唯捷创芯:2026年半年度报告

唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

公司代码：688153公司简称：唯捷创芯

唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司

2026年半年度报告

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重要提示

一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存

在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示

公司已在本报告中详细阐述公司在生产经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查

阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。敬请投资者予以关注，注意投资风险。

三、公司全体董事出席董事会会议。

四、本半年度报告未经审计。

五、公司负责人孙亦军、主管会计工作负责人辛静及会计机构负责人（会计主管人员）辛静声明：

保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案不适用

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用√不适用

八、前瞻性陈述的风险声明

√适用□不适用

本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否

十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否

十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否

十二、其他

□适用√不适用

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第一节释义.................................................4

第二节公司简介和主要财务指标........................................7

第三节管理层讨论与分析..........................................11

第四节公司治理、环境和社会........................................47

第五节重要事项..............................................49

第六节股份变动及股东情况.........................................77

第七节债券相关情况............................................82

第八节财务报告..............................................83

载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章备查文件目录的财务报表报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

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第一节释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义

唯捷创芯、

公司、本公指唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司司

联发科技股份有限公司，总部位于中国台湾，全球知名集成电路设计公司，联发科指

中国台湾证券交易所上市公司（2454.TW）

MediaTek Investment Singapore Pte. Ltd.一家依据新加坡法律设立的公司，联发科投资指

联发科持有其100%的股权

Gaintech Gaintech Co. Limited，一家依据开曼群岛（Cayman Islands）法律设立的有指限责任公司，联发科投资持有其100%股权贵人资本指深圳市贵人资本投资有限公司

北京语越指北京语越投资管理中心（有限合伙）

天津语捷指天津语捷科技合伙企业（有限合伙）

天津语尚指天津语尚科技合伙企业（有限合伙）

天津语腾指天津语腾科技合伙企业（有限合伙）

天津语唯指天津语唯科技合伙企业（有限合伙）

Skyworks Solutions Inc.，一家提供无线通信解决方案的企业，设计并生产Skyworks 指应用于移动通信领域的射频及完整半导体系统解决方案，总部位于美国，纳斯达克上市公司（股票代码：SWKS）

Qorvo QorvoInc.，一家无线及有线通信产品及解决方案提供商，总部位于美国，指纳斯达克上市公司（股票代码：QRVO）

甬矽电子指甬矽电子（宁波）股份有限公司华勤技术指华勤技术股份有限公司盛合晶微指盛合晶微半导体有限公司

报告期、报

指2026年1月1日-2026年6月30日告期内报告期末指2026年6月30日

Integrated Circuit 的简称，是采用一定的工艺，将一个电路中所需的晶体集成电路、管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起，制作在一小块或几小块半芯片、IC 指导体晶片或介质基片上，形成芯片裸片，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构

2G、3G、4G、

5G 6G 指第二代、第三代、第四代、第五代和第六代移动通信技术与标准、Electronic Design Automation，指利用计算机辅助设计软件完成超大规模集EDA 指成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计（包括布局、布线、版图、设计规则检查等）等流程的设计方式

5G NR 基于正交频分复用技术的全新空口设计的全球性 5G 标准，属于第五代移指

动通信技术

Wi-Fi 6 指第六代无线网络技术与标准

Wi-Fi 6E 指一种无线通信技术与标准，相比于Wi-Fi 6，Wi-Fi 6E 增加了新的频段Wi-Fi 7 指第七代无线网络技术与标准

Original DesignManufacturer的简称，原始设计制造商，企业根据品牌厂商ODM 指的产品规划进行设计和开发，然后按品牌厂商的订单进行生产，产品生产完成后销售给品牌厂商

RF Radio Frequency，简称 RF，一种高频交流变化电磁波的简称，频率范围在射频、指 300KHz-300GHz之间

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Radio Frequency Front-End，在通讯系统中天线和中频（或基带）电路之间射频前端指的部分，包括发射通路和接收通路，一般由射频功率放大器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片共同组成

射频前端中的一种芯片，是各种无线发射机的重要组成部分，将调制电路射频功率放所产生的射频信号功率放大，以输出到天线上辐射出去；在讨论模组产品指

大器、PA 时，则指代模组中集成的，实现前述功率放大功能的一颗或多颗芯片裸片及其匹配网络射频功率放

大器模组、指集成射频功率放大器及其他芯片的模组

PA模组

射频前端中的一种芯片，在移动智能终端设备中主要用于对信号传输路径射频开关指上（接收或发射）不同频率或不同通信制式下的信号进行切换

LNA 构成射频前端的一种芯片，主要用于通信系统中将接收自天线的信号放指大，以便于后级的电子设备处理构成射频前端的一种芯片，负责滤除特定频率以外的频率成分，从而将输滤波器指入的多种射频信号中特定频率的信号输出

构成射频前端的一种芯片，使得工作在不同频率上的接收和发射通路能够共享一个天线。它通常由两个或两个以上的带通滤波器并联而成，其作用双工器、多

指是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作，互不干工器扰。根据滤波器数量不同，包括双工器、三工器、四工器和五工器等，统称为多工器

L-PAMiD 集成射频功率放大器、双工器、射频开关和低噪声放大器的射频功率放大指器模组

L-PAMiF 集成射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射频功率放大指器模组

L-FEM 指集成滤波器、低噪声放大器和开关的射频前端模组

LNA Bank 集成多个低噪声放大器和射频开关的射频前端模组，用于主集和分集的信指号接收与放大

DiFEM 指用于信号接收链路，集成射频开关、滤波器的射频前端模组L-DiFEM 分集接收模组，用于分集接收链路，集成射频开关、滤波器、低噪声放大指器的射频前端模组

Fabrication（制造）和 less（无、没有）的组合词；一般指集成电路市场中，Fabless 没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式，通常也被称为“Fabless模指式”；也用来指代无芯片制造工厂的 IC设计公司，经常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”

为芯片安装外壳，起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作封装指用测试指检测封装后的芯片是否可正常运作

封测指“封装、测试”的合称

Carrier Aggregation，简称 CA，载波聚合技术，通过聚合多个连续或非连载波聚合指

续的分量载波从而获取更大的传输宽带，提高通信速率Multiple Input Multiple Output，简称MIMO，多入多出技术，该技术在发MIMO 指射端和接收端分别使用多个发射和接收天线，使信号通过发射端与接收端的多个天线传送和接收，从而改善通信质量System In a Package，简称 SIP，系统级封装，是将多种功能芯片和无源器SIP封装指件，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能

集成电路设计，制造和生产中的一个环节，把通过计算机辅助设计软件完流片指成的电路设计，在晶圆厂按一定的制程生产出芯片的过程。通过流片，检验电路是否具备所需要的性能和功能

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在通讯领域中，频段指的是电磁波的频率范围，单位为 Hz，按照频率的大频段指小，可分为低频、中频、高频等射频功率放大器的指标之一，用来度量放大器使信号形状失真的程度，线线性度指

性度越高，失真越小dB 分贝，是一个比值。在电子工程领域，dB数代表了设备（或系统）输入端指口和输出端口信号强度的相对比值，也即增益PC2 指 Power Class 2，功率等级 2，为发射通道上的功率等级

LDO 指 Low Dropout Regulator，一种低压差线性稳压器Vreg 指基准电压，全称 Reference Voltage注：本报告中若出现表格内合计数与实际所列数值总和不符的情况，均为四舍五入所致。

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第二节公司简介和主要财务指标

一、公司基本情况

公司的中文名称唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司公司的中文简称唯捷创芯

公司的外文名称 Vanchip (Tianjin) Technology Co. Ltd.公司的外文名称缩写 Vanchip公司的法定代表人孙亦军

公司注册地址天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室公司注册地址的历史变更情况不适用

公司办公地址天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室公司办公地址的邮政编码300457

公司网址 www.vanchip.com

电子信箱 IR@vanchip.com报告期内变更情况查询索引不适用

二、联系人和联系方式

董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表姓名赵焰萍高原

联系地址天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室

电话010-84298116-3666010-84298116-3666

传真010-84298119010-84298119

电子信箱 IR@vanchip.com IR@vanchip.com

三、信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》（www.cnstock.com）

登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn公司半年度报告备置地点董事会办公室报告期内变更情况查询索引不适用

四、公司股票/存托凭证简况

(一)公司股票简况

√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称

人民币普通股（A股）上海证券交易所科创板唯捷创芯 688153 不适用

(二)公司存托凭证简况

□适用√不适用

五、其他有关资料

□适用√不适用

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六、公司主要会计数据和财务指标

(一)主要会计数据

单位：元币种：人民币本报告期本报告期比上年主要会计数据上年同期

（1－6月）同期增减（%）营业收入974272151.02986665370.35-1.26

利润总额-93835338.24-21349734.32不适用

归属于上市公司股东的净利润-95518605.58-9433641.65不适用

归属于上市公司股东的扣除非经-109107029.41-20425296.45不适用常性损益的净利润

经营活动产生的现金流量净额-144477195.86456950423.53-131.62本报告期末比上本报告期末上年度末

年度末增减（%）

归属于上市公司股东的净资产4334774423.874023430407.957.74

总资产5102191395.414729380580.147.88

(二)主要财务指标本报告期本报告期比上年同期主要财务指标上年同期

（1－6月）增减（%）基本每股收益（元／股）-0.22-0.02不适用

稀释每股收益（元／股）-0.22-0.02不适用

扣除非经常性损益后的基本每股-0.25-0.05不适用收益（元／股）

加权平均净资产收益率（%）-2.29-0.23减少2.06个百分点扣除非经常性损益后的加权平均

%-2.61-0.51减少2.10个百分点净资产收益率（）

研发投入占营业收入的比例（%）22.2320.55增加1.68个百分点公司主要会计数据和财务指标的说明

√适用□不适用

1、2026年上半年消费电子终端市场因存储芯片价格持续大幅上涨而延续销售低迷态势，导

致公司上半年整体销售额同比略有下滑。且上游原材料及封测等各环节成本持续增长，导致公司本报告期内毛利率有所下滑，2026年上半年，公司综合毛利率为21.45%，同比减少3.09个百分点。同时，受外币汇率波动影响，公司产生汇兑损失1033.79万元。在以上不利因素的叠加影响下，2026年上半年实现归属于上市公司股东的净利润-9511.86万元，同比减少8608.50万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-10910.70万元，同比减少8868.17万元。

2、2026年上半年公司经营活动产生的现金流量净额为-14447.72万元，同比降低131.62%，

主要系半导体供应链产能紧张，为保证供应安全适量增加库存备料，导致经营活动产生的现金流支出增加。

3、2026年上半年，基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下滑，加权平均净资产收益率同比减少2.06个百分点，扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率同比减少2.10个百分点，主要系报告期内净利润同比下滑所致。

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4、2026年上半年，研发投入占营业收入的比例同比增加 1.68个百分点，主要系公司聚焦Wi-

Fi 7/8升级及 6G等前瞻布局，导致研发投入增加。

七、境内外会计准则下会计数据差异

□适用√不适用

八、非经常性损益项目和金额

√适用□不适用

单位：元币种：人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）

非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准备的冲销部分

计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关、符合国家政策规定、按照11049938.55

确定的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除外除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融企业持有金融资产和金融负872602.00债产生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费

委托他人投资或管理资产的损益2933494.58对外委托贷款取得的损益

因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的各项资产损失单独进行减值测试的应收款项减值准备转回

企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益非货币性资产交换损益债务重组损益企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费用，如安置职工的支出等因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一次性影响

因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用

对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损益采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益交易价格显失公允的交易产生的收益与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益

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非经常性损益项目金额附注（如适用）受托经营取得的托管费收入

除上述各项之外的其他营业外收入和支出989391.03其他符合非经常性损益定义的损益项目

减：所得税影响额2257002.33

少数股东权益影响额（税后）

合计13588423.83

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用

九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润

√适用□不适用

单位：元币种：人民币本报告期本期比上年同期

主要会计数据16上年同期（－月）增减（%）

扣除股份支付影响后的净利润-83485765.97923777.87-9137.43

十、非企业会计准则业绩指标说明

□适用√不适用

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第三节管理层讨论与分析

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

（一）公司所属行业

公司主要从事集成电路产品的研发、设计和销售。射频前端芯片作为公司核心产品，承担信号放大、滤波降噪、频段切换等关键功能。作为集成电路的重要分支，射频前端芯片广泛应用于智能手机、物联网设备、汽车电子、无人机、机器人、卫星通信等场景，是实现终端设备无线通信能力的核心组件。随着 5G、5G-Advanced、物联网、人工智能等新技术的快速发展，射频前端芯片的重要性日益凸显，其技术演进直接决定了 5G 通信、卫星导航与卫星通信、AI 智能终端、无人驾驶等新兴应用的落地能力，成为推动行业向前发展的重要驱动力。

1.行业发展阶段与市场规模

射频前端行业正处于国产替代加速期与技术发展关键期并行的发展阶段。射频前端市场规模将从2024年的513亿美元，增长至2030年的697亿美元，其中手机与消费电子市场仍将是最重要的细分市场，将从440亿美元增长至583亿美元；增长最快的细分产品领域则仍为射频前端模块，届时市场总规模将超过170亿美元。中国作为全球最大的射频前端市场，随着国产厂商在中低端产品领域实现规模化替代并向高端模组加速突破，我国射频器件国产化率进程仍在持续深化。

从短期市场环境看，2026年上半年，受存储芯片供应紧张及价格大幅上涨影响，全球智能手机市场整体承压。Counterpoint Research 预计，2026 年全球智能手机出货量将降至约

10.8 亿部，同比下降 13.9%，为 2013 年以来的最低水平。同时，AI 基建扩张导致晶圆、封

测各环节成本增加，对射频前端厂商的成本控制能力提出了更高要求。但值得注意的是，高端机型市场展现出较强韧性，5G 渗透率持续提升，叠加卫星通信、Wi-Fi 7 等新功能加速向更多机型下沉，单机射频前端价值量保持增长态势。短期需求波动并未改变行业结构性升级的主线，随着存储供应逐步恢复、被抑制的换机需求释放以及 6G 与 AI 原生设备的推进，行业有望在中长期重回增长轨道。

从技术演进角度看，射频前端行业经历了从分立器件到高集成模组的转型。随着 5G 通信制式的普及，频段数量激增，载波聚合、MIMO 等技术的引入使得射频前端复杂度呈指数级上升，分立方案已无法满足智能手机对小型化、低功耗、高性能的严苛要求。在此背景下，高集成度模组成为主流方向。当前，L-PAMiD 模组已成为旗舰机型的标配方案，并加速向中高端机型渗透。

展望未来，射频前端的模组化趋势将进一步深化。一方面，模组集成度将持续提升，更高集成度的 L-PAMiD 将进一步融合多频段、多模式的支持能力，向“全频段覆盖、单芯片解决方案”演进；另一方面，模组的功能边界也在扩展，随着 UWB、Wi-Fi 7/8、卫星通信等新兴无线连接的普及，射频前端模组也将向多连接融合的方向发展，在单一模组内集成更多制

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式的射频通路，为终端设备提供更简洁、更高效的射频前端解决方案。与此同时，AI 终端的兴起对射频前端提出了更高传输功率、更低功耗的全新要求，为行业打开了新的增长空间。

2.行业基本特点

1)竞争格局：国际巨头整合提速，国产替代从追赶走向并跑

全球射频前端市场长期由美日企业主导，在 5G 高集成度模组领域优势尤为明显。2025 年度，全球行业格局发生标志性变化：Skyworks 与 Qorvo 正式宣布合并，合并后预计将占据全球射频前端市场约27%的份额，超越博通成为行业第一。国际巨头由扩张转向整合收缩，一方面印证了智能手机市场进入存量竞争阶段的行业判断，另一方面其战略重心持续向高端市场收缩，客观上为国产厂商在中高端及新兴应用市场留出了更大的发展空间。

5G 商用初期，国产厂商主要在 Sub-6GHz 频段的高集成度模组领域取得突破，而 Sub-3GHz

频段的 L-PAMiD等高端模组则长期由国际巨头垄断。近年来，国内厂商已逐步实现 5G L-PAMiD模组量产，参与高端模组竞争的国产厂商数量增多，行业整体已进入相对充分的竞争状态。

公司第二代 L-PAMiD 模组已在品牌手机旗舰机型实现大批量出货，并向更多中高端机型渗透，标志着中国射频前端产业正式填补“高端真空”，从追赶迈入并跑阶段。经过前期的激烈竞争，射频行业竞争格局进一步恶化的可能性降低。与此同时，行业竞争进一步向上游核心器件延伸，滤波器等关键器件的自主可控，正成为国产厂商构筑系统级竞争力的新焦点。

2)技术特点：从单一产品到全栈整合能力

行业竞争格局正从低端价格战转向技术价值主导。高端射频模组（如 L-PAMiD/L-PAMiF）技术壁垒高，国产替代空间超百亿元。同时，技术竞争的内涵已发生根本性转变——单一器件的性能参数不再是竞争核心，取而代之的是全栈技术整合能力与产业链生态协作效率的综合考量。具备系统级设计、先进封装、多芯片协同优化能力的厂商，才能在性能、面积、成本之间找到最优解，系统级解决方案进而成为行业核心壁垒，产业链垂直整合已成为行业竞争的新维度。而随着国际巨头合并后长期技术路线的不确定性增加，国产厂商的竞争逻辑也正从“跟随替代”转向从源头开始的原创设计与系统架构定义，具备正向设计能力和前瞻性技术布局的厂商将在新一轮竞争中占据主动。

3.主要技术门槛

作为芯片设计公司，射频前端的技术门槛集中体现在高集成度模组的系统级设计能力上。

随着产品从分立器件向 L-PAMiD 等高集成度模组演进，设计复杂度呈指数级上升，主要体现在三个方面：

一是多类型芯片的协同设计能力。一个高集成度模组内部，通常集成了负责信号放大的功率放大器、负责通道切换的射频开关、负责滤除干扰的滤波器等多种芯片。这些芯片采用不同的材料体系和工艺制程，如何让它们在极小的空间内互不干扰、协同工作，是设计的核心难点。这要求设计团队具备跨芯片、跨工艺的全局视角，在电路设计阶段就统筹考虑信号干扰、热量分布等问题。

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二是底层 IP 和工艺理解的积累。射频前端的性能表现，很大程度上取决于研发团队对底层工艺的理解深度。同样的电路架构，不同团队设计出来的线性度、功耗、抗干扰能力可能差异明显。这种差异来自长期的技术沉淀和工艺迭代经验，是公司的核心竞争力。

三是封装与设计的协同优化。高集成度模组的性能不仅取决于芯片本身，还与封装方式密切相关。公司需要在芯片设计阶段就与封测厂商沟通，规划设计布局，最大限度地缩短信号路径，这对研发团队的系统工程水平提出了很高要求。

（二）公司主营业务与产品情况说明

唯捷创芯作为国内射频前端行业的先行者，专注于射频前端芯片的研发、设计及销售。

公司的主要产品涵盖射频功率放大器模组和接收端模组等，广泛应用于智能手机、平板电脑、无线路由器、智能穿戴设备、车载通信系统、卫星通信终端以及 AI 智能产品等多样化的终端设备。

产品分类通信制式主要产品类型

4G 产品

蜂窝通信 5G 产品

U6G 产品射频功率放大器

无线局域网通信 Wi-Fi 射频前端模组卫星通信射频前端模组其他

UWB 系列分立器件接收端蜂窝通信模组产品

射频前端指位于射频收发器及天线之间的中间模块，其功能为无线电磁波信号的发送和接收，是移动终端设备实现蜂窝网络连接、Wi-Fi、蓝牙、GPS 等无线通信功能所必需的核心模块。射频前端与基带、射频收发器和天线共同实现无线通讯的两个本质功能，即将二进制信号转变为高频率无线电磁波信号并发送，以及接收无线电磁波信号并将其转化为二进制信号。

若没有射频前端芯片，手机等移动终端设备将无法拨打电话和连接网络，失去无线通信功能。因此，射频前端在无线通信中有不可或缺、至关重要的作用。

射频前端的简化架构如下图所示：

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由上图可见，射频前端包含射频功率放大器、射频开关、天线调谐开关、滤波器和双工器（多工器）、低噪声放大器等射频器件。在无线移动终端设备中的信号发射、接收链路中，射频前端芯片通常以集成了前述不同器件的模组形式进行应用，例如信号发射链路中的射频功率放大器模组，以及信号接收链路中的接收端模组。

