美迪凯:中信证券股份有限公司关于杭州美迪凯光电科技股份有限公司2024年度持续督导跟踪报告

中信证券股份有限公司

关于杭州美迪凯光电科技股份有限公司

2024年度持续督导跟踪报告

中信证券股份有限公司（以下简称“中信证券”或“保荐人”）作为杭州美迪凯光

电科技股份有限公司（以下简称“美迪凯”或“公司”或“上市公司”）首次公开发行

股票并在科创板上市项目的保荐人，根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导》等相关规定，负责美迪凯上市后的持续督导工作，并出具2024年度持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况

1、保荐人制定了持续督导工作制度，制定了相应的工作计划，明确了现场检查的工作要求。

2、保荐人已与公司签订保荐协议，该协议已明确了双方在持续督导期间的权利义务，并报上海证券交易所备案。

3、本持续督导期间，保荐人及项目组成员通过与公司的日常沟通、现场回访等方

式开展持续督导工作，并于2025年5月9日对公司进行了现场检查。

4、本持续督导期间，保荐人根据相关法规和规范性文件的要求履行持续督导职责，

具体内容包括：

（1）查阅公司章程、三会议事规则等公司治理制度、三会会议材料；

（2）查阅公司财务管理、会计核算和内部审计等内部控制制度，查阅公司2024年内部控制评价报告、2024年内部控制审计报告等文件；

（3）查阅公司与控股股东、实际控制人及其关联方的资金往来明细及相关内部审

议文件、信息披露文件，查阅会计师出具的2024年度审计报告、关于2024年度非经营

1性资金占用及其他关联资金往来情况汇总表的专项审计报告；

（4）查阅公司募集资金管理相关制度、募集资金使用信息披露文件和决策程序文

件、募集资金专户银行对账单、募集资金使用明细账、会计师出具的2024年募集资金存放与使用的专项核查报告；

（5）对公司高级管理人员进行访谈；

（6）对公司及其控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员进行公开信息查询；

（7）查询公司公告的各项承诺并核查承诺履行情况；

（8）通过公开网络检索、舆情监控等方式关注与上市公司相关的媒体报道情况。

二、保荐人和保荐代表人发现的问题及整改情况

在本持续督导期间，保荐人和保荐代表人未发现美迪凯存在重大问题。

三、重大风险事项

在本持续督导期间，公司主要的风险事项如下：

（一）业绩大幅下滑或亏损的风险

公司目前正推进多个项目建设，项目建成后，公司固定资产规模将大幅增长，相应地，固定资产折旧也会随之增加。由于在建项目的实施存在不确定性，若项目投产后经济效益未达预期，新增的固定资产折旧将给公司业绩带来一定不利影响，公司存在因折旧金额大幅增加而致使业绩显著下滑的风险。

（二）核心竞争力风险

1、产品的技术迭代、产品更新较快的风险

公司的各类产品和服务广泛应用于通信和消费电子、智能汽车、元宇宙、低空经济、

人工智能、物联网等终端产品及领域。丰富的终端应用场景及活跃的终端消费市场决定了各细分领域产品的技术与工艺要求较为多样化，且技术迭代较快。如果公司未来无法对新的市场需求、技术趋势做出及时反应，或是公司设计研发能力和技术迭代速度无法与下游及终端客户持续更新的需求相匹配，则可能使公司相应产品和服务的市场份额降

2低，进而将对公司经营业绩造成不利影响。

2、核心人员流失、核心技术失密的风险

公司终端客户所处的消费电子行业等新兴科技行业发展较快，对产业链上游供应商提出了较高的技术要求。公司所处的光学光电子、半导体行业是资本密集型、技术密集型行业，有经验的技术研发人才是公司生存和发展的基础。维持核心团队的稳定并不断吸引优秀人才，尤其是技术人才是公司在行业内保持优势的关键。目前的发展阶段对公司各方面人才提出了更高要求。在企业间激烈的人才竞争下，未来公司可能面临核心人才流失的风险。同时，公司建立了较为完备的知识产权保护体系，并与核心技术人员、研发人员、高级管理人员签署保密协议及竞业禁止协议，防范泄密风险，切实保护核心技术，但未来如果因核心技术信息保管不善或核心技术人员流失等原因导致公司核心技术失密，将对公司造成不利影响。

