上证报中国证券网讯 斯达半导10月30日发布2025年三季报，前三季度，公司主营收入29.9亿元，同比上升23.82%;归母净利润3.82亿元，同比下降9.8%;扣非净利润3.65亿元，同比下降11.58%。

斯达半导主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案，产品组合覆盖IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

在新能源汽车行业，公司搭载自主第七代微沟槽Trench Field Stop技术的750V/1200V车规级IGBT模块持续放量，产品质量得到客户的高度认可。同时，基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的Plus版本芯片开始批量装车，已经在多个主流800V双电控平台实现批量交付，进一步提高公司主电机控制用车规级IGBT模块的市场竞争力。公司车规级IGBT模块在欧洲一线品牌Tier1持续大批量交付，公司产品通过国内外Tier1配套欧洲、印度、北美等国家和地区的本地OEM厂商，海外市场份额迅速增长;公司车规级SiC MOSFET模块新增多个量产车型，在国内外多个品牌大批量配套上车。同时，公司自建6英寸SiC芯片产线随着量产车型迅速爬坡。公司商用车业务进展顺利，车规级IGBT和SiCMOSFET模块新增多个量产车型，同时，新增多个国内外Tier1方案项目定点。

在新能源发电及储能行业，公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术面向地面电站组串式光伏320KW逆变器模块在多家头部客户持续稳定大批量交付;基于第七代微沟槽TrenchField Stop技术面向工商业光伏150KW逆变器模块在多家头部光伏逆变器客户稳定大批量交付。推出适用于光储行业的第八代微沟槽Trench Field Stop 1400V IGBT芯片平台和适用于光储行业的1400V第二代SiC MOSFET芯片平台，大幅提高芯片出流能力。基于第八代微沟槽TrenchField Stop 1400V IGBT芯片平台和第二代1400V SiC MOSFET芯片平台，发布了全球首个光伏地面电站组串式2000V系统500KW逆变器功率模块解决方案。该方案是目前全球组串式光伏逆变器中最大功率产品。

公司持续在AI服务器电源、数据中心、机器人、低空/高空飞行器等新兴行业进行产品开发，利用自身技术和品牌优势，不断开发符合市场需求、具有竞争力的高附加值新产品，在部分领域已经取得突破性进展。公司车规级IGBT和SiCMOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点，并且多个项目开始批量装机;车规级SiCMOSFET模块获得载人电动商用飞行器定点，公司产品首次进入商业航空领域，预计2026开始批量销售。