报告期内，公司主要产品情况如下：

1.射频功率放大器

射频功率放大器是射频前端信号发射的核心器件，作用是将射频前端发射通道的微弱射频信号放大，使信号功率达到天线发射以及被通信基站接收的功率要求。由于信号在传播过程中通常会快速衰减，若没有射频功率放大器对信号功率进行放大，输出的信号将无法准确、完整地被基站或其他设备接收，无法实现移动终端最基础的通信功能。因此，射频功率放大器的性能将决定通信信号的稳定性和强弱，直接影响移动终端的通信质量。

4G 产品

随着通信技术的演进，从 4G 过渡到 5G，并向着 5.5G 及 6G 的方向发展，4G 产品市场预期转变为一个长期存在的长尾市场。至本报告期末，公司所提供的 4G 产品系列涵盖了中集成度的 MMMB PA 与 TxM 模组。

Phase 2 方案：平台厂商推出的、定义清晰的 4G 产品解决方案，标志着射频功率放大器模组化技术的初步发展。以 4G 手机为例，一个典型的 4G 通信终端通常包含一颗 MMMB PA 和一颗 TxM 模组。其中，MMMB PA 模组由射频功率放大器芯片、控制芯片和射频开关组成，主要负责 3G/4G 频段整合后的通信功能；而 TxM 模组同样由射频功率放大器芯片、控制芯片和

射频开关组成，负责 2G 频段的通信功能。作为成熟产品，MMMB PA 与 TxM 模组的国产化率较高，产品差异化程度较低，市场竞争较激烈。

5G 产品

自 2019 年 5G 通信技术正式商用以来，其在全球范围内迅速发展。为进一步提升数据传输速度，5G 通信技术新增高频段频谱，同时借助 MIMO 技术优化频谱资源利用效率。技术的

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进步和新频段的增加导致了射频前端器件使用数量的增长，这直接促进了射频前端模组化技术的发展。随着 5G 技术的不断演进，公司在射频前端领域的技术方案也日趋成熟。

目前市场上主要采用 Phase 5N 方案、Phase 7 系列方案及 Phase 8L 方案。在 Sub-6GHz的高频新频段，Phase 5N 方案、Phase 7 系列和 Phase 8L 方案均采用了 L-PAMiF 集成模组方案，该方案以其高集成度和卓越的性能满足了 5G 通信对射频前端的严苛要求。对于 Sub-

3GHz 频段，Phase 5N 方案采用分立方案，为特定应用场景提供了更灵活的选择，实现更高性价比；Phase 7 系列方案采用 L-PAMiD 模组，以实现更优的性能和更小的产品面积；而 Phase

8L 方案则进一步整合了低频、中高频（LMH）以及 2G 射频通路，通过全集成的 L-PAMiD 模组设计，支持多种频段组合，同时大幅缩减了模组面积，降低了应用复杂度，特别适合对成本和尺寸有严格要求的终端设备。

截至报告期末，公司 5G 产品包含 5G MMMB PA、L-PAMiF 和 L-PAMiD 等中、高集成度模组产品，形成了覆盖不同价位带需求手机的完整解决方案矩阵。

L-PAMiF 模组：一种集成射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射频功

率放大器模组，支持 5G 新增的 Sub-6GHz 频段，包括 n77、n78 和 n79。这些新增频段具有更高的频率和更宽的带宽，对产品功率提出了更高要求，增加了模组设计难度。截至报告期末，公司最新一代 L-PAMiF 模组已通过平台厂商认证。

Phase 5N 方案：集成度相对较低的 5G 方案，通过分立式架构支持 5G NR 信号。以典型的 5G 手机为例，一个 5G 通信终端通常搭配两颗 5G MMMB PA 和一颗 TxM。其中 5G MMMB PA在 4G 版本基础上增强了功率性能，支持 5G 重耕频段且向下兼容 3G/4G 网络。随着 4G 手机市场逐步萎缩及 5G 终端渗透率持续攀升，原有 Phase 2 方案产品的市场需求有所收缩，而Phase 5N 凭借其成本优势在过渡阶段呈现增长态势。值得注意的是，随着高集成度的 Phase

8L 方案在中高端手机市场加速普及，该方案正在通过“集成替代分立”的技术路径对 Phase

5N 形成市场份额的渐进式挤压。

Phase 7LE 方案（L-PAMiD 模组）：作为平台厂商推出的、当前集成度最高的模组方案（L-PAMiD，即集成双工器的功率放大器模组），主要服务于中高端手机市场。与 5G 新频段Sub-6GHz 相比，尽管 Sub-3GHz 模组频率更低，但由于涉及的频段较多，对多频段系统设计能力提出了严苛要求。公司需要在模块内的主要电路上，具备成熟的射频电路设计能力，并具有强大的系统分析和组合能力，以解决发射与接收通道隔离度不足、跨频段互扰抑制等核心问题。截至报告期末，公司已推出的新一代 Phase 7LE Plus 模组，其在效率、功耗等关键性能上实现了相对上一代产品的显著提升，已在品牌手机厂商的旗舰机型上实现量产。

Phase 8L 方案（L-PAMiD 模组）：该方案通过单颗模组实现 Sub-3GHz 全频段覆盖，支持多种频段组合，包括 M+H、L+H 双发 EN-DC 及多频载波聚合（CA）。与高端定位的 Phase 7LE方案相比，Phase 8L 方案面积更小，成本更低，同时保持了较好的性能表现；与 Phase 5N 分立方案相比，Phase 8L 方案减少了多颗外部器件需求，简化了调试过程，显著提升量产效率，

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同时保持了较高的射频性能。截至报告期末，该模组已在多家品牌客户实现量产出货。

车规 5G 射频前端解决方案：该方案利用最新的 5G 技术为中高端车型提供低时延、高带

宽的无线网络连接，公司可提供 TxM、MMMB PA、LNA Bank、L-PAMiF 模组及 L-FEM 模组等核心器件，形成除车规级滤波器外完整的 5G 通信解决方案，其 AEC-Q100 认证确保了产品可在极端温度下稳定运行，满足车载环境对震动、湿度等方面的严苛要求。凭借前瞻性的战略布局，公司在该领域占据了先发优势，成功布局北斗短报文+天通卫星双模通信模组，支持车企的天空地一体化通信功能。此外，公司已正式推出适用于智能座舱新体验的 Wi-Fi 7 FEM 和UWB 产品。

U6G 产品

6G 作为下一代移动通信技术，以通感一体、空天地一体、AI 内生等为核心特征，将实现

通信、感知、计算与智能的深度融合。当前，6G 标准化工作正有序推进：3GPP 已在 Release

20 中全面开展 6G 技术研究，并将于 2027 年起在 Release 21 中制定首套 6G 技术规范，首批

商用 6G 系统预计于 2030 年前后落地。在频谱方面，6-7GHz（U6G）中频段凭借覆盖与容量的良好平衡，被产业界公认为 5G-Advanced 向 6G 演进的核心频谱资源。公司紧跟标准演进节奏，依托在 5G 及 5G-Advanced 射频前端领域的技术积累，围绕 U6G 等 6G 候选频段开展前瞻性研发，并通过与全球头部平台厂商的深度合作，提前介入代际技术的架构设计，为 6G 时代的射频前端竞争提前卡位。

U6G：作为遵循 3GPP 下一代 6-7GHz 通信标准的全频段高集成度模组，该产品于 2026 年

6 月在 MWC 上海正式发布，是公司 6G 前瞻研发路线落地的标志性产品。该产品核心覆盖国内

核心许可频段，同时可拓展兼容 n102 完整频谱，单芯片模组即可满足运营商高低段混合组网需求，大幅降低多频段产品迭代成本，能效指标位居行业前列。同时，该产品采用新一代小型化自屏蔽封装技术，在节省布板空间的前提下，可缩短产品验证周期，提高终端产品商业化效率。凭借更高的输出功率与更大的带宽，该产品可适配 6G 通感一体、5G-A 大带宽高速传输场景，面向 5G 固定无线接入（FWA）、工业智能网关、低空物联网终端、车联网通信单元等设备提供高性能射频底座。

Wi-Fi 射频前端模组

作为射频前端领域的领先企业，公司紧跟 Wi-Fi 技术的发展潮流，完成了 Wi-Fi 6/6E 至Wi-Fi 7 全场景产品矩阵布局，覆盖 2.4GHz/5GHz/6GHz 全频段，并已启动 Wi-Fi 8 的产品开发，新一代产品将在今年下半年正式推向市场。截至报告期末，公司的 Wi-Fi 产品集成了射频功率放大器、低噪声放大器和射频开关。这些产品以其卓越的性能、高集成度和良好的兼容性，可被广泛应用于智能手机、平板电脑、无线路由器、AI 眼镜、蓝牙耳机、无人机等终端产品中，为用户提供了高速且稳定的无线网络体验。

卫星通信射频前端模组

卫星通信射频前端模组是实现全球范围内远距离通信的关键技术组件，专为适应卫星通

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信的严苛环境和高性能要求而设计。该模组集成射频功率放大器、低噪声放大器、射频开关和滤波器等关键元件，支持更高频段的信号传输，确保了在各种环境条件下的高效率和高线性度，同时保持了信号的高保真度。截至报告期末，通过持续的研发投入和严格的质量控制，公司卫星通信模组产品在性能上具有显著的竞争优势，面向手机终端的卫星通信射频芯片已实现规模化量产，并向车载卫星通信等场景延伸。随着卫星互联网组网进程加快、手机直连卫星功能加速普及，预计该类产品在手机端及其他消费终端的渗透率将逐步提升，成为公司重要的业绩增长点。

UWB 系列

超宽带（UWB）是一种短距离无线通信技术，具备厘米级高精度测距定位、高安全性、低功耗、抗多径干扰等技术特点，其大带宽特性天然支持雷达感知功能，是“通感一体”技术理念在短距无线连接领域的典型体现。随着头部智能手机品牌旗舰机型的规模搭载，UWB 正从高端市场向主流市场加速渗透，应用场景从数字车钥匙、精准寻物扩展至智能家居空间感知、指向遥控、机器人导航跟随、车内生命体征监测等新兴领域，市场前景广阔。

公司通过战略投资 UWB 芯片企业优智联完成 UWB 赛道布局，依托公司在射频前端及无线通信系统领域的技术积累与产业经验，结合优智联在 SoC 芯片设计、模拟 IP、基带算法与量产落地方面的核心竞争力，双方围绕通感一体方向开展联合研发，共同定义新一代产品方案，推动 UWB 技术向通用化、广适配的方向发展。截至报告期末，公司已推出面向消费类 IoT、汽车电子、工业等不同场景的 UWB 产品，下游应用涵盖智能汽车（数字钥匙、车内生命监测、无感交互）、智能家居与消费电子（精准寻物、空间感知、设备智能协同）、机器人（高精度定位、自主导航、动态跟随与安全避障）以及大型电力设施与工业物联网（设备状态监测、人员安全定位、资产追踪与故障预警）等多元场景。公司将以车载、消费 IoT 及工业类典型应用为切入点，加快核心场景方案的量产落地，推动 UWB 业务逐步实现规模化营收，完成从“射频前端器件商”向“连接+感知”综合方案商的延伸。

2.接收端

报告期内，公司接收端产品包含分立器件与接收端模组两类，其中接收端模组指射频前端的信号接收链路中集成了低噪声放大器、射频开关、滤波器等两种或以上芯片裸片的模组产品，主要作用是将天线接收到的微弱射频信号放大，同时尽量降低引入的噪声，以实现在移动智能终端上更强的接收信号、更优的通话质量和更高的数据传输速率。截至报告期末，公司已推出 L-FEM、LNA Bank 和 L-DiFEM 模组等产品系列，主要产品情况如下：

L-FEM

L-FEM 是为 5G NR 新频段设计的模组产品，它集成了滤波器、低噪声放大器和射频开关，能够有效地放大从天线接收到的微弱信号，同时抑制噪声、过滤干扰杂波，确保信号在传输过程中的清晰度和准确性。这种集成化设计不仅有助于减少模组的尺寸和成本，还提高了系统的可靠性和稳定性。截至报告期末，公司的成熟 L-FEM 产品可与低压版 L-PAMiF 模组搭配

17/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告使用，为 5G 设备提供更高效的信号接收解决方案。

LNA Bank

LNA Bank 是集成多个低噪声放大器和射频开关的射频前端模组，适用于 Sub-3GHz 频段。

其设计显著提升了信号接收的灵敏度和选择性，特别是在高频段和高密度部署的场景下，能够有效支持 5G 网络对高性能射频前端的需求。随着通信技术的不断发展，LNA Bank 在射频前端模组化中的应用将越来越广泛，为 5G 设备提供了一种高效且可靠的信号接收解决方案。

L-DiFEM

L-DiFEM，即分集接收模组，集成了射频开关、滤波器和低噪声放大器。该模组通过接收多个信号路径来增强信号的质量和可靠性，尤其适用于城市、高层建筑密集区域等复杂环境中，能够有效克服由于建筑物和其他障碍物引起的信号衰减和干扰。与传统方案相比，L-DiFEM的集成度更高，有助于提升网络的容量和频谱利用率，优化整体通信性能，为 5G 网络更高速率和更低延迟的发展提供了强有力的支持。

新增重要非主营业务情况

□适用√不适用

二、经营情况的讨论与分析

（一）市场情况分析

据 IDC 统计，2026 年上半年中国智能手机市场累计出货量约 1.34 亿台，同比下降 4.2%。受存储等核心元器件成本大幅上涨影响，终端厂商陆续上调产品售价或调整配置方案，消费者换机意愿较低。与此同时，消费品以旧换新补贴政策虽在延续，但政策拉动效应已明显弱于上年，难以完全对冲终端涨价带来的需求收缩，市场整体增长动能放缓。

在手机销量整体收缩的背景下，射频前端行业呈现明显的结构性分化。为缓解成本压力、保障盈利能力，终端厂商普遍压缩低端机型生产，中低端分立器件方案市场进一步收缩；与之相对，头部品牌凭借高端产品组合实现逆势增长，Counterpoint Research 数据显示，2026 年第二季度华为、苹果在中国市场的出货量分别同比增长 24%和 23%。AI 旗舰机型及中高端 5G 手机为支撑

5G-Advanced 特性及 AI 高吞吐量需求，普遍采用价值量更高的 L-PAMiD、L-PAMiF 等高集成度模组，端侧 AI 的加速普及将进一步打开射频前端的价值空间。在这一过程中，能够率先适配最新旗舰平台并实现高集成度模组量产的企业才能迅速抢占市场份额，而仅依靠低成本竞争的企业，生存空间被进一步压缩。

综上所述，2026年上半年的市场调整并非行业衰退，而是结构升级的必经阶段。对于具备高集成度模组设计能力、快速迭代响应机制的射频前端企业而言，当前的市场格局正是巩固领先优势、实现高质量发展的关键窗口期。

（二）公司经营情况

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面对复杂多变的市场环境，公司坚持技术创新与多元化布局并举，积极布局新行业赛道，具体表现如下：

1、持续深化研发积累，构建全场景产品矩阵，加速产业链延伸

公司始终专注于高性能射频前端芯片解决方案的自主研发。经过十余年的技术沉淀与量产验证，公司已构建起覆盖 2G 至 5.5G 全套制式、横跨消费电子、汽车电子和卫星通信的射频功率放大器模组产品矩阵，稳居国内射频前端功率放大器领域第一梯队供应商行列。

报告期内，公司第二代 L-PAMiD 模组（Phase 7LE Plus、Phase 8L）在品牌客户旗舰及中高端机型中持续放量，推动高端市场国产替代进入主航道。其中，Phase 8L 产品具备面积更小、成本更低的特点，可将原采用两颗 Phase 7LE 的方案转换为单颗方案，帮助客户有效降低系统成本；

针对入门级 5G 手机市场，公司同步推出极致性价比方案，凭借优异性能与创新架构设计，在存储涨价背景下进一步凸显性价比优势，实现从入门到旗舰的全价位段覆盖。同时，公司积极导入满足国际客户需求的高集成度模组，推进海外业务的实质性突破。在智能手机核心业务之外，公司紧抓 5G-Advanced 网络部署带来的高频段需求，持续深化在车载通信、卫星通信终端、无人机、机器人等新兴市场的布局，实现了应用场景的多元化拓展。此外，截至报告期末，公司已正式推出新一代覆盖 6G 频段的高集成度模组，有望在下一代通信技术定义确定后，占据市场先发优势。

同时，公司持续加大人工智能技术与移动终端深度融合方向的研发投入，积极布局适用于 AI终端的产品线。截至报告期末，在端侧 AI 领域取得进一步进展：第二代非线性 Wi-Fi 7 模组及大功率 Wi-Fi 7 模组保持批量出货，Wi-Fi 8 模组也已通过验证，计划于今年下半年投向市场；Wi-Fi 蓝牙双连接 FEM 已通过国内知名蓝牙厂商验证并纳入其参考设计。上述模组在性能和能效上实现了显著提升，具备体积更小、功耗更低的特点，能够支持更高传输功率，并提供更稳定的连接性能，满足 AI 眼镜、无人机、智能头显等端侧设备对高效通信和长续航的需求，为智能家居、可穿戴设备、工业物联网等应用场景提供了更强大的技术支持。

随着卫星互联网组网进程加快，卫星通信正成为射频前端最具确定性的增量市场之一。公司面向手机终端的卫星通信射频芯片已实现规模化量产，成功导入多家品牌手机厂商，支持用户在无地面网络环境下进行通话及数据传输，报告期内已贡献实质性营收，成为公司新的业绩增长点。

2026 年上半年，车载射频市场由 4G 向 5G 的切换明显提速，受益于标准引领与产品可靠性优势，车载业务已成为公司重要的第二增长曲线。与此同时，公司正积极推进卫星通信模组、Wi-Fi

7 FEM 与 UWB 系列产品的车规级项目导入，前瞻卡位智能网联汽车的连接升级需求。

在产业链布局方面，报告期内公司拟以约2.7亿元投资取得射频滤波器企业偲百创33.40%股权，布局 SAW 及兰姆波（UltraLAW）等声学滤波器件技术。本次投资有利于保障滤波器等核心器件的稳定供应，通过功率放大器与滤波器的一体化协同设计提升模组系统性能，加速 6G 大模组、星载芯片等高端模组的全国产化进程，进一步完善公司的产业链布局。

2、持续加大研发投入，激发创新活力

公司视研发创新为核心战略，致力于打造高素质、专业化、富有战斗力的研发团队。

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梯队建设与人才培养：公司构建了由资深行业专家领衔、新锐骨干为中坚的研发梯队，实现了理论前沿与工程实践的深度融合。报告期内，公司进一步完善激励机制，设立“月度之星”、“优秀讲师”、“重大项目奖”等专项奖励，并推行全流程技能培训与知识竞赛，有效激发了研发人员的创新潜能。

开放共研生态：公司积极引入外部专家资源，定期邀请行业顶尖专家进行技术指导，并支持研发人员参与培训交流，拓宽视野，吸收先进设计理念。

研发投入成效：高强度的研发投入转化为丰硕的创新成果。2026年上半年，公司新增专利申请16项，多项核心技术在高集成度模组、低功耗设计及多模协同上取得突破，为公司在高端市场的持续领先奠定了坚实的技术护城河。

3、加强内控建设，完善内控体系

根据法律法规与实际经营情况，公司持续推进并优化系统性内部控制的建设，全面防范经营性风险；在注重生产经营的同时，加强公司治理水平，进一步推动业务稳健发展和战略实施。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，重视合规诚信经营，建立健全合规管理体系，强化内控监督检查力度，积极开展内控合规宣传及培训，提升并引导员工更好地履行合规责任，推动公司实现健康、持续、高质量发展。

