上海市通力律师事务所

关于

华虹半导体有限公司

发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易

之法律意见书

二○二六年三月目录

一.本次交易各方的主体资格........................................6

二.本次交易涉及之方案、相关协议及安排...........................23

三.本次交易涉及之授权与批准.....................................34

四.本次交易涉及之标的资产.......................................39

五.本次交易涉及的债权债务和员工安置的处理.......................58

六.本次交易的信息披露..........................................59

七.本次交易的相关实质性条件.....................................60

八.同业竞争与关联交易..........................................68

九.本次交易涉及的证券服务机构及其资格...........................72

十.关于上市公司内幕信息知情人登记制度制定及执行情况以及股票买卖自

查情况..................................................73

十一.结论意见..............................................76

附件一：标的公司拥有的主要知识产权....................................77

附件二：标的公司报告期内关联交易情况..................................277

25SH3110017/BC/az/cm/D6上海市通力律师事务所关于华虹半导体有限公司

发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易之法律意见书

致：华虹半导体有限公司

敬启者：

上海市通力律师事务所（以下简称“本所”）根据《中华人民共和国证券法》《中华人民共和国公司法》《上市公司重大资产重组管理办法》和中国境内有权立法机构、监管机构已公开颁布、生效且现时有效的法律、法规以及规范性文件等有关规定（以下简称“法律、法规以及规范性文件”），按照律师行业公认的业务标准、道德规范和勤勉尽责精神出具本法律意见书。

（引言）

根据华虹半导体有限公司（以下简称“华虹半导体”或“上市公司”）的委托，本所指派陈军律师、夏青律师（以下合称“本所律师”）作为华虹半导体本次发行股份购

买资产并募集配套资金暨关联交易（以下简称“本次交易”）的专项法律顾问，就本法律意见书出具日前已经发生或存在的事实，根据本所律师对我国现行法律、法规以及规范性文件的理解出具法律意见。

本所出具的法律意见书仅对出具日以前已经发生或存在的且与本次交易有关的重

要法律问题发表法律意见，并不对其他问题以及会计、审计、资产评估等专业事项发表

25SH3110017/BC/az/cm/D6意见，也不具备适当资格对其他国家或地区法律管辖范围内的事项发表意见。本所律师

并不具备对本法律意见书中所引用的有关会计、审计、资产评估等专业文件之内容进行

核查和判断的专业资格，本法律意见书对该等专业文件及其内容的引用并不意味着本所律师对该等专业文件以及所引用内容的真实性、准确性作出任何明示或默示的保证；本

法律意见书提及其他国家或地区法律意见书、法律审阅报告或其内容，均系指援引、参考该等发行人可依赖的境外法律意见书、法律审阅报告或其内容。

本所已得到本次交易相关各方的确认，其提供给本所律师的所有文件及相关资料均是真实的、完整的、有效的，无任何隐瞒、遗漏和虚假之处，文件资料为副本、复印件的，其内容均与正本或原件相符，提交给本所的各项文件的签署人均具有完全的民事行为能力，并且其签署行为已获得恰当、有效的授权。本所律师对于与出具法律意见至关重要而又无法得到独立证据支持的事实，依赖有关政府部门、前述各方或其他单位出具的证明文件或相关专业报告发表法律意见。

本所及本所律师依据《中华人民共和国证券法》《律师事务所从事证券法律业务管理办法》和《律师事务所证券法律业务执业规则（试行）》等规定及法律意见书出具日

以前已经发生或者存在的事实，严格履行了法定职责，遵循了勤勉尽责和诚实信用原则，进行了充分的核查验证，保证法律意见所认定的事实真实、准确、完整，所发表的结论性意见合法、准确，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担相应法律责任。

本法律意见书仅供华虹半导体为本次交易之目的而使用，不得用作任何其他目的。

本所律师同意将本法律意见书作为华虹半导体申请进行本次交易必备的法定文件，随其他申报材料一起上报，并依法对出具的法律意见承担责任。本所律师同意华虹半导体在本次交易重组报告书及其摘要中自行引用或按监管机构审核要求引用本法律意见书的

部分或全部内容，但华虹半导体作上述引用时不得因引用而导致法律上的歧义和曲解。

（正文）

为本法律意见书表述方便，在本法律意见书中，除非另有说明，以下左栏所列词语具有该词语相应右栏所作表述的涵义：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 21. 华虹半导体、上市公司 指华虹半导体有限公司。

2. 华虹 NEC 指上海华虹 NEC 电子有限公司。

3.华虹集团指上海华虹（集团）有限公司。

4. 华虹国际 指 Shanghai Hua Hong International，Inc.（上海华虹国际公司），系一家根据开曼群岛法律注册成立且合法存续的公司。

5.张江集团指上海张江（集团）有限公司。

6. NEC 指日本电气株式会社。

7.香港海华指香港海华有限公司。

8. Newport 指 Newport Fab LLC。

9.中国日电指日电（中国）有限公司。

10.上海贝岭指上海贝岭股份有限公司。

11.上海华虹宏力指上海华虹宏力半导体制造有限公司。

12.上海集成电路基金指上海集成电路产业投资基金股份有限公司。

13.大基金二期指国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 314. 国投先导基金 指上海国投先导集成电路私募投资基金合伙企业（有限合伙）。

15.资产出售方、交易对方指华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金。

16.标的公司、华力微指上海华力微电子有限公司。

17.标的资产指资产出售方所持华力微97.4988%的股权。

18.华力集指上海华力集成电路制造有限公司。

19.本次交易指华虹半导体向资产出售方发行股份购买华力

微97.4988%股权并募集配套资金暨关联交易。

20.本次发行股份购买资产指华虹半导体向资产出售方发行股份购买华力

微97.4988%股权。

21.本次募集配套资金指华虹半导体向合计不超过35名的特定投资者

发行股份募集配套资金的行为。

22.《购买资产协议》指华虹半导体与交易对方于2025年8月29日签

署之《发行股份及支付现金购买资产协议》。

23.《购买资产协议之补充协议》指华虹半导体与交易对方于2025年12月31日

签署之《发行股份购买资产协议之补充协议》。

24.《减值补偿协议》指华虹半导体与华虹集团于2025年12月31日

签署之《减值补偿协议》。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 425. 国泰海通 指国泰海通证券股份有限责任公司。

26.大华会计师指大华会计师事务所（特殊普通合伙）。

27.东洲评估指上海东洲资产评估有限公司。

28.《重组报告书》指《华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》。

29.《审计报告》指大华会计师于2026年3月30日出具的大华审

字[2026]0011007164号《审计报告》。

30.《资产评估报告》指东洲评估以2025年8月31日为评估基准日对

华力微股东全部权益进行评估并出具的东洲评报字【2025】第2446号《华虹半导体有限公司拟发行股份购买资产所涉及的上海华力微电子有限公司股东全部权益价值资产评估报告》。

31.报告期指2024年1月1日至2025年12月31日。

32.中国证监会指中国证券监督管理委员会。

33.上交所指上海证券交易所。

34.上海市国资委指上海市国有资产监督管理委员会。

35.《证券法》指《中华人民共和国证券法》。

36.《重组办法》指《上市公司重大资产重组管理办法》。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 537. 《发行办法》 指《上市公司证券发行注册管理办法》。

38.法律、法规以及规范性文件指已公开颁布、生效并现行有效的中华人民共和

国境内法律、行政法规、行政规章、有权监管机

构的有关规定等法律、法规以及规范性文件。为本法律意见书之目的，本法律意见书所述的“法律、法规以及规范性文件”不包括香港特别行政

区、澳门特别行政区以及台湾地区的法律、法规以及规范性文件。

39.香港联交所指香港联合交易所有限公司。

40.《公司条例》指不时修订的中国香港特别行政区《公司条例》。

41. 《香港法律审阅报告》 指 上 市 公 司 香 港 法 律 顾 问 Herbert Smith

Freehills Kramer 为上市公司本次交易事宜于

2025年12月31日、2026年2月10日及2026年 3 月 26 日出具的 Hong Kong Legal ReviewReport。

42.元如无特别指明，指人民币元。

一.本次交易各方的主体资格

(一)资产购买方华虹半导体

1.基本情况经本所律师核查，根据华虹半导体提供的文件资料及《香港法律审阅报告》，华虹半导体系于2005年1月21日依据《公司条例》设立的

25SH3110017/BC/az/cm/D6 6公司，于 2014 年 10 月 15 日于香港联交所上市，并于 2023 年 8 月 7日于上交所科创板上市。

