国投证券发布研报称，当前电子级羟胺产业链的核心矛盾在于AI算力驱动的需求增长与存量供给限制之间的错配。需求端，AI算力增长正推动HBM、DRAM产能激进扩张以及先进逻辑制程微缩、3DNAND层数堆叠，带来了晶圆产能的绝对增量，更使得高深宽比、复杂多层金属结构下的湿法清洗步骤占比大幅提升。供给端，巴斯夫的产能物理内嵌于己内酰胺主装置，缺乏独立扩产动机，叠加欧洲高企的能源与碳成本，其供给弹性持续偏紧。在此背景下，国产企业凭借工艺路线优化迎来破局契机。

国投证券主要观点如下：

AI算力扩张带动先进清洗耗材增量

羟胺凭借强还原性与弱碱性的双重属性，能够通过氧化还原与亲核反应有效拆解传统溶剂和等离子灰化难以清除的金属氧化物及交联残留。尽管清洗剂历经四代技术演进，但在先进逻辑、3DNAND及G5级高端场景中，无羟胺方案受制于极致的腐蚀裕度、深孔传质限制及护金属要求，难以实现完全替代，从而确立了羟胺在高端湿法清洗中的工艺必选地位。随着AI算力需求增长，HBM/DRAM产能激进扩张与3DNAND层数堆叠，推动晶圆产能与清洗工序频次双重跃升。预计至2030年，全球G4/G5级电子羟胺理论需求将达2.05万吨，2024-2030年期间复合增速达13.5%。

工艺路线重构下的国产替代

电子级羟胺受制于ppb/ppt级的极致纯度要求、2-3年的长周期晶圆厂认证以及高危的安全生产壁垒，行业有效供给长期偏紧且高度集中。海外龙头巴斯夫的产能物理内嵌于己内酰胺主装置，在缺乏独立扩产动机的同时，还面临欧洲高昂的能源与碳税成本压力，供给弹性趋弱。国内企业通过底层工艺路线切换，转向以酮肟水解为核心的绿色循环产业链，不仅实现了物料的闭环利用与羟胺的独立供给，摆脱了对主装置的物理依赖，也将完全成本大幅压降，在越过纯度与认证壁垒之后，有望实现份额的快速渗透。

国产放量填补总量缺口，高端供给仍存结构性短缺

在供给侧，巴斯夫维持约7200吨/年的存量产能假设下，国产扩产成为全球供给增量的核心来源。受此驱动，全球供需差额或逐步收敛，然而，G5级等高端产品的实际有效供给仍深度受制于极致的纯度控制、工艺适配能力及长周期的晶圆厂客户认证壁垒。价格端，短期供需偏紧将支撑产品价格维持上行通道，随2028年后国产产能的集中兑现后，预计产品价格将面临一定回调压力，但凭借其技术壁垒与电子级材料属性，其价格中枢仍将显著溢价于传统工业级产品。

风险提示

行业竞争加剧、原材料价格大幅波动、需求下滑风险、新产品推广不及预期风险、测算不及预期风险