导读：碳化硅逆势走强！市场获利盘兑现 英伟达800V架构引爆碳化硅需求！

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5月14日，A股三大指数震荡调整，沪指跌1.02%报4199.19点，深证成指跌1.60%，创业板指跌1.93%，科创综指跌1.70%。全市场成交额约3.39万亿元。虽然指数整体承压，但碳化硅板块逆势大涨，晶升股份、天富能源、京运通涨停，天岳先进盘中逼近20cm涨停，股价续创历史新高，4月以来实现翻倍上涨。

大盘大幅调整有两层原因：一是昨日创业板指创历史新高后技术性回踩需求释放，获利盘集中兑现；二是A50期指翻绿引发情绪联动，银行板块尾盘护盘进一步说明资金分歧加大。值得注意的是，今日主力资金极小幅流入BC电池、TOPCon电池、HIT电池等新能源分支，说明资金在高低切换——从前期涨幅过大的AI科技股向低位的新能源产业链转移。

碳化硅板块逆市抗跌，核心逻辑清晰：英伟达Blackwell、GB200等新一代AI芯片量产推动单机柜功率从200kW向1MW+迈进，传统54V低压直流架构因电流过大、损耗过高已无法适配。为此，英伟达正式主导800V HVDC高压直流供电架构，计划2027年规模化商用，碳化硅MOSFET因开关损耗比硅基IGBT低70%-80%、频率提升5-20倍，成为最优解决方案。与此同时，800V高压平台在新能源车中加速渗透——中国800V车型SiC渗透率已达76%，2026年主驱逆变器渗透率将从15%升至35%以上。碳化硅正同时受益AI算力+新能源汽车两大万亿级市场。

“碳化硅”作为市场近期催化密集的风口，我们今天来解析一下它的长期逻辑和短期催化，帮助大家理解它上涨的背后原因。

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一、短期催化：Citrini报告引爆AI电源预期+8英寸加速放量+新能源车渗透加速

1、Citrini报告将SiC列为AI最被低估主线，AI电源成第三增长极

据财联社5月13日报道，全球知名AI供应链研究机构Citrini发布重磅报告，明确将SiC列为AI领域最被低估的核心主线。报告核心指出，AI电源与AI基建相辅相成，是AI产业发展的核心支撑，碳化硅正是AI电源的核心增量所在。到2030年，AI电源将占碳化硅电源市场的50%，衬底和设备需求有望增长近10倍；碳化硅在CoWoS先进封装中的应用规模将超过电源市场，当前百亿级市场未来有望突破2000亿至3000亿元。与此同时，受AI数据中心需求影响，2026年开年以来功率半导体行业迎来一轮密集涨价潮。

点评：Carbon化硅的价值重估不是单点催化，而是由全球权威机构给出的增量市场全景图，AI电源正接力新能源汽车与光储，成为碳化硅需求增长的新引擎。

2、天岳先进获92家机构调研，8英寸碳化硅衬底已实现稳定批量供应

据《上海证券报》报道，天岳先进近期接受92家机构调研，涵盖QFII、保险公司、基金公司、证券公司、阳光私募等多种机构类型。公司在调研中表示，作为行业技术突破的引领者，公司8英寸碳化硅衬底已实现稳定批量供应，产品性能以卓越的稳定性与一致性获得国际一线客户的高度认可。2026年4月，公司荣获富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”，同时获评博世集团“优选供应商”，进一步印证了公司在全球高端供应链中的核心地位。公司济南和上海临港工厂已实现满负荷高效运转，8英寸产品正进入加快发展的关键阶段。

点评：92家机构密集调研叠加两大全球头部客户的供应链大奖，标志着碳化硅国产龙头已从“技术追赶者”全面升级为“全球供应链引领者”。

3、800V平台从豪华车型向主流中端市场全面下探，2026年渗透率突破35%

Yole预测2026年SiC在电驱动主逆变器中的渗透率将从15%提升至35%以上，800V高压平台正从高端豪华车型向15-20万元主流家用车型全面下探。业界测算，800V平台搭配SiC主驱可降低整车能耗8%-10%，同时赋予超快充能力（充电5-10分钟续航500公里）。比亚迪、特斯拉、现代等头部车企已全面拥抱800V+SiC技术路线，比亚迪汉EV、小鹏G9、极氪001等800V车型已实现批量交付。三安光电与意法半导体合资的重庆安意法项目总投资230亿元，8英寸碳化硅芯片产能正逐步释放，已批量供货给比亚迪、特斯拉等头部车企，下半年产能利用率有望突破60%盈亏平衡线。

点评：800V平台的全面下沉意味着SiC市场不再是小众高端市场，而是面向千万辆级别的主流新能源车市场，空间成倍扩大。

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二、投资策略

结合机构观点，市场重心放在三条主线：

①SiC全产业链龙头，8英寸产能释放+批量供货头部车企，量价齐升逻辑最强；

②碳化硅衬底材料商，12英寸突破+8英寸海外批量出货，国产替代空间广阔；

③SiC功率设备商，8英寸外延+减薄设备批量交付，受益于产业链扩产周期；

相关公司梳理

①天岳先进：SiC半绝缘型衬底龙头，12英寸晶体突破，境外营收占比46.22%，分析师首次覆盖目标空间显著，2026年净利预增117%。

②晶盛机电：SiC长晶及外延设备龙头，12英寸SiC晶体技术突破，马来西亚+银川双8英寸产能布局。

③三安光电：国内唯一SiC全流程IDM厂商，覆盖衬底、外延、器件全环节，车规级产线已实现量产落地，深度受益SiC产业链景气回升。

④晶升股份：泛半导体领域布局研磨&切割设备。研磨设备，激光退火设备应用于4/6/8英寸碳化硅、蓝宝石等硬质材晶圆的减薄； 布局SiC外延设备（预研）、先进封装晶圆级混合键合设备（测试中）

⑤露笑科技：导电型衬底（主攻6英寸，推进8英寸）。较早布局，合肥基地已建成24万片/年（6寸）产能基础。8寸衬底小批量验证。

风险提示

碳化硅渗透率提升不及预期风险；行业产能扩张及价格竞争加剧风险；新技术路线替代风险；国际贸易政策变化风险。以上个股仅作梳理，不作任何投资依据，据此操作风险自担。

资料参考

20260427-国投证券-电子_乘AI东风，碳化硅行业迎新催化