东方证券发布研报称，近日，美光决定暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的报价，业界传美光或对渠道存储产品大幅度调涨20%-30%。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X价格自二季度起开启涨价潮，并有望延续到明年上半年。与此同时，受HBM产能挤占叠加新旧制程切换影响，下半年DDR5、LPDDR5X供应趋于紧张，DRAM市场迎来全面涨价行情。随着原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAM Tier2供应商有望获得更大市场空间。

东方证券主要观点如下：

NAND存储储涨价情绪持续升温

此前闪迪宣布涨价，上游涨价消息带动行业和渠道市场迅速升温，根据CFM闪存市场数据，上周不同规格Flash wafer价格上涨1.82%-6.25%不等；SD渠道市场和行业市场价格均全面上涨，其中SSD 256GB(行业市场)价格周涨幅最高，达8.62%。供应端对部分NAND资源实施涨价策略，显著提升了行业客户的提货紧迫性，考虑到下半年服务器NAND 市场备货需求升温，预计Q4 企业级存储价格将继续呈现上涨趋势。

DRAM市场或迎来全面涨价行情

近日，美光决定暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的报价，业界传美光或对渠道存储产品大幅度调涨20%-30%。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X价格自二季度起开启涨价潮，并有望延续到明年上半年。与此同时，受HBM产能挤占叠加新旧制程切换影响，下半年DDR5、LPDDR5X供应趋于紧张，DRAM市场迎来全面涨价行情。

市场普遍担心DRAM涨价行情持续性问题，AI带动的需求持续性一直是本轮DRAM涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM涨价行情具有较强持续性。

三星12层堆叠HBM3E通过英伟达认证，展望HBM4原厂竞争或加剧

据市场媒体本周报道，三星12层堆叠HBM3E产品已成功通过 英伟达认证，正式跻身其HBM 供应链体系。三星核心目标已瞄准下一代HBM4技术，据官方披露，依托1cDRAM技术，结合4nm逻辑芯片工艺，公司已成功研发出数据传输速率达11Gbps的 HBM4 产品，成为全球首个实现这一指标的厂商。

TrendForce预计SK海力士仍然会在HBM4供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置。据TrendForce报道，考虑到Instinct MI450 及“Helios”带来的威胁，英伟达最近向Vera Rubin零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4 的速度从8Gb/s 提高到10Gb/s。

东方证券认为，HBM4时代，三星有望与SK海力士、美光实现 “同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAM Tier2供应商有望获得更大市场空间。

标的方面

存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，存储产业链相关标的： 兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、德明利(001309.SH)、佰维存储(688525.SH)、北京君正(300223.SZ)、朗科科技(300042.SZ)、东芯股份(688110.SH)、江波龙(301308.SZ)、恒烁股份(688416.SH)、万润科技(002654.SZ)、深科技(000021.SZ)、同有科技(300302.SZ)、聚辰股份(688123.SH)、联芸科技(688449.SH)等。

风险提示

下游需求增长不及预期；原厂退出进展不及预期。