东吴证券发布研报称，硅电容以单晶硅为衬底，通过薄膜沉积、光刻与深硅刻蚀等半导体工艺制造，在高频、高温、超薄及高可靠性场景中具备显著优势，与MLCC形成互补分工而非替代关系。该行指出，AI芯片/HBM封装及800G/1.6T光模块迭代正驱动硅电容产业化提速，全球市场规模有望从2024年10.7亿美元增至2031年18.2亿美元，2024-2031年CAGR约为8%。

东吴证券主要观点如下：

硅电容：以半导体工艺重塑被动元件性能边界

产业内主要有平面(Planar)、深沟槽(DTC)和过孔集成(VIC)三种硅电容路线。平面结构工艺最成熟，基于电极板形成电容，结构简单，容值密度有限，厚度常规，用于传统或低端场景。DTC工艺成熟，通过刻蚀高纵横比深沟槽并在侧壁沉积介质及电极材料，大幅增加有效面积，容值密度高，厚度不足40μm，用于AI服务器、高速光模块等高性能主流应用。VIC产业化处于导入加速期，容值密度更高，具有进一步减薄和集成潜力，更适用于GPU近芯片供电及高端先进封装。MLCC与硅电容是互补分工而非替代关系：MLCC以低成本、大容量主导板级通用滤波稳压;硅电容以超低ESL、超薄、高频稳定等优势，专攻封装内部近die去耦等高端场景。尤其在AI服务器中，板级MLCC受寄生电感限制，硅电容紧贴芯片保障封装级电源完整性，两者层级协同，分别满足通用与极致需求。

AI产业趋势驱动，硅电容有望迎来广阔增长空间

1)AI芯片/HBM封装：硅电容以低于10pH的ESL和不足40μm的厚度优势，有望凭借其在封装内部近die去耦的核心价值，逐渐成为GPU、ASIC与HBM封装中的标准元件。产业信号已高度密集：三星电机已与一家全球大型企业签署价值约1.5万亿韩元(约人民币68亿元)的硅电容长期供应合同，正式开启该业务规模化商用阶段;英伟达Rubin架构将内嵌硅电容列为标配。2)高速光模块：800G/1.6T光模块迭代对信号完整性与高频滤波提出更高要求，硅电容凭借极低高频插入损耗与200°C以上耐温能力，在光模块电源滤波与信号耦合中发挥关键作用。根据QYResearch数据，2024年全球硅电容市场规模约10.7亿美元，2031年全球硅电容市场规模将达到18.2亿美元，2024-2031年CAGR约为8%。

硅电容尚处产业化初期，市场竞争格局集中

硅电容产业兼具半导体与被动元件双重技术门槛，跨界融合使研发及量产难度极高，加之产品直接影响芯片可靠性，客户验证周期漫长，新玩家短期难以大规模切入。全球硅电容市场竞争格局较为集中，海外主要厂商包括村田、罗姆半导体、三星电机等。国内方面，火炬电子、鸿远电子、风华高科、宏达电子等上市公司多处于研制或培育阶段;而苏纳光电、朗矽科技、凌存科技等非上市企业已获头部客户订单或实现大规模量产交付，产品进入AI芯片与光模块供应链。

风险提示

产业化进程不及预期风险;下游市场需求不及预期风险;客户验证与导入不及预期风险;行业竞争加剧风险。