导语

①产业链主要玩家减产、库存及价格开始见底反弹，需求端逐步复苏，行业将开启上行周期；

②底部筑底信号显著，23年周期见底，24年存储市场规模将同比增长38%至1105亿美元。

事件驱动

据机构TrendForce最新研究显示，2023年第四季度移动平台DRAM、NAND价格将继续上涨。其中DRAM合约价预计环比增长13%-18%，NAND Flash如eMMC、UFS闪存，环比涨幅约为10%-15%。

TrendForce表示，第四季度涨幅扩大有几个原因，供应方面，三星扩大减产、美光给出20%涨幅等，持续奠定从业者的涨价信心。

需求方面，2023年下半年移动平台DRAM、NAND除了受惠于传统Q3旺季带动，华为Mate 60系列等手机，也刺激其它中国智能手机品牌扩大生产目标，进而推动第四季度移动存储芯片合约价上涨。

行业分析

底部筑底信号显著，23年下半年起有望逐步回暖

复盘以往存储行业周期，发现上行期与下行期均约两年，而本轮周期从21年末开始至今已下行约7个季度，同时供给端与价格方面已呈现筑底信号，产业链预计23年下半年开始需求端将逐步复苏开启上行。供给端，主要存储原厂稼动率与资本开支缩减明显，资本开支的缩减将主要于23年下半年开始明显见效，下半年供给端进一步收缩有望加速行业筑底反转。

存储行业历史周期情况

从市场规模波动上看，可将存储行业09年至今分为四轮周期，上行期与下行期均约两年：

09-12年周期：08年金融危机后存储厂商大幅减产，供给缩减后，需求端09年开始下游需求逐渐修复，同时苹果推出智能手机开启移动互联网时代，迎来第一波智能手机出货高峰，且 PC 机渗透持续，产生供需缺口后上行期启动，厂商扩产后 2011年DRAM市场供大于求，价格暴跌，同时尔必达申请破产后被美光收购。

13-16年周期：需求端同样主要为移动端拉动，国内市场受到3G网络普及的推动，智能手机开始加速渗透，海外市场在完成 4G 基建后迎来新一轮换机潮，全球手机市场销量增长的同时，结构上4G对3G逐步替代，提高了手机的单机存储容量，终端销量的增长与单机容量的增长带动了需求增长，开启上行周期，14年开始三大厂商大幅扩产后逐步开始下行。

17-20 年周期：需求端主要驱动力转移到服务器市场，一方面2017年AI快速发展，数据爆发催生计算需求，互联网云厂商加大资本开支，另一方面比特币市场繁荣，两方面因素驱动了服务器出货量的快速增长，服务器销量的增长也直接带动了存储市场的需求。18年末存储大厂产能开始落地，同时需求逐渐疲软，价格开始下行。20年全球疫情爆发，受封控影响供应链开工率被限制，同时原材料运输也同样限制了存储厂商的生产能力，同时需求端上华为受制裁后向供应商紧急下单，拉动了日韩半导体出口增长，进一步加剧了供应链紧张。

21年二季度至今：21年末开始供需情况开始松动，进入下行期，从21年末至今，下行期已持续约7个季度。

AI催化HBM需求快速增长，为服务器市场带来增量空间

目前单台AI服务器 HBM 容量需求约320~640GB，当前AI训练用加速卡或GPU主要为英伟达A100/H100，AMD MI300/MI250以及Google TPUv3/v4，此类加速卡均配备 HBM，AI 训练需求增长将推动英伟达/AMD 以及谷歌加速卡迅速应用，从而带动 HBM 渗透率提升，同时未来英伟达AMD的GPU与加速卡迭代至GH200与MI300，下一代加速卡将使用更大容量的HBM，HBM市场需求迎来渗透率与单机容量的双增长。

HBM技术在GPU及相关加速器产品中的应用与推广

通过测，HBM市场规模将22的15亿美金增长至24年的64亿美金，对应107%的22-24 CAGR；AI服务器存储市场规模将从22年的106亿美金增长至24年的151亿美金，对应19%的 22-24 CAGR。目前海力士已量产HBM3，并率先向英伟达 H100 供应，三星将2H23量产HBM3，美光预计24年量产HBM3，三家主要原厂逐步量产HBM将助力HBM市场进一步增长。

