26Q1 公司实现29.15 亿元，同比增长34.13%；归母净利润9.30 亿元，同比增长197.20%；毛利率39.89%，环比提升0.6 个百分点。公司持续加大研发投入，26Q1 研发支出9.08 亿元，同比增长32.15%，研发支出占营收比例约为31.14%。目前在研项目涵盖六大类、超20 款新设备，收购杭州众硅案已获受理，平台化战略全面落地。

刻蚀：针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机在先进存储器件制造工艺中已有300 多台反应器实现稳定可靠的大规模量产。

CCP 方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1 超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，全面覆盖存储器刻蚀用中各类超高深宽比需求。ICP 方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP 刻蚀设备Primo AngnovaTM 在3D DRAM 的应用中取得140:1 的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备Primo DomingoTM 实现大于700:1 的业界领先SiGe/Si 的高选择比，在GAA 和3D DRAM 关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。

薄膜：公司已成功开发出十多种薄膜设备,包括LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS 和PECVD 等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长，2025 年薄膜设备营收同比大幅增长约224.23%。公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的ALD 系列产品，设备性能达到国际领先水平的同时，表现出更优异的生产效率。同时，可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发，项目顺利推进中。多款核心介质沉积设备都在有序推进，与客户的各项验证工作也有良好的进展。减压EPI 设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。

MOCVD：公司持续保持国际氮化镓基MOCVD 设备市场领先地位，积极布局用于SiC 和GaN 基功率器件应用的市场，并在Micro-LED 和其他显示领域的专用MOCVD 设备开发上取得了良好进展。四款MOCVD 新产品包括用于SiC 和GaN 功率器件的MOCVD，用于Micro LED 的GaN MOCVD 和用于红黄光LED 的GaAs MOCVD 设备已进入客户端验证阶段，部分得到批量订货。

投资建议：中微公司高端产品新增付运量显著提升，平台化战略全面落地，业绩增长动力强劲。我们预计公司2026-2028 年营收分别为166.80/218.07/282.80 亿元，归母净利润分别为30.11/42.13/55.24 亿元。维持“强烈推荐”评级。

风险提示：下游终端市场需求不及预期风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，市场竞争加剧风险，系统性风险等。