广发证券发布研报称，根据英伟达及SemiAnalysis数据，随着GPU架构迭代，单GPU可配套的HBM与CPU DRAM容量均呈现显著上升趋势。需求端，在不同GPU代际与出货假设下测算，若VR200出货量达1400万颗，对应DRAM容量需求约14.78EB，AI服务器正成为DRAM需求增长的最大下游应用。供给端，据TrendForce数据，DRAM行业资本开支预计由2025年的537亿美元增至2026年的613亿美元，但新增产能集中在2027年及以后释放。

广发证券主要观点如下：

单GPU对应的DRAM存储容量、产能不断提升

容量：根据英伟达及SemiAnalysis数据，随着GPU架构迭代，单GPU可配套的HBM与CPU DRAM容量均呈现显著上升趋势。具体来看，B200、B300、Rubin、Rubin Ultra单GPU对应的HBM容量分别为192GB、288GB、288GB和1024GB；对应的CPU DRAM容量分别为242GB、242GB、768GB和1536GB。

产能：根据SemiEngineering数据，由于采用TSV堆叠、BaseDie及先进封装工艺，HBM在单位容量维度下的晶圆消耗显著高于传统DRAM。HBM每bit所消耗的晶圆产能约为传统CPUDRAM的3倍。因此，B200、B300、Rubin、Rubin Ultra单GPU对应的等效DRAM产能消耗分别提升至818GB、1106GB、1632GB和4608GB，分别增长20%、35%、48%、171%，呈现明显的代际跃升趋势。

DRAM新增产能释放节奏偏慢，短期难以匹配需求增长

需求端，AI服务器用DRAM为下游最大增量应用环节。根据TrendForce数据，受益于AI服务器部署节奏加快，预计2026年DRAM需求增速为26%。在不同GPU代际与出货假设下测算，若VR200出货量达1400万颗，对应DRAM容量需求约14.78EB，AI服务器正成为DRAM需求增长的最大下游应用。

供给端，根据TrendForce数据，DRAM行业资本开支预计由2025年的537亿美元增至2026年的613亿美元，同比增长约14%，但新增产能集中在2027年及以后释放。具体来看，三星为优先满足HBM4生产需求，计划在平泽P4L工厂生产1cDRAM，预计2026年开始量产；SK海力士预计于2025Q4投产的M15X晶圆厂专注于生产HBM和先进DRAM；美光预计新晶圆厂ID1将在2027年上半年启动晶圆投产。总体来看，2026年DRAM行业将呈现需求快速上行、供给释放滞后的结构性错配格局，AI驱动的DRAM供给紧张态势有望持续。

投资建议

AI的Memory时刻，AI记忆成为支撑上下文连续性、个性化与历史信息复用的底层能力，持续扩展模型能力边界，有望促进AI Agent等应用加速落地。AI记忆的价值正从“费用项”转变为“资产项”，相关上游基础设施价值量、重要性将不断提升。建议关注产业链核心受益标的。

风险提示

AI产业发展以及需求不及预期；AI服务器出货量不及预期，国产厂商技术和产品进展不及预期。