蚀和沉积设备需求，3D NAND的制作过程，随着3D NAND的堆叠层数增加，沉积和刻蚀步骤也将相应增加，且多次薄膜沉积的面积相应增大，对刻蚀的深宽比要求也随之提高。

随着我国国产3D NAND产品接近国际领先的232层水平，2025年国产NAND在全球市场市占率或达9%。3D NAND对光刻设备需求较低，而对刻蚀设备需求则较高，这正是中微公司擅长的领域。

3D NAND每增加一层，或：至少增加2次薄膜沉积和2次刻蚀过程；多次薄膜沉积（部分薄膜厚度为10-20个原子）的面积会相应增大，对薄膜沉积的均匀性的要求相应提高；增大沟道通孔（Channel Hole）的深宽比要求，即提高对刻蚀设备的技术要求。

刻蚀设备产品在我国市场或有竞争优势：公司通过提高深宽比指标、开发单双反应台设备、开发可调节电极间距的CCP刻蚀机等策略，使得产品不仅在中国内地领先同业，技术能力亦触及海外先进制程领域。

CCP产品在中国内地起步较早，公司刻蚀产品在2024年实现营收72.8亿元的基础上，ICP出货量增速或在2025年或高于CCP的增速，CCP/ICP2025年收入分别为51.4/45.7亿元。ICP收入在2026年超过CCP收入，CCP/ICP收入分别达到60.0/62.6亿元。

薄膜沉积市场广阔，或成中微公司另一大增长引擎。截至2024年底，公司已开发出六种金属薄膜沉积产品，其中钨金属沉积2024年收入1.56亿元，另有近40种产品正在开发中。公司2024年底尚有4.76亿元薄膜沉积订单，并积极拓展包括氮化钛ALD、钛铝ALD和EPI等新产品。

预测2025/2026年沉积业务分别收入4.98/9.60亿元。同时认为公司MOCVD业务在经历两年调整后，或在2025年恢复增长。

ICP在内的刻蚀设备产品进一步获得市场认可，且自身薄膜沉积设备矩阵不断完善，2025年新增订单或继续保持同比增长。2025/26年营业收入123.0亿/159.3亿元（同比分别增36%/30%）；公司毛利率稳定在40%左右，研发费用短期处于高位，并预计2025/26年EPS 3.38/4.94元。半导体设备需求高于市场之前预期，先进制程需求在AI驱动下上升。

刻蚀设备一直是中微公司收入的主力业务，其收入约占总收入的75%-80%。之前高能刻蚀的CCP刻蚀或领先于低能刻蚀的ICP产品收入，2024年分别达到47.5/25.3亿元。考虑到中微研发团队之前拥有丰富的ICP设备经验， ICP产品收入增速快于CCP产品。

薄膜沉积业务之前主要以钨金属的沉积，主要应用在3D NAND等器件上，2024年出货第一台LPCVD产品，当年薄膜沉积业务收入1.56亿元。公司指引2024年在手订单为4.76亿元。氮化钛、氮化铊等沉积新产品或会在2025/2026年引入新的客户，而钨金属沉积或继续在NAND、DRAM等领域继续拓展客户。总体看，薄膜沉积或是中微公司增长最快的产品。

MOCVD产品主要应用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、以及用于Mini-LED显示的PRISMO UniMax等产品。近年来，LED相关设备需求受到下游终端需求反复影响出现波动，2024年收入3.79亿元，同比下滑18%。我们看到终端客户在2H24之后需求保持稳定，订单或同比上升。

参考资料：

20260612-中邮证券-中微公司：攀登勇者，志在巅峰