经本所律师核查，根据《香港法律审阅报告》，截至《香港法律审阅报告》出具之日，华虹半导体系依据香港法律适当设立且有效存续。

2.股本沿革

经本所律师核查，根据华虹半导体提供的文件资料，华虹半导体历次主要股本变动情况如下：

(1) 华虹半导体的设立及收购华虹 NEC

经本所律师核查，经国务院于2004年12月批示同意，为华虹NEC重组上市目的，华虹NEC中方股东华虹集团、张江集团、上海贝岭拟将其持有的华虹NEC股权划转到境外，并与华虹NEC外方股东合资设立拟上市公司，自行选择有利时机，到境外发行股票并在香港上市。

2005年1月21日，华虹半导体在中国香港依据《公司条例》注册，设立时公司名称为“华虹半导体有限公司（ Hua HongSemiconductor Limited）”，设立时已发行股份数为1股，每股面值为0.01美元，该等已发行股份由Harefield Limited持有。

2005年3月3日，华虹NEC相关股东、华虹半导体签订股权转让相关协议，约定华虹NEC当时全体注册于境内的股东分别将其持有的华虹NEC股权划转、转让予相关境外主体，并由华虹半导体向前述划转或转让完成后的华虹NEC全体股东发行股份购买其合计

持有的华虹NEC100%股权，前述事宜的具体情况如下表所示：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 7单位：万美元

第一步：华虹 NEC 境内股东将股权划转、转 第二步：华虹半导体发行股份购买华虹

华虹 NEC 原股东情况

让予境外主体 NEC 全部股权

股东名称出资额持股比例（%）划入方/受让方出资额持股比例（%）出售方出售比例（%）对价股份（股）

华虹集团5000055.92华虹国际5000055.92

华虹国际44805.01———华虹国际350401100

61.42

张江集团华虹国际（注1）（注2）

4370.494370.49（注1）（注1）

中国日电 7000 7.83 NEC 7000 7.83

NEC 17.36 99038800

NEC 8520 9.53 — — —

上海贝岭1003011.22香港海华1003011.22香港海华11.2264010100

Newport 8941 10 — — — Newport 10 57050000

合计89408100—89408100—100570500000

注1：经本所律师核查，根据华虹集团、华虹国际与张江集团等于2005年3月3日签订的境外信托契据及华虹集团、华虹国际与张江集团于 2005 年 3 月 3 日签订的股权托管及划转协议，张江集团将华虹 NEC 0.49%股权（即“华虹 NEC 权益”）委托华虹集团代管并划转至华虹国际，并授权华虹国际根据境外股权转让协议将其持有的华虹 NEC 权益置换为华虹半导体 0.49%股权（对应华虹半导体

2795450股，即“华虹半导体权益”）；股权置换后，由华虹国际根据协议约定代张江集团持有及管理华虹半导体权益，并代表张江

集团行使华虹半导体权益项下的股东权利以及履行相应的股东义务；张江集团根据协议约定保留华虹半导体权益项下的处分权、收益

权等股东权利，并承担相应义务。

注 2：其中华虹国际所持有的华虹半导体 1股股份系自 Harefield Limited 处以 0.01 美元的价格受让取得。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 8经本所律师核查，国务院国有资产监督管理委员会于2005年2月4日出具国资产权[2005]150号《关于对上海华虹NEC电子有限公司中方股东股权向境外划转及注入拟上市公司资产评估项目予以核准的批复》，核准华虹NEC中方股东股权向境外划转及注入拟上市公司项目的资产评估报告。

经本所律师核查，中华人民共和国商务部分别于2005年3月31日、2005年4月30日、2005年7月28日核发商合批[2005]178号《商务部关于同意上海华虹NEC电子有限公司向境外划转股权并在香港设立华虹半导体有限公司的批复》、商资批[2005]720号《商务部关于同意上海华虹NEC电子有限公司股权转让等事宜的批复》、商资批[2005]1540号《商务部关于同意上海华虹NEC电子有限公司转股的批复》，同意上述事宜。

经本所律师核查，中华人民共和国国家发展和改革委员会于2005年5月8日核发发改外资[2005]730号《国家发展改革委关于上海华虹NEC电子有限公司中方股东股权全部转移境外并在香港上市项目核准的批复》，同意上述事宜。

经本所律师核查，华虹国际、NEC、香港海华及Newport已于2005年6月1日被登记为华虹半导体股东，华虹NEC之股权已于2005年

10月9日变更登记至华虹半导体名下。

上述华虹NEC收购完成后，华虹半导体的股权结构如下表所示：

序号股东名称持股数量（股）持股比例（%）

1.华虹国际35040110061.4225SH3110017/BC/az/cm/D6 9（其中 2795450 股系为张江集团托管）

2. NEC 99038800 17.36

3.香港海华6401010011.22

4. Newport 57050000 10

合计570500000100

(2)2014年10月华虹半导体在香港联交所首次公开发行股票并上市

经本所律师核查，华虹半导体股东大会于2014年9月20日作出决议，同意华虹半导体公开发行股票，同时批准董事行使华虹半导体配发、发行及处置股份的一切权力（包括作出要约、订立协议、或授出将会或可能须配发及发行股份的证券的权力）。

经本所律师核查，根据华虹半导体公开披露的相关信息，华虹半导体于2014年10月以11.25港币/股的价格公开发行合计

228696000股股份；本次发行完成后，华虹半导体已发行股份

总数增至1033871656股。2014年10月15日，华虹半导体在香港联交所主板挂牌上市。

(3)2015年9月第一期股票期权激励计划及授予

经本所律师核查，华虹半导体股东特别大会于2015年9月1日作出决议，同意采纳股票期权计划，并授权董事会自计划批准日7年内任何时间决定授予参与者按行权价认购一定数量华虹半导体股票的权利；该股票期权计划项下拟授出的所有期权及华虹半导体任何其他股票期权计划项下拟授出的任何期权获行使时可予

发行的股票总数，合计不得超过当时的已发行股本总数的10%，

25SH3110017/BC/az/cm/D6 10且该等股票期权计划项下首次授予的期权数量不超过华虹半导

体总股本的3%。

经本所律师核查，上海市国资委已于2015年8月14日出具沪国资委分配（2015）278号《关于同意华虹半导体有限公司实施股权激励计划的批复》，原则同意上述期权激励计划。

经本所律师核查，根据华虹半导体股东大会的上述授权，华虹半导体董事会于2015年9月4日作出决议，同意于2015年9月4日向董事及雇员授出股票期权。华虹半导体本次授出30250000份期权，前述期权可按行权价6.912港元认购合计最多30250000股股票，本次期权分三期归属，并将于2022年9月3日失效。

(4)2018年11月增资

经本所律师核查，华虹半导体于2018年1月3日与国家集成电路产业投资基金股份有限公司签订《认购协议》，约定国家集成电路产业投资基金股份有限公司（无论是通过其自身或是通过其指定人士）认购华虹半导体242398925股股份，认购价为每股

12.9002港元；华虹半导体股东特别大会于2018年2月14日作出决议，同意前述股份认购事宜。国家集成电路产业投资基金股份有限公司指定的主体鑫芯（香港）投资有限公司已于2018年11月7日完成前述股份认购。

经本所律师核查，华虹集团于2017年12月15日召开一届五十三次党委会，同意鑫芯（香港）投资有限公司入股华虹半导体；大基金已于2017年12月15日召开第二十次董事会审议通过鑫芯（香港）

投资有限公司入股华虹半导体事宜，并就前述事宜于2017年12月

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1115日出具了《国家集成电路产业投资基金重大项目核准意见表》。

