中信证券发布研报称，国内最大的DRAM存储企业长鑫存储启动上市辅导，DRAM存储芯片市场被韩美厂商垄断，长鑫的技术在加速迭代追赶全球先进水平，产能在2024年实现翻倍增长。未来长鑫上市有望持续拉动扩产，设备国产化率有望逐步提升，建议重点关注长鑫设备、封测、模组及IC载板产业链受益标的。

中信证券主要观点如下：

国内最大的DRAM存储企业长鑫存储启动上市辅导。

根据证监会官网显示，国产DRAM内存芯片大厂长鑫存储(长鑫科技集团股份有限公司)启动上市辅导。根据公司官网，长鑫存储成立于2016年，是国内规模最大、布局最全的DRAM(动态随机存取存储器)设计、研发、生产及销售一体化的IDM企业，拥有优秀的管理和技术研发团队。公司注册资本601.9亿元，无控股股东，第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业，直接持有公司21.67%股份。根据兆易创新2024年3月公告，其对长鑫存储进行15亿元的战略增资，增资完成后，兆易创新将持有长鑫存储约1.88%的股权。

DRAM市场，目前韩国的三星、SK海力士和美国的美光科技拥有绝对的主导地位，三者合计占据全球95%的市场，长鑫正在奋起直追。

根据市场研究机构Counterpoint

Research的2025年4月数据，2025Q1，SK海力士以36%的营收份额位居全球DRAM收入榜首，三星和美光的营收份额分别为34%和25%。但长鑫存储正在快速提升产能参与全球DRAM市场的竞争。据Counterpoint

Research预测，长鑫存储2025年DRAM的出货量将同比增长50%，其在整体DRAM市场的出货量份额将从2025年第一季度的6%提升至第四季度的8%;此外，根据Omdia预测，长鑫存储2025年DRAM芯片产量规模预计为273万块，比2024年的162万块增长68%。

长鑫的技术在加速迭代追赶全球先进水平，产能在2024年实现翻倍增长，为产品供应提供强有力保障。

根据长鑫官网，长鑫存储目前主力内存芯片为LPDDR5，即第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器，主要应用于中高端移动设备市场。与上一代LPDDR4X相比，LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。今年年初TechInsight报道称，长鑫存储已开始小批量供应LPDDR5。TechInsights报道，尽管评估显示长鑫存储DDR5技术与韩国头部企业存在3-4年的代际差距，但其产品性能与头部企业产品并无显著差异。

此外，根据芯极速报道，长鑫存储目前已在合肥、北京建有12英寸的晶圆厂并投产，2024Q1，长鑫存储的月均DRAM产量为10万片，约为SK海力士同期产量的四分之一，且产品以DDR4

DRAM为主;到了2025Q1，长鑫存储的月均产量已实现翻倍，达到20万片。持续的产能扩充将显著拉动半导体设备的采购需求，相关半导体设备公司受益。

风险因素：

下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。