8月22日有投资者向立昂微(605358)提问：董秘好，有市场反馈贵公司其 MOSFET 芯片工艺落后于国际龙头，导通电阻高 20%，在 IGBT/SiC 等高端赛道的布局也落后行业 2-3 年，使得公司在功率器件市场的竞争力不足，市场份额和利润空间受到限制。请问这一问题解决了吗，有解决的时间表吗？

8月28日公司回答表示：尊敬的投资者：您好，感谢您对本公司的关注。公司功率器件芯片板快在2025年上半年充分发挥自身产业链一体化的优势，以不断的技术创新与稳固的技术合作充分满足客户的多样化需求,公司掌握的光伏和电源用沟槽及平面肖特基二极管芯片、车规级FRD芯片、TVS芯片、超结MOS芯片制造技术具有行业先进水平，其中大功率风光电站和储能项目用1200vFRD产品进入规模化生产阶段，750vFRD芯片广泛应用于AI服务器的不间断电源。关于公司的产品和技术请以公司信息披露为准，谢谢。