本次增资完成后，华虹半导体已发行股份总数增至

1283750891股。

(5)2018年12月第二期股票期权计划第一次授予

经本所律师核查，华虹半导体董事会于2018年12月18日作出决议，同意于2018年12月24日及2019年12月23日向若干雇员和/或董事

配发股票期权，但该等期权计划的实施须根据国资监管部门的要求以取得华虹半导体股东大会的批准为前提。华虹半导体于2018年12月24日向华虹半导体若干员工及当时的董事授出34500000份期权（该等期权须经华虹半导体股东大会批准后方可生效）。前述期权可按行权价15.056港元认购合计最多34500000股股票，其中，就副总裁及以上级别的职员（连同董事）而言，本次期权分四期归属；就其他职员而言，本次期权分三期归属；前述期权已于2025年12月23日失效。

经本所律师核查，上海市国资委于2019年3月12日出具沪国资委分配（2019）44号《关于同意华虹半导体有限公司实施股权激励计划（二期）的批复》，原则同意《华虹半导体有限公司股权激励计划（二期）方案》，并应按有关规定提交华虹半导体股东大会审议。

经本所律师核查，华虹半导体股东特别大会于2019年3月28日作出决议，同意根据华虹半导体于2015年9月1日采纳的股票期权计划于2018年12月24日授出34500000份股票期权，并同意于2019年12月23日或前后进一步授出4000000份股票期权。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 12(6) 2019 年 3 月第二期股票期权计划第二次授予

经本所律师核查，根据上述上海市国资委的批复及华虹半导体股东大会的授权，华虹半导体董事会于2019年3月28日作出决议，同意于2019年3月29日向唐均君授出500000份期权，前述期权可按行权价18.40港元认购合计最多500000股股票；本次期权分四期归属，并将于2026年3月28日失效。

(7)2019年12月第二期股票期权计划第三次授予

经本所律师核查，根据上述上海市国资委的批复及华虹半导体股东大会的授权，华虹半导体董事会于2019年11月12日作出决议，同意于2019年12月23日向华虹半导体（无锡）有限公司具有重要

技术专长及/或担任核心管理职位的101名员工授予2482000份期权。前述期权可按行权价17.952港元认购合计最多2482000股股票，其中，就副总裁及以上级别的职员而言，本次期权分四期归属；就其他职员而言，本次期权分三期归属。前述期权将于

2026年12月22日失效。

(8)2021年11月华虹半导体股票期权计划调整

经本所律师核查，华虹半导体股东特别大会于2021年11月26日作出决议，为使华虹半导体能够更灵活地向其雇员提供激励及奖励，同意将华虹半导体股票期权计划授出限额调整为130047036股股票。

(9)2023年8月华虹半导体在上交所首次公开发行股票并上市25SH3110017/BC/az/cm/D6 13经中国证监会证监许可[2023]1228号《关于同意华虹半导体有限公司首次公开发行股票注册的批复》批准，华虹半导体向社会公开发行人民币普通股40775万股，每股发行价格52元。经上交所同意，华虹半导体境内发行股票总数为40775万股，其中

10397.4252万股于2023年8月7日起在上交所科创板上市交易。

3.控股股东及实际控制人

经本所律师核查，根据华虹半导体提供的股东名册并经华虹半导体确认，截至2025年12月31日，华虹国际持有华虹半导体347605650股境外上市外资股股份，占华虹半导体于2025年12月31日已发行股份总数的20.00%，为华虹半导体的直接控股股东；华虹集团持有华虹国际 100%的股权，并直接持有华虹半导体 1198517 股 A 股股份，为华虹半导体的间接控股股东；截至2025年12月31日，上海市国资委直接持有华虹集团51.74%的股权，系华虹半导体的实际控制人。

基于上述核查，并根据《香港法律审阅报告》，本所律师认为，华虹半导体系依据香港法律适当设立且有效存续的公司，具备参与本次交易的主体资格。

(二)资产出售方

1.华虹集团

经本所律师核查，根据华虹集团的《营业执照》及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至 2025年12月31日，华虹集团的基本情况如下：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 14企业名称 上海华虹（集团）有限公司

统一社会信用代码 91310000132263312B法定代表人秦健

注册地址中国（上海）自由贸易试验区碧波路177号

注册资本1352148.449311万元成立日期1996年4月9日营业期限1996年4月9日至2046年4月8日企业类型有限责任公司

组织开发、设计、加工、制造和销售集成电路

和相关产品，投资集成电路设计、制造、销售、应用及相关高科技产业，咨询服务，资产管理，经营范围

自有房屋租赁，停车场（库）经营。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

经本所律师核查，根据华虹集团提供的章程等文件资料及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至2025年12月31日，华虹集团的股权结构情况如下：

认缴出资额序号股东名称出资比例（万元）

1.上海市国资委699642.26413751.74%

2.上海国际集团有限公司206680.66983315.29%

3.上海国盛（集团）有限公司206680.66983315.29%

4.上海仪电（集团）有限公司131556.4835299.73%

上海临港经济发展（集团）

5.107588.3619797.96%

有限公司

25SH3110017/BC/az/cm/D6 15100.00%

合计1352148.449311

（注）

注：合计数与各部分数直接相加之和如存在尾数差异，系由四舍五入原因造成，下同。

2.上海集成电路基金

经本所律师核查，根据上海集成电路基金的《营业执照》及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至2025年12月31日，上海集成电路基金的基本情况如下：

企业名称上海集成电路产业投资基金股份有限公司

统一社会信用代码 91310000MA1FL3AW02法定代表人李鑫中国（上海）自由贸易试验区春晓路289号注册地址

1201 室 A 单元

注册资本2480000万元成立日期2016年12月7日营业期限2016年12月7日至2029年3月31日企业类型股份有限公司

股权投资，创业投资。【依法须经批准的项目，经营范围

经相关部门批准后方可开展经营活动】

经本所律师核查，根据上海集成电路基金提供的章程等文件资料及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至2025年12月31日，上海集成电路基金的股权结构情况如下：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 16认缴出资额（万序号股东名称出资比例

元）

上海科技创业投资（集团）

1.761403.3430.70%

有限公司中国人寿资产管理有限公司2.（代表“中国人寿-沪发1750526.1630.26%号股权投资计划”）国家集成电路产业投资基金

3.261052.6910.53%

股份有限公司上海浦东新兴产业投资有限

4.174035.257.02%

公司

5.上海国际信托有限公司156631.546.32%

中保投智集芯（嘉兴）股权

6.131544.955.30%

投资合伙企业（有限合伙）

中保投齐芯（嘉兴）集成电

7.104421.154.21%

路产业投资有限责任公司中国中信金融资产管理股份

8.96876.203.91%

有限公司上海嘉定创业投资管理有限

9.43508.721.75%

公司

合计2480000100.00%经本所律师核查，上海集成电路基金系《中华人民共和国证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》和《私募投资基金登记备案办法》所规范的私募投资基金，已进行私募基金备案，基金编号为SEJ523。上海集成电路基金的基金管理人上海集成电路产业投资基金管理有限公司已进行私募基金管理人登记，登记编号为 P1068675。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 173. 大基金二期

经本所律师核查，根据大基金二期的《营业执照》及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至

2025年12月31日，大基金二期的基本情况如下：

国家集成电路产业投资基金二期股份有限公企业名称司

统一社会信用代码 91110000MA01N9JK2F法定代表人张新北京市北京经济技术开发区景园北街2号52注册地址

幢7层701-6注册资本20415000万元成立日期2019年10月22日营业期限2019年10月22日至2029年10月21日企业类型股份有限公司

项目投资、股权投资；投资管理、企业管理；

投资咨询。（“1、未经有关部门批准，不得以公开方式募集资金；2、不得公开开展证券

类产品和金融衍生品交易活动；3、不得发放

经营范围贷款；4、不得对所投资企业以外的其他企业

提供担保；5、不得向投资者承诺投资本金不受损失或者承诺最低收益”；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。）经本所律师核查，根据大基金二期提供的章程等文件资料及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，

