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国际存储巨头严防蓄意囤货 A股存储板块大幅回调

证券时报网 02-02 22:12

在国际存储巨头加强审查订单、防止蓄意囤积库存消息背景下,2月2日A股存储板块“变脸”,江波龙兆易创新等龙头股罕见跌停,聚辰股份普冉股份等大幅下跌。

原厂库存回落

据媒体报道,美光、SK海力士和三星电子已加强对客户订单的审查,防止蓄意囤积库存。这三家公司要求客户披露最终客户和订单量,以确保需求真实可靠,并防止超额预订或过度囤货,以免进一步扰乱市场。

全球存储芯片巨头采取罕见措施遏制客户囤货行为的背后,是巨头库存降至历史低位。

在三星电子2025年第四季度业绩说明会上,公司高管回复分析师提问中表示,考虑到当前库存处于极低水平,DRAM的位元出货量环比增幅预计将限制在低个位数区间;相比,闪存方面,受上一季度低位元出货量的基数效应影响,预计本季度位元出货量环比将实现中个位数增长。

财报显示,三星电子、SK海力士以及美光科技等最新财报业绩创新高的同时,存货均同比下降。

存储涨价松动

当前存储市场上涨价趋势出现松动迹象。

据美银最新报告显示,在连涨多个月之后,上周DRAM现货价格走弱,这也是该价格自2025年9月以来首次出现回调。美银指出,目前不好将这次回调定义为“产业反转”或是“硬着陆”的早期信号,但短期价格波动已开始反映终端成本。

随着DRAM现货价持续攀升,智能终端的DRAM成本占比已高于合理水准。据分析,DRAM现货与合约价格仍存在明显落差。一线OEM拿到的DRAM合约价格仍大致在每GB 10—20美元区间,远低于现货市场水准,现货价格后续可能朝合约价格回归。

不过,也有机构进一步上调了存储价格预期。

根据TrendForce集邦咨询调查,2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,原厂议价能力有增无减,因此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度,其中,传统DRAM合约价将从一月初公布的季增55%—60%,改为上涨90%—95%,NAND Flash合约价则从季增33%—38%上调至55%—60%,并且不排除仍有进一步上修空间。

A股存储板块回调

在上述消息背景下,2月2日存储板块由涨转跌。Wind存储器指数下跌近8%,龙头股大幅回调,江波龙、深康佳、万润科技深科技兆易创新等跌停。

龙虎榜显示,深科技2月2日上榜营业部席位全天成交12.08亿元,占当日总成交金额比例为28.47%,其中机构合计净卖出1.24亿元。

另外,太极实业经历“天地板”,从1月30日涨停,到2月2日跌停,股价报收于10.1元/股。1月29日晚间,太极实业公告子公司海太半导体与SK海力士之间关联交易,其中,多项交易明细规模有望增加,包括SK海力士购买原材料金额将从2025年度300万美元增至2026年度600万美元。

受益于存储涨价,佰维存储江波龙德明利联芸科技等国内多家存储厂商预计2025年度业绩大幅增长,但是终端客户成本承压,导致需求下调的风险始终“悬顶”。

Counterpoint机构指出,受存储成本上升的影响,2026年全球智能手机出货量预计年减少2.1%;另据TrendForce集邦咨询调查,全球笔记本、电脑品牌自2025年下半年起面临存储器价格显著上涨的压力,2026年初开始,又遭遇CPU阶段性供给缺口、价格调涨的压力,加上包括PCB、电池、电源管理IC等零部件成本同步上行,预估将导致2026年第一季全球笔电出货季减14.8%。

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