3、技术未能形成产品或实现产业化风险

科技成果产业化并最终服务于经济社会发展的需求、提升国家综合实力和人民生活

水平是其意义所在。产品的技术迭代、产品更新较快及市场的变化将给科研技术成果的应用带来很多不确定性。该领域的投资强度高、开发难度大、产业化周期长，可能发生产业化过程中研发方向改变、新技术替代带来的风险。精密光学、半导体产品的应用领域不断拓展，产品技术不断升级，市场需求面临较大的不确定性，企业的前瞻性技术成果可能面临无法适应新的市场需求的情况，或者竞争对手抢先推出更先进、更具竞争力的技术和产品，或出现其他替代产品和技术，从而使公司的技术成果面临产业化失败的风险。

（三）经营风险

报告期内，公司客户集中度相对较高，公司前五大客户销售金额占当期公司营业收入的比例为63.14%。公司的客户相对集中，主要系公司主要产品或服务不作为最终消费品直接面向消费者，而是作为中间产品或服务，应用于下游行业，而下游行业集中度比较高所致。

由于公司的产品和服务具有定制化的特点，下游客户从产品质量和供货稳定性等因素出发，一般不会轻易更换供应商。如果因客户自身经营出现重大不利变化，或者公司

3提供的产品或服务丧失竞争力，使得主要客户减少对公司产品和服务的采购需求，甚至

停止与公司合作，则将可能对公司的经营业绩产生较大不利影响

（四）财务风险

1、汇率波动风险

公司境外业务占比较高，报告期内公司境外销售收入占主营业务收入的比例

36.16%，境外销售的结算货币主要包括日元和美元等。日元和美元兑人民币汇率受全球

政治、经济影响呈现一定波动，未来若日元和美元兑人民币汇率出现重大波动，可能对公司的出口业务和财务费用造成一定影响，进而影响公司经营业绩。

2、公司境外采购和收入占比较高，国际贸易摩擦加剧带来的风险

光学光电子、半导体行业产业链分工精细，全球化程度高，因此易受到国内外宏观经济和贸易政策等宏观环境因素的影响。随着国际贸易局势日益复杂，尤其中美贸易关系面临较大不确定性，为公司的生产经营带来一定风险。

公司采购境外生产商所产原材料及设备的占比较高，其中进口原材料主要产自日本、俄罗斯、德国等国家，进口设备主要产自日本、欧洲等国家和地区。如果未来国际贸易局势和政策发生重大变动，公司主要客户、原材料及设备供应商所处国家与中国的贸易关系发生重大不利变化，可能导致公司主要产品和服务的下游需求及原材料、设备供应受限，从而对公司经营造成不利影响。

3、新项目推进未达预期的风险

为及时抓住市场发展机遇，公司正积极推进一系列新项目建设。但项目建设过程中，受资金筹措、市场环境变化、相关政策调整等多重因素的影响，从而可能导致新项目推进未达预期。此外，如未来相关行业市场发展不及预期，也会较大程度影响公司新项目经济效益的实现。

（五）行业风险

近年来随着通信和消费电子、智能汽车、元宇宙、低空经济、人工智能、物联网等

新科技领域的发展，为光学光电子、半导体行业开拓了更广阔的应用前景和市场空间。

随着行业技术的不断成熟、相关技术人才的增多、行业内外企业投资意愿的增强，未来

4行业壁垒可能被削弱，公司可能面临市场竞争进一步加剧的风险。如果公司不能保持在

技术研发、客户资源、加工工序完整、品质管控、快速响应能力等方面的优势，不能持续强化技术落地能力和市场开拓能力，则可能对公司盈利能力产生不利影响。

（六）宏观环境风险

当前全球局势比较复杂，全球经济仍处于周期性波动当中，全球经济放缓可能对消费电子、智能汽车、机器视觉、半导体等行业带来一定不利影响，进而影响公司业绩。

此外，公司的外销收入占比较高，若国际贸易摩擦加剧，也可能影响公司业绩。

（七）保荐人关于上市公司整体业绩的意见

公司2024年度营业收入4.86亿元、营业利润-1.29亿元、净利润-1.07亿元、归属

于上市公司股东的净利润-1.02亿元、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利

润-0.93亿元，较上年度变动分别为51.38%、-17.60%、-18.31%、-17.08%及-19.26%，公司营业收入上涨，但利润情况较上年度仍存在下滑的情况，主要原因系公司半导体声光学的新产品完成导入带来的收入增量，以半导体封测及微纳电子业务的放量带来的业绩增长，但因初步放量的业务的规模效应尚未体现，导致生产成本较高。此外，公司自上市以来持续加大新产品、新技术的研发投入，以及相关固定资产设备的投入，研发费用和固定资产折旧等费用大幅增加，多重原因导致上市公司2024年业绩仍存在阶段性亏损情况。