25SH3110017/BC/az/cm/D6 18截至 2025 年 12 月 31 日，大基金二期的股权结构情况如下：

认缴出资额（万序号股东名称出资比例

元）

1.中华人民共和国财政部225000011.02%

2.国开金融有限责任公司220000010.78%

浙江富浙集成电路产业发展

3.15000007.35%

有限公司武汉光谷金融控股集团有限

4.15000007.35%

公司

5.成都天府国集投资有限公司15000007.35%

6.中国烟草总公司15000007.35%

7.上海国盛（集团）有限公司15000007.35%

重庆战略性新兴产业股权8.投资基金合伙企业（有限合14000006.86%伙）北京亦庄国际投资发展有限

9.10000004.90%

公司

10.中移资本控股有限责任公司10000004.90%

11.北京国谊医院有限公司10000004.90%

江苏疌泉集成电路产业投资

12.10000004.90%

有限公司安徽省芯火集成电路产业投

13.7500003.67%

资合伙企业（有限合伙）安徽皖投安华现代产业投资

14.7500003.67%

合伙企业（有限合伙）福建省国资集成电路投资有

15.3000001.47%

限公司

25SH3110017/BC/az/cm/D6 19深圳市深超科技集成电路16.产业投资合伙企业（有限合3000001.47%伙）广州产业投资基金管理有限

17.3000001.47%

公司

黄埔投资控股（广州）有限

18.2000000.98%

公司

19.中国电信集团有限公司1500000.73%

20.联通资本投资控股有限公司1000000.49%

广西投资引导基金有限责任

21.1000000.49%

公司

22.中电金投控股有限公司500000.24%

23.华芯投资管理有限责任公司150000.07%

24.福建三安集团有限公司100000.05%

25.协鑫资本管理有限公司100000.05%

北京紫光通信科技集团有限

26.100000.05%

公司

27.北京建广资产管理有限公司100000.05%

上海矽启企业管理合伙企业

28.100000.05%（有限合伙）

合计20415000100.00%

经本所律师核查，大基金二期系《中华人民共和国证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》和《私募投资基金登记备案办法》

所规范的私募投资基金，已进行私募基金备案，基金编号为 SJU890。

大基金二期的基金管理人华芯投资管理有限责任公司已进行私募基金

管理人登记，登记编号为 P1009674。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 204. 国投先导基金

经本所律师核查，根据国投先导基金的《营业执照》及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至

2025年12月31日，国投先导基金的基本情况如下：

上海国投先导集成电路私募投资基金合伙企企业名称业（有限合伙）

统一社会信用代码 91310000MADTAPYB6E执行事务合伙人上海国投先导私募基金管理有限公司中国（上海）自由贸易试验区中科路1699号主要经营场所

28层02单元

认缴出资额4500100万元成立日期2024年7月22日营业期限2024年7月22日至无固定期限企业类型有限合伙企业

一般项目：以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动（须在中国证券投资基金经营范围业协会完成登记备案后方可从事经营活动）。

（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）

经本所律师核查，根据国投先导基金提供的合伙协议等文件资料及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，截至2025年12月31日，国投先导基金的合伙人情况如下：

序认缴出资额合伙人名称合伙人类型出资比例号（万元）

25SH3110017/BC/az/cm/D6 21上海国投先导私募

1.普通合伙人1000.0022%

基金管理有限公司上海国经投资发展

2.有限合伙人200000044.44%

有限公司上海浦东创新投资

3.发展（集团）有限公有限合伙人100000022.22%

司上海国有资本投资

4.有限合伙人60000013.33%

有限公司上海汽车工业（集

5.有限合伙人2500005.56%

团）有限公司上海国际集团有限

6.有限合伙人2500005.56%

公司

上海国盛（集团）有

7.有限合伙人2000004.44%

限公司海通创新证券投资

8.有限合伙人500001.11%

有限公司国泰君安证裕投资

9.有限合伙人500001.11%

有限公司上海申能诚毅股权

10.有限合伙人500001.11%

投资有限公司上海国际信托有限

11.有限合伙人500001.11%

公司

合计4500100100.00%

经本所律师核查，国投先导基金系《中华人民共和国证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》和《私募投资基金登记备案办法》

所规范的私募投资基金，已进行私募基金备案，基金编号为 SAMQ44。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 22国投先导基金的基金管理人上海国投先导私募基金管理有限公司已进

行私募基金管理人登记，登记编号为 P1074817。

基于上述核查，本所律师认为，截至本法律意见书出具之日，上述四名资产出售方均有效存续，具备参与本次交易的主体资格。

二.本次交易涉及之方案、相关协议及安排

(一)本次交易方案概述

经本所律师核查，根据华虹半导体2025年第六次董事会决议、2025年第九次董事会决议、2026年第一次临时股东大会决议、2026年第三次董事

会决议、《购买资产协议》《购买资产协议之补充协议》《减值补偿协议》

及《重组报告书》，本次交易系华虹半导体通过发行股份的方式购买华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金合计持有的华力微

97.4988%股权，并向不超过35名符合条件的特定对象发行股份募集配套资金。根据东洲评估出具的《资产评估报告》，标的公司股东全部权益评估价值为848000万元，华虹半导体与交易对方在此基础上协商确定标的资产的交易价格为826790.215326万元。本次交易的整体方案由发行股份购买资产和募集配套资金两部分组成，募集配套资金以发行股份购买资产的成功实施为前提，但募集配套资金成功与否不影响发行股份购买资产的实施。本次交易的具体内容如下：

1.发行股份购买资产

华虹半导体拟通过发行股份的方式购买华虹集团、上海集成电路基金、

大基金二期、国投先导基金等4名交易对方持有的华力微97.4988%股权。本次交易拟购买资产华力微97.4988%股权的交易价格为

25SH3110017/BC/az/cm/D6 23826790.215326 万元。本次交易完成后，华力微将成为华虹半导体的全资子公司。

(1)交易对方

本次发行股份购买资产的交易对方为华虹集团、上海集成电路基

金、大基金二期、国投先导基金。

(2)标的资产的交易对价和支付方式

本次交易中，上市公司聘请东洲评估以2025年8月31日为评估基准日对标的资产进行了评估。根据东洲评估出具的《资产评估报告》，华力微全部权益的评估值为848000万元。基于前述评估值并经交易各方充分协商，标的资产交易对价为826790.215326万元，各交易对方的交易对价如下表所示：

出售华力微股权

交易对方交易对价（万元）比例

华虹集团63.5443%538855.119569

上海集成电路基金15.7215%133318.646521

大基金二期10.2503%86922.766501

国投先导基金7.9827%67693.682735

合计97.4988%826790.215326

本次交易的交易对价由上市公司通过发行股份方式进行支付，不足一股的部分由上市公司以现金补足。如经有权国资监管机构备案的评估结果与上述华力微股东全部权益评估结果不一致的，各方将经内部有权机构批准后基于经备案的评估结果重新确定本

25SH3110017/BC/az/cm/D6 24次交易的交易对价，并就此另行签署补充协议。

(3)发行股份的种类、面值及上市地点本次发行股份购买资产中所发行股份的种类为境内上市人民币

普通股（A股），该等股票无面值，上市地点为上海证券交易所。

(4)发行对象

本次发行股份购买资产的发行对象为华虹集团、上海集成电路基

金、大基金二期、国投先导基金。

(5)发行股份的定价方式和价格本次发行股份购买资产的定价基准日为华虹半导体审议本次交

易的首次董事会决议公告之日。根据《重组办法》相关规定，华虹半导体发行股份的价格不得低于市场参考价的80%；市场参考

价为定价基准日前20个交易日、60个交易日或者120个交易日的公司股票交易均价之一。定价基准日前若干个交易日华虹半导体股票交易均价＝决议公告日前若干个交易日华虹半导体股票交