HBM市场规模测算

国内存储产业集群逐步形成，带动本土产业链成长

复盘存储行业发展史，驱动两次存储产业转移的核心因素均为成本优势的转移，而目前国内下游需求土壤逐步成熟，手机、PC 与新能源汽车等多个应用已成为全球主要市场之一，同时存储供给端发展也较迅速，国内存储 IDM 原厂为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在DRAM与NAND技术追赶上进展较快，长鑫23年DRAM已突破 17nm，长江存储NAND布局上推进至232层，逐步向海外主流水平靠近。

产业价值链概览

据IDC数据，长鑫与长存在DRAM与NAND上市占率从202年的0.3%与1.0%上升至2022年的1.8%与3.5%，我们预计未来国产化水平将继续提升。原厂颗粒国产化将有助于培养本土供应链，为国内存储产业链带来产业集群以及成本上的优势，推进模组、主控、封测与设计厂商的国产替代。

24年复苏下规模有望达1105亿美元

存储市场规模经历21年的高位后，22年开始进入下行，预计23年将为存储周期底部，测算23年全球存储市场规模将同比下降42%至798亿美元，24年预计将因需求复苏、供给减产进入周期上行，预计24年存储市场规模将同比增长38%至1105亿美元。

存储行业市场规模测算

预计24年手机与PC终端销量有望企稳，服务器整体销量在AI服务器出货量快速增长对资本开支的挤占下将有所下降，但服务器存储容量有望大幅提升，大宗市场需求量主要增长来源于单机存储容量的上升。

DRAM方面，AI大模型在移动端的部署有望驱动手机单机存储容量需求快速增长，预计手机与PC单机密度将持续上升，服务器内存受HBM容量快速增长带动，单机密度大幅提升，预计DRAM 总体需求同比增速24年将恢复至14%。叠加价格触底回暖，预计2024年全球DRAM市场规模将同比增长43%至662亿美金。

NAND方面，需求主要来自于手机与SSD市场，我们预计在手机单机容量升级以及服务器单机密度提升将驱动行业NANDGB总需求同比增长20%，叠加价格回暖，预计2024年 NAND市场规模将恢复至442亿美元，同比增长32%。

投资策略

华泰证券表示，存储板块迎来周期反转+创新赋能+产业链国产化的三重驱动，处于新一轮成长的黎明期。存储芯片行业为数字经济产业的卖水人，在AI应用爆发的产业趋势下，存储技术革新将通过助力AI训练与推理来赋能千行百业。目前存储行业周期已经筑底，预计在手机、PC等传统大宗市场需求逐步复苏，以及AI应用对服务器需求的催化下，存储行业将开启新一轮上行期。

东吴证券认为，通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格开始见底反弹等观测，当前存储行业拐点已至，并且在部分DRAM价格上涨、NAND Flash wafer合约价成功拉涨、国产化主线确定等催化下，我们在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速。

个股分析

江波龙：国际领先的综合性半导体存储龙头

公司主要从事 Flash 及 DRAM 存储器研发、设计和销售，提供消费级、工规级、车规级存储器及行业存储软硬件应用解决方案；购买力成苏州70%股权，将有望进一步提升存储芯片封装测试能力和产能利用率，完善产业链布局，在提升产品品质，快速响应客户需求，灵活定制产品规格和提供稳定产能等多方面形成合力。

普冉股份：NORFlash、EERPOM中国大陆龙二

公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年，产品广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域；“存储+”系列芯片增速迅猛，截至2023年6月M0+系列已推出120余颗产品，出货量累计超过1亿颗，应用于家电、监控、通讯传输、BMS监测保护等领域。

兆易创新：国内存储芯片和MCU芯片设计龙头

公司在NOR Flash 领域深耕多年，市占率位居全球领先地位，产品内核覆盖ARM Cortex -M3、M4、M23、M33及M7，也是全球首个推出并量产基于RISC-V内核的32位通用MCU产品。从消费市场向工业、汽车市场开拓，工业已经成为公司MCU产品的第一大营收贡献领域，消费、移动、计算、汽车市场Q2环比均实现一定幅度的出货数量增长。

风险提示

下游需求复苏不及预期风险，国产存储供应链技术进展不及预期风险，地缘政治风险，宏观经济波动风险。

参考资料

20230913-华泰证券-存储：底部已过，AI推动行业进入新周期。

20230928-东吴证券-电子行业深度报告：存储行业拐点已至，国产化主线确立。

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