机构：第一季度NAND价格上涨至多90%

【机构：第一季度NAND价格上涨至多90%】《科创板日报》5日讯，Counterpoint表示，2026年第一季度内存价格环比上涨80%-90%，创下前所未有的历史新高。此次价格上涨的主要驱动因素是通用服务器DRAM价格的急剧上涨。此外，第四季度相对平静的NAND闪存价格在第一季度也出现了80%-90%的同步增长。再加上部分HBM3e产品价格的上涨，整个市场呈现出全面上涨的态势。

存储超级周期愈演愈烈 三星市值首破1000万亿韩元

【存储超级周期愈演愈烈 三星市值首破1000万亿韩元】财联社2月4日电，随着AI热潮下存储产业超级周期愈演愈烈，韩国存储大厂三星电子周三的市值突破1000万亿韩元（约合6880亿美元）这一重要关口，成为韩国首家达到这一里程碑的公司。继去年飙涨125%之后，三星电子股价今年已累计上涨约41%。三星预测，未来存储芯片需求将保持强劲。该公司还表示，其下一代高带宽内存（HBM）芯片，即HBM4，有望在本季度开始交付。

瑞银：存储芯片2028年才有可能出现有意义的供给缓解

【瑞银：存储芯片2028年才有可能出现有意义的供给缓解】财联社2月3日电，瑞银分析师团队表示，短期可聚焦于两大堪称垄断的HDD霸主——即希捷与西部数据公司，可把它们共同当作“存储景气度周期类型短期交易主题”，中长期把超额收益押在Memory(HBM、高端DDR、以及数据中心企业级SSD背后的NAND/控制器生态)的供需缺口与定价权上——这与当前AI数据中心扩张正在把HBM与传统DRAM/NAND推向更强烈的供需失衡相一致，也就是说三大存储芯片原厂主导的定价与供给纪律只会导致供需愈发失衡，且202

三星、SK海力士或在测试完成前抢先量产HBM4

【三星、SK海力士或在测试完成前抢先量产HBM4】《科创板日报》2日讯，据业内人士透露，三星电子和SK海力士在HBM4测试完成之前就已开始抢先量产，以满足英伟达对HBM的需求。SK海力士内部工作组将此次量产定性为“高风险量产”。高风险量产是指在客户认证完成之前，提前部署晶圆进行量产。

SK海力士：预计下半年HBM4短缺情况将进一步恶化

【SK海力士：预计下半年HBM4短缺情况将进一步恶化】《科创板日报》29日讯，SK海力士表示，其目标是在HBM4市场保持绝对领先地位。然而，随着客户需求持续爆发式增长，预计下半年库存短缺情况将进一步恶化。

三星芯片利润激增 AI热潮带火存储市场

【三星芯片利润激增 AI热潮带火存储市场】财联社1月29日电，三星电子芯片业务利润增长逾四倍，超出预期，释放出人工智能(AI)支出浪潮激发存储芯片需求的积极信号。这家韩国公司计划扩大AI相关芯片的销售，并有望从第一季度开始向英伟达交付其下一代高带宽存储芯片HBM4。三星半导体部门公布的第四季度营业利润为16.4万亿韩元（114亿美元），高于分析师平均预期的10.85万亿韩元。整体净利润为19.29万亿韩元，高于预期值15.1万亿韩元。三星还表示，其将回购价值3.57万亿韩元的股票。三星股价在20

财联社1月29日电，SK海力士称，已开始生产客户要求的HBM4芯片。

财联社1月29日电，SK海力士称，已开始生产客户要求的HBM4芯片。

财联社1月29日电，三星电子称，HBM4芯片将于第一季度出货。

财联社1月29日电，三星电子称，HBM4芯片将于第一季度出货。

财联社1月28日电，SK海力士表示，2025年高带宽内存（HBM）营收同比增幅超一倍；服务器需求激增推动内存需求爆发，但全行业产能受限缓解了内存需求激增问题。

财联社1月28日电，SK海力士表示，2025年高带宽内存（HBM）营收同比增幅超一倍；服务器需求激增推动内存需求爆发，但全行业产能受限缓解了内存需求激增问题。

SK海力士将独家为Maia 200供应HBM3E芯片

【SK海力士将独家为Maia 200供应HBM3E芯片】《科创板日报》27日讯，SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片。据悉，Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB，其配备了六个12层HBM3E内存模块，每个模块容量为36GB。

财联社1月26日电，三星据悉接近获英伟达批准，将供应HBM4人工智能存储芯片。

财联社1月26日电，三星据悉接近获英伟达批准，将供应HBM4人工智能存储芯片。

三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段

【三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段】《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。

三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片

【三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片】《科创板日报》21日讯，三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片，其于此前已将4nm制程应用于HBM4（第六代HBM）的逻辑芯片，该产品预计将于今年投入商业化生产。

英伟达2025Q4再次提高HBM4供应标准

【英伟达2025Q4再次提高HBM4供应标准】《科创板日报》15日讯，英伟达去年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。

LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本

【LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本】《科创板日报》13日讯，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时，可能在HBM领域竞争力不足。

机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响 预估量产时程延至2026年第一季度末

【机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响 预估量产时程延至2026年第一季度末】《科创板日报》8日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。

消息称美光今年HBM4增产幅度占总产能近30%

【消息称美光今年HBM4增产幅度占总产能近30%】《科创板日报》7日讯，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报电话会议上透露，计划从第二季度开始提高HBM4的产量，且HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。

AMD推出下一代新品 4年内AI芯片性能有望提升1000倍

【AMD推出下一代新品 4年内AI芯片性能有望提升1000倍】财联社1月6日电，AMDCEO苏姿丰在CES演讲中表示，下一代AI芯片MI455GPU采用两纳米和三纳米工艺制造，并采用先进封装，搭载了HBM4。MI455GPU将与EPYCCPU一同集成，下一代AI机架Helios机架将包含72个GPU，通过连接数千个Helios机架可构建大AI集群。此外，MI500系列芯片也在开发中，将采用两纳米工艺。随着MI500系列在2027年推出，AMD有望在4年时间内将AI性能芯片提升1000倍。

SK海力士DRAM集群洁净室启用时间提前至2027年3月

【SK海力士DRAM集群洁净室启用时间提前至2027年3月】《科创板日报》4日讯，SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室，比原计划提前约两个月，为扩张DRAM产能做准备。据悉，该集群是下一代DRAM内存生产基地，其产能包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。

财联社1月2日电，三星电子首席执行官表示，三星HBM4展现差异化竞争力。

财联社1月2日电，三星电子首席执行官表示，三星HBM4展现差异化竞争力。

盘前题材挖掘

【盘前题材挖掘】①2026年“国补”首次纳入智能眼镜，AI眼镜行业有望迎高速增长。②个人购房2年以下增值税税率降至3%，房地产市场或加快止跌回稳。③HBM引领AI浪潮下的存储革命，相关产业链投资价值凸现。

《科创板日报》30日讯，三星电子计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能，较目前的每月17万片产能提升47%。

《科创板日报》30日讯，三星电子计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能，较目前的每月17万片产能提升47%。

消息称三星平泽P4工厂建设提速 HBM4量产或提前

【消息称三星平泽P4工厂建设提速 HBM4量产或提前】《科创板日报》29日讯，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。

SK海力士明年1月初向英伟达交付12层HBM4最终样品

【SK海力士明年1月初向英伟达交付12层HBM4最终样品】《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。

三星、SK海力士上调明年HBM3E价格 涨幅近20%

【三星、SK海力士上调明年HBM3E价格 涨幅近20%】《科创板日报》24日讯，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。