上市公司已在年报“第三节管理层讨论与分析/四、风险因素/（二）业绩大幅下滑或亏损的风险”中披露了风险。保荐人提示公司存在因经济环境、行业竞争格局等情况的变化而导致业绩进一步下滑的风险，并督促上市公司及时披露相关信息以及提醒公司积极改善经营成果，以切实回报全体股东。

四、重大违规事项

2024年度，公司不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

2024年度，公司主要财务数据及指标如下所示：

5单位：万元

主要会计数据2024年度2023年度变动情况

营业收入48551.1232072.4651.38%

归属于上市公司股东的净利润-10184.58-8445.09-17.08%

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净-9308.72-7515.99-19.26%利润

经营活动产生的现金流量净额7672.7112818.80-40.14%主要会计数据2024年末2023年末变动情况

归属于上市公司股东的净资产135998.25146284.75-7.03%

总资产303846.97227722.5233.43%主要财务指标2024年度2023年度变动情况

基本每股收益（元/股）-0.26-0.21-19.23%

稀释每股收益（元/股）-0.26-0.21-19.23%

扣除非经常性损益后的基本每股收益（元/股）-0.23-0.19-17.39%

加权平均净资产收益率-7.22%-5.60%减少1.62个百分点

扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率-6.60%-4.99%减少1.61个百分点

研发投入占营业收入的比例22.19%26.61%减少4.42个百分点

上述财务指标主要变动情况如下：

1、报告期营业收入同比增长51.38%，主要是12英寸超声指纹识别芯片整套声学

层开发完成并逐步量产；12英寸图像传感器（CIS）整套光路层下半年开始实现量产；

射频滤波器芯片（Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW）产出逐步爬坡；半导体封装逐步放量等原因所致。

2、报告期归属于上市公司股东的净利润同比减少17.08%，归属于上市公司股东的

扣除非经常性损益的净利润同比减少19.26%，主要是因为放量的业务的规模效应尚未体现，导致生产成本较高。此外，公司自上市以来持续加大新产品、新技术的研发投入，以及相关固定资产设备的投入，研发费用和固定资产折旧等费用大幅增加所致。

3、报告期经营活动产生的现金流量净额同比减少40.14%，主要是本期产品结构发生变化，国内销售增加，应收账款周转率下降，导致销售商品、提供劳务收到的现金增加额少于购买商品、接受劳务支付的现金与支付给职工及为职工支付的现金增加额。

综上所述，公司2024年度营业收入上涨，但利润情况较上年度仍存在下滑的情况，主要原因系公司半导体声光学的新产品完成导入带来的收入增量，以半导体封测及微纳

6电子业务的放量带来的业绩增长，但因初步放量的业务的规模效应尚未体现，导致生产成本较高。此外，公司自上市以来持续加大新产品、新技术的研发投入，以及相关固定资产设备的投入，研发费用和固定资产折旧等费用大幅增加，多重原因导致上市公司

2024年业绩仍存在阶段性亏损情况。

保荐人将提示公司存在因经济环境、行业竞争格局等情况的变化而导致业绩进一步

下滑的风险，督促上市公司及时披露相关信息以及提醒公司积极改善经营成果，以切实回报全体股东。

六、核心竞争力的变化情况

（一）公司的核心竞争力

根据公司2024年年度报告，公司目前核心技术情况如下：

核心技术

序号核心技术的技术特点及先进性应用产品/服务名称

1、公司自主研发多线切割技术，可对水晶、石英、蓝宝石、陶瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工。

2、公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加工，其中玻璃

晶圆的通孔技术可实现在 515*510mm 玻璃衬底上进行通孔加工，孔径深宽比40：1，最小孔径5微米，位置度≤3微米。

3、公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光（包含 CMP）技各类影像光学术，最大加工尺寸可到30英寸，厚度公差、面型、粗糙度等指标零部件、生物识具有较强的市场竞争力。别零部件及精

