投资要点

铪在存储、CPU、GPU 中的应用，大有可为

（1）先进制程领域，氧化铪可作为高k 栅介质（HKMG），据Goodfellow，氧化铪（HfO2）拥有相对较高的介电常数（k~20-25）、大带隙（~5.7eV），氧化铪基高k 材料有望逐步替代传统二氧化硅 SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，可用于CPU/GPU 核心晶体管等场景。据eetimes，Intel、台积电、三星等均有布局。

（2）DRAM 领域，氧化铪可作为高k 电容介质，据《HfO2 基薄膜的介电、铁电性能调控及相关信息存储器》，HfO基材料可替代SiO/SiON 作堆叠电容介质，在保持较低漏电流密度（<10–7 A/cm2@0.6 V） 的前提下实现高介电常数（>40），从而提升容量、降低漏电。随着DRAM 工艺节点进入20 nm 以下，三星、海力士、美光等DRAM 公司已普遍采用该方案。据国家知识产权局，国内长鑫存储亦有布局。

（3）3D NAND 领域，据《A Case Study of HfO2/Al2O3 Nanolaminated Stacks》HfO基材料用于3D NAND 的隧穿氧化层（TO）、电荷俘获层（CTL）、阻挡氧化层（BO）。据三星、海力士官网以及国家知识产权局，三星、海力士、长江存储已在此领域积极探索与布局。

海外铪金属价格持续上涨，锆铪项目打开长期想象空间海外铪金属价格持续破历史新高，据Strategic Metals Invest，截至2026 年5 月15日，铪金属海外报价12508 美元/千克（折合人民币约8500 万元/吨），较年初+31.67%，同比+196.46%，持续创历史新高。据阿格斯，鉴于燃气轮机、存储芯片、商业航天、核电站领域的铪需求已远超当前供应能力，预计铪金属将出现结构性短缺格局，铪金属涨价或有望持续。2025 年7 月，公司拟投资建设2 万吨锆铪分离项目。截至2026 年4 月，公司锆铪分离半工业化产线已可连续且稳定产出4N 级以上氧氯化铪及氧氯化锆，均为电子级产品，预计投产在即。

盈利预测与估值

铪在存储、CPU、GPU 中的应用，大有可为。公司锆铪项目稳步推进，长期成长空间广阔。预计2026-2028 年公司归母净利润为3.96、6.51、7.52 亿元，EPS 分别为0.94、1.54、1.78 元，维持“买入”评级。

风险提示

价格波动风险；在研项目的研发进度不及预期风险；下游应用不及预期风险。