非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望

□适用√不适用

报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项

□适用√不适用

三、报告期内核心竞争力分析

(一)核心竞争力分析

√适用□不适用

自创立以来，公司始终深耕射频前端芯片领域，以创新的设计和扎实的技术实力，致力于成为全球领先的射频解决方案提供商。当前，面对 5G-Advanced 规模商用、AI 终端加速普及以及智能网联汽车快速发展的行业变革，公司依托深厚的技术积淀、完备的产品矩阵和敏捷的市场响应机制，已构筑起体系化的核心竞争优势。

1.技术引领与先发优势：构筑高集成度与新兴赛道的护城河

战略前瞻与高强度投入：公司将技术创新视为发展的核心驱动力。报告期内，公司研发路径沿 5G、5G-Advanced 至 6G 有序递进，重点聚焦 6G 高集成度模组、Wi-Fi 8 及星载芯片等方向。

2026 年 6 月，公司发布面向 6G 候选频段的新一代 U6G 模组，标志着公司 6G 预研从技术跟踪迈入

产品化验证阶段，确保了在技术变革浪潮中占据主动。

研发团队与成果：公司拥有一支由行业资深专家领衔的高素质研发团队。截至报告期末，研发人员总数达287人，占员工总数的51.16%，核心成员均拥有十余年射频器件及模组设计经验。

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公司通过具有竞争力的股权激励与人才引进计划，构建了稳固的人才梯队。报告期内，公司及子公司新增授权国内发明专利5项，累计拥有国内发明专利98项、实用新型专利102项、集成电路布图设计登记135项。坚实的自主知识产权壁垒，不仅彰显了原始创新能力，更为高集成度模组的国产化替代奠定了法律与技术基石。

关键技术突破与量产领跑：

高集成度模组：作为国内率先量产 L-PAMiD 模组的厂商之一，公司第二代 Phase 7LE Plus 模组凭借优异的效率与功耗表现，已进入主流品牌旗舰机型供应链并实现大批量出货，成功打破国际垄断；面向中高端的 Phase 8L 模组实现单颗全集成，显著降低系统成本，已全面批量交付；覆盖 6G 新频段的 U6G 模组，也在今年 6 月率先推向市场，确立了公司在下一代高集成度方案中的先发优势。

AI 与泛连接技术：公司敏锐捕捉 AI 终端市场机遇，率先推出适配 AI 眼镜、机器人等设备的大功率 Wi-Fi 7 模组及 Wi-Fi/蓝牙双模模组，相关产品已随客户终端正式上市，公司成为端侧 AI硬件放量浪潮中的重要参与者与受益者。

车规与卫星通信：作为国内首批通过 AEC-Q100 车规认证的射频企业，公司联合模组厂商成功推出车载卫星通信模组，实现从地面蜂窝到天地一体化的技术跨越，提前锁定智能网联汽车的高阶通信需求。

2.产品矩阵与一站式交付：全场景覆盖与自主测试闭环

全品类一站式解决方案：公司已构建起业界领先的“全频段、全制式、全场景”产品矩阵，涵盖 TxM、MMMB PA、L-PAMiD、L-PAMiF、L-FEM、LNA Bank、DiFEM、卫星通信、Wi-Fi 6/7/8、

UWB 系列及蓝牙模组等全产品线。从智能手机、平板到汽车电子、无人机、AI/AR 眼镜与工业机器人，公司均可提供从分立器件到高集成模组的定制方案，有效帮助客户降低供应链管理成本与风险，缩短产品上市周期。

自主可控的测试验证体系：依托自建行业领先的测试实验室与工厂，公司具备“设计-测试-验证”端到端全流程自主能力。自主研发的自动化测试方案大幅提升效率与精度，在高复杂度应用场景下保障产品极致可靠，并在外部产能紧张时确保快速交付，成为公司应对市场波动的核心底气。

3.敏捷响应与生态协同：深度绑定与供应链管控

客户需求导向：公司推行“研发-市场-服务”一体化协同机制，将客户需求直接嵌入产品研发源头，实现市场与研发的高效协同。通过与主芯片厂商的联合定义，公司能够在新平台发布初期即完成射频模组的适配与认证，实现“芯片发布，模组同步上市”。这种深度协同模式，使公司能够精准把握市场窗口期，以最快的速度响应品牌客户对旗舰机型的定制化需求。

内部管理与外部协同：公司严格执行高于行业标准的质量管理体系，稳定满足一线品牌客户的严苛要求。在供应链端，公司与全球顶级晶圆厂、封测厂建立了长期战略合作伙伴关系，并通过多元化供应商策略与核心设备自购计划，有效平抑了产能波动风险；报告期内，公司拟战略投

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资射频滤波器企业偲百创，向上游声学滤波器等核心器件环节延伸，进一步增强关键物料的供应保障能力。依托规模化采购优势，公司具备强大的成本控制与议价能力，确保了在复杂地缘政治环境下的供应链安全与交付稳定性。

(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

□适用√不适用

(三)核心技术与研发进展

1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

主要核心技术技术先进性对应专利技术阶段高功率，通过90度功分器单元将射频输入信号分成两路等幅信号，一种平衡式抗负载变

1量产进行放大后再通过可调90度功合器将两路信号合成一路射射频功率放化的平衡

阶段频输入信号。提高了输出的最大线性功率，降低了对射频天大器、芯片式功率放线负载变化的敏感度。及通信终端大技术改善射频功改善射频通过在共发射极放大器的晶体管的基极和集电极之间连接率放大器线

功率放大量产补偿电路，抵消电容随射频信号变化造成的影响，易于与主性度的方

器线性度阶段体放大电路集成，且不影响主体放大电路的其他性能，可调法、补偿电技术性高。路及通信终端一种实现芯

公开了一种实现芯片重用的可变编码方法，可以使完全相同芯片复用片重用的可

3量产的两个或多个集成电路芯片实现不同的逻辑控制功能，从而及可变编变编码方法

阶段简化了实现系统功能的芯片种类，大大降低集成电路系统的码技术及其通信终开发成本及量产供应链的管理复杂性。

端基于功率检

具有功率通过功率检测反馈电路，检测出本级放大电路的输出功率，测反馈的射

4检测反馈量产产生与输出功率成反向变化的控制电压，及相应的控制电频功率放大

的功率放阶段流，从而控制电路的静态工作电流。本技术使得功率放大器器、芯片及大技术工作在增益和输出功率稳定的状态。

通信终端

通过灵活配置偏置电压，该多模功率放大器可以实现饱和模多模功率放功率放大

5量产式和线性模式的切换，满足多种通信制式的实际需求。该多大器、多模器的模式

阶段模功率放大器还具有成本较低、电路简单灵活、易于实现等切换方法及切换技术优点。其移动终端通过频率采样产生控制信号，为 RC核心振荡模块输出合适一种片内低温漂振

6 量产温度系数的电压，以实现对时钟频率进行温度补偿；同时输 RC 振荡器、荡电路技

阶段出合适大小的零温度系数电流，以便对时钟频率进行精确校芯片及通信术准。终端一种提高射提高射频

通过改变金属层布线方向与多晶硅层布线方向，使得关断电频开关性能

7开关性能量产容变小；通过增加射频晶体管的沟道宽度，减小导通电阻。的射频晶体

的设计和阶段

通过减小关断电容及导通电阻，有效提高射频开关的性能。管、芯片及布图技术移动终端

宽耐压线稳压器能够随着电源电压改变而自动改变其偏置条件，进而一种宽耐压量产

8性稳压器保证每个器件端口间的电压差不超出自身工艺标称电压值，范围的自适

阶段技术最终使产品能应用于高出标称电源电压的系统或芯片中。应低压差线

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性稳压器及其芯片谐波抑制方

低噪放中通过隔离单元把谐波抑制单元与输出匹配网络/输入匹配网法及相应的

9量产的谐波抑络隔离，提高了信号放大电路的设计灵活性，降低了设计难低噪声放大

阶段制技术度。器、通信终端射频模组

通过该测试夹具可以有效减少因焊接带来的新品导入时间，一种芯片测

10的测试夹量产缩短产品的可靠性认证的周期和上市时间；同时避免了芯片试夹具及测

具和测试阶段

损伤风险，便于反馈可靠的评估结果。试系统方案

高电源抑针对中频处的电源抑制，配合调整带隙基准模块中的中频零一种具有电制比的低点调整单元和 LDO 电路中的中频零点产生单元，使中频电源抑制的

11 量产压差线性源抑制性能优化到更好的效果。包含该 LDO 的电压偏置电 LDO 电路、阶段

稳压器技路，可增强射频芯片电源对中频信号的抑制能力，进而提升芯片及通信术射频芯片在移动通信终端里的性能。终端根据实时检测的待测基准电路输出的采样电压，产生瞬态高自适应过冲基准电路

频感应的电压，实现减小待测基准电路启动瞬间的非线性启电压抑制电

12自适应过量产动电流，实现在一定程度上保证基准电路满足时序要求的同路、基准电

冲电压抑阶段时，对基准电路输出的参考电压过冲快速响应有效地进行抑路、芯片及制技术制。通信终端射频功率一种带有温

本发明解决了不同电路模块的偏置电压 Vreg 的温度系数要放大器功度补偿功能

13 量产求不同，需要多个不同温度系数的偏置电压 Vreg 供电的技率检测温的功率检测

阶段术问题，所提供的功率检测电路及其射频前端模块具有结构度补偿技电路及其射

设计简单、生产成本降低，使用性能可靠等优异效果。

术频前端模块射频开关电荷泵输本电荷泵电路不仅能够实现各个子电荷泵模块的输出电压一种电荷泵

14出电压快量产的快速建立，而且能够极大地减小电荷泵电路从输入电源汲电路、芯片

速建立和阶段取的峰值电流，减轻了电荷泵电路对输入电源以及输出电压及通信终端纹波抑制造成的较大纹波。

技术

根据 3dB 正交混合耦合器的工作频率和端口特征阻抗的要一种 3dB 正

射频 3dB 求，调整直通金属线圈与耦合金属线圈的匝数、层数，以降交混合耦合量产

15 耦合器技低耦合器插入损耗，优化 3dB正交混合耦合器的端口反射系器及射频前

阶段术数，端口隔离度等射频性能。利用本发明，可以有效节省芯端模块、通片面积，降低了射频前端模块的设计成本。信终端一种具有高利用线性化电路对从功放电路的射频信号输入端输入的射线性度和功

射频功率频信号进行捕捉，捕捉到的射频信号反馈给偏置电路，偏置率附加效率

16量产放大器线电路在此基础上产生相应的偏置电流。反馈的射频信号和偏的射频功率

阶段

性化技术置电流被输入到功率放大电路，从而增加射频功率放大器输放大器模块出信号的线性度和功率附加效率。及其实现方法用于射频模

芯片间接通过两个通信控制信号总线，实现控制模组和射频器件之间组芯片间和量产

17口通信技的单向串行通信。该方案可以有效地减小通信复杂度，提升芯片内的单

阶段

术传输效率，满足方便和快速的单向通信要求。向串行通信设备浪涌保护器

通过在集成电路版图设计中优化金属走线的长度和形状，结

18 电源浪涌量产合和 NMOS 件和包含该管的连线，以此来降低或消除导流管 NMOS的

保护技术阶段器件的芯片

开启时间非均匀性，从而在电源浪涌出现时保护内部器件。

及通信终端

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通过正交耦合器将输入的射频信号分成两路相位相差90度一种高带宽

的射频信号，相位为+45度的射频信号进入主路功率放大器，高宽带功

19量产相位为-45

的负载调制

度的射频信号进入辅路功率放大器，输出合路射率放大器功率放大器阶段频信号匹配网络将主路信号和辅路信号合成后输出射频信技术及相应的射号，实现负载调制。本发明具有高带宽，高效率和低损耗等频前端模块优点。

功率检测单元将接收的待测射频信号转换为直流电压的过

程中进行灵敏度的修调，能够有效调整检测灵敏度，同时利一种功率检

20功率检测量产用基准电流产生单元产生不同温度系数的基准电流，实现在测电路、芯

技术阶段工作温度范围内检测精度不随温度变化，从而保证功率检测片及通信终电路最终输出的电压不随温度变化，使得本发明具有较高的端检测精度。

该电路包括收发信机、MMMB功放模块、多通道天线开关、天线，以及中频低通滤波器和低频低通滤波器。收发信机的一种多制式

21 射频设备量产低频信号输出端包括两路，其中一路是 2G 低频信号输出端；无线通信射

复用技术阶段收发信机的中频信号输出端包括两路，其中一路 2G 中频信频电路及终号输出端。本发明通过复用 3G、4G 或 5G 的硬件电路，实端现了几乎无成本的 2G 通信功能。

该正负电压电荷泵电路包括时钟发生模块、正电压电荷泵模一种正负电

22高效电荷量产块、瞬态增强模块和负电压电荷泵模块，能够提供稳定可靠压电荷泵电

泵技术阶段且同时产生高于输入电源正轨以及低于输入电源负轨电压路、芯片及

的电荷泵电路设计，满足广泛的系统设计指标要求。通信终端一种高速模

本发明采用特殊的动态偏置调整方法，可以大幅提升电压缓高速模拟拟电压信号

23量产冲器在输入信号变化时的工作电流，而在输入信号没有变化电压缓冲缓冲器、芯

阶段时保持其工作电流较小，从而在不提升整体功耗的前提下，技术片及通信终大幅提升电压缓冲器的工作速度。

端提升射频本发明利用线性化电路采集来自功率放大器电路的射频信具有高线性功率放大

号输入端输入的射频信号，并将所采集的射频信号反馈至偏度和功率附

24器线性度量产置电路，由偏置电路根据反馈的射频信号生成相应的偏置电加效率的射

和功率附阶段流，该偏置电流输入至功率放大器电路，从而提升射频功率频功放模块加效率技放大器线性度和功率附加效率。及实现方法术

本发明通过自适应加速响应电路镜像功率管的电流，使得误LDO 一种自适应自适差放大器内的差分电路的尾电流可以根据 LDO 电路的负载

25量产快速响应的应快速响变化自适应地加速充放电，对差分电路的尾电流和功率管的

阶段 LDO电路及

应技术栅极在极短的时间内进行快速充放电，使 LDO 电路的响应其芯片

时间大大减少，让集成电路芯片具有更快的响应速度。

一种低损耗

低损耗射本发明在不增加成本的情况下，通过改变在不同工作模式下

26量产的射频收发频收发前输入，输出匹配电路的方式，减小射频开关插入损耗来优化

阶段前端模块及端技术接收端的噪声系数和发射端的输出功率以及损耗。

电子设备一种具有限

本发明通过负载电流与参考电流的比较，控制 LDO 电路中LDO 流功能的27 限流量产的负反馈环路以及限流输出单元的开启或关闭，实现对输出 LDO 电路、技术阶段电流的控制，从而在大功率、复杂应用环境等工况下，为射芯片及电子频芯片提供稳定的直流偏置电压。

设备降低翘曲应

降低基板本发明所提供的基板在高温回流焊过程中能够与裸芯片呈力的基板、

28量产翘曲应力现相匹配的翘曲，从而避免因翘曲的不匹配导致的虚焊问封装结构、阶段技术题。电子产品及制备方法

29 高效天线量产本发明包括 PXI测试箱，PXI测试箱具有发射端口和接收端一种天线调

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调谐器测阶段口；发射端口通过第一单刀多掷开关选择性连接于不同的测谐器峰值电

试系统试通路的输入端，接收端口通过第二单刀多掷开关选择性连压测量系统接于不同的测试通路的输出端；且 PXI 测试箱能够根据接收端口的信号值动态调整发射端口发射信号的大小。

射频信号接

多频段、该射频信号接收前端模组包括：多组输入放大器，控制单元收前端模

30多种增益量产与多个输入耦合开关，多个级间开关和负载中的可变被动元组、信号传

接收模组阶段件连接，并控制被动元件的参数设置。在降低噪声系数的同输控制方法技术时，实现多频段，多种增益模式。

及移动终端一种瞬态响

本发明通过反馈模块对输出电压进行采样，产生第一电压以具有快速应的低压差

31量产响应稳态电压的变化，同时生成第二电压以响应瞬态电压的瞬态响应线性稳压

LDO 阶段变化，将第二电压叠加在第一电压上并输出至功率管，再通技术器、芯片和过功率管向负载提供稳定的输出电压。

电子设备

本发明通过采用动态电压补偿的技术方案，对功率放大器工一种优化动降低动态作周期内的温度变化带来的输出功率的变化进行动态补偿，态误差向量量产

32误差向量同时，解决了不同封装或者不同版图下，或者不同电压下及幅度的射频

阶段

幅度技术不同 TX 占空比下，功率放大器温度变化不同造成温度补偿前端模块及需求不一致的问题。电子设备本发明通过射频前端模块实施侦测并提取出各射频器件所

快速、高需的有效 SIPI 数据，并以并行或级联串行的方式将该有效串行通信装

33 量产效串行通 SIPI数据快速、高效地发送给各射频器件，满足射频前端模置及串行通

阶段

信技术块的各个芯片之间以及芯片内部之间便捷、快速的单向通信信方法需求，同时降低了通信复杂度，具有更高的传输效率。

本发明通过端口检测转换电路将待检测端口的状态转换为

相应的电压，与相应的输入参考电压进行比较后，向芯片 ID 一种芯片端芯片端口

34量产判断电路输出逻辑信号，得到与芯片的待检测端口状态对应口状态检测状态检测

阶段的芯片 ID，以便于通信终端对芯片进行识别，以区分出多颗电路、芯片技术相同的芯片。同时满足对芯片待检测端口进行低功耗、快速、及通信终端实时检测的要求。

本发明通过比较供电电压和预设的电压阈值以及相应的时一种射频前

射频前端间和时间阈值的关系，来判定射频前端模块是否需要进入过

35量产端模块的过模块过压压保护模式。在过压保护模式下，模拟控制电路使功率放大

阶段压保护方法

保护技术器的增益降低或关闭功率放大器，从而达到保护电路的作及电子设备用。

提升声表本实用新型提供了一种声表面波谐振器，其包括：汇流条与

36面波谐振量产所述叉指电极的法向之间呈角度设置，叉指电极的端部设置声表面波谐

器 Q 值技阶段有质量块，从而能够抑制横向模态，由此能够减小叉指电极振器术的端部的声速，抑制能量泄漏，从而极大地提高 Q值。

提升声表本实用新型提供了一种声表面波滤波器封装结构，通过形成声表面波滤

37面波滤波量产于基底上的环形金属布线结构以及形成于基板上的环形金波器封装结

器封装可阶段属焊垫相连以形成挡墙结构而实现注塑隔离，从而具有很高构

靠性技术的稳定性和可靠性，降低了工艺难度以及制造成本。

本实用新型提供一种包含声表面波滤波器的封装结构，其中提升声表绝缘膜包封空隙的边缘使声表面波滤波器和第一表面之间包含声表面

38面波滤波量产形成闭合的空腔，同时功能元件，安装在基板的第二表面上。波滤波器的

器封装可阶段如此，绝缘膜仅覆盖声表面波滤波器，从而不会影响塑封层封装结构

靠性技术对其它功能元件的塑封效果，有助于提高包含有声表面波滤波器的封装结构的可靠性。

本发明公开了一种可调平衡式功率放大器及射频前端模块、一种可调平可调平衡

39量产通信终端。该可调平衡式功率放大器的输出功率合成器的隔衡式功率放式功率放

阶段离端为反射系数相位可变器件，从而通过改变隔离端的反射大器及射频大器技术

系数相位可以获得不同功率段内的最佳效率。前端模块、

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电子设备

本发明公开了一种多模多频射频前端电路，其设置于收发机多模多频射

支持多模和天线之间，包括：发射模组和接收模组。发射通路级联到频前端电

40多频射频量产所述发射模组的输出端，把经过所述发射模组放大后的射频路、射频前

前端电路阶段发射信号传输到天线；2G 低通滤波匹配电路，连接于发射端装置和手技术模组和所述接收模组之间；发射模组中的功率放大器支持

2G 5G 机到的通信制式。

本发明提供了一种射频开关电路，其由 n级开关晶体管单元串联组成，这些单元沿着射频电流方向分成 L个开关晶体管提升射频射频开关电

41量产单元组，每个单元组中晶体管的相邻横栅之间的间距小于后开关耐受路、芯片及

阶段一个开关晶体管的相应间距。本发明可以保证不同的开关晶功率技术其电子设备

体管之间具有更加均衡的电压分布，进而提高射频开关电路的功率处理能力。

本发明公开了一种射频功率放大器，包括控制单元、功率放射频功率放

射频功率大单元、检测与比较单元、增益调节单元。通过检测与比较

42量产大器、射频放大器线偏置电流与基准电流，来决定控制增益调节单元是否产生调

阶段前端模块及

性化技术节电流并输出到功率放大单元，从而实现不同模式下功率放通信终端

大单元增益的补偿，提高射频前端模块的线性度。

本发明公开了一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及一种具有高

提升射频其电子设备。本发明所提供的射频开关电路，改善了电压摆耐受功率的

43量产开关耐受幅在各级开关晶体管层叠链中分布不均匀的现象，从而使得射频开关电

阶段

功率技术射频开关电路的非线性问题得到改善，插入损耗减小，平均路、芯片及耐受功率得到明显提高。其电子设备打线式电磁

本发明公开了一种打线式电磁屏蔽结构、屏蔽方法、电路结

提升电磁屏蔽结构、

44量产构和电子设备。本发明通过在基板与芯片之间进行打线，从屏蔽的封屏蔽方法、阶段而使得多根屏蔽导线能够与电磁屏蔽层紧密接触，不会出现装技术电路结构和接触不良而导致电磁屏蔽失效的情况。