1 精密光学 4、公司自主研发晶圆 Notch端面抛光工艺，并开发出全自动 Notch 密加工服务、端面抛光设备，可实现 Notch 角度公差±1.5°、Notch 深度± AR/MR光学零

0.03mm的技术指标，能稳定实现 Notch抛光的批量生产。部件精密加工

5、公司自主研发，掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜的 PVD工服务等艺，以及 PEALD 的原子层沉积工艺，并完成各种光学膜系设计及生产工艺开发，能够满足精密光学及生物识别零部件等产品对精密薄膜的要求。同时公司自主设计，结合使用新型光学材料，进行膜层加工，可使光学器件实现降低杂光、消除鬼影、增透的效果或实现光学光电子元器件薄型化、消除摩尔纹、高清晰成像效果。

1、公司自主研发的半导体声光学相关工艺技术，通过涂胶、光刻、显影、镀膜、Liftoff、湿法蚀刻、干法蚀刻、丝印、极化等工艺制超薄屏下指纹程，直接在各类尺寸的晶圆上叠加光学成像传输及声学传输所需的半导体声传感器、图像传

2 各种介质薄膜、金属膜、有机薄膜（ColorFilter 等）、微透镜阵列

光学感器、环境光传

等整套光路层、声学层解决方案。

感器等

2、通过晶圆表面 PVD、涂胶、曝光、显影、刻蚀等半导体工艺，

进行超透镜（Met aLens）加工。

7核心技术

序号核心技术的技术特点及先进性应用产品/服务名称射频芯片公司自主研发在各类晶圆衬底上，通过涂胶、光刻、显影、PVD（EB、（SAW、BAWIB、Sputter、Bi as）、PEALD、PECVD、HDPCVD、湿法蚀刻、干半导体微等）、功率器件3 法蚀刻、CMP、Trimming、TSV、TGV、炉管（栅氧/干氧/退火/纳电路芯片、光感芯合金/P 推阱/N 推阱/D-Poly/U-Poly/TEOS 工艺）、快速退火等半导

片、气压传感器体制程，进行微纳电路加工。

芯片等

通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片贴合、引线键合、射频滤波器、图

植球、倒装、覆膜（加真空印刷或 CMolding）、深硅刻蚀、激光诱像传感器、功率导和分选测试等工艺研究，成功开发了正面晶圆级封装（LGA、器件、开关电路半导体封4 WLCSP）、背面晶圆级封装（TSV、TGV）、芯片级封装（DFN、电源管理、测QFN、SOT、IGBT、TO、PDFN、TOLL系列）、CuClip 封装等， MEMS器件、射不断提升半导体器件良好的导电和散热性能、小型化、薄型化，能频模组等芯片够做到真正的无引线大电流、低功耗、高散热封装工艺。封装工业相机、安防

表面贴装通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、波峰焊、AOI检测

5相机、医疗器械（SMT）等工艺研究，成功开发了电路板表面贴装技术（SMT）。

等

1、通过晶圆减薄、单面研抛、光学成膜、镭射切割、性能测试等

工艺研究，成功开发超构表面光学器件加工技术，实现超构表面光学器件薄型化、小型化、特定光学特性及高外观要求等特性。

2、采用灰度光刻技术完成 3D 微透镜阵列母版制作，结合晶圆级生物识别零部

纳米压印工艺技术在基板表面实现微结构加工，该产品结构具备高件、AR/VR零部可靠性、高分辨率、高生产率（PV≤0.3μm（MLA），R a≤5nm），件、医疗检测、

6微纳光学同时公司具有高矢高的微透镜阵列母板（透镜直径<500μm，矢智慧家居、3D高>100μm）和低矢高的微透镜灰度光刻母板的制造能力（微透镜深度感知类应矢高 0.5μm~40μm）。用等

3、采用晶圆压印封装工艺，并结合丝印键合工艺，实现一种无基

材晶圆级压印光学模组技术，其最小尺寸可达 1mm*1mm，PV≤1μm

（二）核心竞争力变化情况

公司致力于光学光电子、半导体声光学、半导体微纳电路（主要为MEMS）、半导

体封测行业等细分领域的研究和开发。始终将技术创新放在企业发展的首位，紧盯行业发展趋势，围绕客户和市场需求，战略性聚焦关键核心技术攻关，推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力，不断丰富技术和产品路线，致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。

