据ETNews报道，三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供AI能力。

这项移动HBM封装技术名为“多层堆叠FOWLP”，其结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠（VCS）技术进行了改进。

目前，智能手机等移动设备中尚未普遍采用HBM。虽然服务器级HBM已经具备高带宽，但移动设备在尺寸、厚度、功耗和发热量方面面临着更为严格的限制。

为解决限制，三星电子大幅提高了VCS封装中铜柱的纵横比，从现有的3-5:1提升至15-20:1，从而扩展了带宽。然而，当铜柱直径小于10微米时，弯曲或断裂的风险也会增加；为了弥补这一缺陷，三星电子采用了一种结合FOWLP工艺的方法。FOWLP是一种在芯片成型后向外延伸布线的技术，起到支撑铜柱的作用。

通过上述方法，HBM可以在相同的空间内放置更多的I/O端子，从而使带宽提升15-30%，并可实现超过1.5倍的内存堆叠数量。业内人士认为，移动HBM的技术优势将是决定未来高端AI智能手机市场份额以及能否成功实现差异化的关键因素。

不过，另有业内人士指出，由于服务器、数据中心和AI加速器等领域对HBM的需求预计在短期内仍将保持强劲，移动HBM的研发和量产速度可能会比计划路线图有所滞后，预计这项技术最早可能在Exynos 2800或Exynos 2900移动处理器的后续版本中推出。

华创证券指出，AI终端有望带动硬件多环节价值量提升，将大模型部署至本地会占用本地内存，以70亿参数的LLaMA模型为例，在4位的情况下仍需占用最小3.9G内存，从而驱动手机内存升级。端侧AI提升用户体验，或有望带动出货量快速增长。

据TrendForce测算，2026 年全球HBM位元消耗量将同比大增92%至285亿Gb，AI算力集群扩容已成为核心需求支撑。海通国际证券认为，伴随2027年全球AI服务器出货量持续高增、HBM3e/HBM4迭代渗透提速，叠加先进封装与良率瓶颈仍持续约束供给释放，我们看好HBM后续涨价预期。

东方财富证券表示，HBM正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节；技术壁垒叠加产能爬坡，产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。2026年在AI算力与HBM放量背景下，封测与设备环节盈利修复与国产替代逻辑同步强化；平台化存储与系统级创新共振，HBM时代基础存储能力构筑第二增长曲线。