上证报中国证券网讯 7月30日晚间，有研新材发布公告称，公司计划推出“集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目”。该项目总投资额4.86亿元，资金来源为自有及自筹资金，全面加码高端半导体靶材产能供给。项目计划于2026年9月动工建设，2027年9月建成投产;2028年12月投资完成。

当前全球半导体行业回暖，晶圆制造、先进封装产业稳步扩容，集成电路高纯溅射靶材市场需求持续走高。公司表示，公司德州现有生产基地铜系、钽系靶材产能已接近饱和，预计将出现明显产能缺口，难以承接海内外芯片客户持续增长的订单。为匹配下游需求，本次扩建将新增高纯铜系、钽、钛靶材年产能3万块/年，产品适配7nm及以下先进芯片制程，可支撑高端晶圆、存储芯片、HBM等产品生产用料需求。

根据规划，项目落地后，将完善公司高端靶材产品矩阵，巩固超高纯金属靶材全产业链优势。依托有研亿金从高纯金属提纯、精密加工到洁净封装的完整生产线，项目可进一步拉高国内高端靶材自给能力，突破先进制程靶材制备卡点，填补国内高端品类供给短板，夯实国内半导体上游材料供应链自主可控能力。