铪材料或有望成为AI 硬件难以替代的核心功能材料（1）据《An Investigation into the HfO2/Si Interface: Materials Science Challengesand their Effects on MOSFET Device Performance》，氧化铪（HfO2）拥有相对较高的介电常数（k~22-25）、大带隙（~5.7eV）、较高的击穿场强度（3.9-6.7MVcm-1）以及热力学稳定性（ΔHfor=-271Kcal mol-1）。氧化铪基高k 材料有望逐步替代传统二氧化硅 SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，适配 HPC/AI 芯片高算力场景。据Intel Market Research，台积电、英特尔已在 7nm 和 5nm 工艺节点中使用氧化铪基高k 材料，并计划在即将推出的 3nm 和 2nm 技术中进一步应用。（2）据《A highly CMOS compatible hafnia-based ferroelectric diode》，锆掺杂氧化铪Hf0.5Zr0.5O2（HZO）作为核心铁电材料，凭借CMOS 兼容性、高速、高耐久、3D 堆叠能力等优势，解决传统钙钛矿铁电材料无法微缩、与先进制程不兼容的痛点，有望成为突破“内存墙”问题的关键存储材料，为下一代高密度、高能效 AI 存储与存算一体芯片提供关键支撑。

海外铪金属价格持续上涨，锆铪项目打开长期想象空间海外铪金属价格持续破历史新高，据Strategic Metals Invest，截至2026 年5 月15日，铪金属海外报价12508 美元/千克（折合人民币约8500 万元/吨），较年初+31.67%，同比+196.46%，持续创历史新高。据阿格斯，鉴于燃气轮机、存储芯片、商业航天、核电站领域的铪需求已远超当前供应能力，预计铪金属将出现结构性短缺格局，铪金属涨价或有望持续。2025 年7 月，公司拟投资建设2 万吨锆铪分离项目。截至2026 年4 月，公司锆铪分离半工业化产线已可连续且稳定产出4N 级以上氧氯化铪及氧氯化锆，均为电子级产品，预计投产在即。

布局固态电池、机器人领域，公司未来成长可期截至2025 年，公司锆基氯化物材料制备工艺小试开发线已建设完成，已向下游固态电池工厂实现小批量供货。公司参股公司宁德汇智镁铝积极把握一体化镁铝合金轻量化产品在低空飞行器、机器人、汽车、建筑、船舶、轨道交通的发展机遇，持续推进“高压铸造无焊超轻金属模板”、“轻量化电动船舶船体”的大规模推广应用。截至25H1，公司与宁德时代、万顺集团等企业合作投资建设的轻量化镁铝合金一体化压铸项目已顺利投产。

盈利预测与估值

公司锆铪项目稳步推进，同时布局固态电池、机器人等领域，长期成长空间广阔。预计2026-2028 年公司归母净利润为3.96、6.50、7.53 亿元，EPS 分别为0.94、1.54、1.78 元，上调至买入评级。

风险提示

价格波动风险；在研项目的研发进度不及预期风险；下游应用不及预期风险。