本持续督导期间，保荐人通过查阅同行业上市公司及市场信息，查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件，对公司高级管理人员进行访谈等，未发现公司的核

8心竞争力发生重大不利变化。

七、研发支出变化及研发进展

（一）研发投入

公司研发投入占营业收入比重的情况如下：

单位：万元

项目2024年度2023年度变化幅度（%）

费用化研发投入10771.698534.3926.22%

资本化研发投入---

研发投入合计10771.698534.3926.22%

研发投入总额占营业收入比例（%）22.19%26.61%减少4.42个百分点

研发投入资本化的比重（%）---

公司本年度持续加大新技术、新产品的开发，研发投入总额占营业收入比例下降主要系公司2024年度营业收入上涨所致。

（二）专利技术从发明专利及实用新型专利来看，2024年度，公司获得授权专利31项（其中发明专利6项），申请受理专利56项（其中发明专利17项）。截至2024年末，公司累计申请境内外专利354项，已经授权245项，其中有效专利215项，公司的专利涉及精密光学、半导体声光学、半导体封装、微纳光学、晶圆传感器封装等主要核心技术，并取得境内外商标8项。具体如下：

单位：个

2024年度新增2024年末累计数量

项目申请数获得数申请数获得数发明专利17611033实用新型专利3925244212

外观设计专利----

软件著作权----其他3398合计5934363253

9（三）在研项目

2024年度，公司主要在研项目情况如下：

单位：万元预计总进展或本期投累计投入具体应用前序号项目名称投资规阶段性拟达到目标入金额金额景模成果超大尺寸及

通过高精密研磨、抛光技术，超薄光学玻

1璃晶元精密59586.92522.02结合单面抛光工艺，实现25智能穿戴等已量产

寸超大尺寸玻璃晶圆厚度加领域抛光技术及

工至 0.2mm的超薄化要求。

产品研发

采用 PVD 成膜技术，结合黄光、lift-off等工艺，实现膜层智能手机、

各向异性导具有更稳定的阻值，在膜厚方

2消费电子、电膜镀膜工362103.61379.82已量产向具有良好的导电性，使得芯

太阳能电子

艺研发片叠层连接位置导通性良好，等领域有效地解决了压合工艺中芯片连接位置阻值变大的问题。

对于功率器件各叠层结构及

功率器件芯膜层材料的设计，通过金属膜消费电子、

3片微电路层583218.79619.29已开发层沉积工艺的调整，达到高精车载、医疗

金属膜层沉完成度膜厚及均匀性需求，实现功等领域

积工艺研发率器件高品质、低能耗的目标。

自主开发 Mosfet 器件封装技

Mosfet 器件术，通过引线键合、塑封等工

4小型化、低功365142.25330.98艺，实现产品小型化、薄型化、已量产电源管理

耗封装工艺低功耗等特性，在保证产品稳研发定性和可靠性的同时降低材料成本，提升产品性能。

采用真空镀膜技术，通过膜系设计及成膜工艺，在光学基板关于阵列式表面成膜，使产品在可见光波

5235106.6272.77小批量智能穿戴等波导片镀膜段范围内，满足光线一定入射

生产领域

工艺的研发角度时特定反射值的要求，为智能穿戴产品提供大视场角、高分辨率等硬件能力

通过镭射切割、腐蚀等工艺，大尺寸超薄结合超大尺寸玻璃加工平台

6玻璃镭射打22663.36174.49的应用，实现在大尺寸超薄玻智能手机等已量产

孔工艺的研璃基板上通孔加工，通孔散差领域发及位置度精度达到微米级的要求。

车载 HUD 均研发灰度光刻结合纳米压印

7 光片纳米压 175 36.14 83.45 小批量工艺，制作车载 HUD 上的光车载等领域

印工艺技术生产学匀光片，起到匀光、整型等研发特殊光学投影效果。

8 AR 镀膜结合 158 96.3 206.87 小批量研发特殊光学滤光片制作工 AR/VR 等领

10预计总进展或

本期投累计投入具体应用前序号项目名称投资规阶段性拟达到目标入金额金额景模成果

丝印技术以生产艺，以满足 AR/VR 或医疗设域及异形切割备等领域的特殊滤光需求。

工艺研发温度补偿型

产品采用高平坦、低翘曲、超声表面波滤

薄铌酸锂晶圆，通过单面化学智能手机、

9波器已量产研抛工艺、金属溅射镀膜结合车载、物联（TC-SAW 1653 95.3 1696.68）

半导体工艺及修频工艺，实现网等领域微电路工艺晶圆表面微电路加工。

研发

通过 PVD 成膜技术，结合黄无机物沉积光、Lift-off工艺，自主开发无智能手机、

10 方式实现 973 349.53 1182.57 客户送机颜色膜工艺代替传统半导消费电子、RGB 阵列工样体彩胶工艺，实现各通道光透物联网等领

艺研发过率更高、损耗小，光选择性域更好、设计灵活等特性。

通过线切割、研磨、精雕、抛

