长鑫科技发布第三季度财报后，10月31日下午公布了一份投资者关系活动记录表，内容为业绩说明会的记录。长鑫科技在业绩说明会上回应了多个市场关切的问题。

此前长鑫科技宣布在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构上取得关键突破。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈。

此次长鑫科技透露，公司下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F²架构，该工艺技术平台已完成工程样片验证。4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况推进。

长鑫宣布4F²架构取得突破后，相关技术在业内引起争议。

美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（‌斯科特·德波尔‌）本月早些时候表示，美光将沿着6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升。美

光研究了4F² 20年，认为这个方向没有可行微缩路径和实际收益。

Scott DeBoer解释，电容间距、电容尺寸和尺寸参数实际上才是决定位密度理论极限的关键，一切都围绕电容间距进行优化。

长鑫科技此次回应了“密度不仅取决于架构，还取决于电容间距”的说法和海外厂商不走4F²路线的做法。

“从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”长鑫科技称，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数、以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。

长鑫科技称，不同存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局及资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，值得理解和尊重。

就4F²等新技术带来的效益，长鑫科技则表示，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。

财报数据也受到重点关注。第三季度长鑫科技营收1187.14亿元，同比增长613.18%，净利润544.35亿元。

然而，该季度净利润环比仅增长3.01%，环比增速明显放缓。长鑫科技就此表示，主要原因是对两家控股子公司的持有权益比例相对较低，长鑫新桥及长鑫集电三季度的营收和利润环比增长率都超过50%，它们是集团三季度营收和利润增长的主要驱动力量。

截至今年6月末，长鑫科技及子企业直接持有长鑫新桥、长鑫集电30.68%、31.72%股权。长鑫科技称已采取措施，8月增加了对长鑫集电的注资，提高了权益比例。

长鑫科技还谈到产品价格和市场展望，称第三季度产品价格整体随行业大势稳步提升，企业级产品价格涨幅较好，消费级产品价格增速相对较缓。公司产品定价遵循行业基本定价逻辑和规律，与海外厂商价格差异不大。

展望未来，长鑫科技预计，第四季度DRAM供不应求的态势延续，公司营收保持增长趋势，明年营收也保持增长。