华创证券发布研报称，AI/HPC需求增长推动先进封装由后道工艺向系统级集成平台升级，2029年全球先进封装市场有望达674亿美元;工艺复杂度提升有望带动全球先进封装材料市场2030年增长至1647亿元，中国市场有望达365亿元。关注先进封装领域材料增量空间，工艺步骤增加和材料性能升级将扩大本土供应商的导入空间。

华创证券主要观点如下：

AI/HPC需求增长推动先进封装由后道工艺向系统级集成平台升级，2029年全球先进封装市场有望达674亿美元

1)目前，先进制程微缩面临成本、功耗和良率的约束，单纯依靠晶体管缩放提升芯片性能的难度增加，Chiplet和异质集成逐渐成为延续算力增长的重要路径。2)AI加速器需要在同一封装内集成逻辑芯片、HBM和I/O芯片，对存储带宽、互连密度和散热能力提出更高要求，先进封装由此成为影响系统性能和功耗的关键环节。根据Yole数据，全球先进封装市场规模预计由2024年的407.6亿美元增长至2029年的674.4亿美元，CAGR为10.6%;先进封装占全球封测市场的比重预计由40.2%提升至约50%。

Chiplet与HBM推动先进封装向高密度横向互连和三维垂直集成演进

1)在横向互连方面，Fan-out利用多层RDL将I/O由芯片范围内扇出至更大面积;2.5D封装则通过硅中介层、RDL中介层或局部硅桥，实现逻辑裸片、HBM与I/O裸片之间的高密度互连。2)在垂直集成方面，3D封装通过TSV等垂直通道，并结合微凸点或铜—铜混合键合完成多层裸片堆叠。随着互连间距持续缩小，封装内连接形态由较大间距焊料凸点向铜柱、微凸点及无凸点混合键合演进。与此同时，为承载更大封装面积并改善翘曲控制、信号完整性和制造效率，大尺寸FCBGA、玻璃芯基板及面板级封装等技术路线加快发展。

全球先进封装进入平台化竞争阶段，国内企业产业化速度加快

1)台积电、英特尔和三星分别围绕3DFabric、EMIB/Foveros及I-Cube/X-Cube构建先进封装平台，竞争范围已经覆盖设计、晶圆制造、中介层、封装和测试，先进封装能力逐渐成为高端芯片制造体系的重要组成部分。2)国内长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微和甬矽电子以倒装、晶圆级封装和SiP为基础，持续向Fan-out、FCBGA及2.5D/3D封装延伸，部分项目已经进入规模生产、小量试产或客户验证阶段。

工艺复杂度提升有望带动全球先进封装材料市场2030年增长至1647亿元，中国市场有望达365亿元

1)多层RDL、细间距凸点、TSV、晶圆减薄和混合键合将增加封装基板、介电材料、光刻胶、电镀液、金属靶材、CMP材料及清洗液需求;大尺寸和高功耗封装则推动底部填充料、塑封料、胶黏剂及热界面材料向低翘曲、高可靠和高导热方向升级。2)根据弗若斯特沙利文数据，全球先进封装材料市场规模预计由2025年的1,044亿元增长至2030年的1,647亿元;中国市场预计由203亿元增长至365亿元，中国同期增速高于全球。

风险提示：AI及高性能计算需求不及预期风险、先进封装技术产业化不及预期风险、下游客户认证周期较长风险、国产材料发展进度不及预期风险、新增产能利用率不足风险、行业竞争加剧风险、技术路线快速迭代风险、国际贸易摩擦及供应链风险。