SK海力士部分HBM4后道设备订单据称推迟至明年，明年的HBM4相关投资计划也尚未明确，引发市场对HBM4扩产进度的担忧。不过，业内指出，投资节奏变化不足以说明量产受阻。

据媒体当地时间10月14日报道，SK海力士正在扩大第六代HBM4的量产，但其部分后道工序设备供应商担心，扩产速度可能不及预期。

媒体援引业内人士消息称，原定今年下半年交付的部分设备有推迟至明年的迹象，后续订单计划也尚未明确，已交付设备是否已满负荷运转同样缺乏数据验证。

报道指出，SK海力士今年的HBM4设备订单已基本下达完毕，追加投资的动向并不明显。

明年的投资计划同样悬而未决。据报道，SK海力士尚未向部分合作伙伴传达明年的HBM4投资安排，媒体援引业内人士消息称，该公司内部似乎也还没有敲定。

业内人士指出，若SK海力士急于推进投资，相关动向早该显现，但目前并未观察到其削减或增加HBM4投资的明确信号。

投资节奏的变化，引发了市场对HBM4后道工序是否出现技术问题的猜测。不过，目前设备投资节奏与产品质量问题之间并未发现直接关联。

韩国大信证券研究员Ryu Hyung-geun在近日发布的研报中指出，有市场人士担心SK海力士面向主要客户的HBM4存在质量问题，可能使业绩低于预期，但这实属过虑。

Ryu Hyung-geun表示，后道工序可能出现过部分问题，但难以认定为无法解决的风险，目前也远未到讨论不良品赔偿的阶段。

媒体援引业内人士观点指出，SK海力士已向主要客户提供16层堆叠HBM4样品，在封装技术上被认为最为领先，仅凭个别后道设备企业的投资时间表变化或明年计划尚未共享，尚不能断定量产出现问题。

部分投资转向通用DRAM

媒体援引半导体设备业内人士观点指出，HBM4投资节奏的调整与近期通用DRAM行情有关。

该人士称，随着通用存储器价格上涨，SK海力士下半年在HBM相关投资上趋于保守，部分投资转向价格走高的通用DRAM。

产能规划也呈现出类似趋势。

SK海力士计划在龙仁半导体产业集群在建的Y1晶圆厂首个洁净室内，优先导入DRAM设备，业内预计初期将采用1c（第六代10纳米级）制程；媒体援引业内人士消息称，龙仁新增产能预计将优先用于通用DRAM，即便开启1c DRAM量产，初期也不会分配给HBM。