HBM
话题简介：HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
SK海力士推迟HBM4量产计划 拟大幅增加HBM3E产量
【SK海力士推迟HBM4量产计划 拟大幅增加HBM3E产量】《科创板日报》8日讯，SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量。
【SK海力士推迟HBM4量产计划 拟大幅增加HBM3E产量】《科创板日报》8日讯，SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量。
12-08 18:45
《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。
《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。
《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。
12-02 15:44
美光广岛DRAM工厂扩建2026年5月启动 目标2028年出货
【美光广岛DRAM工厂扩建2026年5月启动 目标2028年出货】《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。
【美光广岛DRAM工厂扩建2026年5月启动 目标2028年出货】《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。
12-01 20:41
HBM9或于2040年问世 性能有望达到HBM4的60倍
【HBM9或于2040年问世 性能有望达到HBM4的60倍】《科创板日报》28日讯，韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测，HBM9预计将于2040年左右问世，其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构，带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。
【HBM9或于2040年问世 性能有望达到HBM4的60倍】《科创板日报》28日讯，韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测，HBM9预计将于2040年左右问世，其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构，带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。
11-28 15:27
三星HBM研发团队解散 并入DRAM回归常态化运营
【三星HBM研发团队解散 并入DRAM回归常态化运营】《科创板日报》28日讯，三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入DRAM开发部门下的设计团队。
【三星HBM研发团队解散 并入DRAM回归常态化运营】《科创板日报》28日讯，三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入DRAM开发部门下的设计团队。
11-28 10:42
机构：2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%达414亿美元
【机构：2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%达414亿美元】财联社11月26日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制
【机构：2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%达414亿美元】财联社11月26日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制
11-26 14:44
分析师：DRAM价格上涨将推动三星业绩强劲增长
【分析师：DRAM价格上涨将推动三星业绩强劲增长】《科创板日报》24日讯，Kiwoom证券分析师Pak Yu-ak在研报中指出，由于DRAM芯片价格高于预期，预计三星电子第四季度业绩将超过市场预期。作为全球最大的存储芯片制造商，预计三星第四季度营业利润将达到17.6万亿韩元，比第三季度增长44%，高于市场普遍预测。Pak Yu-ak表示，个人电脑、手机和数据服务器所用DRAM芯片的固定价格正以快于预期的速度上涨。Kiwoom预计，三星2026年的营业利润将达到100万亿韩元，理由是公司在HBM4
【分析师：DRAM价格上涨将推动三星业绩强劲增长】《科创板日报》24日讯，Kiwoom证券分析师Pak Yu-ak在研报中指出，由于DRAM芯片价格高于预期，预计三星电子第四季度业绩将超过市场预期。作为全球最大的存储芯片制造商，预计三星第四季度营业利润将达到17.6万亿韩元，比第三季度增长44%，高于市场普遍预测。Pak Yu-ak表示，个人电脑、手机和数据服务器所用DRAM芯片的固定价格正以快于预期的速度上涨。Kiwoom预计，三星2026年的营业利润将达到100万亿韩元，理由是公司在HBM4
11-24 10:25
中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端
【中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端】财联社11月22日电，据中科飞测消息，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备——GINKGOIFM-P300出货HBM客户端。GINKGOIFM-P300的成功推出，标志着我国在该领域实现了重大突破，打破了国外厂商的长期垄断，突破国内设备对超高翘曲晶圆、低反射率晶圆的量测限制，同时支持键合后晶圆、化合物半导体衬底（SiC/GaAs）的全参数检测。
【中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端】财联社11月22日电，据中科飞测消息，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备——GINKGOIFM-P300出货HBM客户端。GINKGOIFM-P300的成功推出，标志着我国在该领域实现了重大突破，打破了国外厂商的长期垄断，突破国内设备对超高翘曲晶圆、低反射率晶圆的量测限制，同时支持键合后晶圆、化合物半导体衬底（SiC/GaAs）的全参数检测。
11-22 10:38
消息称三星调整存储业务战略：聚焦DRAM盈利 暂缓HBM扩张
【消息称三星调整存储业务战略：聚焦DRAM盈利 暂缓HBM扩张】《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。
