投资要点

ICP 刻蚀加速增长。2025H1，公司ICP 刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3D NAND 等领域超50 家客户产线实现大规模量产，同时持续推进更多ICP 刻蚀工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超1200 台。2025H1 等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP 设备的占比略高于CCP 设备的占比，ICP 快速起量。新产品方面，PrimoMenova12 寸ICP 单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域，擅长Al 线、Al 块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求，保障高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进ICP 刻蚀技术研发，以满足新一代逻辑、DRAM 及3D NAND 存储芯片的制造需求。

刻蚀受益于存储扩产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。

公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP 刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP 刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP 刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP 刻蚀设备也在最关键的超高深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025 年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。

投资建议

我们预计公司2025/2026/2027 年分别实现收入121/157/198 亿元，归母净利润21/31/43 亿元，维持“买入”评级。

风险提示

下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。