智通财经APP获悉，全球最大规模半导体设备制造商之一应用材料(AMAT.US)与存储芯片领军者美光科技(MU.US)以及总部位于韩国的SK海力士于美东时间周二宣布，它们已经达成重大合作，将开发并构建DRAM、高带宽存储器(即HBM存储系统)以及数据中心NAND存储系统最前沿解决方案以及升级迭代路线，以全面提升存储芯片整体产能以及人工智能训练/推理系统的综合性能。

据了解，应用材料与美国存储巨头美光双方计划利用应用材料位于硅谷的EPIC超级中心以及美光位于爱达荷州博伊西的创新研发中心，进一步强化美国本土的半导体创新管线。应用材料表示，与美光进行深度合作后，双方战略重点将放在加速推进DRAM、HBM和NAND生产技术上，其合作将整合应用材料EPIC中心的专业知识以及美光在爱达荷州博伊西创新中心的创新成果。

应用材料与韩国存储巨头SK海力士的合作则将专注于改进用于存储芯片的前沿材料、先进工艺集成以及用于下一代高性能DRAM和HBM存储系统的3D级别先进封装技术，这些工作也将在应用材料EPIC中心进行。

应用材料携手全球三大存储芯片制造巨头中的其中两大巨头——即美光以及SK海力士共同开发前沿存储芯片并积极扩张存储芯片产能，可谓凸显出在全球范围AI算力基础设施建设浪潮如火如荼以及“存储芯片超级周期”宏观背景之下，半导体设备厂商们也迎来超级增长周期，它们将是AI芯片(涵盖AI GPU/AI ASIC)与DRAM/NAND存储芯片产能急剧扩张趋势的最大规模受益者。

最近多家华尔街金融巨头发布研报称，半导体设备板块乃AI算力与存储需求爆表之下的最大赢家之一。随着微软、谷歌以及Meta等科技巨头们主导的全球超大规模AI数据中心建设进程愈发火热，全方位驱动芯片制造巨头们3nm及以下先进制程AI芯片扩产与CoWoS/3D先进封装产能、DRAM/NAND存储芯片产能扩张大举加速，半导体设备板块的长期牛市逻辑可谓越来越坚挺。

美国银行近日发布的研报显示，全球AI军备竞赛仍处于“早期到中期阶段”;全球最大规模资产管理巨头之一的先锋领航近日在一份研究报告中指出，人工智能投资周期可能仅完成了最终峰值的30%-40%。根据机构汇编的最新分析师预期，亚马逊连同谷歌母公司Alphabet、Facebook母公司Meta Platforms Inc.，以及甲骨文公司和微软，预计将在2026年的累计人工智能相关资本支出达到大约6500亿美元，还有一些分析师认为整体支出可能超过7000亿美元——意味着同比AI资本开支增幅可能超过70%。

在最新声明中，美光科技董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“高性能内存和存储器是人工智能技术发展的重要推动力量，而这些技术的持续创新对于释放人工智能的全部潜力至关重要。数十年来，美光一直与应用材料合作，为新型内存和存储设备提供材料工程创新;我们很高兴将这一合作关系扩展至应用材料位于硅谷的新EPIC中心。再结合美光位于美国的研发和制造枢纽，这一合作关系打造了一条独特的从实验室到最终晶圆厂的创新管线，以推动美国存储技术创新的发展。”

此次深度合作还包括3D先进封装技术方面的共同研发，以实现适用于高功耗人工智能工作负载体系的高带宽、低功耗类型综合存储解决方案。双方还表示，应用材料全新的50亿美元EPIC超级中心构成了美国在最前沿半导体设备研发领域规模最大的投资之一。

美光执行副总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示：“我们与应用材料在EPIC中心的合作，不止于下一代先进存储制程节点——更在于推动颠覆性设备、材料和工艺的进步，从而实现未来的内存组件与存储器架构、技术，以及实现更强劲性能和更高能效比所需的极限微缩，以满足大型客户们的需求。”

“谷歌AI算力链”以及“英伟达GPU链”都离不开的存储芯片

随着美国/以色列与伊朗之间的战争全面爆发且向中东多国蔓延，引爆新一轮席卷全球经济的地缘政治超级风暴，投资者们在油气价格飙升的背景下风险偏好急剧降温，他们对于尚处脆弱复苏进程的全球经济即将因失控式狂飙的能源价格陷入“滞胀”的严重担忧情绪导致全球股债市场以及加密货币市场近期遭遇重创。

但是来自华尔街金融巨头美国银行的分析师团队近日发布研报称，最新供应链调研以及存储产业链追踪调查显示，以存储芯片为核心的全球存储行业依旧处于“存储超级周期”(Super-cycle)之中，中东地缘政治冲突对存储产业与核心供应链的冲击以及对于基金经理们对存储领域牛市看涨基调的冲击几乎为零。尤其是核心半导体设备主要来自美国和欧洲，通常以空运方式运输，无需经过霍尔木兹海峡。