【消息称三星调整存储业务战略：聚焦DRAM盈利 暂缓HBM扩张】《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。
11-19 20:27
小米卢伟冰：已签2026年内存供应协议 可能通过涨价应对成本上升
【小米卢伟冰：已签2026年内存供应协议 可能通过涨价应对成本上升】《科创板日报》18日讯，在今日举行的小米三季度业绩媒体电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰就存储成本攀升问题作出回应。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。
【小米卢伟冰：已签2026年内存供应协议 可能通过涨价应对成本上升】《科创板日报》18日讯，在今日举行的小米三季度业绩媒体电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰就存储成本攀升问题作出回应。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。
11-18 20:29
三星电子、SK海力士目标在2026年上半年完成HBM4E的研发
【三星电子、SK海力士目标在2026年上半年完成HBM4E的研发】《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。
【三星电子、SK海力士目标在2026年上半年完成HBM4E的研发】《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。
11-13 15:23
机构：存储器产业2026年资本支出仍显保守 对位元产出成长助力有限
【机构：存储器产业2026年资本支出仍显保守 对位元产出成长助力有限】《科创板日报》13日讯，根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
【机构：存储器产业2026年资本支出仍显保守 对位元产出成长助力有限】《科创板日报》13日讯，根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
11-13 13:52
中信证券：三大存储原厂暂停DDR5报价 建议关注产业链内细分材料龙头供应商
【中信证券：三大存储原厂暂停DDR5报价 建议关注产业链内细分材料龙头供应商】财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。
【中信证券：三大存储原厂暂停DDR5报价 建议关注产业链内细分材料龙头供应商】财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。
11-06 08:24
盘前题材挖掘
【盘前题材挖掘】①SK海力士的HBM4较上代涨价50%，HBM产业链或迎扩产机遇。②小鹏新一代人形机器人IRON亮相，机器人板块有望迎来密集催化。③黑龙江将开展冬季冰雪旅游“百日行动”，冰雪产业规模有望破万亿。
【盘前题材挖掘】①SK海力士的HBM4较上代涨价50%，HBM产业链或迎扩产机遇。②小鹏新一代人形机器人IRON亮相，机器人板块有望迎来密集催化。③黑龙江将开展冬季冰雪旅游“百日行动”，冰雪产业规模有望破万亿。
11-06 08:16
SK海力士的HBM4较上代涨价50% HBM产业链或迎扩产机遇
①一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” ②民生证券指出，国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。
①一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” ②民生证券指出，国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。
11-06 08:00
SK海力士饮HBM4头啖汤：与英伟达谈拢 价格较上代涨50%
①SK海力士已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判； ②其HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上，超出预期10%以上。
①SK海力士已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判； ②其HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上，超出预期10%以上。
11-05 20:01
存储现货市场多数成品端价格继续上涨 控货涨价仍是主旋律
【存储现货市场多数成品端价格继续上涨 控货涨价仍是主旋律】《科创板日报》4日讯，得益于三季度NAND、DRAM两大产品线价格环境明显改善，加上为顺应服务器NAND、DRAM强劲的新增需求，扩大服务器DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD等高附加值产品的销售，带动三星、SK海力士等原厂Q3存储业务营收创下历史最高纪录，显著提高整体盈利水平。从财报数据显示，当前库存已快速消耗，原厂将进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括DRAM、NAND产品在内的整体供应增长有限。此轮涨价的核心驱
【存储现货市场多数成品端价格继续上涨 控货涨价仍是主旋律】《科创板日报》4日讯，得益于三季度NAND、DRAM两大产品线价格环境明显改善，加上为顺应服务器NAND、DRAM强劲的新增需求，扩大服务器DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD等高附加值产品的销售，带动三星、SK海力士等原厂Q3存储业务营收创下历史最高纪录，显著提高整体盈利水平。从财报数据显示，当前库存已快速消耗，原厂将进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括DRAM、NAND产品在内的整体供应增长有限。此轮涨价的核心驱
11-04 18:58
慧荣科技：Q4营收与获利将持续成长 存储供应链短缺不会在短期结束
【慧荣科技：Q4营收与获利将持续成长 存储供应链短缺不会在短期结束】《科创板日报》4日讯，慧荣科技总经理苟嘉章指出，今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，不仅NAND供应紧缩，HDD、DRAM包含HBM也同时出现供应瓶颈。他表示，这波缺货并非单一应用驱动，而是多项因素交叠，主因在于AI推论带来的强劲存储需求。AI推论的数据存取量远超过训练阶段，使冷资料与温资料需求同步暴增。他指出，传统服务器存储密度不高，而AI服务器运算时须处理TB级资料，不是DRAM或HBM能承接的，因此高容量HDD与
