导读：存储扩产+业绩催化，半导体卖水人迎风口

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1月14日，A股大小盘风格极致分化行情。上证跌0.31%，Wind全A涨0.31%，近4万亿成交额创历史新高,2700家上涨，2600家下跌。

宽基指数中，除了沪深300跌0.4%，其他的全红，其中中证500涨1.04%，科创综指涨1.63%。出现这种情况，原因再明显不过了：交易所上调融资保证金比例，从80%调整到100%。

这背后的意思就是：上面觉的涨的太多、太快了，因此要降融资杠杆，泼一盆冷水。同时，沪深300卖盘明显，到了尾盘，各大权重股又出现天量压盘。

当三个信号同时出现，就是GJD砸盘动手之时。因此，如果你的持仓是GJD的统治区，比如沪深300，今天就会比较受伤。

后续会怎么走呢？还是要走慢牛，但是热度要降一降，毕竟牛市预期不容易，不可能一棒子打死。很多人说，监管的第一次提醒往往是买点就是这个道理。后续看的话，符合“十五五”方向的板块会走的更远一些。

热点题材呈现轮动分化特征。半导体设备板块卷土重来，洁净室龙头亚翔集成、圣晖集成双双涨停，耐科装备、长川科技等创出历史新高；AI应用、算力租赁板块同步活跃，受益于AI应用的密集利好催化。商业航天概念内部分化，高位股调整但低位品种连板晋级。

众多热点中，半导体设备板块的崛起具备强逻辑支撑。核心逻辑在于H200放宽入华点燃了半导体热度，存储芯片超级涨价周期与先进制程扩产形成共振，直接拉动设备需求。

再加上佰维存储业绩预增极为亮眼，营收增长70%,归母净利润增长520%，远超市场预期，成为A股存储板块“超级周期”启动的首个强信号。随着年报开始公布，存储板块的业绩必然远超预期，后续肯定要扩产，这个时候，半导体设备将迎来高确定性风口。

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一、短线催化：AI+存储+国产替代三重共振，设备进入超级周期

1、存储芯片"史诗级"涨价,Q1合约价预计涨超60%

2026年新年伊始,存储芯片涨价势头不减。1月7日,"1盒内存条堪比上海1套房"话题冲上热搜,海力士和三星256G DDR5服务器内存单根超4万元,甚至高达49999元/根,按100根一盒计算价格将近500万元。国金证券数据显示,DDR4 16Gb一年涨幅高达1800%。三星、SK海力士计划2026年一季度将服务器DRAM价格较四季度提升60%-70%,NAND闪存价格也将出现两位数涨幅。

涨价背后是AI驱动的结构性短缺:原厂产能向HBM等高端产品倾斜,挤压传统存储供给,需求增长与供给约束形成共振。中银证券预计存储价格上涨趋势将贯穿2026年全年。

点评: 存储涨价从现货传导至合约,从消费级向企业级全面扩散,印证AI驱动的需求刚性,将直接带动存储厂商扩产意愿,设备订单确定性强。

2、长鑫IPO募资295亿,国产设备商迎百亿级订单

长鑫科技科创板IPO获交易所受理,拟募资295亿元,加上自有资金总投资达345亿元,其中设备购置安装费用超220亿元。量产线技改项目投入75亿元,设备购置约46.66亿元；DRAM技术升级项目总投资180亿元,设备购置占174亿元,计划2025年四季度启动采购,2026-2027年分批完成搬入,大部分设备2027年底前完成导入,2028年上半年验收。

长鑫科技是目前中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业,存储产线对国产化率要求较高,国内设备厂商有望显著受益。东莞证券指出,3D化驱动DRAM和NAND设备可服务市场分别为原来的1.7倍和1.8倍。

点评: 长鑫上市进程推进强化存储扩产预期,国产化率要求叠加技术迭代,为国内设备商创造历史性发展机遇,订单增长确定性高,业绩兑现可见度强。

3、全球18座新晶圆厂2026-2027年投运，中国大陆占比35%，设备需求持续高景气

SEMI统计，2025年全球启动18座新晶圆厂建设，2026-2027年陆续投运，中国大陆占比35%，对应月产能120万片，其中28nm、14nm、3D NAND、DRAM产能占比70%，国产设备在刻蚀、薄膜、热处理环节成本优势30%，全球市占率有望由15%提升至25% 。

点评：全球产能扩张向中国大陆倾斜，国产设备凭借“性价比+服务”双重优势，加速切入全球供应链。

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根据“主力宝”监控，存储行业年报开门红的佰维存储，主力在12月31日就埋伏进场，已经上涨24%。

2、投资策略

结合机构观点,在当前半导体设备从"国产替代"向"全球竞争"跨越的关键时点,投资应聚焦两条主线:

存储扩产主线: 重点关注在刻蚀、薄膜沉积、CMP等存储核心工艺环节有深厚技术积累、已进入长鑫等国产存储厂商供应链的公司。这些企业将直接受益长鑫345亿扩产,订单能见度高、业绩兑现确定性强。

平台化龙头主线: 优先选择产品线覆盖70%以上前道工艺、技术已进入14nm及以下先进制程验证的平台型设备商。这些企业在先进制程持续扩产与设备国产化率提升背景下,订单增速有望超50%,且具备通过并购整合快速扩张的能力,长期成长空间更大。

相关公司梳理

①兆易创新：全球NOR第二、大陆存储龙头，产品包括利基DDR4 4GB、DDR3 2GB，SLC NAND，NOR Flash市场占有率约20%。持有长鑫存储母公司长鑫科技1.88%股权。

②北方华创：国内半导体设备平台型旗舰企业，产品线覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影等核心工艺，平台化协同优势显著，将持续受益于全面的国产替代进程。

③中微公司：国内刻蚀设备龙头，CCP刻蚀技术国际领先，ICP刻蚀快速放量。通过收购杭州众硅切入CMP赛道，平台化布局迈出关键一步，深度受益于先进制程与3D NAND扩产。

④拓荆科技：国内薄膜沉积设备领军者，聚焦PECVD、ALD、SACVD等设备，在薄膜工艺覆盖面和技术实力上领先。同时前瞻性布局三维集成（先进封装）设备，打造第二成长曲线。

⑤精智达：长鑫存储ATE独家设备供应商(目前长川还没出货)，股东和长鑫存储有关联。

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风险提示

下游扩产进度不及预期;中美贸易摩擦升级;市场估值过高引发短期波动风险。

资料参考

20260112-财信证券-半导体行业2026年年度策略报告：乘风AI浪潮，国产化重塑格局

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作者：九方智投-投顾-顾钱栋-登记编号：A0740624100008；整理资料：九方智投-一般证券从业-张林-登记编号：A0740125090047；以上个股仅供梳理，不作为买卖依据，据此操作风险自担。投资有风险，入市需谨慎。