易总额/决议公告日前若干个交易日华虹半导体股票交易总量。

经交易各方友好协商，本次发行股份的发行价格为43.34元/股，不低于定价基准日前120个交易日华虹半导体股票均价的80%，符合《重组办法》的相关规定。

在定价基准日至发行日期间，华虹半导体如有派息、送股、资本公积转增股本、配股等除权、除息事项，本次发行价格将按照中

25SH3110017/BC/az/cm/D6 25国证监会和上交所的相关规则进行相应调整。

(6)发行数量

上市公司本次发行股份的数量将根据交易对价和发行价格确定，具体计算方式为：向各发行对象发行股份数量=向各发行对象购

买标的资产对应的交易对价/发行价格，发行股份总数量=向各交易对方发行股份的数量之和。依据该公式计算的发行股份数量精确至股，不足一股的部分由上市公司以现金补足。

根据标的资产的交易总对价及股份对价情况，本次发行股份的数量为190768392股，各交易对方在本次交易中将分别获得上市公司本次发行股份的数量如下：

获得股份的数量

交易对方股份对价（万元）

（股）

华虹集团538855.119569124332053

上海集成电路基金133318.64652130761109

大基金二期86922.76650120056014

国投先导基金67693.68273515619216

合计826790.215326190768392本次发行股份购买资产中的最终股份发行数量应以经上市公司

股东大会审议通过、上交所审核通过并经中国证监会予以注册的数量为准。

在定价基准日至发行日期间，华虹半导体如有派息、送股、资本公积金转增股本、配股等除权、除息事项，本次发行股份数量也

25SH3110017/BC/az/cm/D6 26随之进行调整。

(7)锁定期安排交易对方因本次发行股份购买资产取得的华虹半导体股份的锁

定期安排分别如下：

A. 华虹集团本次交易中以华力微股权认购取得的华虹半导体股份，自股份发行结束之日起36个月内不得进行转让。本次交易完成后6个月内如华虹半导体股票连续20个交易日

的收盘价低于发行价，或者本次交易完成后6个月期末收盘价低于发行价，则华虹集团通过本次交易取得的前述华虹半导体股份将在上述锁定期基础上自动延长6个月。

B. 上海集成电路基金本次交易中以华力微股权认购取得的华

虹半导体股份，自股份发行结束之日起12个月内不得进行转让。如果上海集成电路基金符合《重组办法》第四十七

条第三款第（一）项规定，则其本次交易中以华力微股权

认购取得的华虹半导体股份，自股份发行结束之日起6个月内不得进行转让。

C. 大基金二期、国投先导基金本次交易中以华力微股权认购

取得的华虹半导体股份，自股份发行结束之日起12个月内不得进行转让；如其取得前述华虹半导体股份时，对于用于认购华虹半导体股份的华力微股权权益持续拥有权益的

时间不足12个月，则该等华力微股权对应的在本次交易中相应取得的华虹半导体股份自股份发行结束之日起36个月内不得进行转让。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 27股份锁定期内，交易对方通过本次交易所取得的新增股份及因华

虹半导体送股、转增股本等原因增加的部分，亦应遵守上述股份限售安排。

若上述限售期安排与届时有效的法律、法规、部门规章及规范性

文件的规定不相符或与证券监管机构的最新监管意见不相符，将根据相关规定或监管意见相应调整。

(8)减值补偿安排

根据《资产评估报告》，本次交易标的公司华力微系采用市场法确定最终评估价值，上市公司将与减值补偿主体华虹集团签署《减值补偿协议》，就本次交易涉及的减值测试资产、减值测试期间及补偿方法、减值补偿的执行等事宜进行约定。

(9)过渡期损益安排

本次交易以市场法作为主要评估方法，未以基于未来收益预期的估值方法作为主要评估方法，本次交易过渡期（自评估基准日（不含当日）起至交割日（含当日）止）期间，标的资产的盈利、亏损由上市公司享有或承担。

(10)滚存未分配利润安排华虹半导体在本次发行股份购买资产完成前的滚存未分配利润由本次发行股份购买资产完成后华虹半导体的新老股东共同享有。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 282. 募集配套资金

本次交易中，华虹半导体拟向不超过35名符合条件的特定对象发行股份募集配套资金755628.60万元。

(1)发行股份的种类、面值及上市地点本次募集配套资金中所发行股份种类为境内上市人民币普通股

（A股），该等股票无面值，上市地点为上交所。

(2)发行方式及发行对象

本次募集配套资金的发行方式为向特定对象发行，发行对象为符合中国证监会规定条件的合计不超过35名（含35名）的特定投资者。

最终发行对象将由华虹半导体股东大会授权董事会及其授权人

士在取得中国证监会注册同意文件后，与本次交易的主承销商根据有关法律、法规及其他规范性文件的规定及投资者申购报价情况确定。

(3)发行股份的定价方式和价格

本次募集配套资金的定价基准日为发行期首日，发行价格不低于定价基准日前20个交易日华虹半导体股票交易均价的80%。最终发行价格将在本次交易经上交所审核通过并经中国证监会注册后，按照相关法律、法规的规定和监管部门的要求，由董事会及

25SH3110017/BC/az/cm/D6 29董事会授权人士根据股东大会的授权与本次交易的主承销商根

据竞价结果协商确定。

在本次募集配套资金定价基准日至股份发行日期间，华虹半导体如有派息、送股、资本公积金转增股本等除权、除息事项，则上述发行价格将根据中国证监会及上交所的相关规则进行相应调整。

(4)发行规模及发行数量

本次募集配套资金总额不超过755628.60万元，不超过本次发行股份购买资产交易价格的100%。本次募集配套资金项下发行股份数量=募集配套资金总额÷发行价格，且不超过本次发行股份购买资产后上市公司总股本的30%。按照前述公式计算后所得股份数不为整数时，则对于不足一股的余股按照向下取整的原则处理。

最终发行规模及发行数量将在本次交易经上交所审核通过并经

中国证监会注册后，按照《发行办法》等的相关规定最终确定。

在本次募集配套资金定价基准日至发行日期间，华虹半导体如有派息、送股、资本公积转增股本、配股等除权、除息事项，本次股份发行价格需进行调整的，本次发行股份数量也随之进行调整。

(5)股份锁定期

本次募集配套资金的认购方所认购的华虹半导体股份，自该等股份发行结束之日起6个月内不得转让。上述锁定期内，募集配套资金认购方由于华虹半导体送股、转增股本等原因增持的华虹半

导体股份，亦应遵守上述承诺。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 30如前述锁定期与证券监管机构的最新监管要求不相符，募集配套

资金认购方将根据监管机构的最新监管意见进行相应调整。

(6)募集配套资金用途

本次募集配套资金拟用于华力微技术升级改造项目、特色工艺研

发及产业化项目、补充流动资金、偿还债务及支付中介机构费用，其中，用于补充流动资金及偿还债务的比例不超过本次交易作价的25%或募集配套资金总额的50%。具体用途如下：

拟投入募集资金金额占募集配套项目名称（万元）资金比例华力微技术升级改造

329476.0043.60%

项目华力微特色工艺研发

56152.607.43%

及产业化项目

补充流动资金、偿还债

务及支付中介机构费370000.0048.97%用

合计755628.60100.00%

如果本次募集配套资金出现未能实施或未能足额募集的情形，资金缺口将由上市公司自筹解决。在本次募集配套资金到位之前，华虹半导体若根据实际情况自筹资金先行支出，在募集配套资金到位后，将使用募集配套资金置换已支出的自筹资金。

(7)滚存未分配利润安排

25SH3110017/BC/az/cm/D6 31华虹半导体在本次发行完成前的滚存未分配利润由本次发行完

成后华虹半导体的新老股东共同享有。

基于上述核查，本所律师认为，本次交易方案符合法律、法规以及规范性文件的规定，方案内容不存在侵害华虹半导体及其股东合法利益的情形。

(二)本次交易涉及之相关协议

1.《购买资产协议》及其补充协议

经本所律师核查，华虹半导体与华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金等4名资产出售方于2025年8月29日签署了

附生效条件的《购买资产协议》，对本次发行股份购买资产事项进行了具体约定，主要包括标的资产内容、发行方式及发行股票的种类和面值、发行价格、锁定期、协议生效、资产交割、保证及承诺、违约

责任、税费分担、协议的终止及解除、通知、保密、不可抗力、法律

适用及争议解决、其它等条款。

经本所律师核查，华虹半导体与华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金等4名资产出售方于2025年12月31日签署了

