大厂业绩：FY2024Q2美光业绩远超预期，HBM3E成功导入英伟达
美光科技发布最新财报，FY2024Q2实现营收58.24亿美元（此前指引51~55亿美元），同比+58%，环比+23%；毛利率20%（Non-GAAP，此前指引11.5%~14.5%），同比+51.4pcts，环比+19.2pcts；净利润（Non-GAAP）4.76亿美元，同比+20.57亿美元，环比+15.24亿美元，表现远超预期，实现强劲复苏。指引方面，FY2024Q3公司预计实现营收64~68亿美元，中值同比+73.68%，环比+13.32%；毛利率25%~28%，中值同比+42.5pcts，环比+6.5pcts，指引持续乐观。HBM方面，美光HBM3E将供应Nvidia H200 GPU，目前已实现量产，后续有望拉动公司毛利率水平，于2024年贡献数亿美元营收。目前来看，美光2024年HBM已经售罄，2025年产能也已近乎分配完毕，产品供不应求。
DRAM：2024年订单量持续攀升，HBM供不应求
总产能方面，据集邦咨询，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，原厂持续加大投入，供给位元年增长率有望高达260%。占比方面，HBM需求持续旺盛，2024年订单已基本被买家锁定，占DRAM总产值比重有望从2023年的8.4%提升至2024年的20.1%，成长迅速。分厂商来看，三星、SK海力士至2024年年底的产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K/m（含TSV）；SK海力士约120K/m。以现阶段主流产品HBM3产品来看，目前SK海力士市占率超90%，而三星将随着AMD MI300逐季放量来实现追赶。
NAND：稼动率逐步提升，Q2有望涨价15-20%
稼动率方面，据闪德资讯报道，随着库存调整和智能手机市场需求转好，三星西安NAND闪存厂稼动率正持续提升，目前已达70%；与此同时，铠侠计划在3月内将NAND稼动率提升至90%，大厂近期稼动率调升动作频繁，反应需求正逐步向好。价格方面，近期部分厂商透露涨价意愿，慧荣科技表示2024Q2NAND价格预计上涨20%，三星电子计划在2024年3-4月与主要手机、PC和服务器客户重新谈价，预计将推动NAND闪存价格上涨15%-20%。随着板块持续复苏，以及HBM和DDR5等产品的需求增长，相关公司有望充分受益，受益标的：
（4）存储封测及HBM产业链：长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等
风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期