11 射频芯片基 322 105.16 171.71 开发完光等工艺，对 LT\LN等材质进射频芯片

板研发成行晶圆加工，实现产品的高外观、TTV、翘曲等要求。

射频芯片晶自主开发化学抛光工艺，使晶

12 圆 SIO2 层化 272 98.42 227.4 圆表面 SIO2 膜层平坦化，提智能手机，已量产

学抛光工艺高产品频率一致性，提升产品消费类电子研发良率和性能。

通过黄光技术开发改善胶型，并优化各通道膜系设计和成膜技术，使各通道膜层单边拖多通道高膜智能手机、

13 679 657.8 802.5 客户送尾＜1.5μm，结合Lift-off工艺，厚光路层黄车载、医疗

样突破涂胶后高温镀膜和长时光工艺研发等领域间非球心的多薄膜叠层去胶

的行业两大难点，实现晶圆表面无残留。

研发在玻璃基板或 PC 基板表

自然光 3D 悬

14215162.65225.13开发完面进行彩胶图形化加工搭配智能手机等浮光投影技

成压印 MLA 实现自然光下 3D 领域术研发悬浮效果。

研发采用点胶工艺结合压印冲胶进行单片镜头晶圆制作

用晶级压印结合丝印工艺、键合工艺将两

智能手机/可

15工艺制作模8795.02115.84开发完片光学透镜晶圆进行叠合；最

组封装技术成后通过 Recon 穿戴设备等压印冲胶工艺，领域

研发将单颗 TSVsensor进行侧壁挡

墙做黑壁加工，完成整个模组封装

应用于可穿采用灰度光刻完成MLA透镜

智能手机/可

16戴设备领域148149.2164.46开发完阵列母版加工而后进行工作穿戴设备等

微透镜阵列成模具加工并进行压印用刀轮领域

均光片工艺切割工艺搭配 AOI 完成从大

11预计总进展或

本期投累计投入具体应用前序号项目名称投资规阶段性拟达到目标入金额金额景模成果

技术研发片切割为小片及外观检验，最终采用MLA光检机台完成最

终产品光学性能测试，达到 H方向大广角光场均匀效果。

采用新型散热材料和晶圆衬

高性能声表底，通过半导体工艺、膜层沉面波滤波器积工艺的设计和优化，提高射智能手机、

17 IHPSAW 1300 967.26 1258.37 小批量（）频滤波器 Q值，降低频率温度车载、物联

生产

微电路工艺系数，提升产品散热性能，实网等领域研发现射频滤波器更好的温度特性和更高的能量传输效率。

采用涂胶、曝光、显影等黄光通信网络、

工艺完成透明石英双面图形移动终端、超薄高频石

化硬掩膜层，再通过湿法酸腐物联网、汽

18英晶振凹槽532556.83580.65客户送蚀工艺形成凹穴，在硬掩膜层车电子、智

加工工艺研样方面，自主开发 PVD 成膜工能家居、家发艺，使用 Cr膜替代贵金属膜，用电器等领降低成本。域

2.5D/3D 晶

圆级封装、

芯片堆叠、

MEMS 传感

采用激光诱导和蚀刻技术，在器和半导体玻璃基板激玻璃基板上进行高纵横比微器件的 3D

19光微孔工艺373422.81426.93小批量孔加工，使微孔侧壁光滑、无集成、射频

试生产

研发裂纹、无碎屑、无应力，可实元件和模现可靠的金属化。块、 CMOS图像传感器

(CIS)、汽车射频和摄像头模块领域

研发心电检测仪线路板印刷、心电监测仪

20小批量元件贴装、回流固化、波峰焊医疗电子领表面贴片工14261.07139.64

生产接等工艺，实现心电监测仪线域艺研发路板贴装后高可靠性要求。

自主设计国内第一款

一种 100*300mmSOT23-32 排引线

SOT23-32 排框架，通过宽排框架粘片、焊

21车载&智能引线框架设4533.5346.57已量产线、塑封、切筋等工艺，保证

MSL3 家居等计及工艺技产品可靠性及高良率要

术研发求，并能最大限度提升产品性能及降低生产成本。

车载菲林片通过薄膜设计及自主研发

22 彩色图案 315 387.49 387.49 工程验 PVD 成膜技术，实现薄膜无针PVD 车载等领域工艺研证孔、图案清晰、品质良率高等发特点。

23 BAW 滤波器 1652 1091.74 1091.74 工程验通过自主开发硅空腔刻蚀工消费电子、

12预计总进展或

本期投累计投入具体应用前序号项目名称投资规阶段性拟达到目标入金额金额景模成果

硅空腔刻蚀证艺及其掩膜层工艺，达到产品基站、物联工艺研发设计的硅空腔刻蚀深度及刻网等领域

蚀角度的目标，实现 BAW 滤波器信号高质量传输性能。

光感器件小自主研发黄光及镀膜工艺，对尺寸开窗内硅晶圆和玻璃晶圆进行多通

24 多通道光学 398 366.87 366.87 工程验 10μm 传感器等领道成膜，实现左右小尺

证域

成膜工艺研寸开窗填孔成膜，提升产品对发高分辨率的需求。

自主开发射频芯片晶圆级倒射频滤波器

装封装技术，通过植金球、超晶圆级倒装消费类电25工程验声焊接、真空印刷等工艺，将（晶圆对晶709503.82503.82子，智能手证芯片直接与外部电路连接，实圆）工艺的研机等领域