附生效条件的《购买资产协议之补充协议》，就标的资产的交易对价及对价支付、过渡期损益安排予以约定。

2.《减值补偿协议》

经本所律师核查，华虹半导体与华虹集团于2025年12月31日签署了附生效条件的《减值补偿协议》，对华虹半导体拟通过发行股份的方

25SH3110017/BC/az/cm/D6 32式购买标的资产有关减值测试及减值补偿事项进行了具体约定，主要

包括减值测试资产、减值测试期间及补偿方法、减值补偿的执行、法

律适用及争议解决、违约责任、协议的生效、变更及终止、其它等条款。

经本所律师对前述协议条款和条件的核查，该等协议不存在违反法律以及行政法规强制性规定的情形，待其各自约定之生效条件获得满足后即成为对协议当事人具有约束力的法律文件。

(三)本次交易不构成重大资产重组

经本所律师核查，根据本次交易作价情况、《审计报告》及安永华明会计师事务所（特殊普通合伙）出具的安永华明（2026）审字第 70013197_B01

号《审计报告》，并依据《重组办法》第十二条的规定，根据华力微2025年度经审计的财务数据与华虹半导体2025年度经审计的财务数据，标的公司相关财务指标占比计算结果如下：

资产总额与交资产净额与交营业收入（万项目易金额孰高（万易金额孰高（万元）元）元）

标的公司826790.22826790.22510114.63

华虹半导体财务指标10012329.134516029.041729145.07

财务指标占比8.26%18.31%29.50%

根据上述测算，标的公司相关财务指标占华虹半导体同期经审计的合并财务报告对应财务指标的比例均未达到50%以上。据此，本所律师认为，本次交易不构成《重组办法》第十二条规定的重大资产重组。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 33(四) 本次交易不构成重组上市

经本所律师核查，并根据华虹半导体的确认，本次交易前三十六个月内，上市公司实际控制权未发生变更。本次交易前后，上市公司直接控股股东均为华虹国际，间接控股股东均为华虹集团，实际控制人均为上海市国资委。据此，本所律师认为，本次交易不构成《重组办法》第十三条规定的重组上市。

三.本次交易涉及之授权与批准

(一)本次交易已取得的批准与授权

1.华虹半导体为本次交易召开之董事会

经本所律师核查，华虹半导体2025年第六次董事会于2025年8月29日作出决议，同意《关于公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易符合相关法律法规的议案》《关于公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易方案的议案》《关于〈华虹半导体集团股份有限公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易预案〉及其摘要的议案》《关于签署附生效条件的<发行股份及支付现金购买资产协议>的议案》《关于本次交易构成关联交易的议案》《关于本次交易预计不构成重大资产重组且不构成重组上市的议案》《关于本次交易符合<上市公司重大资产重组管理办法>第十一条、第四十三条规定的议案》《关于本次交易符合<上市公司监管指引第9号——上市公司筹划和实施重大资产重组的监管要求>第四条规定的议案》《关于本次交易符合<上海证券交易所科创板股票上市规则>第11.2条、<科创板上市公司持续监管办法（试行）>第二十

条及<上海证券交易所上市公司重大资产重组审核规则>第八条规定的25SH3110017/BC/az/cm/D6 34议案》《关于本次交易相关主体不存在不得参与任何上市公司重大资产重组情形的议案》《关于本次交易信息公布前公司股票价格波动情况的议案》《关于本次交易符合〈上市公司证券发行注册管理办法〉第十一条规定的议案》《关于本次交易前12个月内购买、出售资产情况的议案》《关于本次交易采取的保密措施及保密制度的议案》《关于本次交易履行法定程序的完备性、合规性及提交法律文件有效性的议案》《关于提请股东大会授权董事会全权办理本次交易相关事宜的议案》《关于暂不召开股东大会审议本次交易相关事项的议案》等与本次交易相关的议案。华虹半导体独立董事已对本次交易相关事宜发表独立意见。

经本所律师核查，华虹半导体2025年第九次董事会于2025年12月31日作出决议，同意《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易符合相关法律法规的议案》《关于调整公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案且本次方案调整不构成重大调整的议案》《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案的议案》《关于〈华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）〉及其摘要的议案》《关于签署附生效条件的<发行股份购买资产协议之补充协议>的议案》《关于签署附生效条件的<减值补偿协议>的议案》《关于本次交易构成关联（连）交易的议案》《关于本次交易不构成重大资产重组且不构成重组上市的议案》《关于本次交易符合<上市公司重大资产重组管理办法>第十一条、第四十三条规定的议案》《关于本次交易符合<上市公司监管指引第9号——上市公司筹划和实施重大资产重组的监管要求>第四条规定的议案》《关于本次交易符合<上海证券交易所科创板股票上市规则>第11.2条、<科创板上市公司持续监管办法（试行）>第二十条及<上海证券交易所上市公司重大资产重组审核规则>第八条规定的议案》《关于本次交易相关主体不存在不得参与任何25SH3110017/BC/az/cm/D6 35上市公司重大资产重组情形的议案》《关于本次交易信息公布前公司股票价格波动情况的议案》《关于本次交易符合〈上市公司证券发行注册管理办法〉第十一条规定的议案》《关于本次交易前12个月内购买、出售资产情况的议案》《关于本次交易采取的保密措施及保密制度的议案》《关于本次交易履行法定程序的完备性、合规性及提交法律文件有效性的议案》《关于评估机构独立性、评估假设前提合理性、评估方法与评估目的的相关性以及评估定价公允性说明的议案》《关于批准本次交易相关审计报告、审阅报告和资产评估报告的议案》《关于本次交易定价的依据及公平合理性的议案》《关于本次交易摊薄即期回报影响的情况及采取填补回报措施的议案》《关于本次交易是否存在直接或间接有偿聘请其他第三方机构或个人的议案》《关于提请股东大会批准上海华虹（集团）有限公司申请清洗豁免的议案》《关于提请提请股东大会批准特别交易的议案》《关于提请股东大会授权董事会全权办理本次交易相关事宜的议案》《关于提请召开股东大会的议案》等与本次交易相关的议案。华虹半导体独立董事已对本次交易相关事宜发表独立意见。

经本所律师核查，华虹半导体2026年第三次董事会于2026年3月30日作出决议，同意《关于批准本次交易相关的加期审计报告、备考审阅报告的议案》《关于<华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）>及其摘要的议案》等与本次交易相关的议案。华虹半导体独立董事已对本次交易相关事宜发表独立意见。

2.华虹半导体为本次交易召开之股东大会

经本所律师核查，华虹半导体于2026年2月10日召开2026年第一次临时股东大会，审议通过了《关于公司发行股份购买资产并募集配套25SH3110017/BC/az/cm/D6 36资金暨关联（连）交易符合相关法律法规的议案》《关于调整公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案且本次方案调整不构成重大调整的议案》《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案的议案》《关于〈华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）〉及其摘要的议案》《关于签署附生效条件的<发行股份及支付现金购买资产协议>的议案》《关于签署附生效条件的<发行股份购买资产协议之补充协议>的议案》《关于签署附生效条件的<减值补偿协议>的议案》《关于本次交易构成关联（连）交易的议案》《关于本次交易不构成重大资产重组且不构成重组上市的议案》《关于本次交易符合<上市公司重大资产重组管理办法>第十一条、第四十三条规定的议案》《关于本次交易符合<上市公司监管指引第9号——上市公司筹划和实施重大资产重组的监管要求>第四条规定的议案》《关于本次交易符合<上海证券交易所科创板股票上市规则>第11.2条、<科创板上市公司持续监管办法（试行）>第二十条及<上海证券交易所上市公司重大资产重组审核规则>第八条规定的议案》《关于本次交易相关主体不存在不得参与任何上市公司重大资产重组情形的议案》《关于本次交易信息公布前公司股票价格波动情况的议案》《关于本次交易符合〈上市公司证券发行注册管理办法〉第十一条规定的议案》《关于本次交易前12个月内购买、出售资产情况的议案》《关于本次交易采取的保密措施及保密制度的议案》《关于本次交易履行法定程序的完备性、合规性及提交法律文件有效性的议案》《关于评估机构独立性、评估假设前提合理性、评估方法与评估目的的相关性以及评估定价公允性说明的议案》

