HBM之父：看好高带宽闪存技术 未来AI产业或从GPU转向内存主导

【HBM之父：看好高带宽闪存技术 未来AI产业或从GPU转向内存主导】《科创板日报》1日讯，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心，但未来的系统将围绕超大容量内存（如HBM与HBF）构建，处理器则更像是嵌入其中的组件。

机构：AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行 CSP借长期协议锁定供货

【机构：AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行 CSP借长期协议锁定供货】《科创板日报》31日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增

《科创板日报》27日讯，SK海力士CEO郭鲁正将与微软云端与AI执行副总裁Scott Guthrie会面，预计将讨论高带宽存储器（HBM）及DRAM供应合作事宜。

《科创板日报》27日讯，SK海力士CEO郭鲁正将与微软云端与AI执行副总裁Scott Guthrie会面，预计将讨论高带宽存储器（HBM）及DRAM供应合作事宜。

SEMI中国总裁冯莉：2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元 HBM产能缺口达50%—60%

【SEMI中国总裁冯莉：2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元 HBM产能缺口达50%—60%】财联社3月26日电，SEMICON China 2026国际半导体展3月25日在上海正式拉开帷幕。SEMI中国总裁冯莉在致辞时表示，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，原定于2030年才会达到的万亿美元芯时代有望于2026年底提前到来。她指出2026年半导体产业的三大趋势。 第一个趋势：AI算力。2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算

中科曙光发布世界首个无线缆箱式超节点产品

【中科曙光发布世界首个无线缆箱式超节点产品】财联社3月26日电，财联社记者获悉，中科曙光在2026中关村论坛年会上发布超节点新品“曙光scaleX40”。据悉，该产品为世界首个无线缆箱式超节点，采用标准19英寸箱式设计，兼容主流机柜；单机16U，部署密度是8卡机的2.5倍；最高支持40张GPU卡，FP8算力大于28PFLOPS，HBM总显存大于5TB、访存总带宽大于80TB/S，scale-up聚合带宽大于17TB/S。同时，曙光scaleX40内置软件栈，兼容CUDA，适配优化800+大模型。

财联社3月25日电，SK海力士CEO称，HBM3E目前仍是主导产品，HBM4预计将于今年下半年开始放量。

财联社3月25日电，SK海力士CEO称，HBM3E目前仍是主导产品，HBM4预计将于今年下半年开始放量。

财联社3月25日电，SK海力士表示，向客户供应HBM4产品进展顺利。

财联社3月25日电，SK海力士表示，向客户供应HBM4产品进展顺利。

财联社3月23日电，SK海力士据悉正在评估使用台积电（TSMC）的3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。

财联社3月23日电，SK海力士据悉正在评估使用台积电（TSMC）的3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。

美光CEO：存储芯片短缺至少持续至2026年以后 为短中期产品定价提供坚实支撑

【美光CEO：存储芯片短缺至少持续至2026年以后 为短中期产品定价提供坚实支撑】财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，预计2027财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。

财联社3月18日电，三星与AMD将探讨晶圆代工合作机会，将为AMD下一代人工智能加速器供应HBM4内存。

财联社3月18日电，三星与AMD将探讨晶圆代工合作机会，将为AMD下一代人工智能加速器供应HBM4内存。

三星或采用2nm工艺开发HBM5

【三星或采用2nm工艺开发HBM5】《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

SK集团董事长：存储芯片短缺或持续至2030年

【SK集团董事长：存储芯片短缺或持续至2030年】财联社3月17日电，当地时间周二（3月17日），韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年。与此同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。

机构：AI ASIC对HBM内存需求四年猛增35倍

【机构：AI ASIC对HBM内存需求四年猛增35倍】《科创板日报》16日讯，Counterpoint Research在报告中预测，AI服务器计算ASIC对HBM内存的需求到2028年将达到2024年水平的35倍，同时平均HBM内存容量也在这一过程中增长近5倍。

消息称受HBM4供应影响 英伟达下修Rubin GPU投片

【消息称受HBM4供应影响 英伟达下修Rubin GPU投片】《科创板日报》16日讯，供应链透露，由于HBM4供应不如预期，英伟达下修新一代Rubin GPU平台投片。有晶圆代工厂商透露，英伟达原先规划Rubin GPU自2026年起逐步取代Blackwell平台，并占用相当比例先进封装产能。不过，受HBM4供应链出现技术调整与产能限制，Rubin量产节奏可能延后，使其在英伟达整体CoWoS封装产能占比低于先前预估。

《科创板日报》13日讯，消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。

《科创板日报》13日讯，消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。

机构：内存供应短缺至少持续至2027年下半年

【机构：内存供应短缺至少持续至2027年下半年】《科创板日报》12日讯，市场调查机构CounterPoint Research表示，与以往的周期不同，当前内存市场即使价格上涨，需求也不会下降。供应短缺问题至少要到2027年下半年才能得到实质性解决。因构建人工智能数据中心对服务器DRAM和高带宽内存(HBM)的需求已经超过了整个市场的需求。

SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距

【SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距】《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。

博通推出3.5D定制化封装平台

【博通推出3.5D定制化封装平台】《科创板日报》1日讯，博通推出业界首个3.5D XDSiP定制化封装平台，并已开始首次批量生产出货。其首位客户为富士通公司，该平台通过混合键合技术实现信号密度提升7倍且功耗降至十分之一，单台设备可搭载6至12颗HBM4。

三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能

【三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能】《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。

机构：涨价效应带动2025年第四季度DRAM产业营收成长达29.4%

【机构：涨价效应带动2025年第四季度DRAM产业营收成长达29.4%】《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上

消息称三星电子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%

【消息称三星电子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%】《科创板日报》25日讯，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

SK海力士高盛电话会：所有客户需求都无法满足 今年存储价格持续上涨

【SK海力士高盛电话会：所有客户需求都无法满足 今年存储价格持续上涨】财联社2月21日电，在2月20日举行的虚拟投资者会议上，SK海力士向高盛透露了存储市场的最新动态。SK海力士在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。受AI真实需求驱动及洁净室空间受限影响，今年存储价格将持续上涨。公司透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权，产业链已开启长期合约谈判以锁定未来供应。在AI需

财联社2月19日电，三星据称正就HBM4组件的价格进行谈判，预计价格约为700美元。

财联社2月19日电，三星据称正就HBM4组件的价格进行谈判，预计价格约为700美元。

为HBM5、HBM6铺路 韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备

【为HBM5、HBM6铺路 韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备】《科创板日报》13日讯，韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备。据报道，韩美半导体发布的新型宽幅热压键合设备主要是为下一代高带宽内存产品HBM5、HBM6打造。这项技术相比传统的高堆叠方式能够改善功耗，还有利于提升内存容量以及带宽。

机构：预计HBM4验证将于2026年第二季度完成

【机构：预计HBM4验证将于2026年第二季度完成】财联社2月13日电，根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。

财联社2月12日电，三星电子表示，已向客户出货HBM4芯片的商用产品。

财联社2月12日电，三星电子表示，已向客户出货HBM4芯片的商用产品。

退出英伟达HBM4供应名单？美光否认传闻：已量产出货

【退出英伟达HBM4供应名单？美光否认传闻：已量产出货】《科创板日报》12日讯，此前有传言称美光可能被排除在英伟达的HBM4供应商名单之外，美光首席财务官马克·墨菲(Mark Murphy)回应称：“关于第六代高带宽内存(HBM4)有一些不准确的报道，但美光已经开始量产HBM4。”他强调，美光已经开始向客户交付HBM4，预计第一季度出货量将大幅提升。