电子设备本发明提供了一种声表面波谐振器及其制造方法。通过汇流条与所述叉指电极的法向之间呈角度设置；进一步的，所述声表面波声表面波谐

45量产叉指电极的端部设置有质量块，并且每个所述汇流条组包括谐振器制振器及其制

阶段至少两个汇流条并且相邻两个所述汇流条相连，从而能够将造方法造方法

能量限制在谐振腔体中，抑制能量泄漏，最终极大地提高了Q值。

本发明提供一种功率放大器及其限定功率放大器增益的方法。当功率放大电路的输入信号的功率大于设定阈值功率功率放大器限定功率量产时，偏置电路输出的偏置电流被拉低，功率放大电路的增益和限定功率

46放大器增

阶段降低，进而可以有效地防止功率放大器发生烧毁；当功率放放大器增益益的方法

大电路的输入信号的功率小于等于设定阈值功率时，偏置电的方法路输出的偏置电流保持不变。

本发明中的总线接口电路涉及 VIO 检测模块和主射频前端

芯片之间进行电源信号和数据信号的正接和交换，VIO 检测一种芯片标芯片标识

模块根据电源信号和数据信号生成对应的 VIO_SEL 信号，识符可变的

47 符可变的量产输入MIPI模块。根据 USID_SEL 信号，响应生成不同的芯总线接口电

总线接口阶段片默认标识符。利用本发明，可以使射频前端芯片在不增加路及其实现技术

额外硬件引脚的情况下，通过软件或固件配置改变其默认的方法产品标识符和从属标识符。

本发明提供一种滤波器封装结构及其制作方法。结构包括：

中间塑封结构；支撑层，位于滤波器芯片的正面一侧且形成滤波器封滤波器封装

48量产在塑封体上；保护层，形成在支撑层上且覆盖第一开口形成装结构技结构及其制

阶段声学区域工作需要的空腔；再布线层，形成在保护层上，且术作方法

再布线层与滤波器芯片的正面电连接。如此，可以解决形成塑封体时塑封料破坏空腔导致滤波器性能恶化的问题，且有

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利于缩小滤波器封装结构的体积。

本发明提供一种射频功率放大器线性化技术。该射频功率放大器包括控制单元、功率放大单元、检测单元和输入匹配单元。检测单元实时检测和功率放大单元的输出功率相关的指射频功率放功率放大

49量产标参数，并转化成与指标参数大小正相关的电压，输出到输大器、射频器线性化

阶段入匹配单元，以使得输入到功率放大单元的射频信号的相位前端模块和技术

变化与功率放大单元输出信号产生的相位变化相反，从而有通信终端效实现不同模式下功率放大单元输出的射频信号的相位失真补偿，提高射频前端模块的线性度指标。

本发明提供一种分腔式电磁屏蔽结构及其制备方法。该制备方法包括：在基板上依次贴装芯片；在存在电磁干扰的相邻一种分腔式

芯片之间设置屏蔽部；在屏蔽部的顶部覆盖薄膜，并使屏蔽电磁屏蔽结

50共形电磁量产部的顶部嵌入薄膜内；在薄膜与基板之间填充塑封材料，形构、制备方

屏蔽技术阶段

成塑封层；去除薄膜，使得屏蔽部的顶部凸伸出塑封层；在法及电子设屏蔽部的顶部覆盖金属材料，并使金属材料与屏蔽部的顶部备相接触，以形成共形电磁屏蔽层，以达到电磁屏蔽的效果。

本发明公开了一种电荷泵电路、芯片及通信终端。该电荷泵电路包括：相位时钟发生模块、加速度响应控制模块和多个子电荷泵模块。通过相位时钟发生模块产生多个具有固定相电荷泵快电荷泵电

51量产位差的时钟信号，并对应控制多个子电荷泵模块产生输出电速响应技路、芯片及阶段压，通过加速度响应控制模块测量各子电荷泵模块的输出电术通信终端压，并分别向相位时钟发生模块和各子电荷泵模块输出逻辑信号，改变相位时钟发生模块输出的时钟信号的频率，减少各子电荷泵模块中电容的充放电时间。

本发明公开了一种低温度系数环形振荡器、芯片及通信终低温度系数低温度系端。该低温度系数环形振荡器包括温度跟踪补偿电路、反相量产环形振荡

52数环形振振荡电路和缓冲整形电路。该反相振荡电路通过二极管连接

阶段器、芯片及

荡器技术 PMOS 管和 NMOS 管的阻抗随温度的变化来跟踪补偿反相通信终端振荡电路中反相器的温度特性。

本发明公开了一种负载调制功率放大器技术，其中驱动级功率放大器设有跨导增强的偏置电路，主路功率放大器设有相一种负载调功率放大

53量产位可调的偏置电路，辅路功率放大器设有开启功率点可控的制功率放大器负载调

阶段偏置电路，配合谐波阻抗匹配电路和插损较小的负载调制功器及相应的制技术合器，各单元协同工作实现了该负载调制功率放大器的线性电子设备化和高效率，可以很好地满足实际应用的要求。

本发明提供一种 ESD 保护电路及方法。该 ESD保护电路包括泄放电路和控制电路，且在 ESD事件发生时，控制电路将泄放电路呈 GCNMOS结构，具有响应速度快的优势；而当 ESD 保护电

54 静电保护量产正常工作时，控制电路使泄放电路呈 GGNMOS结构，具有路及方法、技术阶段

抗大功率信号干扰的优势。该电路对 ESD 事件作出快速响电子器件应，保护电压端口，还增强了整个电路对大功率信号的抗干扰能力，有效避免漏电流。

本发明公开了一种低误差矢量幅度的射频前端技术，用于在双连接场景下，保持 FDD 信号收发通路的连通，并动态切换 TDD信号的接收通路和发射通路；当切换至 TDD 信号接低误差矢

55 量产收通路时，将相位补偿负载与 FDD

一种低误差信号通路断开；当切换量幅度技

阶段至 TDD 矢量幅度的信号发射通路时，将相位补偿负载接入 FDD 信号通术路，模拟 TDD 信号滤波器在 FDD 射频前端信号频段内的阻抗特性，使 FDD信号通路所驱动的负载与 TDD信号处于接收状态时

的负载相位一致，以降低发射 FDD 信号的误差矢量幅度。

本发明提供了一种芯片封装结构及芯片封装方法，覆膜能够芯片封装结

56高可靠性量产封闭滤波器芯片下方的第一空腔并在第二阻挡层靠近窗口构及芯片封

封装技术阶段

处容易断开而形成断口，塑封层将经过所述断口填充所述窗装方法

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口和第二空腔，即填充非滤波器芯片底部的空间，由此既保

障了滤波器芯片的工作，又解决了非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题，提高了芯片封装结构的可靠性。

本发明公开了一种具有限流保护的低压差线性稳压器技术。一种具有限低压差线该低压差线性稳压器包括 LDO 主电路、控制电压电路和限流保护的低

57量产性稳压器流保护电路。低压差线性稳压器通过采用双环路负反馈结构压差线性稳

阶段

限流技术的技术方案，当负载电流超过设定的限流值时，实现了对低压器、芯片压差线性稳压器的限流保护，提高了供电的可靠性。及电子设备本发明公开了一种多频段信号发生装置、射频芯片测试系多频段信号

统、试验测试系统，其中多频段信号发生装置包括：射频本多频段射发生装置、

58量产振信号生成模块，功分器和至少一个倍频支路。每个倍频支频模组测射频芯片测

阶段路包括顺序连接的倍频器和射频滤波放大模块，不同倍频支试技术试系统、试路的倍频器具有不同的倍频次数。通过功分器和倍频器的组验测试系统合使用，高效完成多频段射频测试。

本实用新型提供了一种封装结构。在该结构中，其分区屏蔽间隔件位于沿第一方向设置的相邻芯片组件之间，而分区屏蔽间隔件包括多根屏蔽线弧，且每根屏蔽线弧具有沿不同方

59新型电磁量产向延伸且相连接的第一线弧段和第二线弧段，从而实现了通一种封装结

屏蔽技术阶段过在相邻芯片组件之间设置分区屏蔽间隔件实现分区屏蔽，构缩小分区屏蔽器件占用基底的面积，实现电磁屏蔽效果简化封装流程、缩短制作周期，以及有利于降低成本和提高良率的目的。

本实用新型提供了一种封装结构，通过根据塑封层的材料流动性不同，结合不同的塑封工艺形成塑封层或塑封层和隔离层，随后再通过整条研磨工艺减薄封装结构的厚度而后或在

60新型封装量产一种封装结其之前进行裂片，进而实现了在无需改变滤波器芯片的传统

技术阶段构

裂片方式的情况下，便可保证封装结构的厚度达到目标精度且不发生晶圆翘曲过大的问题，同时还避免了所述空腔被塑封层的材料侵入。

本实用新型公开了一种具有谐波补偿功能的射频开关技术。

一种具有谐

该射频开关电路包括开关单元、栅端偏置单元、体端偏置单射频开关波补偿功能

61量产元、源漏端偏置单元、谐波补偿单元和补偿偏置单元；补偿的谐波补的射频开关

阶段偏置单元与谐波补偿单元连接，为谐波补偿单元提供补偿偏偿技术电路及相应置电压。射频开关电路处于关断状态时，谐波补偿单元产生的电子设备的谐波分量对开关单元所产生的谐波分量进行补偿抵消。

本发明公开了一种低功耗Wi-Fi射频前端模块、芯片及电子一种低功耗

低功耗设备。通过切换Wi-Fi射频前端模块的供电电源，在不增加 Wi-Fi 射频

62 Wi-Fi 电量产系统成本、满足 Wi

-Fi系统切换时间的情况下，实现了Wi-Fi前端模块、源切换技阶段射频前端模块处于较低功率输出的情况下由相应的较低电芯片及电子

术压供电，从而大幅提高系统效率，同时，优化了器件结温和高速率 DEVM 设备性能等。

本发明提供了一种电压快速切换增强电路、方法、DCDC电

DCDC 电压快速切源、芯片及设备。在电路从低电压向高电压切换时升换增强电

电压快速压增强子电路对关键节点进行充电、在切换模式为从高电压

63量产路、方法、切换增强向低电压切换时降压增强子电路对关键节点进行放电；当满

阶段 DCDC 电

技术足增强关闭预设条件时停止充电/放电操作。本发明能够大幅源、芯片及

度缩短 DCDC电路的 DVS切换时间，满足通信系统的时序设备要求，保障通信的质量。

本发明公开了一种射频功率放大器模组及其功率保护方法，射频功率放射频功率

64量产通过限幅电路用于根据限幅偏置电压对射频输入信号进行大器模组及放大器保

阶段限幅衰减，得到衰减后的射频信号；功率放大器单元用于将其功率保护护技术衰减后的射频信号进行功率放大后输出；滤波器用于对放大方法

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后的射频信号进行滤波，以输出目标频段的射频信号。本发明可实现自适应根据功率大小改变限幅程度，并提高功率检测的速度。

本发明公开了一种空腔滤波器系统级封装模组、电子产品及封装方法。该空腔滤波器系统级封装模组包括基板，第一倒空腔滤波器空腔滤波装芯片，第二倒装器件、膜层以及塑封材料；在第一倒装芯系统级封装

65量产器封装技片和第二倒装器件周围环绕设置有阻焊层；第一倒装芯片与模组、电子

阶段术阻焊层的表面形成连续的膜层；第二倒装器件与阻焊层的表产品及制备面的膜层断开。本发明能够提高模组的可靠性，并且工艺简方法单、成本低。

国家科学技术奖项获奖情况

□适用√不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况

√适用□不适用认定主体认定称号认定年度产品名称

唯捷创芯（天津）电子技术股国家级专精特新“小巨人”企2023射频功率放大份有限公司业器模组

2、报告期内获得的研发成果

截至2026年6月30日，公司已取得专利205项（其中发明专利98项），集成电路布图设计专用权135项。

报告期内获得的知识产权列表本期新增累计数量

申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利10526298实用新型专利610128102外观设计专利0022软件著作权001817其他00167135合计1615577354

注1：其他代指集成电路布图设计。

注2：上表数据不包含已失效的3项专利。

3、研发投入情况表

单位：元

本期数上年同期数变化幅度（%）

费用化研发投入216612915.27202721436.716.85资本化研发投入

研发投入合计216612915.27202721436.716.85研发投入总额占营业收入比

%22.2320.55增加1.68个百分点例（）

研发投入资本化的比重（%）研发投入总额较上年发生重大变化的原因

□适用√不适用

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研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明

□适用√不适用

4、在研项目情况

√适用□不适用

单位：万元预计本期累计进展或序项目总投具体应投入投入阶段性拟达到目标技术水平号名称资规用前景金额金额成果模

1 5G 3443 1260. 3369 基于原技原方案支持低、中、高频段在发射额定功主要应

Sub-3 6.61 64 0.50 术方案的的功率放大器模组，支持率、效率方面接用于手GHz 产品已经 4G-5G B3+n41双连接。第近国际先进水机市场。

PA 模定型。第六代 GSM 模组采用更低平，成本领先。

组六代产品成本的融合方案，集成了与 MTK n77 1T2R L-PAMiF，以一平台合作颗产品为客户提供了开发中。 Sub3G+Sub6G的一整套高集成度、低成本解决方案。

2卫星3888.10.253888.第一代产支持第一代的北斗和天通在高功率、高效应用于

通信0404品已量频段的通信应用。第二代率方面接近国北斗和PA 模产。第二产品，用一颗多模式 PA同际先进水平。天通卫组代产品已时支持天通和北斗两个制星通信。

经量产。式的卫星通信。

下一代产品开发中。

3中、高15151272.1465第三、四集成低噪声放大器、射频预计在集成度1.手机、频 L- 9.64 73 8.10 代产品已功率放大器、射频开关以和发射额定功平板电

PAMi 经量产。及双工器，支持中频和高率、效率和接收脑、数据D 模下一代产频的 3G-5G 通信频段，同噪声系数方面卡等通组品开发时在 n41 频段支持 PC2 功达到或接近国信终端中。率等级。际先进水平。设备；2.智能家

居、智慧

城市、可穿戴设备等物联网终端。

4低频6309.33.576309.第四代产集成了低噪声放大器、射整体性能（额定主要应L- 41 41 品已经量频功率放大器、射频开关功率、线性度、用于国PAMi 产。下一以及双工器，支持 2G以及接收噪声、效率内的手D 模代产品开 3G-5G多个低频频段。等）达到国际先机市场。

组发中。进水平。

5 LNA 9905. 182.8 9656. 基于国内产品为支持低、中、高频段基于自主研发 1.手机、Bank 88 2 39 市场需求的低噪声放大器模组，支的 LNA 技术，平板电的产品已持MIMO和载波聚合，支提供业界先进脑、数据经在大规持多通道信号输入和输的噪声系数和卡等通模出货。出。功耗。最新NSA 信终端基于海外产品采用国产设备；2.客户需求供应链。智能家的小尺寸居、智慧

产品已经城市、可完成验证穿戴设并率先出备等物

30/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告货，下一联网终代性能和端。

成本优化版本也已经在开发中。

6 支持 1314 1778. 1133 前五代产支持 5G NR n77 频段的 L- 采用 SIP 封装， 1.手机、

5G 单 7.86 16 9.94 品已量 PAMiF 模组，集成低噪声其中 PA、LNA 平板电

频 L- 产；第六放大器、射频功率放大器和射频开关等脑、数据

PAMi 代产品接和滤波器。支持高通和芯片均为自主卡等通F模组近定版； MTK手机平台。第六代产研发。在产品的信终端

第七代产品基于新方案进一步降低额定功率、功设备；2.品目前在成本。第七代产品在第五耗、线性度和灵智能家研。代产品的基础上尺寸缩小敏度等方面都居、智慧

30%，同时将额定功率和产达到业界较高城市、可

品性能进一步提升。水平，尤其是在穿戴设功率回退下的备等物效率有优势。最联网终新产品采用国端。

产供应链。

7 支持 8236. 1039. 7249. 第四代产支持 5G NR n77 和 n79 频采用 SIP 封装， 1.手机、

5G 双 47 92 68 品于今年段的 L-PAMiF模组，集成其中 PA、LNA 平板电

频 L- 年初量低噪声放大器、功率放大和射频开关等脑、数据PAMi 产。第五器和滤波器。支持高通和芯片均为自主卡等通F模组代产品与 MTK手机平台。第五代产研发。在产品功信终端MTK 平品在此前高性能器件基础率、功耗、线性设备；2.台合作开上进一步将尺寸减小度和灵敏度等智能家发。40%，进一步提升功率和增方面都达到业居、智慧加下行通道数量。界较强水平，尤城市、可其在功率回退穿戴设

下的效率和 5G 备等物

Wi-Fi共存上有联网终优势。端。

8高、8442.2495.6799.第一、二集成低噪声放大器、射频在发射额定功主要应

中、低706601代产品已功率放大器、射频开关以率、功耗方面达用于国

L- 量产，第及双工器，通过单一模组到国际先进水内的手PAMi 三代产品产品，支持低频、中频和高平（第二代产品机和物D 模与 MTK 频的 3G-5G 通信频段。目在规格和性能联网等组平台合作前在研的第三代产品相比达到或超过国市场。

开发，目上一代产品在尺寸/功率/际先进水平）。

前已接近效率/频段维度均有大幅提定版。升。

9支持1166923.11166基于第二在满足平台要求和客户性新一代降本产1.手机、Wi-Fi 0.50 7 0.50 代手机能的要求下，进一步挖掘品采用自主研平板电

7的射 Wi-Fi 7 成本潜力，成本优势处于发的功率提升脑、数据

频前 FEM的低业内领先水平。和非线性补偿卡、无人端模成本方技术，以及效率机、车载组案，已经优化技术，进一等通信通过平台步优化产品成终端设

端送样认本，相关性能指备。

证，并已标达到业界领经进入大先水准。

规模量产阶段。

10 支持 1818. 1309. 1516. 第一代路满足Wi-Fi 8应用要求的高 Wi-Fi 8 产品性 1.手机、Wi-Fi 33 75 25 由器和手功率和超高功率接收/发射能达到业内领平板电

8的射机端 Wi- 模组，工作频率分别在先水平，Wi-Fi 8 脑、路

频前 Fi 8 射频 2.4GHz、5GHz 和 6GHz。 FEM 最大功率由、数据前端模组该产品支持比Wi-Fi 7更高比Wi-Fi 7产品卡、无人

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端模已经开始效率、更高功率和多种平高 2~3dB，以实机、车载组送样多个台的数字预失真，从平台现更大的信号等通信平台验验证结果看，功率及效率覆盖范围和更终端设证，验证比 Wi-Fi 7 都进一步提升，稳定的连接；并备；2.智结果基本预计 2026 年 Q4量产。第结合新的 PA架能家居、满足平台二代Wi-Fi 8将实现更高的构，结合平台智慧城和客户需功率和更高的效率，以及 DPD，实现更高市、可穿求，下半更好的接收灵敏度。功率下的功耗戴设备年开始量和Wi-Fi 7低功等物联