《关于批准本次交易相关审计报告、审阅报告和资产评估报告的议案》

《关于本次交易定价的依据及公平合理性的议案》《关于本次交易摊薄即期回报影响的情况及采取填补回报措施的议案》《关于本次交易是否存在直接或间接有偿聘请其他第三方机构或个人的议案》《关于提请提请股东大会批准特别交易的议案》《关于提请股东大会授权董25SH3110017/BC/az/cm/D6 37事会全权办理本次交易相关事宜的议案》《关于提请股东大会批准上海华虹（集团）有限公司申请清洗豁免的议案》等与本次交易相关的议案。

3.经本所律师核查，根据交易对方提供的文件资料，本次交易的交易对

方已取得其内部有权决策机构现阶段应当履行的关于参与本次交易的批准和授权。

4.经本所律师核查，上海市国资委已于2026年1月12日出具了《上海市国有资产评估项目备案表》，对本次交易中标的公司华力微的评估值予以备案。

5.经本所律师核查，上海市国资委已于2026年2月7日出具沪国资委产权[2026]31号《市国资委关于华虹半导体有限公司资产重组有关事项的批复》，原则同意本次交易方案。

6.经本所律师核查，并根据《香港法律审阅报告》，本次交易已获得香港

证券及期货事务监察委员会就本次交易向华虹集团授出的清洗豁免及就特别交易事宜给予的同意。

(二)本次交易尚须取得的批准与授权

经本所律师核查，并根据《香港法律审阅报告》，截至本法律意见书出具之日，本次交易尚需取得的批准与授权如下：

1.就本次交易取得上交所审核通过并经中国证监会同意注册；

2.相关法律法规所要求的其他必要的批准、核准、备案或许可（如适用）。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 38(三) 基于上述核查，并根据《香港法律审阅报告》，本所律师认为，截至本法

律意见书出具之日，除尚须取得的上述批准与授权外，本次交易已依其进行阶段取得了法律、法规以及规范性文件所要求的相关批准及授权。

四.本次交易涉及之标的资产

经本所律师核查，本次交易的标的资产为华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金合计持有的华力微97.4988%股权，其具体情况如下：

(一)华力微的基本情况

经本所律师核查，根据上海市市场监督管理局核发之《营业执照》及本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询，华力微的基本情况如下：

企业名称上海华力微电子有限公司统一社会信用代码913100005500570876法定代表人秦健

住所中国（上海）自由贸易试验区高斯路568号

注册资本203619.2198万元公司类型有限责任公司成立日期2010年1月18日

开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产

经营范围品，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】经本所律师核查，根据华力微提供之公司章程、本所律师于国家企业信用

25SH3110017/BC/az/cm/D6 39信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）的查询并经华力微确认，华

力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）

1.华虹集团129388.277164129388.27716463.5443

上海集成电路

2.32012.07404532012.07404515.7215

基金

3.大基金二期20871.63431420871.63431410.2503

4.国投先导基金16254.40432116254.4043217.9827

5.上海华虹宏力5092.8299625092.8299622.5012

合计203619.219806203619.219806100.0000

(二)华力微的设立及股本沿革

1.2010年1月设立

华力微系由上海联和投资有限公司、华虹集团、华虹 NEC 及上海宏力

半导体制造有限公司共同出资于2010年1月18日设立，设立时的注册资本为660000万元，其中，上海联和投资有限公司出资450000万元，持有华力微68.1817%的股权；华虹集团出资70000万元，持有华力微 10.6061%的股权；华虹 NEC 出资 70000 万元，持有华力微

10.6061%的股权；上海宏力半导体制造有限公司出资70000万元，持

有华力微10.6061%的股权。

根据中瑞岳华会计师事务所有限公司于2010年1月13日出具的中瑞

岳华沪验字[2010]第004号《验资报告》，截至2010年1月13日，华力微已收到上海联和投资有限公司以货币缴纳的首期注册资本

25SH3110017/BC/az/cm/D6 40200000 万元。

2010年1月18日，华力微取得上海市工商行政管理局核发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

华力微设立时的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有限

1.45000020000068.18

公司

2.华虹集团70000010.61

3. 华虹 NEC 70000 0 10.61

上海宏力半导体制

4.70000010.61

造有限公司

合计660000200000100.00

2.2010年4月实收资本变更

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2010年4月15日出

具的沪立信佳诚验字（2010）第1010号《验资报告》，截至2010年

4月13日，华力微已收到上海宏力半导体制造有限公司以货币缴纳的

第二期注册资本35000万元。

2010年4月29日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 41认缴出资额 实缴出资额 股权比例

序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.45000020000068.18

限公司

2.华虹集团70000010.61

3. 华虹 NEC 70000 0 10.61

上海宏力半导体

4.700003500010.61

制造有限公司

合计660000235000100.00

3.2010年10月实收资本变更

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2010年10月8日出

具的沪立信佳诚验字（2010）第1035号《验资报告》，截至2010年

9月30日，华力微已收到上海联和投资有限公司以货币缴纳的第三期

注册资本100000万元。

2010年10月13日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.45000030000068.18

限公司

25SH3110017/BC/az/cm/D6 422. 华虹集团 70000 0 10.61

3. 华虹 NEC 70000 0 10.61

上海宏力半导体

4.700003500010.61

制造有限公司

合计660000335000100.00

4.2010年12月第一次增资

2010年11月20日，华力微股东会作出决议，同意华力微注册资本由

660000万元增至790000万元，新增注册资本130000万元由上海

联和投资有限公司以130000万元的价格认缴。

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2010年11月26日出

具的沪立信佳诚验字（2010）第1039号《验资报告》，截至2010年

11月25日，华力微已收到上海联和投资有限公司以货币缴纳的第四

期注册资本58083万元。

2010年12月1日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次增资完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000035808373.42

限公司

2.华虹集团7000008.86

25SH3110017/BC/az/cm/D6 433. 华虹 NEC 70000 0 8.86

上海宏力半导体

4.70000350008.86

制造有限公司

合计790000393083100.00

5.2011年4月实收资本变更

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2011年4月28日出

具的沪立信佳诚验字（2011）第1011号《验资报告》，截至2011年

4月28日，华力微已收到上海联和投资有限公司以货币缴纳的第五期

注册资本127550万元。

2011年4月28日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000048563373.42

限公司

2.华虹集团7000008.86

3. 华虹 NEC 70000 0 8.86

上海宏力半导体

4.70000350008.86

制造有限公司

合计790000520633100.00

6.2011年8月实收资本变更

25SH3110017/BC/az/cm/D6 44根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2011年 8月2日出具

的沪立信佳诚验字（2011）第1020号《验资报告》，截至2011年8月2日，华力微已收到上海联和投资有限公司以货币缴纳的第六期注册资本71917万元。

2011年8月5日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号为

310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000055755073.42

限公司

2.华虹集团7000008.86

3. 华虹 NEC 70000 0 8.86

上海宏力半导体

4.70000350008.86

制造有限公司

合计790000592550100.00

7.2011年11月实收资本变更

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2011年11月14日出

具的沪立信佳诚验字（2011）第1030号《验资报告》，截至2011年

11月14日，华力微已收到上海联和投资有限公司以货币缴纳的第七

期注册资本22450万元。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 452011 年 11 月 18 日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000058000073.42

限公司

2.华虹集团7000008.86

3. 华虹 NEC 70000 0 8.86

上海宏力半导体

4.70000350008.86

制造有限公司

合计790000615000100.00

8.2012年1月实收资本变更

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2012年1月16日出

具的沪立信佳诚验字（2012）第1002号《验资报告》，截至2012年

1 月 16 日，华力微已收到华虹集团和华虹 NEC 以货币缴纳的第八期注

册资本140000万元。

2012年1月17日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 46认缴出资额 实缴出资额 股权比例

