2026年8月10日，国内高端半导体设备龙头拓荆科技股份有限公司（以下简称“公司”或“拓荆科技”）位于沈阳市浑南区的高端半导体设备产业化基地顺利完成主体结构正式封顶。

该项目是辽宁省、沈阳市重点半导体产业项目，由拓荆科技及其全资子公司拓荆创益 (沈阳) 半导体设备有限公司共同投资建设，中国建筑第八工程局有限公司承建。项目占地147亩，总建筑面积15.6万平方米，项目总投资近18亿元。基地规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室与综合配套设施，同步配套引入先进生产管理系统，定位为集规模化、智能化、数字化于一体的绿色智能化示范工厂、拓荆科技全球核心研发制造中心。计划2028年投入使用。

拓荆科技持续在高端半导体设备领域深耕，专注于薄膜沉积设备和三维集成领域设备的研发和产业化应用，拥有国际先进水平的核心技术，产品已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术及图像传感器等领域。

受益于AI、先进存储、汽车电子等下游市场快速增长，国内芯片产线对于国产薄膜沉积、三维集成装备需求持续高涨。截至目前，拓荆科技产品已导入国内约100条芯片产线，客户端累计流片量约6亿片。公司如今已布局10余家子/孙公司，全国研发制造基地总规模接近30万平方米，先进制程设备持续通过客户端验证，加速实现规模化导入。

本项目建成后，沈阳作为拓荆科技总部基地最大产能规模将达到每年超过1000台，有力支撑 PECVD、SACVD、HDPCVD等系列高端薄膜沉积设备的产业化和公司业务规模的持续扩大、新产品的研发创新与技术迭代，进一步巩固拓荆科技在高端半导体设备领域的竞争优势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。同时拓荆科技将更好地发挥龙头企业的引领和带动作用，加速区域供应链聚集，加强政校企研合作，助力沈阳成为我国集成电路产业链供应链自主可控的重要地区，为国家集成电路产业发展贡献积极力量。