无论是谷歌主导的无比庞大TPU AI算力集群，抑或海量英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统，且除了HBM，当前谷歌与OpenAI科技巨头们加速新建或扩建AI数据中心还必须大规模购置服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD等存储解决方案;不同于希捷与西部数据集中于垄断近线大容量HDD，闪迪聚焦高性能eSSD，三星电子、SK海力士以及美光这三大存储芯片原厂正好同时卡在多个核心存储领域：HBM、服务器DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端数据中心企业级SSD(eSSD)，是“AI内存+存储栈”里最直接的受益者势力，这些存储领军者们可谓共同吃到AI基建“超级红利”。

法国巴黎银行(BNP PARIBAS)近日发布研报称，DRAM合约价在2026自然年一季度料环比大涨90%，长期以稳健价格曲线著称的NAND则有望大幅上涨55%，而且二季度将延续自2025年下半年以来的涨价轨迹。目标股价方面，法国巴黎银行分析师团队更是给予美光高达500美元的12个月内目标价。美光周二收涨3.54%至403.11美元。

法巴银行对于存储价格的涨势判断并不是孤立观点。TrendForce最近将2026年第一季度的常规DRAM合约价预期从此前预估的季增55%-60%上修到+90%至+95%(QoQ，即环比基准)、NAND Flash合约价格则大幅上修到+55%至+60% QoQ，并指出北美云计算厂商们对enterprise SSD(即数据中心企业级SSD，eSSD) 的需求激增，推动其价格在第一日历季度还将再涨53%至58% QoQ。这些都说明一个关键事实：存储芯片成为AI超级大浪潮里不逊于英伟达AI芯片的“绝对C位”，并且仍是这轮浪潮中最先出现供需失衡、最先体现定价权的核心供应瓶颈之一。

AI算力与存储芯片需求野蛮扩张! 半导体设备迎接超级周期

史无前例的AI基建浪潮与存储超级周期，可谓把半导体推入了一个更“材料密集、过程控制密集、封装工艺前移”的新阶段：逻辑侧三维结构与新材料叠加、存储侧HBM堆叠与互连升级、封装侧CoWoS/混合键合把系统性能转化为制造难度——这三股力量共同提高了沉积/刻蚀/CMP/先进封装/核心量测等关键环节的价值密度，并且把半导体设备需求从“周期波动”更明显地改写为“结构性大扩张周期”。

尤其值得注意的是，先进封装正从“焊凸点时代”向“混合键合(Hybrid Bonding)时代”加速迁移：混合键合通过铜-铜直接互连进一步缩短互连长度、提升I/O密度、降低能耗，正好击中AI 训练/推理对带宽-延迟-功耗的极致约束。应用材料不仅在官网系统阐释混合键合相对 TSV 的性能/功耗优势，还推出面向规模化的混合键合平台，并通过入股 BESI(混合键合设备龙头之一)来强化“工艺-装备协同”的产业卡位。

当前全球AI算力基础设施与数据中心企业级存储芯片需求可谓持续呈现出指数级增长趋势，供给端远远跟不上需求强度，这一点从“全球芯片之王”台积电(TSM.US)近期公布的无比强劲业绩与大超预期的资本开支指引，以及全球半导体设备领军者应用材料与泛林(即Lam Research Corp)大幅增长的业绩与展望中就能明显看出。

如果把半导体设备能力拆开来看，应用材料的核心优势集中于“材料工程+最前沿技术集成+占据先进封装高地”。它在存储扩产中最关键的底座，不只是传统薄膜沉积，而是围绕HBM/DRAM/NAND 所需的沉积、CMP(化学机械抛光)、计量/检测、混合键合(hybrid bonding)和3D先进封装形成系统方案。应用材料官方明确把HBM定义为其重点方向，并强调HBM的性能提升不仅来自先进制程DRAM die 本身，更来自3D封装和互连技术;该公司的hybrid bonding路线已适用于NAND，并被存储芯片大厂们视为未来DRAM/HBM进一步堆叠的重要路径。换句话说，Applied 更像是“把材料、制程与封装整合成一套可量产平台”的公司。

在芯片厂，应用材料身影可谓无处不在。不同于阿斯麦始终专注于光刻领域， Lam Research(泛林)重心更偏向刻蚀、清洗、图形化与关键薄膜制程，集中在先进HBM存储所需的高深宽比(HAR)刻蚀/沉积与相关工艺能力，应用材料提供的高端设备在制造芯片的几乎每一个步骤中发挥重要作用，其产品涵盖原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、快速热处理(RTP)、CMP、晶圆刻蚀、离子注入等重要造芯环节。

应用材料在其最新的技术解读中指出HBM制造流程相对传统DRAM额外增加约19个材料工程步骤，并声称其最先进的半导体设备覆盖其中约75%的步骤，同时也重磅发布面向先进封装/存储芯片堆叠的混合键合系统，因此HBM与先进封装制造设备可谓是该公司中长期的强劲增长向量，GAA(环绕栅极)/背面供电(BPD)等新芯片制造节点设备则将是驱动该公司下一轮强劲增长的核心驱动力。