据媒体周一援引消息人士的话报道称，韩国存储芯片巨头三星电子计划从2月开始生产其下一代高带宽存储芯片，即HBM4，并将向英伟达供货。

该消息人士拒绝透露三星计划向英伟达供应芯片的具体数量等细节。

韩国经济日报周一也援引芯片行业消息人士报道称，三星的HBM4芯片已通过英伟达和AMD的认证测试，将于下月开始向这两家公司供货。

受上述消息影响，三星电子股价周一早盘一度上涨逾2%，而其本土竞争对手SK海力士的股价则下跌近3%。

三星HBM4通过最终质量测试，并即将向主要客户供货，有望帮助该公司在面向人工智能（AI）的存储芯片竞争中重新夺回领先地位。

三星曾在HBM领域长期落后于SK海力士。过去几年，该公司彻底改革了其HBM和半导体业务部门，旨在扭转局面，如今改革成果开始显现。

从市占率来看，过去数月，三星在全球HBM市场的份额稳步上升，从去年第一季度的13%增长至第三季度的超过 20%。分析人士预计，今年这一数字将超过 30%，缩小与目前市场领导者SK 海力士之间的差距。

SK海力士去年10月份表示，已与主要客户就2026年的HBM供应事宜完成了谈判。

本月早些时候，SK海力士一名高管透露，该公司计划下个月将硅晶圆投入位于韩国清州的新工厂M15X中，用于生产HBM芯片。但他未详细说明，初期生产是否会包含HBM4芯片。

三星和SK海力士均将于本周四公布2025年第四季度财报，届时两家公司预计将透露有关 HBM4订单的详细信息。

三星电子本月早些时候发布的2025年第四季度初步业绩显示，受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮，当季公司营业利润大幅增长，且好于市场预期。

根据初步业绩，三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元（约合138.2亿美元‍），较上年同期飙升208%，高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。

英伟达首席执行官黄仁勋本月初表示，公司下一代芯片——Vera Rubin平台已“全面量产”。该平台计划于2026 年下半年正式推出，并面向客户供货。该平台将与HBM4芯片搭配使用。