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产品涨价驱动 存储芯片公司业绩亮眼 行业高景气2026年仍将持续,全球厂商扩产忙

上海证券报 01-28 00:00

随着上市公司2025年度业绩预告进入高峰期,存储芯片产业链公司的盈利能力增长成为市场的一道风景线。探究发现,存储芯片公司业绩增长的主要原因是,受AI及算力产业发展拉动,产业进入高景气周期、产品持续涨价。

上海证券报记者采访获悉,从全球来看,2026年,存储芯片产业高景气仍将持续,涨价有望持续全年。尤其是,在AI需求拉动下,HBM(高带宽内存)赛道高景气度有望延续至2028年。

抢抓景气周期机遇,存储相关上市公司也进入扩产周期。除了三星、美光等头部公司,佰维存储江波龙德明利兆易创新等A股公司也在积极扩产,普冉股份等则加快并购步伐以加码主业。

随着“两长”(长江存储、长鑫科技)的资本开支提升和扩产步伐加快,中国存储产业快速发展,整个产业链迎来空前的投资机遇。

五成公司实现盈利增长

Choice数据显示,截至1月27日,A股已有34家存储概念公司发布了2025年业绩预告,19家公司实现盈利(以盈利上限为准,下同),17家公司实现盈利同比增长,占比均达到半数。

尤其是以归母净利润增幅上限为准,业绩增幅超过1倍的公司有8家。其中,佰维存储暂居业绩“增长王”之位。

佰维存储披露,公司预计2025年实现营业收入100亿元至120亿元,同比增长49.36%至79.23%;预计实现归母净利润8.5亿元至10亿元,同比增长427.19%至520.22%。

存储龙头公司德明利香农芯创兆易创新等均取得了良好的业绩。比如,德明利预计2025年实现营业收入103亿元至113亿元,同比增长115.82%至136.77%;实现归母净利润6.5亿元至8亿元,同比增长85.42%至128.21%。

多家公司在第四季度实现了业绩的更快增长,显示出行业景气度的持续向好。比如,德明利披露,公司预计2025年第四季度实现营收36.41亿元至46.41亿元,同比增长209.72%至294.79%,环比增长42.78%至81.99%;实现净利润6.77亿元至8.27亿元,同比增长1051.59%至1262.41%,环比增长645.11%至810.18%。

涨价是盈利提升主因

存储芯片产业链公司业绩高增长,主因是行业进入高景气周期、产品涨价。

佰维存储表示,从2025年第二季度开始,随着存储价格企稳回升,公司重点项目逐步交付,公司销售收入和毛利率逐步回升,经营业绩逐步改善。德明利表示,从2025年第三季度起,受益于AI需求驱动,存储行业景气度逐步回暖,存储价格进入上行通道,公司产品销售毛利率大幅提升,经营业绩显著改善。

从行业背景角度看,自2025年第二季度起,全球存储行业景气度开始触底反弹,闪迪打响NAND涨价第一枪后,三星、美光及长江存储、兆易创新等存储厂商(包括NAND、DRAM)纷纷跟进上调价格。由于长单等因素影响,多数公司的涨价反映到业绩中,要滞后一个到两个季度。

探究本轮存储芯片涨价的背后,核心因素是AI需求爆发叠加供给收缩,导致结构性供需错配。

展望行业发展趋势,多数业内人士认为,存储价格上涨核心周期将持续至2026年底,产业高景气度则至少延续至2027年;在AI带动下,HBM赛道要到2028年初才可能迎来价格拐点。

一个最新的例证是,铠侠近日表示,其2026年的NAND闪存产能已全部售罄,并预计NAND供应紧张的局面将至少持续至2027年。

国内外厂商扩产“各有招数”

行业高景气持续,产品价格持续攀升,存储产业链公司纷纷宣布扩产,以抢抓产业周期及产业升级机遇。

从全球来看,国际厂商瞄准AI需求,将扩产重点放在HBM、高端NAND领域,这些产能将于2026年至2028年逐步释放。具体来看,三星、SK海力士、美光积极扩产DRAM,铠侠、西部数据等则在NAND扩产上更加积极。

比如,铠侠在2025年6月宣布,计划在未来5年内将其NAND产能提升至2倍,以满足AI数据中心日益增长的存储需求。三星计划在2026年第二季度、第四季度分别扩产DRAM产能至14万片/月、20万片/月。美光近日宣布,将投资240亿美元扩建其位于新加坡的晶圆厂,以增加NAND制造用洁净室空间。

国内厂商的扩产步伐也毫不逊色。长江存储、长鑫科技两大巨头同步推进技术升级与产能爬坡,佰维存储德明利江波龙等模组公司纷纷定增扩产,长电科技普冉股份则通过并购加码存储业务。

比如,德明利于2025年11月26日披露,公司计划定增募资不超过32亿元,用于固态硬盘(SSD)扩产项目、内存产品(DRAM)扩产项目、德明利智能存储管理及研发总部基地项目以及补充流动资金。再如,普冉股份通过并购诺亚长天实现对SHM的间接控股,从而承接了SK海力士剥离的2D NAND相关业务,以进一步丰富产品线,增强公司在存储芯片领域的核心竞争力,并为后续向3D NAND等更先进技术演进构建坚实的基础。

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