据TrendForce集邦咨询，最新HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，英伟达规划加入更多的HBM供应商，其中三星的HBM3（24GB）预期于今年12月在英伟达完成验证。此外，美光已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品，SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品；三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。

公开信息显示，HBM是3D DRAM的一种形式。AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求，因此HBM应运而生。与传统DDR存储器不同，HBM使用TSV和微凸块垂直堆叠多个DRAM芯片，并通过封装基板内的硅中介层与GPU直接相连，从而具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，成为当前AI GPU存储单元较为理想的方案和关键的部件。

东方证券认为，HBM在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势，同时有效解决了内存墙的问题，AI时代在中高端GPU中有望得到更广泛应用，有望替代GDDR成为主流方案。

国联证券表示，HBM采用3D封装形式，MUF塑封底填和TSV硅通孔是关键技术环节，相关产业链公司有望受益于HBM行业的发展。建议关注环氧塑封料及其上游原材料、TSV硅通孔等环节。

受高算力需求的带动，TrendForce预估，2024年全球HBM的位元供给有望增长105%；HBM市场规模也有望于2024年达89亿美元，同比增长127%；预计2025年HBM市场规模将会突破100亿美元。