本报告导读：

3D DRAM 有望开启兆易创新端侧AI 蓝海。

投资要点：

投资建议。公 司 25年有望伴随行业需求向好呈现业绩进一步改善，叠加端侧AI 布局，DRAM 前期业务毛利率尚处于起步阶段。维持25-27 年EPS预测2.35/2.92/3.69 元。考虑到可比公司估值水平及公司多条产品线业务带动，给予公司一定估值溢价，25 年PE 估值60 倍，维持目标价141 元，给予增持评级。

小米玄戒O1 配备NPU 及专属片上缓存。2025 年5 月22 日，根据小米官方，小米在15 周年战略新品发布会上正式发布了自主研发的旗舰SoC 芯片“玄戒O1”。NPU 因AI 的崛起而成为手机算力的新焦点，玄戒O1 配备了6 核NPU，算力达44TOPS，并搭载了10 MB 的专属片上缓存，在AI 推理任务中表现突出。我们认为，未来NPU 作为协处理器配合3D DRAM 方案将成为AI 端侧应用的标配，而手机将成为渗透空间巨大的重要终端，预计后续将迎来更多新产品发布。

兆易创新、华邦电、高通等均发力NPU+定制化存储方案，产业链催化明确。当前AI 端侧推理速度的主要瓶颈在内存带宽而非算力，内存限制问题由3D DRAM 解决。DRAM+NPU 通过热压键合或Hybrid Bonding 堆叠的形式合封，内存带宽水平将呈现数量级的提升。我们认为，中国大陆玩家兆易创新及其投资子公司青耘科技、光羽芯成，以及中国台湾存储IDM 华邦电、手机AP 龙头高通等，均发力3D DRAM+NPU 方案，技术趋势明确。

海外原厂宣布部分DDR4 EOL，利基DRAM 价格持续提升。根据闪存市场微信公众号，DRAM 海外原厂资本支出更多分配至高利润的先进制程产品，延续缩减传统DRAM 产能策略。2025 年，原厂继续保持收缩1x/1y 等旧制程DRAM 产能态度，部分原厂DDR4 产能占比降至约10%，并将资本支出更多分配至利润更高的DDR5 和HBM 等先进制程产品上。4 月以来，多家原厂宣布多款DDR4 模组、颗粒EOL 通知，近期需求端为保供应向原厂提出加单DDR4 却未得到有效回应导致，相关DDR4 RDIMM 价格迅速拉升，贸易端部分DDR4 颗粒价格上升50%。兆易创新DRAM 产品品类持续扩张，陆续推出DDR4、DDR3L 产品，已经覆盖DDR3L1Gb-8Gb、DDR4 4Gb/8Gb，LPDDR4 预计将在25H2 贡献营收，有望受益此轮利基DRAM 价格上升。

风险提示。AI 应用渗透不及预期；下游需求不及预期；产品验证节奏不及预期。