【慧荣科技：Q4营收与获利将持续成长 存储供应链短缺不会在短期结束】《科创板日报》4日讯，慧荣科技总经理苟嘉章指出，今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，不仅NAND供应紧缩，HDD、DRAM包含HBM也同时出现供应瓶颈。他表示，这波缺货并非单一应用驱动，而是多项因素交叠，主因在于AI推论带来的强劲存储需求。AI推论的数据存取量远超过训练阶段，使冷资料与温资料需求同步暴增。他指出，传统服务器存储密度不高，而AI服务器运算时须处理TB级资料，不是DRAM或HBM能承接的，因此高容量HDD与
11-04 16:01
《科创板日报》4日讯，由于产品良率问题，美光正着手重新设计HBM4，其供应时间或延迟至2027年。
《科创板日报》4日讯，由于产品良率问题，美光正着手重新设计HBM4，其供应时间或延迟至2027年。
《科创板日报》4日讯，由于产品良率问题，美光正着手重新设计HBM4，其供应时间或延迟至2027年。
11-04 13:22
三星预计本月交付HBM4最终验证样品
【三星预计本月交付HBM4最终验证样品】《科创板日报》4日讯，三星正在加紧通过英伟达的HBM4认证，其目标是在2026年初获得最终认证，目前已经交付了工程样品，并预计于本月交付最终验证样品。
【三星预计本月交付HBM4最终验证样品】《科创板日报》4日讯，三星正在加紧通过英伟达的HBM4认证，其目标是在2026年初获得最终认证，目前已经交付了工程样品，并预计于本月交付最终验证样品。
11-04 12:35
财联社10月31日电，三星电子称将与英伟达将延续HBM之外的半导体合作，携手创新下一代半导体。
财联社10月31日电，三星电子称将与英伟达将延续HBM之外的半导体合作，携手创新下一代半导体。
财联社10月31日电，三星电子称将与英伟达将延续HBM之外的半导体合作，携手创新下一代半导体。
10-31 14:43
《科创板日报》30日讯，三星电子表示，2026年高带宽内存（HBM）销售额将远高于今年，已锁定明年HBM客户需求。
《科创板日报》30日讯，三星电子表示，2026年高带宽内存（HBM）销售额将远高于今年，已锁定明年HBM客户需求。
《科创板日报》30日讯，三星电子表示，2026年高带宽内存（HBM）销售额将远高于今年，已锁定明年HBM客户需求。
10-30 10:13
财联社10月30日电，三星电子表示，考虑根据不断上升的客户需求，将扩大HBM产能。
财联社10月30日电，三星电子表示，考虑根据不断上升的客户需求，将扩大HBM产能。
财联社10月30日电，三星电子表示，考虑根据不断上升的客户需求，将扩大HBM产能。
10-30 10:00
财联社10月30日电，三星电子表示，HBM需求增长速度快于供应。第三季度HBM芯片销量较第二季度增长超过80%。
财联社10月30日电，三星电子表示，HBM需求增长速度快于供应。第三季度HBM芯片销量较第二季度增长超过80%。
财联社10月30日电，三星电子表示，HBM需求增长速度快于供应。第三季度HBM芯片销量较第二季度增长超过80%。
10-30 09:52
机构：DRAM供应吃紧推高DDR5合约价 2026年获利有望超越HBM3e
【机构：DRAM供应吃紧推高DDR5合约价 2026年获利有望超越HBM3e】财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-2
【机构：DRAM供应吃紧推高DDR5合约价 2026年获利有望超越HBM3e】财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-2
10-29 17:36
背靠英伟达好乘凉！SK海力士Q3营利创新高 Q4开始供应HBM4
①SK海力士第三季度营收24.45万亿韩元，同比增长39%，营业利润11.38万亿韩元，同比增长62%； ②公司称其业绩增长主要得益于AI基础设施投资增加，以及高附加值产品如12层HBM3E和DDR5的销量增加。
①SK海力士第三季度营收24.45万亿韩元，同比增长39%，营业利润11.38万亿韩元，同比增长62%； ②公司称其业绩增长主要得益于AI基础设施投资增加，以及高附加值产品如12层HBM3E和DDR5的销量增加。
10-29 08:56
财联社10月29日电，SK海力士称，预计2027年HBM供应将持续紧张。
财联社10月29日电，SK海力士称，预计2027年HBM供应将持续紧张。
财联社10月29日电，SK海力士称，预计2027年HBM供应将持续紧张。
10-29 08:23
《科创板日报》28日讯，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。
《科创板日报》28日讯，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。
《科创板日报》28日讯，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。
10-28 08:20
SK海力士：对明年存储器市场持乐观态度
【SK海力士：对明年存储器市场持乐观态度】《科创板日报》23日讯，SK海力士CEO郭鲁正表示，对明年存储器半导体市场持乐观态度，并宣布将为HBM4的顺利供应做好准备。他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。他表示：“我们已经满足了客户所需的所有性能、速度标准，已经确保了量产能力，我们正在顺利执行计划。”
【SK海力士：对明年存储器市场持乐观态度】《科创板日报》23日讯，SK海力士CEO郭鲁正表示，对明年存储器半导体市场持乐观态度，并宣布将为HBM4的顺利供应做好准备。他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。他表示：“我们已经满足了客户所需的所有性能、速度标准，已经确保了量产能力，我们正在顺利执行计划。”
10-23 14:11
力积电：Q4存储代工价格有望上涨 能见度可达2026上半年
【力积电：Q4存储代工价格有望上涨 能见度可达2026上半年】《科创板日报》22日讯，力积电总经理朱宪国表示，在AI带动下，高阶存储器供不应求，第四季存储代工价格有望上涨，且能见度可达明年上半年，逻辑芯片代工预估第四季产能利用率约持平于第三季。AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬。
【力积电：Q4存储代工价格有望上涨 能见度可达2026上半年】《科创板日报》22日讯，力积电总经理朱宪国表示，在AI带动下，高阶存储器供不应求，第四季存储代工价格有望上涨，且能见度可达明年上半年，逻辑芯片代工预估第四季产能利用率约持平于第三季。AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬。
10-22 14:45
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