产。第二率下相当水平，网终端。

代Wi-Fi 8 保证整机可靠产品正在性和温升等关

和平台、键要求。

客户讨论中。

11 5G 3198 1860. 3164 第一代小小尺寸调谐开关支持低频采用独特的电 1.手机、NR 的 1.23 77 0.57 尺寸中、段到 6GHz频率范围，应用荷泵频率控制平板电中、高高压天线于手机射频前端，满足手技术和升压降脑、数据电压调谐开关机天线架构对天线调谐开压技术，配合开卡等通天线在国内旗关的高 IEC及高性能要求，关核心叠管电信终端调谐舰手机率支持不同电压要求，用于路设计，实现高设备；2.开关先量产出改善手机天线效率。电压调谐，达到智能家

货。第二业界较高水准。居、智慧

代高压天新一代产品进城市、可线调谐开一步提升性能穿戴设关已完成和可靠性规格。备等物客户验联网终证。端。

12 L- 1190 462.7 1185 国内市支持 5G NR 的 n77 频段基于自主研发 1.手机、FEM 3.92 2 4.07 场，产品 MIMO 接收的需求。支持的开关、LNA、平板电模组覆盖高通、MTK和 LSI手机平 IPD 以及成熟脑、数据

N77/N79 台。的芯片倒装技卡等通频段，规术，实现了业界信终端格符合大优质的增益、噪设备；2.客户需声系数、功耗和智能家求，已经线性度，在能耗居、智慧大规模量和带外抑制有城市、可产。海外突出优势，同穿戴设市场，第时，芯片厚度达备等物二代小尺到行业先进水联网终寸产品已平。端。

经完成客户导入，并率先大规模量产。

13 L- 8000. 2169. 7182. 第一代海集成射频开关、LNA 和滤采用自主研发 1.手机、DiFE 11 66 25 外版本已波器的接收模组，用于 Sub 的射频开关和平板电M 模经量产出 3G 分集接收通路，支持 LNA，在增益控脑、数据组货，国内 MTK和高通平台。制、噪声系数以卡等通版本也在及功耗方面达信终端

大客户量到业界较高水设备；2.产出货。平，同时，集成智能家

第二代基滤波器，实现了居、智慧

于大客户较好的CA支持城市、可需求的产以及带外抑制。穿戴设品已经完备等物成定版，联网终且规格已端。

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经通过客户认证。

14分立1211.91.011156.第一代支用于信号接收通路，提升基于自主研发1.手机、LNA 62 94 持 LTE、灵敏度，频率覆盖 LTE中的 LNA 技术，平板电器件 GPS、Wi- 高频段，GPS L1/L5 以及结合GPIO实现脑、数据Fi、UWB Wi-Fi和 UWB 频段。模式切换，提供卡等通的产品已业界先进的噪信终端

经在客户声系数和增益，设备；2.端完成导同时，产品的电智能家入。此外，流和线性度也居、智慧基于客户具有突出优势。城市、可定制规格穿戴设的产品也备等物已经定联网终版，并已端。

完成客户导入。

15 高性 806.6 154.3 749.6 第二代产用于 GSM信号的放大，第基于自主研发 1.手机、能 3 0 3 品已定二代产品符合海外客户的的高性能 GSM 平板电GSM 版。应用需求。 PA，支持MTK 脑、数据PA 和高通双平台，卡等通功率、效率均达信终端

到业界先进水设备；2.平。智能家居、智慧

城市、可穿戴设备等物联网终端。

16 高、 16.60 16.60 16.60 在 Sub- 集成低噪声放大器、射频在集成度上达主要应

中、低 3GHz 模功率放大器、射频开关以到业界先进水用于手

UHB 组的方案及双工器，为客户提供系平。机市场。

L- 上额外集统级、更低成本/更小尺寸

PAMi 成 UHB，的模组方案。面积上相比D 模搭载全套原系统方案减小 20%。

组低成本滤波器。

合/166915061593////

计25.551.7367.88

5、研发人员情况

单位：万元币种：人民币基本情况本期数上年同期数

公司研发人员的数量（人）287291

研发人员数量占公司总人数的比例（%）51.1649.16

研发人员薪酬合计8080.977925.59

研发人员平均薪酬28.1627.24教育程度

学历构成数量（人）比例（%）

博士研究生72.44

硕士研究生14851.57

本科9232.06

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专科及以下4013.94

合计287100.00年龄结构

年龄区间数量（人）比例（%）

30岁以下（不含30岁）12443.21

30-40岁（含30岁，不含40岁）12744.25

40-50岁（含40岁，不含50岁）3110.80

50-60岁（含50岁，不含60岁）51.74

60岁及以上00.00

合计287100.00

6、其他说明

□适用√不适用

四、风险因素

√适用□不适用

（一）技术风险

1、研发失败的风险

公司新产品的研发风险主要来自以下几个方面：（1）新产品研发周期长，可能耗时半年至数年，在产品规划阶段，若公司产品定位错误，可能导致研发的新产品不适应未来市场需求的发展变化；（2）若公司对自身技术开发能力和产品开发的成功率判断失误，可能导致产品开发过程无法顺利推进，或者研发设计的产品不能成功流片、未达到预定性能等；（3）新产品上市销售阶段，若产品方案不够成熟，市场接受程度不理想，可能导致新产品销售迟滞，无法有效的收回前期研发投入的成本，影响公司的经营业绩以及后续研发工作开展。

2、产品升级迭代的风险

射频前端芯片主要面向消费电子领域，该领域具有产品迭代频繁、市场格局变化较快等突出特征，同时产品本身也需紧跟通信技术的持续演进来实现更新。公司需及时推出满足市场需求的新产品并保持前瞻性，以保持市场竞争力。如果公司的技术升级速度和产品迭代成果未达到预期水平，未能及时、有效满足市场需求，或出现颠覆性、革新性的新技术导致公司现有产品被替代，则存在公司产品升级迭代的风险，导致公司的行业地位和市场竞争力下降。

3、优秀研发人才流失的风险

公司专注于集成电路的设计环节。对于射频前端芯片，研发人员应具备扎实的设计理论知识，基于对材料和封装工艺的深入了解，通过复杂的电路设计实现各类性能指标的优化和均衡，完成既定研发目标。但集成电路行业整体面临较大的专业人才缺口，如果发生优秀研发人才大面积流失的情况，将对公司的研发实力、生产经营和市场竞争力产生不利影响。

4、技术秘密泄露的风险

公司的各类核心技术贯穿于公司产品的研发设计、工艺选型、封装、测试等各个环节，是公司长时间投入各种资源积累的成果，也是公司保持产品市场竞争力的基础和保障。技术秘密的保

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密工作对公司维持产品及技术的竞争力尤为重要。对于未公开的非专利技术及体现研发战略的在研产品，若保密不当导致泄露，则可能严重削弱公司技术的优势和产品的竞争力。

（二）经营风险

1、营业收入无法持续高速增长，盈利水平同时受到影响的风险

公司产品主要应用于智能手机之中，智能手机行业具有竞争激烈、产品和技术更迭较快、头部品牌厂商集中且市场占有率较高的特点。公司客户或终端客户主要为知名品牌厂商，若出现智能手机行业整体出货量下降、公司与头部品牌厂商的合作关系发生变化、头部品牌厂商采用自研

射频前端芯片、现有主要客户的终端市场占有率大幅下降等不利因素，或公司未能及时拓宽及迭代产品线、开拓新的应用领域以应对激烈的市场竞争，均可能导致下游行业及客户对公司产品的采购需求降低。

2、毛利率相对较低的风险

公司主要产品为射频功率放大器模组，通过和境内外可比上市公司进行比较，公司毛利率相对较低，虽然 5G 射频功率放大器模组收入占比增加，但毛利率仍低于境内同行业上市公司和境外领先厂商。公司产品销售单价受美系领先厂商同类产品的市场定价、产品及技术的先进性、客户议价能力以及过往销售价格等因素的共同影响；产品单位成本亦受原材料及封测服务的采购单价

以及产业链供需关系等因素影响，亦存在一定的不确定性。若公司未能及时推出更先进的产品争取更高的利润空间、产品的竞争力不足、无法适应市场竞争导致销售价格持续下降，或未来原材料或封装测试服务产能供给紧张导致采购价格上涨，或公司在供应链中的议价能力下降，均可能导致公司无法进一步改善毛利率，对盈利能力产生不利影响。

3、客户集中度较高的风险

公司主要采用经销或直销模式向手机品牌或 ODM 厂商销售产品，下游终端市场以及产业链特点决定了客户的集中度较高。报告期内，公司对前五大客户的营业收入合计数占收入的比例为

89.02%。公司的经营业绩与头部手机品牌厂商的经营情况相关性较高，如未来该等头部手机品牌

厂商的市场份额下降或竞争地位发生重大变动，或公司与头部手机品牌厂商的合作关系发生变化，公司将面临订单减少或流失等风险，进而对公司的经营业绩造成不利影响。

4、优质供应商替代性选择较少的风险

报告期内，公司向主要供应商的采购集中度较高且晶圆供应商主要为境外供应商。全球半导体产业链中，与上述原材料和封装测试服务供应商在产品质量、技术实力和供应能力方面相同或接近的替代性选择较少。若公司因供应商或公司自身业务发展考虑、集成电路产业链产能紧张、全球贸易环境的不利变化等因素而主动或被动与上述一个或多个供应商中断或终止合作，亦或其大幅提升供货价格、结算要求等，且公司难以及时转向其他合格的替代供应商，公司可能面临产品性能或质量表现下降、产能不足、原材料供应短缺从而影响经营业绩的风险。

（三）财务风险

1、应收账款回收风险

35/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

截至报告期末，公司应收账款账面价值为24425.48万元，占流动资产的比例为6.32%。然而，随着公司经营规模的持续扩大，受市场环境和客户经营情况变动等因素影响，公司应收账款余额可能逐步增加。若未来公司应收账款不能及时回收，将对公司资金使用效率和经营业绩造成不利影响。

2、汇率波动的风险

报告期内，公司存在境外销售、采购和收付外币款项情况。随着业务规模持续扩大，若国内外政治、经济环境发生变化，汇率变动将存在较大不确定性。未来，若人民币与美元汇率发生大幅波动，将对公司业绩造成一定影响。

3、政府补助减少和政策变化风险

报告期内，公司计入当期损益的政府补助金额为1104.99万元。如果未来公司享受的政府补助政策取消，或政府补助政策、补助力度等发生不利调整，将对公司经营业绩和盈利产生不利影响。

4、存货跌价风险

公司存货主要由原材料、半成品以及库存商品构成。报告期末，公司存货账面价值为

76746.57万元，占流动资产的比例为19.87%。若市场需求环境发生变化，市场竞争加剧或公司

不能有效拓宽销售渠道，优化库存管理，将可能导致公司产品滞销、存货积压，存货跌价风险提高，进而对公司经营业绩产生不利影响。

（四）行业风险

1、市场竞争加剧的风险目前，全球射频前端市场主要由美系厂商主导，且占据了中国射频前端芯片行业的高端产品市场，对国内试图进入中高端产品市场的企业造成极大的竞争压力。面对该等头部厂商的竞争压力，对于性能相似的产品，公司可能采取为客户提供更佳性价比的策略获取订单，存在因此导致产品利润水平和现金流承压的风险。此外，近年来国内企业仍在中低端领域充分竞争，以“价格战”为主要竞争策略的市场环境下，存在面临国内同业企业竞争加剧，导致公司盈利能力下降的风险。

2、行业政策波动风险

集成电路行业作为我国的重点扶持产业，长期以来受益于国家政策的支持和推动。若未来国家针对集成电路设计行业的产业政策发生调整或变化，集成电路设计行业增长势头可能因此受到不利影响，导致公司面临一定的行业政策波动风险，在市场竞争中面临不确定性和压力。

3、供应商产品和服务质量的风险

公司自设立以来以 Fabless 模式开展经营，将芯片各类原材料的制造、加工、封装、测试等环节委托外部供应商完成，这对公司的供应链管理能力提出了较高要求。而射频功率放大器模组是耗能高、功率大的器件，在应用过程中若出现质量问题，将导致通讯设备丧失部分通讯功能。

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若出现某一供应商原材料性能、质量不达标等问题，将直接影响公司最终芯片产品的可靠性、稳定性和性能表现，可能导致终端客户产品的消费者体验不佳，损害客户品牌商誉，进而严重影响客户关系和经营业绩。

（五）其他重大风险

1、知识产权风险

公司自设立以来，通过自主创新申请并积累了多项知识产权。然而，公司不能排除竞争对手或其他第三方利用无效专利和公知技术主张公司或上下游供应商、客户侵犯其知识产权的可能性，存在竞争对手采用恶意诉讼或其他手段发起知识产权争议或纠纷，试图直接或间接影响公司声誉、阻碍公司经营发展的风险。此外，截至2026年6月30日，公司拥有80项境外注册的专利，由于不同国家、不同法律体系对知识产权的权利范围的解释与认定存在一定差异，可能存在由此引发知识产权争议和诉讼的风险。

2、技术授权风险

公司技术和产品研发的过程中需要使用电子设计自动化软件（EDA），并取得相关 EDA 供应商的技术授权。鉴于 EDA 市场目前形成的寡头竞争格局，主要国外厂商的 EDA 工具在其细分功能领域没有可靠的替代性产品。如果 EDA 供应商取消对公司技术授权，将导致研发和生产工作无法正常开展，对公司业务和经营产生重大不利影响。

3、产品质量纠纷风险

大型品牌客户对射频功率放大器可靠性要求非常严苛。然而，导致射频功率放大器出现故障的可能因素较多，除产品自身设计、原材料质量、晶圆制造和封测质量等因素外，若其他配合使用的器件存在质量或设计问题，也可能导致射频功率放大器模组工作出现故障。基于上述，排查并确定故障原因的难度高、耗时长，公司、客户和供应商可能对产品质量责任的判断存在不一致的理解或纠纷，给公司带来法律、声誉及经济等方面不利影响。

4、内控体系建设及内控制度执行的风险

公司已根据现代企业管理的要求，逐步建立健全了符合科创板上市公司要求的内部控制体系，但上述制度及体系的实施时间较短，且仍需根据公司业务的发展、内外环境的变化不断予以修正及完善。若公司因内控体系不能及时完善，或有关内部控制制度不能有效实施，将直接影响公司生产经营活动的合规性以及运作效率，进而影响公司经营管理目标的实现。

五、报告期内主要经营情况

2026年上半年消费电子终端市场因存储芯片价格持续大幅上涨而延续销售低迷态势，导致公

司上半年整体销售额同比略有下滑。且上游原材料及封测等各环节成本持续增长，导致公司本报告期内毛利率有所下滑，2026年上半年，公司综合毛利率为21.45%，同比减少3.09个百分点。

同时，受外币汇率波动影响，公司产生汇兑损失1033.79万元。在以上不利因素的叠加影响下，

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2026年上半年实现归属于上市公司股东的净利润-9511.86万元，同比减少8608.50万元；归属于

上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-10910.70万元，同比减少8868.17万元。

(一)主营业务分析

1、财务报表相关科目变动分析表

单位：元币种：人民币

科目本期数上年同期数变动比例（%）

营业收入974272151.02986665370.35-1.26

营业成本765245198.18744563989.832.78

销售费用27797994.5421583364.3328.79

管理费用58973377.7263212582.04-6.71

财务费用-10829850.68-27792601.41不适用

研发费用216612915.27202721436.716.85

经营活动产生的现金流量净额-144477195.86456950423.53-131.62

投资活动产生的现金流量净额80522316.99-116260684.07不适用

筹资活动产生的现金流量净额1908860.32-309638412.69不适用

财务费用变动原因说明:主要系外币汇率波动导致公司汇兑损失显著增加所致。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系半导体供应链产能紧张，为保证供应安全适量增加库存备料，导致经营活动产生的现金流支出增加。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系上年同期公司购建办公楼所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系上年同期公司实施股票回购及本报告期内偿还债务减少所致。

2、本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明

□适用√不适用

(二)非主营业务导致利润重大变化的说明

□适用√不适用

(三)资产、负债情况分析

√适用□不适用

1、资产及负债状况

单位：元本期本期期期末上年期末金额数占末数占较上年项目名称本期期末数总资上年期末数总资产情况说明期末变产的的比例动比例比例（%）%（%）（）主要系期初结构

交易性金70215383.561.38220109602.744.65-68.10性存款到期赎回融资产所致。

应收账款244254770.164.79385409102.298.15-36.62主要系公司营收规模下滑所致。

预付款项12575779.450.256502761.920.1493.39主要系基于生产

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经营需求购买资产支付预付款所致。

主要系半导体供

应链产能紧张，公存货767465717.3715.04489554980.4110.3556.77司为保证供应安全适量增加库存备料所致。

主要系报告期内

长期股权34798004.560.68--基于战略发展，公不适用投资司新增对优智联的投资所致。

主要系报告期内

其他权益597875623.3311.72142846911.193.02318.54基于战略发展，公工具投资司新增对盛合晶微的投资所致。

应付职工45962083.400.9067889444.811.44-32.30主要系2025年奖薪酬金发放所致。

4834236.660.097889048.750.17-38.72主要系2025年奖应交税费金发放所致。

主要系报告期内，递延所得70205146.301.385118668.270.111271.55盛合晶微股价上税负债涨所致。

其他说明无

2、境外资产情况

√适用□不适用

(1)资产规模

其中：境外资产120501826.80（单位：元币种：人民币），占总资产的比例为2.36%。

(2)境外资产占比较高的相关说明

□适用√不适用其他说明无

3、截至报告期末主要资产受限情况

√适用□不适用

截至报告期末，公司使用权受到限制的资产为货币资金人民币 502.81 元，为 ETC 受限账户资金。

4、其他说明

□适用√不适用

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(四)投资状况分析

1、对外股权投资总体分析

√适用□不适用

单位：元币种：人民币

报告期投资额（元）上年同期投资额（元）变动幅度

42943341.81503690543.59-91.47%

注：以上投资额包含母公司对子公司的长期股权投资额以及公司对外的长期股权投资额。

(1)重大的股权投资

√适用□不适用

单位：元币种：人民币截至报告期末披露日期及索被投资公司名称主要业务投资方式投资金额持股比例资金来源本期投资损益

进展情况引（如有）

杭州优智联科技 UWB芯片研发增资 33944339.62 13.8664% 自有资金已全部出资完 -1165293.92 -有限公司设计及产业化毕

合计//33944339.62///-1165293.92/

(2)重大的非股权投资

□适用√不适用

(3)以公允价值计量的金融资产

√适用□不适用

单位：元币种：人民币计入权益的累

本期公允价值本期计提的本期出售/赎回资产类别期初数计公允价值变本期购买金额其他变动期末数变动损益减值金额动

其他200106849.32-85273.981275000000.001425000000.0050021575.34

其他20002753.42191054.8010000000.0010000000.0020193808.22

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股票87030911.19457854519.52467548745.7549999992.0052825799.38542059623.33

合计307140513.93457960300.34467548745.751334999992.001487825799.38612275006.89证券投资情况

√适用□不适用

单位：元币种：人民币证计入权益的证券品券证券最初投资资金期初账面本期公允价本期购买金本期出售金处置期末账面价会计核算累计公允价种代简称成本来源价值值变动损益额额损益值科目值变动码境内外688甬矽1178715自有14771473

3627.26.299149844.717433231.83

14707116.89214201.2其他权益

股票电子资金00工具投资

境内外603华勤4999992自有722594376809420.3118220259.438118682.540950175.其他权益

股票296技术8.80资金.902863工具投资

境内外688盛合4999999自有0.00441895254.441895254.49999992.491895246其他权益

股票820晶微2.00资金505000.50工具投资

合计//1117870/87030911457854519.467548745.49999992.52825799.3542059623/

78.06.195275008.33

衍生品投资情况

√适用□不适用

(1)报告期内以套期保值为目的的衍生品投资

√适用□不适用

单位：万元币种：美元期末账面价计入权益本期公允值占公司报初始投资期初账面的累计公报告期内报告期内期末账面衍生品投资类型价值变动告期末净资金额价值允价值变购入金额售出金额价值损益产比例动