现产品小型化，低功耗，高性发能等特点。

MicroLED 通过半导体制程涂胶、曝光、微

显影、镀膜、湿法刻蚀、ICP 智能手表、

26 显示芯片整 952 1089.12 1089.12 工程验刻蚀、IBE金属刻蚀、无机物智能穿戴等

套光路层设证

Lens 等工艺配合，实现全套领域计开发项目 MicroLED的加工。

通过线切割、研磨、精雕、端掩膜版基板

面抛光、平面抛光等工艺，对

27超高要求平28392.2292.22工程验大尺寸方形石英基板进行精掩膜版

坦度表面加证密加工，实现掩膜版基板的超工技术研发

严外观、平坦度、TTV 等要求。

通过优化微透镜阵列设计、开发新型彩色滤光片阵列

高端图像传（CFA），并结合涂胶、光刻、

感器（CIS）显影和干法刻蚀等先进工艺，图像传感器

28 工程验整套光路层 652 101.95 101.95 有效缩小透镜之间的间隙（g （CIS）等领

证及相关技术 ap），从而显著提升图像传感域研发器（CIS）的光学性能，实现更高分辨率和更小尺寸，同时提高色彩还原度和灵敏度。

通过半导体工艺、PVD镀膜的

设计和优化，对温度补偿型声温度补偿型表面波滤波器

射频滤波器智能手机、29 （TC-SAW工程验

758 514.58 514.58 （TC-SAW)Piston 层加工，提）车载、物联

piston 证升射频滤波器温度稳定性和整套工网等领域

提高 Q值，实现射频滤波器更艺技术研发好的温度补偿特性和更高的能量传输效率。

一种自主设计一种 PDFN5060 外

PDFN5060 封形，通过设计这种外形可以迎

30装外形设计3056.1756.17车载&智能已量产合市场做更大芯片的封装设

家居等

及工艺技术计需求，提高产品封装优势及研发价格，增加了企业利润。

13预计总进展或

本期投累计投入具体应用前序号项目名称投资规阶段性拟达到目标入金额金额景模成果自主设计国内第一款

PDFN3333-14R铝带焊接引线一款

PDFN3333-14 框架，此设计的框架可以填补R 目前PDNF3333铝带焊接工艺铝带焊接引

31525.835.83工程验车载&智能的运用，通过此设计的框架粘

线框架设计证家居等

片、焊铝带、塑封、切筋等工及工艺技术艺，保证产品可靠性要求及高研发

良率要求，并能最大限度提升产品性能。

自主设计一款 TO252-6R交叉

脚引线框架，此设计的框架可一款

TO252-6R 以有效提高材料的利用率，通交

326011.4611.46工程验过此设计的框架粘片、焊线、车载&智能叉脚引线框

证塑封、切筋等工艺，保证产品家居等架设计及工

可靠性考核及高良率要求，并艺技术研发能最大限度提升产品性能降低成本。

通过纳米压印技术将微米或微流控芯片

33纳米压印工10564.3264.32工程验纳米级流体控制技术集成到生物医疗领

证芯片上，实现生物和化学实验域艺的研发中的高效操作。

通过灰度光刻结合纳米压印技术，开发 ARHUD 用三维柱柱镜倾斜光镜光栅，实现 3D 裸眼效果，

34 工程验车载HUD领栅纳米压印 114 14.46 14.46 实现 AR动态融合，增强情景

证域

工艺开发感知与沉浸式交互，较传统HUD 具有更大的视场角和更远的成像距离。

合计/15520.008908.5813928.17///

八、新增业务进展是否与前期信息披露一致

本持续督导期间，保荐人通过查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件、访谈公司高管等核查手段，未发现公司存在新增业务。

九、募集资金的使用情况及是否合规

（一）募集资金使用及结余情况

