湘财证券发布研报称，三星、SK海力士、美光拟退出利基型DRAM市场，利基型DRAM供需反转价格向上，2025及2026年利基型DRAM

价格有望保持在中高位水平。需求端，智能手机、PC、IOT及工控板块弱复苏态势延续，叠加国产化替代仍为大势所趋，预计推动各类存储原厂端供应价格逐步上行，国内存储原厂受益。建议关注兆易创新(603986.SH)、澜起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)、神工股份(688233.SH)。

湘财证券主要观点如下：

DDR4内存涨价潮尚未停歇

美光、三星、SK海力士退出DDR4市场，南亚科暂停报价事宜持续刺激DDR4市场，推涨DDR4市场价格。截至2025年7月9日DXI指数收于83072.69点，周涨幅为0.3%，年初至今涨幅为86.1%。Trendforce预计第三季度PC用DDR4的现货均价涨幅为38%-43%；服务器用DDR4的现货均价涨幅预计为28%-33%；消费终端用DDR4

产品价格涨幅预计为40%-45%。预计第三季度LPDDR4X现货均价涨幅为23%-28%。

供应端坚守稳价策略，Nand Flash价格总体平稳

NAND渠道市场受供应端坚守稳价策略影响，价格呈现平稳态势。原厂端出货价基本与6月下旬持平。嵌入式产品中，供应端有拉涨价格的意愿，但由于出货量有限，对现货市场均价的影响微弱。

集邦咨询数据显示，需求端由于智能手机的需求预计仍保持中低速增长，从而NAND产品价格涨幅较低，预计EMMC及UFS Q3涨幅为0%-5%，3D NAND

Flash受益于企业加码AI投资，价格预计上涨8%-13%。

风险提示

下游市场需求不足；研发进展不及预期；存储市场竞争加剧；晶圆制造价格上调幅度超预期；宏观政策变化不及预期。