（%）

远期1300.001300.00

合计1300.001300.00

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报告期内套期保值业务的会计政策、会计核算具体原则，以及与上一报告期相比是否发生重大变否化的说明报告期实际损益情况的说明无

公司因日常经营产生外币收付业务，采用外汇衍生品工具进行套期保值，降低了外汇汇率波动风险，套期保值效果的说明起到了良好的套期保值效果。

衍生品投资资金来源公司自有资金

（一）外汇套期保值业务的风险分析

公司开展外汇套期保值业务遵循合法、谨慎、安全和有效的原则，不得进行投机性和单纯的套利交易，但外汇套期保值交易操作仍存在一定风险：1、市场风险：因外汇行情变动较大，可能产生因标的利率、汇率等市场价格波动引起外汇套期保值产品价格变动，造成亏损的市场风险。2、流动性风险：

因市场流动性不足而无法完成交易的风险。3、内部控制风险：外汇套期保值业务专业性较强，复杂程度较高，可能会由于内控制度不完善而造成风险。4、履约风险：开展外汇套期保值业务存在合约报告期衍生品持仓的风险分析及控制措施说明到期无法履约造成违约而带来的风险。5、其它风险：在开展交易时，如交易合同条款不明确，将可（包括但不限于市场风险、流动性风险、信用风能面临法律风险。险、操作风险、法律风险等）（二）公司采取的风险控制措施

1、公司已制定《套期保值交易管理制度》，对外汇套期保值交易的风险控制、审议程序、后续管理

和信息披露等做出明确规定。2、选择交易结构简单、流动性强、风险可控的外汇套期保值产品，禁止任何风险投机行为。3、公司财务部门套期保值工作小组将持续跟踪外汇套期保值产品公开市场价格或公允价值变动，及时评估外汇套期保值交易的风险敞口变化情况，并定期向公司管理层报告，发现异常情况及时上报，提示风险并执行应急措施。4、公司仅与具有合法资质的大型银行等金融机构开展外汇套期保值业务，规避可能产生的法律风险。5、公司定期对外汇套期保值交易的规范性、内控机制的有效性、决策、执行等工作的合规性进行监督检查。

已投资衍生品报告期内市场价格或产品公允价

报告期内公司的外汇套期保值交易品种为各类外汇衍生品合约，以各银行估值通知书中的价格作为值变动的情况，对衍生品公允价值的分析应披露合约的公允价值。

具体使用的方法及相关假设与参数的设定

涉诉情况（如适用）不适用

衍生品投资审批董事会公告披露日期（如有）2026年4月28日

衍生品投资审批股东会公告披露日期（如有）不适用

42/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

(2)报告期内以投机为目的的衍生品投资

□适用√不适用其他说明无

(4)私募股权投资基金投资情况

√适用□不适用

单位：万元币种：人民币报告报告期是否控制是否基金截至报告会计报告期私募基金投资协议拟投资总期内参与末出资该基金或存在底层累计利投资目的期末已投核算利润影名称签署时点额投资身份比例施加重大关联资产润影响资金额科目响金额（%）影响关系情况嘉兴唯创加快产业升级与

股权投资发展步伐，借助有限长期产业

合伙企业2024.12.16专业投资机构的15000.00015000.00合伙100是股权否-124.72-379.99投资

（有限合专业的力量来提人投资伙）升公司价值

合计//15000.00015000.00/100////-124.72-379.99其他说明无

(五)重大资产和股权出售

□适用√不适用

(六)主要控股参股公司分析

√适用□不适用

主要子公司及对公司净利润影响达10%以上的参股公司情况

√适用□不适用

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单位：万元币种：人民币公司名称公司类型主要业务注册资本总资产净资产营业收入营业利润净利润上海唯捷创芯电子集成电路技术

子公司63434.9364141.145034.5314811.76-6380.56-6365.80技术有限公司开发与销售北京唯捷创芯精测集成电路产品

子公司20000.0049607.383129.225379.62-1399.72-1382.68科技有限责任公司测试加工深圳唯捷创芯电子集成电路技术

子公司100.00298.63-3974.740-991.09-991.09技术有限公司开发与销售报告期内取得和处置子公司的情况

□适用√不适用其他说明

□适用√不适用

(七)公司控制的结构化主体情况

□适用√不适用

六、其他披露事项

√适用□不适用

为深入践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，切实维护公司全体股东利益，基于对公司未来发展前景的信心和公司价值的认可，公司于2026年4月制定了《2026年度提质增效重回报行动方案》（以下简称“行动方案”）。现将行动方案半年度执行评估情况报告如下：

1、聚焦主营业务，提高核心竞争力

报告期内，公司以持续创新为驱动，夯实技术与产品核心优势，深耕射频技术，布局多条前沿业务赛道。依托十余年技术积淀与量产经验，公司搭建覆盖多通信制式、多应用场景的射频功率放大器模组产品矩阵；第二代 L?PAMiD 模组在品牌客户旗舰及中高端机型中持续放量，实现手机全价位段覆盖，海外业务稳步拓展。公司积极开拓 AI端侧、卫星通信终端、车载通信等赛道，相关产品实现批量出货或规模化量产，培育新的业绩增长点；推出

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支持 6G 频段的新一代高集成度模组，抢占市场先发优势。同时通过产业投资布局声学滤波核心器件，强化产业链上下游协同，加快高端模组国产化落地，进一步巩固公司技术与产品综合竞争力。

2、持续加强研发投入，保持技术领先优势

报告期内，公司坚守研发创新核心战略，不断完善研发人才梯队建设与激励培养体系，打造由行业资深专家引领、青年骨干为中坚的研发队伍，促进前沿理论与工程实践深度融合。公司通过落实专项奖励、开展技能培训及知识竞赛等举措，充分激发研发人员创新活力；引入外部专家资源，开展技术交流，构建开放协同的研发生态。报告期内研发成果持续转化，2026年上半年新增专利申请16项，在高集成度模组、低功耗设计、多模协同等领域实现技术突破，持续筑牢知识产权壁垒，夯实公司技术竞争优势。

3、完善公司治理，促进高效运作

公司严格遵照《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司治理准则》等法律法规规范运作，持续优化法人治理结构，健全由股东会、董事会及其专门委员会、管理层构成的权责明晰、制衡有效的治理架构，保障各层级科学决策、高效协同。报告期内，公司各类会议严格依照议事规则及工作细则召开；董事、高级管理人员充分履职，积极发挥决策、监督及专业指导作用，公司整体治理水平稳步提升。

4、重视股东回报，共享发展成果

公司秉持“以投资者为本”的理念，强化股东回报意识，持续提升回报股东的能力与水平。综合考虑公司发展阶段、经营实际及盈利水平等因素，公司实施2025年度权益分派方案，向全体股东每10股派发现金红利0.77元（含税），合计派发现金红利32855671.70元（含税），分红金额占2025年度归属于上市公司股东的净利润比例为75.30%，让全体股东共享公司发展成果。

5、提升信披质量，加强投资者交流

公司高度重视信息披露工作，严格执行《上海证券交易所科创板股票上市规则》及内部《信息披露管理制度》，依法合规履行信息披露义务，持续提升信息披露的及时性、准确性与透明度。公司多措并举开展投资者沟通工作，召开2025年度暨2026年第一季度业绩说明会，组织多场投资者交流活动；通过现场调研、电话沟通等方式，帮助投资者充分了解公司经营、财务及发展规划；同时依托投资者热线、专用邮箱、官网投资者关系专栏、上证e互动等渠道保持常态化沟通，传递公司内在价值，增强投资者认同感与市场信心。

6、强化管理层与股东的利益共担共享及约束“关键少数”的责任

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公司注重管理层与股东利益共担共享，压紧压实“关键少数”履职责任，针对资金占用、违规担保、关联交易等重点领域强化监督管控，维护公司及中小股东合法权益。报告期内，组织董事、高级管理人员及关键岗位人员参与监管机构、上市公司协会开展的专项培训，及时传达监管要求与典型案例，强化相关人员合规理念、提升履职能力。公司加强董高人员日常沟通，充分保障独立董事履职条件，保障其知情权，为独立履职、专业决策、监督制衡提供充分支撑；通过现场、通讯等方式与独立董事保持常态化沟通，持续提升公司治理能力，维护全体股东利益。

7、其他说明

2026年下半年，公司将持续落实行动方案并结合实际情况进行优化，切实履行上市公司的责任和义务，回馈投资者的信任和支持，助力资本市场平稳健康发展。

本次行动方案所涉及的公司规划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，未来可能会受到宏观政策、行业发展、市场环境等因素的影响，具有一定的不确定性，敬请投资者注意相关风险。

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第四节公司治理、环境和社会

一、公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动情况

□适用√不适用

公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动的情况说明

□适用√不适用公司核心技术人员的认定情况说明

√适用□不适用

公司对核心技术人员主要认定标准如下:认定维度具体标准

具有不低于15年的集成电路行业研发工作经验，并且在公司任职时间不低于任职期限2年专业背景具备本科或以上学历，研发专业能力与公司业务、产品研发方向相匹配岗位级别在公司担任总监级或以上职务

领导或深入参与公司研发工作，担任公司研发体系中的重要岗位，对公司某一岗位职责个或某些核心产品线的研发方向、研发管线设置、研发任务和成果落实情况负责，或负责前沿技术探索、研发体系顶层设计长期、持续地投入公司的研发工作，曾参与公司重要研发项目并取得良好成果，对公司的贡献

或对公司的技术创新、研发体系建设有突出贡献

拥有杰出的、经实务验证的研发能力，曾领导公司重要技术研究课题、研发战技术能力略，或主导核心专利技术、非专利技术的研发工作保密要求具有良好的职业道德，已按照公司要求签署保密协议及竞业禁止协议二、利润分配或资本公积金转增预案

半年度拟定的利润分配预案、公积金转增股本预案是否分配或转增否

每10股送红股数（股）/

每10股派息数（元）（含税）/

每10股转增数（股）/利润分配或资本公积金转增预案的相关情况说明不适用

三、公司股权激励计划、员工持股计划或其他员工激励措施的情况及其影响

(一)相关股权激励事项已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的

□适用√不适用

(二)临时公告未披露或有后续进展的激励情况股权激励情况

□适用√不适用其他说明

□适用√不适用员工持股计划情况

□适用√不适用

47/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

其他激励措施

□适用√不适用

四、纳入环境信息依法披露企业名单的上市公司及其主要子公司的环境信息情况

□适用√不适用其他说明

□适用√不适用

五、巩固拓展脱贫攻坚成果、乡村振兴等工作具体情况

□适用√不适用

48/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

第五节重要事项

一、承诺事项履行情况

(一)公司实际控制人、股东、关联方、收购人以及公司等承诺相关方在报告期内或持续到报告期内的承诺事项

√适用□不适用如未能及是否是否如未能及时履行应承诺承诺承诺有履及时时履行应承诺方承诺时间承诺期限说明未完背景类型内容行期严格说明下一成履行的限履行步计划具体原因

（1）自公司股票上市之日起36个月内；（2）在公司实

详见20216现盈利前，本人自公司股票上市之日起3个完整会计年股份荣秀丽、孙亦年备注2是度内；因触发承诺的履行条件，锁定期延长至2025年10是不适用不适用限售军1月日月11日；详情见公司于2022年5月13日发布的《关于相关股东延长股份锁定期的公告》。

董事及高级管（1）自公司股票上市之日起12个月内；（2）在公司实

理人员辛静、详见2021现盈利前，本人自公司股票上市之日起3个完整会计年股份年6与首董事周颖、高备注2是度内；因触发承诺的履行条件，锁定期延长至2025年10是不适用不适用限售月日次公级管理人员赵2月11日；详情见公司于2022年5月13日发布的《关于开发焰萍相关股东延长股份锁定期的公告》。

行相详见

股份李爱华、张英20216（1）自公司股票上市之日起12个月内；（2）在公司实年

关的备注2是现盈利前，本人自公司股票上市之日起3个完整会计年是不适用不适用限售娇3月日承诺度内。

核心技术人员

FENG 详见 2021 6 （1）自公司股票上市之日起 12个月内；（2）在公司实股份年

WANG 备注 2 是现盈利前，本人自公司股票上市之日起 3个完整会计年是不适用不适用限售、林 4 月日度内。

升、白云芳

详见20216（1）自公司股票上市之日起36个月内；（2）在公司实股份第一大股东年

Gaintech 备注 2 是现盈利前，自公司股票上市之日起 3个完整会计年度是不适用不适用限售 5 月日内；因触发承诺的履行条件，锁定期延长至 2025 年 10

49/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

如未能及是否是否如未能及时履行应承诺承诺承诺有履及时时履行应承诺方承诺时间承诺期限说明未完背景类型内容行期严格说明下一成履行的限履行步计划具体原因月11日；详情见公司于2022年5月13日发布的《关于相关股东延长股份锁定期的公告》。

详见

股份持股5%以上2021年6（1）自公司股票上市之日起12个月内；（2）在前述锁备注是是不适用不适用限售股东贵人资本6月2日定期满后两年内。

5%（1）自公司股票上市之日起36个月内；（2）在公司实持股以上详见现盈利前，自公司股票上市之日起3个完整会计年度股份且由孙亦军控2021年6备注是内；因触发承诺的履行条件，锁定期延长至2025年10是不适用不适用限售制的股东北京7月2日月11日；详情见公司于2022年5月13日发布的《关于语越相关股东延长股份锁定期的公告》。

持股5%以（1）自公司股票上市之日起36个月内；（2）在公司实

上、由荣秀丽详见现盈利前，自公司股票上市之日起3个完整会计年度股份2021年6控制且申报前备注2是内；因触发承诺的履行条件，锁定期延长至2025年10是不适用不适用限售月日一年新增股东8月11日；详情见公司于2022年5月13日发布的《关于天津语捷相关股东延长股份锁定期的公告》。

由孙亦军、荣

（1）自公司股票上市之日起36个月内；（2）在公司实秀丽控制且申

详见现盈利前，自公司股票上市之日起3个完整会计年度股份报前一年新增2021年6备注2是内；因触发承诺的履行条件，锁定期延长至2025年10是不适用不适用限售股东天津语9月日月11日；详情见公司于2022年5月13日发布的《关于尚、天津语相关股东延长股份锁定期的公告》。

腾、天津语唯详见2021年6其他公司备注

10月2

否长期有效是不适用不适用日

董事、高级管详见2021年6其他理人员备注月2否长期有效是不适用不适用日

50/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

如未能及是否是否如未能及时履行应承诺承诺承诺有履及时时履行应承诺方承诺时间承诺期限说明未完背景类型内容行期严格说明下一成履行的限履行步计划具体原因

详见2021年6其他公司备注

12月2

否长期有效是不适用不适用日详见

荣秀丽、孙亦2021年6其他备注2否长期有效是不适用不适用军13月日详见2021年6其他公司备注

14月2

否长期有效是不适用不适用日详见

荣秀丽、孙亦2021年6其他备注2否长期有效是不适用不适用军15月日详见

董事、高级管2021年6其他备注否长期有效是不适用不适用理人员16月2日详见2021年6其他公司备注2否长期有效是不适用不适用17月日详见2022年4其他公司备注

18月8

否长期有效是不适用不适用日详见

荣秀丽、孙亦2022年4其他备注否长期有效是不适用不适用军19月8日

除荣秀丽、孙详见2022年4其他否长期有效是不适用不适用亦军外，其余备注月8日

51/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

董事、李爱20

华、刘艳虹、

张英娇、高级管理人员解决详见

荣秀丽、孙亦2021年6自本承诺函签署之日起至荣秀丽、孙亦军为公司实际控同业备注2是是不适用不适用军21月日制人的期间有效竞争

解决 Gaintech、联详见 2021年 6 自出具承诺函之日起生效，至 Gaintech、联发科、联发科同业发科、联发科备注2是5%是不适用不适用22月日投资仍为公司持股以上的股东期间持续有效竞争投资

解决 Gaintech、联详见 2021年 7 自出具承诺函之日起生效，至 Gaintech、联发科、联发科同业发科、联发科备注

23月30

是

日投资仍为公司持股5%是不适用不适用以上的股东期间持续有效竞争投资解决

持股5%详见以上2021年6自出具承诺函之日起生效，至贵人资本仍为公司持股5%同业备注2是是不适用不适用股东贵人资本24月日以上的股东期间持续有效竞争解决详见

荣秀丽、孙亦2021年6公司存续且荣秀丽、孙亦军依照中国证监会或证券交易关联备注2是是不适用不适用军25月日所相关规定被认定为公司的关联方期间持续有效交易

董事、李爱解决详见

华、刘艳虹、2021年6关联备注是担任董事、监事、高级管理人员期间持续有效是不适用不适用

张英娇、高级26月2日交易管理人员

解决持股 5%以上详见 2021 6 公司存续且 Gaintech、贵人资本、北京语越、天津语捷依年关联股东备注2是照中国证监会或证券交易所相关规定被认定为公司的关是不适用不适用

交易 Gaintech 27 月日、贵联方期间内有效

52/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

人资本、北京

语越、天津语捷详见2021年6其他公司备注2否长期有效是不适用不适用28月日详见2021年6其他公司备注2否长期有效是不适用不适用29月日详见

荣秀丽、孙亦2021年6其他备注2否长期有效是不适用不适用军30月日

持股5%详见以上2021年6其他备注2否长期有效是不适用不适用股东31月日

董事、李爱

华、刘艳虹、详见2021年6其他张英娇、高级备注否长期有效是不适用不适用月2日

管理人员、核32心技术人员

2019年

详见

联发科、 11 月及自 Gaintech合法取得认购股份全部权利之日起至公司上

其他 Gaintech 备注 2021 3 是是不适用不适用33 年市满三年之日止月详见

联发科、2021年7其他 Gaintech 备注否永久有效是不适用不适用34 月和 9月

53/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

2020年股票期

权激励计划第详见股份2023年3一个行权期第备注是行权之日起三年是不适用不适用限售二次行权的激35月27日励对象

2020年股票期

权激励计划第详见股份2023年6一个行权期第备注9是行权之日起三年是不适用不适用限售月日三次行权的激36励对象与股2020年股票期权激权激励计划第详见股份2023年7励相二个行权期第备注19是行权之日起三年是不适用不适用限售月日关的一次行权的激37承诺励对象

2020年股票期

权激励计划第详见股份2024年3二个行权期第备注20是行权之日起三年是不适用不适用限售月日二次行权的激38励对象

2020年股票期

权激励计划第详见股份2024年8三个行权期第备注6是行权之日起三年是不适用不适用限售月日一次行权的激39励对象

54/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

2020年股票期

权激励计划第详见股份2025年5三个行权期第备注12是行权之日起三年是不适用不适用限售月日二次行权的激40励对象

备注1：

1、公司上市时未盈利，在公司实现盈利前，本人自公司股票上市之日起3个完整会计年度内，不减持本人直接、间接持有的公司本次发行上市前的股份（以下简称“首发前股份”）；且在公司股票上市之日起第4个会计年度和第5个会计年度内，每年减持首发前股份不超过公司股份总数的2%，并应当符合《上海证券交易所上市公司股东及董事、监事、高级管理人员减持股份实施细则》关于减持股份的相关规定。公司实现盈利后，本人可以自公司实现盈利当年年度报告披露后次日起减持首发前股份，但本人亦同时遵循其他限售安排和自愿锁定承诺及相关法律法规的规定。

2、本人所持公司首发前股份，自公司股票上市之日起36个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

3、若公司上市后6个月内公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行价，本人持有的首发前股份的锁定期在上述第1、2项的

基础上自动延长6个月，且不因本人在发行人担任的职务发生变更、离职等原因而放弃履行本项承诺。

4、本人在锁定期满后减持的，在本人任职公司董事期间，本人每年转让的公司股份不超过直接或间接持有的公司股份总数的25%。在本人离职后半年内，不转让直接或间接

持有的全部公司股份（含本人申报离职之日起半年内增持的公司股份）。如本人在任期届满前离职的，在本人离职后半年内，仍遵循上述不减持承诺，在剩余未满任期和任期届满后6个月内仍遵守上述每年减持不超过25%的比例要求。

