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存储芯片概念持续活跃,兆易创新涨停,佰维存储续创新高

证券时报网 11-13 11:10

存储芯片概念13日盘中再度活跃,截至发稿,佰维存储涨超18%,盘中一度逼近涨停突破150元大关,续创历史新高。此外,神工股份涨超12%,兆易创新诚邦股份亦涨停,江波龙普冉股份涨超6%均创出新高。

消息面上,据报道,三星、SK海力士、铠侠、美光四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。同时,三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。其中,三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量,并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。

大同证券指出,当前,存储市场正经历一轮显著的价格上涨周期。其核心驱动因素源于两方面:首先,AI时代下,多模态应用与企业级存储需求呈现爆发式增长;其次,主要存储原厂将产能优先分配给HBM等高利润产品,导致传统存储领域出现结构性供给紧张。受此影响,行业自2025年初以来供需关系持续偏紧,并在第三季度后加剧,推动NAND Flash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。

基于当前市场态势分析,若AI需求持续强劲而供给侧未能有效扩容,2026年存储市场的供需紧张格局可能会延续,行业高景气度有望保持。持续看好由存储涨价所带来的周期性机遇,建议重点关注存储、算力需求板块。在AI需求持续拉动与存储价格上行的背景下,存储行业供需格局可能会延续。为应对日益增长的存储需求,原厂存在加大资本开支的可能性,从而带动半导体设备需求提升,建议关注刻蚀、沉积等关键环节的国产半导体设备公司。

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