东北证券发布研报称，架构升级推动功率级、磁性器件、去耦电容与PCB协同开发，具备高密度集成及系统适配能力的供应商有望受益，关注VPD架构升级带来的核心器件增量与国产导入机会。

东北证券主要观点如下：

VPD：供电路径垂直化，开启AI芯片近端供电升级

AI芯片功率与供电电流持续提升，传统横向供电面临传输损耗、瞬态压降及板面空间约束。VPD将末级电源模块移至处理器下方，缩短低压大电流路径，降低配电损耗并释放芯片周边布线空间，后续有望向主板及封装基板内集成演进。架构升级推动功率级、磁性器件、去耦电容与PCB协同开发，具备高密度集成及系统适配能力的供应商有望受益，关注VPD架构升级带来的核心器件增量与国产导入机会。

DrMOS：大电流与高电源密度协同升级，国产厂商加快突破

DrMOS集成驱动器及上下桥MOSFET，是多相降压供电的核心功率器件。芯片功率提升推动供电相数及器件需求增长，VPD进一步提高对转换效率、封装高度和散热性能的要求。根据该行测算，2030年全球数据中心AI芯片用DrMOS市场空间有望超450亿元(在正文预设测算条件下成立)。高端服务器领域仍以国际厂商为主，晶丰明源、杰华特等国内厂商正通过大电流功率级与多相控制器配套，积累客户验证及批量供货能力。

电感：VPD推动磁性器件集成升级，TLVR渗透拓展价值空间

垂直供电将电源模块集中于处理器下方，对电感的薄型化、电流承载能力及瞬态响应提出更高要求，推动产品由传统分立式向多相集成及TLVR方案演进。电感用量通常与供电相数匹配，AI芯片功率增长构成需求支撑;TLVR通过跨相耦合加快电流响应，降低满足同等瞬态指标所需的输出电容量，适配VPD有限空间内的高密度供电需求。根据该行测算，2030年全球AI芯片供电用TLVR电感市场空间有望超350亿元(在正文预设测算条件下成立)。铂科新材、顺络电子等厂商依托磁性材料、精密制造或多相集成能力，加快产品验证与批量交付。

高频电容：去耦向芯片近端迁移，硅电容有望迎来封装内增量

VPD缩短供电路径，处理器下方布局趋于紧凑，推动电容向低寄生参数、薄型化及基板嵌入方向升级。低ESLMLCC与硅电容有望形成分工，硅电容凭借三维结构、高容量密度及封装适配能力，拓展先进封装内的应用空间。根据该行测算，2030年全球AI芯片硅电容市场空间有望超200亿元(在正文预设测算条件下成立)，具备器件工艺与客户验证积累的厂商有望占据先发位置。

风险提示

资本开支不及预期，产品落地进展不及预期，客户验证及国产替代进度不及预期，市场竞争及盈利能力下降风险。