5、本人在锁定期满后减持的，将严格遵守相关法律、法规及上海证券交易所规则的规定，减持方式包括集中竞价交易、大宗交易、协议转让及其他符合中国证券监督管理委

员会及上海证券交易所规定的方式，并按照前述规定及时、准确地履行信息披露义务，不同减持方式下对应的可减持股份比例亦应符合前述规定，且在计算可减持股份比例时，本人与本人的一致行动人（一致行动人的认定适用《上市公司收购管理办法》的规定）持股合并计算，并承诺在减持前3个交易日予以公告。

6、本人所持公司首发前股份，在锁定期满后两年内减持的，每年减持数量不超过本人所持首发前股份的15%，其减持价格不低于发行价，且不因本人在发行人担任的职务发

生变更、离职等原因而放弃履行本项承诺。

备注2：

1、公司上市时未盈利，在公司实现盈利前，本人自公司股票上市之日起3个完整会计年度内，不减持本人直接、间接持有的公司本次发行上市前的股份（以下简称“首发前股份”），本人可以自公司实现盈利当年年度报告披露后次日起减持首发前股份，但本人亦同时遵循其他限售安排和自愿锁定承诺及相关法律法规的规定。

2、本人所持公司首发前股份，自公司股票上市之日起12个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

基础上自动延长6个月，且不因本人在发行人担任的职务发生变更、离职等原因而放弃履行本项承诺。

55/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

4、本人在锁定期满后减持的，在本人任职公司董事/高级管理人员期间，本人每年转让的公司股份不超过直接或间接持有的公司股份总数的25%。在本人离职后半年内，不

转让直接或间接持有的全部公司股份（含本人申报离职之日起半年内增持的公司股份）。如本人在任期届满前离职的，在本人离职后半年内，仍遵循上述不减持承诺，在剩余未满任期和任期届满后6个月内仍遵守上述每年减持不超过25%的比例要求。

员会及上海证券交易所规定的方式，并按照前述规定及时、准确地履行信息披露义务，不同减持方式下对应的可减持股份比例亦应符合前述规定，且在计算可减持股份比例时，本人与本人的一致行动人（一致行动人的认定适用《上市公司收购管理办法》的规定）持股合并计算。

6、本人所持公司首发前股份，在锁定期满后两年内减持的，减持价格不低于发行价，且不因本人在发行人担任的职务发生变更、离职等原因而放弃履行本项承诺。

备注3：

2、本人所持公司首发前股份，自公司股票上市之日起12个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

3、本人在锁定期满后减持的，在本人任职公司监事期间，本人每年转让的公司股份不超过直接或间接持有的公司股份总数的25%。在本人离职后半年内，不转让直接或间接

4、本人在锁定期满后减持的，将严格遵守相关法律、法规及上海证券交易所规则的规定，减持方式包括集中竞价交易、大宗交易、协议转让及其他符合中国证券监督管理委

备注4：

2、本人所持公司首发前股份，自公司股票上市之日起12个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

3、本人离职后6个月内不转让所持公司首发前股份。

4、本人所持首发前股份限售期满之日起4年内，每年转让的首发前股份不得超过上市时所持公司首发前股份总数的25%，减持比例可以累积使用。

备注5：

1、公司上市时未盈利，在公司实现盈利前，本企业自公司股票上市之日起3个完整会计年度内，不减持本企业直接、间接持有的公司本次发行上市前的股份（以下简称“首发前股份”）；且在公司股票上市之日起第4个会计年度和第5个会计年度内，每年减持首发前股份不超过公司股份总数的2%，并应当符合《上海证券交易所上市公司股东及董事、监事、高级管理人员减持股份实施细则》关于减持股份的相关规定。公司实现盈利后，本企业可以自公司实现盈利当年年度报告披露后次日起减持首发前股份，但本企业亦同时遵循其他限售安排和自愿锁定承诺及相关法律法规的规定。

2、本企业所持公司首发前股份，自公司股票上市之日起36个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

3、若公司上市后6个月内公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行价，本企业持有的首发前股份的锁定期在上述第1、2项

的基础上自动延长6个月。

4、本企业在锁定期满后减持的，将严格遵守相关法律、法规及上海证券交易所规则的规定，减持方式包括集中竞价交易、大宗交易、协议转让及其他符合中国证券监督管理

委员会及上海证券交易所规定的方式，并按照前述规定及时、准确地履行信息披露义务，不同减持方式下对应的可减持股份比例亦应符合前述规定，且在计算可减持股份比例时，本企业与本企业的一致行动人（一致行动人的认定适用《上市公司收购管理办法》的规定）持股合并计算，并承诺在减持前3个交易日予以公告。

56/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

5、本企业所持公司首发前股份，在锁定期满后两年内减持的，每年减持数量不超过本企业所持首发前股份的50%，其减持价格不低于发行价。

备注6：

1、本企业直接、间接持有的公司本次发行上市前的股份（以下简称“首发前股份”），自公司股票上市之日起12个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

2、本企业所持公司首发前股份，在锁定期满后两年内减持的，每年减持数量不超过本企业所持首发前股份的50%，其减持价格不低于发行价。

3、本企业在锁定期满后减持的，将严格遵守相关法律、法规及上海证券交易所规则的规定，减持方式包括集中竞价交易、大宗交易、协议转让及其他符合中国证券监督管理

备注7：

2、本企业所持公司首发前股份，自公司股票上市之日起36个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

的基础上自动延长6个月。

4、本企业所持公司首发前股份，在锁定期满后两年内减持的，每年减持数量不超过本企业所持首发前股份的50%，其减持价格不低于发行价。

5、锁定期内，通过本企业持有公司股份的公司员工，将所持相关权益拟转让退出的，只能向员工持股计划内员工或其他符合条件的员工转让。锁定期后，员工所持相关权益

拟转让退出的，按照员工持股计划有关协议的约定处理。

6、本企业在锁定期满后减持的，将严格遵守相关法律、法规及上海证券交易所规则的规定，减持方式包括集中竞价交易、大宗交易、协议转让及其他符合中国证券监督管理

备注8：

2、本企业所持公司首发前股份，自取得之日起至公司股票上市36个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

的基础上自动延长6个月。

4、本企业所持公司首发前股份，在锁定期满后两年内减持的，每年减持数量不超过本企业所持首发前股份的50%，其减持价格不低于发行价。

拟转让退出的，按照员工持股计划有关协议的约定处理。

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备注9：

2、本企业所持公司首发前股份，自取得之日起至公司股票上市36个月内不转让或者委托他人管理，也不提议由公司回购该部分股份。

的基础上自动延长6个月。

4、锁定期内，通过本企业持有公司股份的公司员工，将所持相关权益拟转让退出的，只能向员工持股计划内员工或其他符合条件的员工转让。锁定期后，员工所持相关权益

拟转让退出的，按照员工持股计划有关协议的约定处理。

备注10：

关于稳定股价的措施和承诺：

1、在启动稳定股价预案的条件满足时，本公司将按照《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司上市后稳定公司股价预案》履行各项义务，本公司将遵照《上市公司回购社会公众股份管理办法（试行）》《关于上市公司以集中竞价交易方式回购股份的补充规定》《上海证券交易所上市公司回购股份实施细则》等法律法规的规定回购股份，并确保本公司股权分布符合上市条件。

2、本公司承诺，如在上市后三年内新聘任董事和高级管理人员的，本公司将确保该等人员履行公司发行上市时董事、高级管理人员已作出的相应承诺要求。

3、在启动股价稳定措施的条件满足时，如果本公司未采取《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司上市后稳定公司股价预案》中规定的稳定股价的具体措施，本公司将在

公司股东大会及指定披露媒体上公开说明未采取上述稳定股价措施的具体原因并向公司股东和社会公众投资者道歉。董事会应向股东大会提出替代方案，独立董事、监事会应对替代方案发表意见。股东大会对替代方案进行审议前，本公司应通过多种渠道主动与股东特别是中小股东进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见和诉求，及时答复中小股东关心的问题。

备注11：

关于稳定股价的措施和承诺：

1、在启动稳定股价预案的条件满足时，本人将按照《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司上市后稳定公司股价预案》履行各项义务，为稳定股价之目的增持公司股份。

2、本人将在公司就股份回购事宜召开的股东大会/董事会上，以对公司制定的股份回购方案投赞成票的方式促使相关方履行已作出的承诺。

3、在启动股价稳定措施的条件满足时，如本人未执行《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司上市后稳定公司股价预案》中规定的稳定股价的具体措施，本人将依照未能

履行承诺时的约束措施承担相应责任。

备注12：

关于欺诈发行上市股份回购的承诺：

1、本公司符合科创板上市发行条件，保证公司本次公开发行股票并在科创板上市不存在任何欺诈发行的情形；

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2、如公司不符合发行上市条件，以欺骗手段骗取发行注册并已经发行上市的，公司将在中国证监会等有权部门确认后5个工作日内启动股份购回程序，购回公司本次公开发行的全部新股。

备注13：

关于欺诈发行上市股份回购的承诺：

1、发行人符合科创板上市发行条件，保证发行人本次公开发行股票并在科创板上市不存在任何欺诈发行的情形；

2、如发行人不符合发行上市条件，以欺骗手段骗取发行注册并已经发行上市的，本人负有责任的，将在中国证券监督管理委员会、上海证券交易所等有权部门确认后5个工

作日内与发行人承担连带责任，启动股份购回程序，购回发行人本次公开发行的全部新股，并承担与此相关的一切法律责任。

备注14：

填补被摊薄即期回报的措施及承诺：

1、加强研发人才培养、产品创新和客户关系

公司现有主营业务经营情况良好，销售收入规模持续上升，发展态势持续向好。为强化主营业务，持续提升核心竞争能力与持续创新能力，有效防范、控制和化解经营风险和研发相关风险，公司将在巩固现有业务优势的基础上进一步从产品、市场和技术等方面持续提升公司核心竞争力。

首先，公司将加强优秀研发人才引进、内部人才培养和梯队建设工作，健全内部高效的研发管理机制，使研发能力和人才储备适应公司快速扩大的经营规模。其次，在现有射频功率放大器产品的基础上，公司将着力拓展产品线宽度和深度，增强产品组合的市场竞争力，争取提升销售毛利水平。此外，公司将持续加强和头部品牌客户的技术交流和合作深度，优化客户关系，提升客户壁垒。通过实施以上具体措施，公司将有效提升自身的持续盈利能力，提高未来的股东回报能力。

2、提升公司管理水平和运营能力

公司将持续推进内部流程再造和制度建设，不断丰富和完善公司业务发展模式，巩固和提升公司市场地位和竞争能力，提高公司盈利能力。另外，公司将加强日常经营管理和内部控制，推进全面预算管理，加强投资管理，全面提升公司的日常经营效率，降低公司运营成本，提升经营业绩。

3、加强募集资金管理、提高募集资金使用效率

公司已按照《公司法》《证券法》《上市规则》等法律法规、规范性文件及《公司章程》的规定制定《募集资金管理制度》，已规范募集资金使用。为保障公司规范、有效使用募集资金，本次首发募集资金到位后，公司将根据《募集资金管理制度》持续监督公司对募集资金进行专项存储、保障募集资金用于指定的投资项目、定期对募集资金进行内部审计、配合监管银行和保荐机构对募集资金使用的检查和监督。

本次发行募集资金建成有利于提升公司技术水平，扩大生产规模，提高管理运营能力，增强公司核心竞争力和可持续发展能力。

本次发行募集资金到账后，公司将加快推进募集资金投资项目的投资和建设，充分调动公司采购、生产、销售及综合管理等各方面资源，全方位推动措施，争取募集资金投资项目早日达到预计效果，并实现预期效益。

4、完善利润分配政策

公司章程明确和完善了公司利润分配的原则和方式，利润分配尤其是现金分红的具体条件、比例，股票股利的分配条件及比例，完善了公司利润分配的决策程序和机制以及利润分配政策调整的决策程序。

同时，公司还制订了《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司上市后三年股东分红回报规划》，对发行上市后三年的利润分配进行了具体安排。公司将保持利润分配政策的连续性与稳定性，重视对投资者的合理投资回报，强化对投资者的权益保障，兼顾全体股东的整体利益及公司的可持续发展。

公司未来经营业绩受多种因素影响，存在重大不确定性，公司制定填补回报措施不等于对公司未来利润做出保证。

备注15：

填补被摊薄即期回报的措施及承诺：

1、在任何情形下，本人均不会滥用实际控制人地位，均不会越权干预发行人经营管理活动，不会侵占发行人利益；

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2、本人履行作为实际控制人的义务，忠实、勤勉地履行职责，维护发行人和全体股东的合法权益；

3、本人不会无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采取其他方式损害发行人利益；

4、本人将严格遵守发行人的预算管理，本人的任何职务消费行为均将在为履行本人对发行人的职责之必须的范围内发生，本人将严格接受发行人监督管理，避免浪费或超前消费；

5、本人将不会动用发行人资产从事与履行本人职责无关的投资、消费活动；

6、本人将尽最大努力促使发行人填补即期回报措施的实现；

7、本人将尽责促使由董事会或薪酬委员会制定的薪酬制度与发行人填补回报措施的执行情况相挂钩，并在发行人董事会和股东大会审议该薪酬制度议案时投赞成票（如有投票/表决权）；

8、若发行人未来实施股权激励，本人将全力支持发行人将股权激励的行权条件等安排与发行人填补回报措施的执行情况相挂钩，并在发行人董事会和股东大会审议该股权激

励议案时投赞成票（如有投票/表决权）；

9、本人将支持与发行人填补回报措施的执行情况相挂钩的相关议案，并投赞成票（如有投票/表决权）；

10、若本人违反上述承诺或拒不履行上述承诺，将在股东大会及中国证监会指定的报刊或媒体公开作出解释并道歉；本人自愿接受证券交易所、发行人所处行业协会对本人

采取的自律监管措施；若违反承诺给发行人或者投资者造成损失的，依法承担赔偿责任。

备注16：

填补被摊薄即期回报的措施及承诺：

1、本人将不会无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害公司利益；

2、本人将全力支持及配合公司对董事和高级管理人员职务消费行为的规范，本人的任何职务消费行为均将在为履行本人对公司的职责之必须的范围内发生，本人将严格接受

公司监督管理，避免浪费或超前消费；

3、本人将严格遵守相关法律法规、中国证监会和证券交易所等监管机构的规定以及公司规章制度中关于董事、高级管理人员行为规范的要求，不会动用公司资产从事与履行

本人职责无关的投资、消费活动；

4、本人将尽最大努力促使公司填补即期回报措施的实现；

5、本人将尽责促使由董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情况相挂钩，并在公司董事会和股东大会审议该薪酬制度议案时投赞成票（如有投票/表决权）；

6、若公司未来实施股权激励，本人将全力支持公司将股权激励的行权条件等安排与公司填补回报措施的执行情况相挂钩，并在公司董事会和股东大会审议该股权激励议案时

投赞成票（如有投票/表决权）；

7、本人将支持与发行人填补回报措施的执行情况相挂钩的相关议案，并投赞成票（如有投票/表决权）；

8、若本人违反上述承诺，将在股东大会及中国证监会指定报刊公开作出解释并道歉；本人自愿接受证券交易所对本人采取的自律监管措施；若违反承诺给公司或者投资者造

成损失的，依法承担赔偿责任。

备注17：

关于上市后三年股东分红回报规划承诺：

本公司首次公开发行股票并在科创板上市后，将严格按照《中华人民共和国公司法》《中国证券监督管理委员会关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司章程（草案）》《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司上市后三年股东分红回报规划》等法律、法规及公司治理制度的规定执行利润分配政策，履行利润分配程序，实施利润分配。如遇相关法律、法规修订的，本公司将及时根据该等修订调整公司利润分配政策并严格执行。

备注18：

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依法承担赔偿或赔偿责任的承诺：

1、本公司招股说明书及其他信息披露资料所载之内容不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏之情形，且公司对招股说明书及其他信息披露资料所载之内容真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。

2、若招股说明书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响的，前述行为被立案稽查或行政处罚的，公司将依法启动回购首次公开发行的全部股票的工作，回购价格将按照如下原则：

（1）若上述情形发生于公司首次公开发行的新股已完成发行但未上市交易之阶段内，则在证券监督管理部门或其他有权部门认定上述情形之日起10个工作日内，公司将按照发行价并加算银行同期存款利息的价格启动股票回购工作；

（2）若上述情形发生于公司首次公开发行的新股已完成上市交易之后，则公司将于上述情形认定之日起10个交易日内，启动按照发行价或证券监督管理部门认可的其他价

格通过证券交易所交易系统回购公司首次公开发行的全部新股的工作。若招股说明书及其他信息披露资料所载之内容出现前述情形，则公司承诺在中国证监会认定有关违法事实之日起在按照前述安排实施新股回购的同时，将极力促使公司实际控制人依法购回已转让的全部原限售股份。

3、若公司招股说明书及其他信息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，则公司将依法赔偿投资者损失。

4、在该等违法事实被中国证监会、证券交易所或司法机关认定后，将本着简化程序、积极协商、先行赔付、切实保障投资者特别是中小投资者利益的原则，按照投资者直接

遭受的可测算的经济损失选择与投资者和解、通过第三方与投资者调解及设立投资者赔偿基金等方式积极赔偿投资者由此遭受的直接经济损失。若公司违反上述承诺，则将在公司股东大会及中国证监会指定报刊上公开就未履行上述赔偿措施向股东和社会公众投资者道歉，并按中国证监会及有关司法机关认定的实际损失向投资者进行赔偿。

备注19：

依法承担赔偿或赔偿责任的承诺：

1、招股说明书及其他信息披露资料所载之内容不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏之情形，且本人对招股说明书及其他信息披露资料所载之内容真实性、准确性、完整

性承担个别和连带的法律责任。

2、若招股说明书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响的，前述行为被立案稽查或行政处罚的，本人将督促公司依法回购首次公开发行的全部股票，本人负有责任的，将根据中国证券监督管理委员会的要求买回证券。

3、若公司招股说明书及其他信息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，本人依法与公司对投资者的直接损失承担

连带赔偿责任，但能够证明本人没有过错的除外。

4、在本人持有公司股份期间，如公司发生应回购股份或赔偿投资者损失的情形，本人将通过投赞同票的方式促使公司履行已作出的承诺。

如本人未能履行、确已无法履行或无法按期履行相关承诺的（因相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本人无法控制的客观原因导致的除外），本人将采取以下措施：*通过公司及时、充分披露本人未能履行、无法履行或无法按期履行相关承诺的具体原因；*向公司及其投资者提出补充承诺、替代承诺或解决措施，以尽可能保护公司及其投资者的权益；*将上述补充承诺、替代承诺或解决措施提交公司股东大会审议；*本人违反相关承诺所得收益将归属于公司，因此给公司或投资者造成损失的，本人将依法对公司或投资者进行赔偿。

如因相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本人无法控制的客观原因导致本人未能履行、确已无法履行或无法按期履行相关承诺的，本人将采取以下措施：

*通过公司及时、充分披露本人未能履行、无法履行或无法按期履行相关承诺的具体原因；*向公司及其投资者提出补充承诺、替代承诺或解决措施，以尽可能保护公司及其投资者的权益。

备注20：

依法承担赔偿或赔偿责任的承诺：

性承担个别和连带的法律责任。

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2、若招股说明书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响的，前述行为被立案稽查或行政处罚的，本人将在董事会上投赞成票督促公司依法回购首次公开发行的全部股票（董事）/本人将督促公司依法回购首次公开发行的全部股票（监事、高级管理人员）。

连带赔偿责任，但能够证明本人没有过错的除外。

4、如本人未能履行、确已无法履行或无法按期履行相关承诺的（因相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本人无法控制的客观原因导致的除外），本人将采

取以下措施：*通过公司及时、充分披露本人未能履行、无法履行或无法按期履行相关承诺的具体原因；*向公司及其投资者提出补充承诺、替代承诺或解决措施，以尽可能保护公司及其投资者的权益；*将上述补充承诺、替代承诺或解决措施提交公司股东大会审议；*本人违反相关承诺所得收益将归属于公司，因此造成损失的，本人将承担相应法律责任。

