兴业证券发布研报称，随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求快速增长，行业景气度持续提升。此外，随着海外逐步退出利基型存储市场，供需持续紧张导致价格上涨，国内利基存储公司有望深度受益。

兴业证券主要观点如下：

需求端：AI推理需求爆发是存储需求的主要驱动力

根据TrendForce，预计2026年八大主要CSP的合计资本支出将超越7,100亿美元，同比增长约61%。若未来AI应用爆发，企业盈利有望大幅提升，CSP在2027年之后依旧有望大幅提升资本开支。虽然存储涨价对消费电子需求存在较大冲击，但本轮周期是由AI数据中心和云服务商主导，AI推理需求爆发是存储需求的主要驱动力，且AI对存储需求拉动明显高于消费电子下滑对存储需求的影响。

供给端：2026年存储原厂目前新建的产能相对有限，新增产能大部分在27H2释放

NAND方面，2026年海外存储大厂仅有铠侠K2，三星西安X2产线、海力士清州M15等厂小幅扩产。DRAM方面，2026年仅有三星P4、海力士M15X等厂小幅扩产。资本开支方面，海外存储大厂资本开支未来主要聚焦AI方向，例如HBM、DDR5以及企业级SSD，而消费电子已不再是未来资本开支的重心。

供需关系：预计供需紧张持续至2027年之后

NAND方面，该行测算2025-2027年，NAND总需求分别为988EB、1130EB、1501EB，NAND总供给分别为986EB、1071EB、1447EB，预计2026-2027年NAND供需缺口分别为-5.26%、-3.60%。DRAM方面，该行测算2025-2027年，DRAM总需求分别为40EB、52EB、69EB，DRAM总供给分别为41EB、48EB、68EB，2026-2027年DRAM供需缺口分别为-7.22%、-1.77%。

价格端：在AI强劲需求下，该行预计存储价格上涨有望贯穿2026年全年

根据TrendForce最新存储器价格调查，2026Q2因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将环比增长58-63%。NANDFlash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将环比增长70-75%。海力士表示在AI客户强劲需求的推动下，当前的存储价格上涨趋势可能贯穿2026全年。

风险提示：终端消费电子需求不及预期，资本开支不及预期，行业竞争格局加剧，行业技术发展不及预期。