美光(MU.US)拟在新加坡加码存储芯片制造投资 全力应对全球“缺芯”潮
据三位知情人士透露,美国存储芯片制造商美光科技(MU.US)即将宣布在新加坡新增存储芯片制造产能投资,此举旨在扩大产能,以应对当前全球存储芯片的严重短缺局面。
上述知情人士称,美光最快将于当地时间周二公布该项投资计划,其中一位人士透露,此次投资将聚焦于NAND闪存领域。
截至目前,美光暂未回应置评请求。
当前,全球各界争相布局人工智能(AI)基础设施,直接导致各类存储芯片供应严重紧缺,受此影响的消费电子、AI服务提供商等行业正全力应对这一局面,而美光此次正是在此背景下推出新的投资计划。
新加坡是美光的重要制造基地,其旗下98%的闪存芯片均在当地生产。该公司还在新加坡投建一座耗资70亿美元的高带宽存储芯片(HBM)先进封装厂,这类芯片主要应用于AI芯片领域,该工厂预计2027年正式投产。
美光及其主要竞争对手——韩国的三星(SSNLF.US)和SK海力士均已宣布新建产线,并提前了产能投产时间。但分析师认为,全球存储芯片的供应缺口或将持续至2027年底。
上周,美光宣布正洽谈以18亿美元现金收购中国台湾省力积电的一座晶圆厂,此次收购将助力美光提升动态随机存取存储器(DRAM)晶圆的产能。
本月,SK海力士表示,公司计划将一座新工厂的投产时间提前三个月,另一座新工厂也将于2月正式启动运营。
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