截至2024年12月31日，公司募集资金使用及存放具体情况如下：

单位：万元项目序号金额

募集资金净额 A 94206.52

14项目序号金额

项目投入 B1 71962.35

利息收入净额 B2 1718.40

截至期初累计发生额短期补充流动资金 B3 18700.00

短期补充流动资金归还 B4 17000.00

永久补充流动资金 B5 22258.47

项目投入 C1

利息收入净额 C2 0.48

本期发生额短期补充流动资金 C3 1700.00

短期补充流动资金归还 C4 3400.00

永久补充流动资金 C5 1704.58

项目投入 D1=B1+C1 71962.35

利息收入净额 D2=B2+C2 1718.88

截至期末累计发生额短期补充流动资金 D3=B3+C3 20400.00

短期补充流动资金归还 D4=B4+C4 20400.00

永久补充流动资金 D5=B5+C5 23963.05

应结余募集资金 E=A-D1+D2-D3+D4-D5 -

实际结余募集资金 F -

差异 G=E-F -

截至2024年12月31日，公司募集资金的存放情况如下：

单位：元开户银行银行账号募集资金余额备注中国建设银行股份有限公司

33050161772709899999/已于2024.9.18注销

杭州钱塘支行中信银行股份有限公司杭州

8110801018779999999/已于2023.6.21注销

经济技术开发区支行

杭州银行科技支行3301040160017089403/已于2023.6.29注销

宁波银行杭州城东支行71060122000511992/已于2023.6.28注销

宁波银行杭州城东支行71060122000512468/已于2024.9.27注销

合计/

（二）募集资金使用是否合规

本持续督导期间，保荐人查阅了公司募集资金管理使用制度、募集资金专户银行对账单和募集资金使用明细账，查阅募集资金使用信息披露文件和决策程序文件，实地查

15看募集资金投资项目现场，了解项目建设进度及资金使用进度，取得上市公司出具的募

集资金使用情况报告和年审会计师出具的募集资金使用情况鉴证报告，对公司高级管理人员进行访谈。

基于前述核查程序，保荐人认为：本持续督导期间，公司已建立募集资金管理制度并予以执行，募集资金使用已履行了必要的决策程序和信息披露程序，募集资金进度与原计划一致，基于前述检查未发现违规使用募集资金的情形。

截至2024年末，公司募集资金投资项目已建设完毕，募集资金专户已完成注销，其中光学光电子元器件生产基地建设项目2024年度效益未达到预期标准，主要原因系投产初期项目尚未达到满负荷状态，产能利用率较低，项目规模效益未能及时体现，请公司持续、有序推进募投项目的建设及实施，确保募集资金投资项目按计划实现预期收益。

十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况

截至2024年12月31日，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股及减持情况如下：

单位：股年度内股份名称身份年初持股数年末持股数增减变动原因增减变动量杭州美迪凯自有

资金投资合伙企控股股东165196355165196355--业（有限合伙）

董事长、总经理、葛文志412100612100200000股权激励实施实际控制人

李潇董事////

韩洪灵独立董事////

许罕飚独立董事////

董事、核心技术

葛文琴-5000050000股权激励实施人员

薛连科（已离任）监事会主席////

高志坚监事会主席////