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博通集成(603068)重大事件快评:经营拐点或至 无线通信芯片领导者再起航

国信证券股份有限公司 2020-11-25

事项:

公司Q3单季度收入 和利润同比大幅下滑,股价经历大幅调整。但公司今年以来季度收入环比不断增长,且若去掉去年ETC 大订单的影响,今年Q3 收入亦同比大幅增长。考虑到公司传统业务下滑至低点,新业务逐步放量增长,我们认为公司经营情况拐点或现。

公司近日发布公告,东建得投资、亿厚有限、泰丰香港、耀桦有限四位股东(合计持有21.41%股份)减持期满,减持计划实施完毕,在6 个月的减持过程中,只减持了1%左右的股份,对公司后续发展依旧抱有信心。

国信通信观点:

我们认为,公司在射频技术领域的积累和无线通信芯片平台化的设计能力,在国内较为领先,长期可充分受益IOT市场的高速发展。

目前公司的WiFi 芯片已成功切入涂鸦等大客户,长期受益于家电网联化;TWS 芯片新品即将投入市场,将充分享受TWS 耳机渗透率提升以及芯片国产化浪潮;ETC 芯片也有望伴随ETC 后装转前装迎来“第二春”。在经历了2019年的业绩波动后,目前已至业绩拐点,后续高增长可期。

我们预计公司2020-2022 年收入为9.0/13.1/18.5 亿元,归母净利润为1.3/2.7/4.2 亿元,对应当前PE 81/38/25 倍,首次覆盖,给予“买入”评级。

评论:

公司是优质的无线通信芯片设计商,射频技术国内领先公司主要从事无线通信芯片的研发与销售,是业内较早进行该领域芯片设计并上市的企业。公司创始人为Pengfei Zhang和Dawei Guo,二人之前均在全球知名的射频芯片公司RFMD 工作,后于2005 年回国创办博通集成,并于2019 年上市。

RF Micro Devices 成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州,1997 年于NASDAQ 上市。公司由一群射频设计专业研发团队所成立,设计工程师在无线通讯芯片设计领域经验平均超过25 年以上,精通各种制程技术,如AlGaAs、HBT SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs pHEMT、InGaP HBT 等,堪称世界一流的射频集成电路设计公司。

在此背景下,博通集成组建了国内领先的射频技术团队,公司核心团队多来自于国外顶尖高校、科研机构如耶鲁大学、UCLA、京都大学、 AT&T 贝尔实验室等,均有微电子行业留学经历,为集成电路设计领域的专家。公司 CEO PengfeiZhang 为 UCLA 微电子博士后,是 RF-CMOS 技术最初从学院研究到工业应用产业化的亲历者,在美国学习和工作期间,积累了丰富的设计和管理经验。

风险提示

1、 行业竞争加剧,价格战激烈;2、公司新产品无法顺利导入客户风险;3、政策变化风险。

免责声明

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