备注21：

避免同业竞争的承诺：

1、截至本承诺函签署之日，本人（含本人控制的其他企业，下文同）没有直接或者间接地以自营、合资、联营、委托经营等任何方式，从事与公司（包括其合并报表范围的子公司，下文同）主营业务相同、相似、相替代、存在直接或者间接竞争关系的任何业务活动，不存在经营与公司所经营的产品/服务相同、相似、相替代、存在直接或者间接竞争关系的产品/服务，不存在同业竞争、潜在同业竞争或利益冲突的情形。

2、自本承诺函签署之日起，本人及本人控制的其他企业不会直接或者间接地以任何方式（包括但不限于自营、合资、联营、委托经营等）参与任何与公司主营业务或者主要

产品相同、相似、相竞争、相替代、存在直接或者间接竞争关系、利益冲突的任何业务活动。

3、自本承诺函签署之日起，若公司将来开拓新的业务领域，而导致本人控制的其他企业所从事的业务与公司构成竞争，本人将促使本人控制的其他企业终止从事该业务，或

由公司在同等条件下优先收购该业务所涉资产或股权，或遵循公平、公正的原则将该业务所涉资产或股权转让给无关联关系的第三方。

4、本人承诺不直接或间接投资于业务与公司相同、类似或在任何方面构成竞争的公司、企业或其他机构、组织。

5、本人承诺不向其他业务与发行人相同、相似或在任何方面构成竞争、利益冲突的企业或个人提供公司的知识产权、专有技术或提供销售渠道、客户信息等商业秘密。

6、自本承诺函签署之日起至本人为公司实际控制人的期间，本人承诺将约束本人夫妻双方直系亲属（包括配偶、父母、子女）及其现在、未来直接、间接控制的企业按照本

承诺函进行或者不进行特定行为，如本人控制的企业违反本承诺函，视为本人对本承诺函的违反。

7、本人承诺，如果本人或本人控制的企业违反本承诺，将采取以下措施：及时、充分披露承诺未得到执行、无法执行或无法按期执行的原因；向公司及其投资者提出补充或

替代承诺，以保护公司及其投资者的权益；将上述补充承诺或替代承诺提交股东大会审议；给投资者造成直接损失的，依法赔偿损失；有违法所得的，按相关法律法规处理；及根据届时规定可以采取的其他措施。

备注22：

避免同业竞争的承诺：

1、公司（包括其合并报表范围的子公司，下文同）的主营业务为射频前端芯片（在本承诺函中指射频功率放大器（RF Power Amplifier）、射频开关（RF Switch）、射频滤波器（RF Filter）、射频双/多任务器（RF Duplexer/Multiplexer），包含前述一个或多个器件的射频前端模组产品）的研发、生产及销售。截至本承诺函签署之日，除联发科技股份有限公司控制的达发科技股份有限公司（曾用名：络达科技股份有限公司，以下简称“络达科技”）清理其已关停的射频前端芯片业务剩余的库存产品之外，本企业（含其合并报表范围的企业，下文同）没有直接或者间接地从事与公司上述主营业务构成同业竞争，并对公司上述主营业务经营产生重大不利影响的业务活动。

2、自本承诺函签署之日起至本企业为公司持股5%以上的股东期间，除联发科技股份有限公司控制的络达科技清理其已关停的射频前端芯片业务剩余的库存产品之外，本企

业不会直接或者间接地从事与公司上述主营业务构成同业竞争，并对公司上述主营业务经营产生重大不利影响的业务活动。

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3、自本承诺函签署之日起至本企业为公司持股5%以上的股东期间，针对主营业务为射频前端芯片研发、生产、销售的第三方企业，且该等企业与公司经营上述主营业务构

成同业竞争者，本企业承诺将不对该等企业进行投资或透过协议而直接、间接形成控制关系或担任第一大股东。

4、本企业承诺，如果本企业违反本承诺，将采取以下措施：及时、充分披露承诺未得到执行、无法执行或无法按期执行的原因；向公司及其投资者提出补充或替代承诺，以

保护公司及其投资者的权益；将上述补充承诺或替代承诺提交股东大会审议；给投资者造成直接损失的或产生违法所得的，按相关法律法规承担相应责任；及根据届时规定可以采取的其他措施。

5、上述承诺自出具之日起生效，至本企业仍为公司持股5%以上的股东期间持续有效。

备注23：

避免同业竞争的补充承诺

1、自上述 Gaintech、联发科、联发科投资共同出具的《关于唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司持股 5%以上股东避免同业竞争的承诺函》（以下简称“避免同业竞争承诺函”）签署之日起至本企业为公司持股5%以上的股东期间，本企业于避免同业竞争承诺函所声明的“除联发科技股份有限公司控制的络达科技清理其已关停的射频前端芯片业务剩余的库存产品之外，本企业没有、亦不会直接或者间接地从事与公司主营业务构成同业竞争，并对公司主营业务经营产生重大不利影响的业务活动”内容与事实不符，或违反避免同业竞争承诺函所声明的“自承诺函签署之日起至本企业为公司持股5%以上的股东期间，针对主营业务为射频前端芯片研发、生产、销售的第三方企业，且该等企业与公司经营主营业务构成同业竞争者，本企业承诺将不对该等企业进行投资或透过协议而直接、间接形成控制关系或担任第一大股东”的承诺，本企业将采取以下措施：

2、促使未符合前述声明的本企业缩减相关业务活动以符合上述避免同业竞争承诺函的声明，或在法令许可范围内，经相关企业有权内部机构审议通过后遵循公平、公正的原

则将该业务所涉资产或股权转让给无关联关系的第三方以符合上述避免同业竞争承诺函的声明。

3、按照避免同业竞争承诺函、《关于唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司持股5%以上的股东未履行承诺的约束措施的承诺函》，承担相应的法律责任。

4、以上补充承诺，构成本企业避免同业竞争承诺函的完整组成部分。

5、本补充承诺依其条款构成本企业对公司的允诺，对本企业具有中华人民共和国法律（为避免歧义，仅就本承诺函而言，不包括台湾、香港、澳门地区的法律）项下的约束力，且未经公司同意，不得撤销、撤回或修改，并在本企业作为公司持股5%以上的股东期间持续有效。

备注24：

避免同业竞争的承诺：

1、公司（包括其合并报表范围的子公司，下文同）的主营业务为射频前端芯片（在本承诺函中指射频功率放大器（RF Power Amplifier）、射频开关（RF Switch）、射频滤波器（RF Filter）、射频双/多任务器（RF Duplexer/Multiplexer），包含前述一个或多个器件的射频前端模组产品）的研发、生产及销售。截至本承诺函签署之日，本企业（含其合并报表范围的企业，下文同）没有直接或者间接地从事与公司上述主营业务构成同业竞争，并对公司上述主营业务经营产生重大不利影响的业务活动。

2、自本承诺函签署之日起至本企业为公司持股5%以上的股东期间，本企业不会直接或者间接地从事与公司上述主营业务构成同业竞争，并对公司上述主营业务经营产生重

大不利影响的业务活动。

成同业竞争者，本企业承诺将不对该等企业进行投资或透过协议而直接、间接形成控制关系或担任第一大股东。

5、上述承诺自出具之日起生效，至本企业仍为公司持股5%以上的股东期间持续有效。

备注25：

关于规范和减少关联交易的承诺：

63/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

1、本人将尽可能地避免和减少本人及本人能够控制或影响的关联方（以下统称“本人”）与公司（包括其合并报表范围的子公司，下文同）之间的关联交易。

2、对于无法避免或者因合理原因而发生的关联交易，本人将遵循发生必要、程序合法、价格公允的原则，严格按照相关法律、法规和规范性文件以及《公司章程》《关联交易管理制度》等规定执行，确保交易在公平合理和正常的商业交易条件下进行，并按照适时相关的法律法规的要求及时进行信息披露，切实维护公司及其他股东的实际利益。

3、本人保证不利用在公司中的地位和影响，通过关联交易损害公司及其股东（特别是中小股东）的合法权益。本人保证不利用本人在公司中的地位和影响，违规占用或转移

公司资金、资产及其他资源，或违规要求公司提供担保。

4、本承诺在公司存续且本人依照中国证监会或证券交易所相关规定被认定为公司的关联方期间持续有效。

备注26：

关于规范和减少关联交易的承诺：

1、本人将善意履行作为公司董事、监事、高级管理人员的义务，严格遵守国家有关法律法规及《公司章程》《关联交易管理制度》等公司治理制度，正确行使董事、监事、高级管理人员权利，履行董事、监事、高级管理人员义务。

2、在本人作为公司董事、监事、高级管理人员期间，本人及本人控制或担任董事、高管的企业将避免和减少与公司（包括其合并报表范围的子公司，下文同）发生关联交易。

3、若本人及本人控制或担任董事、高管的企业同公司之间对于无法避免或者因合理原因而发生的关联交易，本人及本人控制或担任董事、高管的企业将遵循发生必要、程序

合法、价格公允的原则，严格按照相关法律、法规和规范性文件以及《公司章程》《关联交易管理制度》等规定执行，确保交易在公平合理和正常的商业交易条件下进行，并按照适时相关的法律法规的要求及时进行信息披露，且本人保证不利用董事、监事、高级管理人员身份谋取不当利益，不以任何形式损害公司及其股东的合法权益。

备注27：

关于规范和减少关联交易的承诺：

1、本企业将尽可能地避免和减少本企业及本企业能够控制或施加重大影响的关联方（以下简称“本企业的关联方”）与公司（包括其合并报表范围的子公司，下文同）之间的关联交易。

2、对于无法避免或者因合理原因而发生的关联交易，本企业及本企业的关联方将遵循发生必要、程序合法、价格公允的原则，严格按照相关法律、法规和规范性文件以及《公司章程》《关联交易管理制度》等规定执行，确保交易在公平合理和正常的商业交易条件下进行，并按照适时相关的法律法规的要求及时进行信息披露，切实维护公司及其他股东的实际利益。

3、本企业保证不利用在公司中的地位和影响，通过关联交易损害公司及其股东（特别是中小股东）的合法权益。本企业保证不利用本企业在公司中的地位和影响，违规占用

或转移公司资金、资产及其他资源，或违规要求公司提供担保。

4、本承诺在公司存续且本企业依照中国证监会或证券交易所相关规定被认定为公司的关联方期间内有效。

备注28：

关于股东信息披露的专项承诺：

1、本公司的机构股东依法有效存续，自然人股东具有完全民事行为能力，均具备法律、法规和规范性文件规定的担任股东并向本公司出资的资格，且根据《监管规则适用指引——关于申请首发上市企业股东信息披露》及其他相关法规的要求穿透至最终持有人，不存在法律、法规、规范性文件规定禁止直接或间接持有本公司股份的情形；

2、本次发行的中介机构或其负责人、高级管理人员、经办人员未直接或间接持有本公司股份；

3、本公司不存在以公司股权进行不当利益输送的情形。

备注29：

关于未履行承诺事项时采取的约束措施：

64/207唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2026年半年度报告

1、本公司保证将严格履行本公司首次公开发行股票并上市招股说明书披露的承诺事项，并承诺严格遵守下列约束措施：*如果本公司未履行招股说明书中披露的相关承诺事项，本公司将在股东大会及中国证券监督管理委员会指定信息披露平台公开说明未履行承诺的具体原因以及未履行承诺时的补救及改正情况并向股东和社会公众投资者道歉；*如果因本公司未履行相关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本公司将依法向投资者赔偿相关损失；*本公司对出现该等未履行承诺行为负有责任的股东暂停分配利润；*本公司将对出现该等未履行承诺行为负有个人责任的董事、监事、高级管理人员采取调减或停发薪酬或津贴等措施（如该等人员在本公司领薪）。

2、如因相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本公司无法控制的客观原因导致本公司承诺未能履行、确已无法履行或无法按期履行的，本公司将采取以下措施：*及时、充分披露本公司承诺未能履行、无法履行或无法按期履行的具体原因；*向本公司的投资者提出补充承诺或替代承诺（相关承诺需按法律、法规、公司章程的规定履行相关审批程序），以尽可能保护投资者的权益。

备注30：

关于未履行承诺事项时采取的约束措施：

1、本人保证将严格履行公司本次发行上市招股说明书披露的承诺事项，并承诺严格遵守下列约束措施：*如果本人未履行招股说明书中披露的相关承诺事项，本人将在股东

大会及中国证券监督管理委员会指定信息披露平台公开说明未履行承诺的具体原因以及未履行承诺时的补救及改正情况并向股东和社会公众投资者道歉；*如果因本人未履行相

关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本人承诺依法承担赔偿责任。如果本人未承担前述赔偿责任，公司有权扣减本人所获分配的现金分红用于承担前述赔偿责任。

同时，在本人未承担前述赔偿责任期间，不得转让本人直接或间接持有的公司股份。

2、如因相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本人无法控制的客观原因导致本人承诺未能履行、确已无法履行或无法按期履行的，本人将采取以下措施：*及时、充分披露本人承诺未能履行、无法履行或无法按期履行的具体原因；*向公司的投资者提出补充承诺或替代承诺（相关承诺需按法律、法规、公司章程的规定履行相关审批程序），以尽可能保护投资者的权益。

备注31：

关于未履行承诺事项时采取的约束措施：

1、本企业保证将严格履行公司本次发行上市招股说明书披露的承诺事项，并承诺严格遵守下列约束措施：*如果本企业未履行招股说明书中披露的相关承诺事项，本企业将

在股东大会及中国证券监督管理委员会指定信息披露平台公开说明未履行承诺的具体原因以及未履行承诺时的补救及改正情况并向股东和社会公众投资者道歉；*如果因本企业

未履行相关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本企业承诺依法承担赔偿责任。如果本企业未承担前述赔偿责任，公司有权扣减本企业所获分配的现金分红用于承担前述赔偿责任。同时，在本企业未承担前述赔偿责任期间，不得转让本企业直接或间接持有的公司股份。

2、如因相关法律法规、政策变化、自然灾害及其他不可抗力等本企业无法控制的客观原因导致本企业承诺未能履行、确已无法履行或无法按期履行的，本企业将采取以下措施：*及时、充分披露本企业承诺未能履行、无法履行或无法按期履行的具体原因；*向公司的投资者提出补充承诺或替代承诺（相关承诺需按法律、法规、公司章程的规定履行相关审批程序），以尽可能保护投资者的权益。

备注32：

关于未履行承诺事项时采取的约束措施：

关承诺事项，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本人承诺依法承担赔偿责任。如果本人未承担前述赔偿责任，自相关投资者遭受损失至本人履行赔偿责任期间，公司有权停止发放本人自公司领取的工资薪酬。同时，在本人未承担前述赔偿责任期间，不得转让本人直接或间接持有的公司股份（如有）。

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备注33：

关于不谋求发行人控制权的承诺

1、联发科及 Gaintech在任何情况下不会通过任何途径取得公司的控制权；联发科及 Gaintech尊重发行人依据有效的章程或其修订之章程进行公司的经营与管理，不会利用

持股地位干预公司的正常经营活动。

2、未经荣秀丽和孙亦军的事前书面同意，不会直接或间接采取任何方式（包括但不限于增资、受让股份、二级市场购入、签署一致行动协议、关联方关系、合作等任何途径）

扩大在公司的股份比例以及股份表决权比例。

3、将 Gaintech所持公司股票中占公司总股本的比例超过 29%的部分（不含 29%的本数）对应的表决权，不可撤销地、不设限制地放弃表决权（简称“弃权股份”），该等弃

权股份对应的股份数不计入出席公司股东大会的有表决权的股份总数中。虽有弃权股份的约定，不影响 Gaintech有权转让弃权股份（仍需遵守《Gaintech增资协议》的约定），且一旦 Gaintech实质转移和不再拥有弃权股份的所有权和表决权，或实质转让股份（指不再拥有该等转出股份的所有权和表决权）后 Gaintech的股份比例降至 29%以下（含 29%的本数），则弃权股份的表决权放弃即失效，但如该等转让将导致受让方及其关联方、一致行动人所持股份占公司总股本的比例超过 29%的，在该次转让协议中，Gaintech应事先向受让方明确揭示其已放弃行使弃权股份的表决权，且受让方同意遵守弃权股份的约定需作为 Gaintech该次股份转让的生效要件之一。

4、不会以直接或间接的方式谋取对公司董事会的控制权，无论公司于 Gaintech增资后及未来董事会总席位如何变化，Gaintech提名的董事候选人在任何情况下不超过 2名；

且除提名事项外，不会谋求或采取任何措施主动变更公司董事会的组成，并将敦促提名的董事严格按照章程规定行使相关权利，包括：虽 Gaintech提名的董事经选聘后担任公司的董事长，但该名董事除主持公司股东大会和召集、主持董事会会议等法令上的权限外，其他权利与其他董事相同，且若应公司合格上市需要，Gaintech承诺在相关法令允许范围内，支持公司的实际控制人担任公司的董事长。《承诺函》和《补充承诺》依其条款构成联发科、Gaintech对公司的允诺，对联发科、Gaintech具有中华人民共和国法律（为避免歧义，仅就该等承诺而言，不包括台湾、香港、澳门地区的法律）项下的约束力，且未经公司同意，不得撤销、撤回或修改。如联发科、Gaintech有违反，联发科、Gaintech同意承担其相应的法律责任。如《Gaintech增资协议》因解除、终止或其他原因失去效力或无法履行，《承诺函》自动失去效力。

备注34：

关于不谋求发行人控制权的进一步承诺

1、联发科及 Gaintech在任何情况下不会通过任何途径取得发行人的控制权；联发科及 Gaintech尊重发行人依据有效的章程或其后修订之章程进行公司的经营与管理，不会

利用持股地位干预发行人正常经营活动。

2、未经荣秀丽和孙亦军的事前书面同意，不会直接或间接采取任何方式（包括但不限于通过增资、受让股份、二级市场购入、签署一致行动协议、关联方关系、合作等任何途径）扩大在发行人的股份比例以及股份表决权比例。

3、不会以直接或间接的方式谋取对发行人董事会的控制权，无论发行人未来董事会总席位如何变化，Gaintech提名的董事候选人在任何情况下不超过 2名；且除提名事项外，

不会谋求或采取任何措施主动变更发行人董事会的组成，并将敦促提名的董事严格按照章程规定行使相关权利。《关于不谋求发行人控制权的进一步承诺》与《承诺函》和《补充承诺》构成联发科和 Gaintech永久不谋求发行人控制权的完整组成部分，内容与《承诺函》和《补充承诺》约定不一致的，或《承诺函》和《补充承诺》未约定事项，适用《关于不谋求发行人控制权的进一步承诺》的约定。《关于不谋求发行人控制权的进一步承诺》中，联发科和 Gaintech的含义包括联发科及其合并报表范围内的企业，且依其条款构成联发科、Gaintech对发行人的允诺，对联发科、Gaintech具有中华人民共和国法律（为避免歧义，仅就本承诺函而言，不包括台湾、香港、澳门地区的法律）项下的约束力，且一经作出即具有法律约束力，任何情况下，均不得撤销、撤回或修改。

备注35：

1、在公司完成首发上市前，任一激励对象行权认购的公司股票，承诺自行权之日起三年内不得减持，若在该限售期内公司完成首发上市，同时需承诺自公司首发上市之日三

年内不得减持；在公司完成首发上市后，任一激励对象行权认购的公司股票，承诺自行权之日起三年内不得减持；

2、任一激励对象，不论其是否为公司董事、高级管理人员，承诺在前述行权后三年限售期届满之后，比照上市公司董事、监事及高级管理人员的相关减持规定实施减持。

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3、激励对象为公司董事、高级管理人员的，公司首发上市后，将其持有的本公司股票在买入后6个月内卖出，或者在卖出后6个月内又买入，由此所得收益归本公司所有，

本公司董事会将收回其所得收益。

4、在本激励计划的有效期内，如果《公司法》《证券法》等相关法律、法规、规范性文件及《公司章程》、证券交易所相关的业务规则的规定，对公司董事、监事、高级管