序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000058000073.42

限公司

2.华虹集团70000700008.86

3. 华虹 NEC 70000 70000 8.86

上海宏力半导体

4.70000350008.86

制造有限公司

合计790000755000100.00

9.2014年2月实收资本变更

根据上海立信佳诚东审会计师事务所有限公司于2014年2月14日出

具的沪立信佳诚验字（2014）第1001号《验资报告》，截至2014年

2月13日，华力微已收到上海宏力半导体制造有限公司以货币缴纳的

第九期注册资本35000万元。

2014年2月19日，华力微取得上海市工商行政管理局换发的注册号

为310000000098113的《企业法人营业执照》。

本次实收资本变更完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000058000073.42

限公司

2.华虹集团70000700008.86

25SH3110017/BC/az/cm/D6 473. 华虹 NEC 70000 70000 8.86

上海宏力半导体

4.70000700008.86

制造有限公司

合计790000790000100.00

10.2016年4月股东变更

根据华虹 NEC 与上海宏力半导体制造有限公司于 2012 年 4 月 23 日签订的《上海华虹 NEC 电子有限公司与上海宏力半导体制造有限公司合并协议》，双方以新设合并方式设立公司，名称为“上海华虹宏力半导体制造有限公司”，合并后，华虹 NEC 与上海宏力半导体制造有限公司解散，其债权、债务全部由上海华虹宏力承继。据此，华虹 NEC及上海宏力半导体制造有限公司持有的华力微股权均变更为由合并后的上海华虹宏力持有。

2016年4月7日，华力微取得中国（上海）自由贸易试验区市场监督管理局核发的统一社会信用代码为913100005500570876的《营业执照》。

本次股东变更完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.58000058000073.42

限公司

2.上海华虹宏力14000014000017.72

3.华虹集团70000700008.86

25SH3110017/BC/az/cm/D6 48合计 790000 790000 100.00

11.2016年12月第二次增资2016年11月18日，华力微股东会作出《关于同意上海华力微电子有限公司增资的决议》，同意华力微注册资本由790000万元增至

2190000万元，其中上海联和投资有限公司以520000万元的价格

认缴新增注册资本520000万元，上海集成电路基金以880000万元的价格认缴新增注册资本880000万元。

2016年12月14日，华力微取得中国（上海）自由贸易试验区市场监督管理局核发的统一社会信用代码为913100005500570876的《营业执照》。

本次增资完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）上海联和投资有

1.1100000110000050.23

限公司

2.上海集成电路基金88000088000040.18

3.上海华虹宏力1400001400006.39

4.华虹集团70000700003.20

合计21900002190000100.00

12.2019年12月第一次股权转让及第三次增资2019年12月13日，华力微股东会作出《关于上海华力微电子有限公

25SH3110017/BC/az/cm/D6 49司股权变更和增资的决议》，同意上海联和投资有限公司将其所持有

的华力微50.2283%股权（对应注册资本1100000万元）以1148510万元的价格转让给华虹集团；同意华力微注册资本由2190000万元

增至2207239.727995万元，新增17239.727995万元注册资本由华虹集团以18000万元的价格进行认缴。

2019年12月25日，华力微取得中国（上海）自由贸易试验区市场监督管理局核发的统一社会信用代码为913100005500570876的《营业执照》。

本次股权转让及增资完成后，华力微的股权结构如下：

认缴出资额实缴出资额股权比例序号股东名称（万元）（万元）（%）

1187239.1187239.

1.华虹集团53.79

727995727995

2.上海集成电路基金88000088000039.87

3.上海华虹宏力1400001400006.34

2207239.2207239.

合计100.00

727995727995

13.2023年11月第四次增资

2023年11月18日，华力微股东会作出决议，同意华力微增资，增资

方为华虹集团及大基金二期。

2023年11月28日，华力微取得中国（上海）自由贸易试验区市场监督管理局核发的统一社会信用代码为913100005500570876的《营业执

25SH3110017/BC/az/cm/D6 50照》。

本次增资完成后，华力微的股权结构如下：

序号股东名称股权比例（%）

1.华虹集团53.85

2.上海集成电路基金30.98

3.大基金二期10.24

4.上海华虹宏力4.93

合计100.00

14.2025年4月第五次增资

2025年3月28日，华力微股东会作出决议，同意华力微增资，增资

方为华虹集团、国投先导基金及大基金二期。

2025年4月30日，华力微取得上海市市场监督管理局换发的统一社

会信用代码为913100005500570876的《营业执照》。

本次增资完成后，华力微的股权结构如下：

序号股东名称股权比例（%）

1.华虹集团63.54

2.上海集成电路基金15.72

3.大基金二期10.25

4.国投先导基金7.98

5.上海华虹宏力2.50

25SH3110017/BC/az/cm/D6 51合计 100.00

15.2025年8月分立

2025年6月26日，华力微股东会作出《关于公司分立的决议》，同

意华力微进行分立，分立基准日为2024年11月30日，分立后华力微继续存续，同时将华力微的长期股权投资及相应的业务、资产、债权债务、人员及其他约定权利义务依法分出给新设公司；分立后，华力微的注册资本为203619.219806万元，分立后的各公司股东持股比例与分立前保持一致，分立前的债务由分立后的华力微及新设公司承担连带责任。前述分立决议作出后，华力微于报纸发布了关于华力微分立事宜的公告，并向相关债权人发出了《债权人通知书》。

2025年8月21日，华力微取得上海市市场监督管理局换发的统一社

会信用代码为913100005500570876的《营业执照》。

本次分立完成后，华力微的股权结构如下：

序认缴出资额实缴出资额股权比例股东名称号（万元）（万元）（%）

1.华虹集团129388.277164129388.27716463.54

上海集成电

2.32012.07404532012.07404515.72

路基金大基金

3.20871.63431420871.63431410.25

二期国投先导

4.16254.40432116254.4043217.98

基金

25SH3110017/BC/az/cm/D6 52上海华虹

5.5092.8299625092.8299622.50

宏力

合计203619.219806203619.219806100.00

(三)标的资产权利负担情况

经本所律师核查，根据华力微提供的市场监督管理部门登记档案等文件资料、本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）

的查询以及华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金等

4名资产出售方出具的承诺，资产出售方各自持有的华力微的股权不存在纠纷，未设置有质押等担保权利，也未遭受查封、冻结或其他权利限制。

基于上述核查，本所律师认为，华虹集团、上海集成电路基金、大基金二期、国投先导基金等4名资产出售方各自合法持有华力微的相应股权，标的资产产权清晰，不存在涉及重大纠纷的情况。

(四)华力微的主要资产

经本所律师核查，并根据华力微的确认，截至2025年12月31日，华力微主要资产的具体情况如下：

1.主要租赁物业

经本所律师核查，并根据华力微的确认，截至2025年12月31日，华力微承租的主要经营性租赁物业情况如下：

25SH3110017/BC/az/cm/D6 53序

出租方租赁地址租赁面积租赁期限用途号

2010年3月

91563.111日至2030

1.

平方米年2月28日厂房

上海市浦东新区化学品仓库、自验收合格上海华

2.张江高科技园区动力厂房和生交付之日起

虹宏力

13街坊2丘厂房产厂房20年

2021年6月

1日至2026

3.192平方米厂房

年12月31日

基于上述核查，本所律师认为，华力微以租赁方式使用上述房屋不违反法律、行政法规的强制性规定。

2.主要专利

(1)主要境内已授权专利

经本所律师核查，根据华力微提供的专利证书等文件资料、本所律师于国家知识产权局网站的公开查询并经华力微确认，截至

2025年12月31日，华力微拥有的分立后拟保留在其名下的主要境

内已授权专利共计1933项，具体情况详见本法律意见书附件一表

1。

基于上述核查，本所律师认为，华力微系自行申请取得上述专利

25SH3110017/BC/az/cm/D6 54权，华力微已取得的上述专利权不存在产权纠纷或潜在产权纠纷。

(2)主要境外已授权专利

经本所律师核查，根据华力微提供的专利证书等文件资料、上海浦一知识产权代理有限公司出具的《关于上海华力微电子有限公司境外专利的说明》，截至2025年12月31日，华力微拥有的分立后拟保留在其名下的主要境外已授权专利共计148项，具体情况详见本法律意见书附件一表2。

经本所律师核查，根据上海浦一知识产权代理有限公司出具的《关于上海华力微电子有限公司境外专利的说明》并经华力微确认，华力微依法有效拥有上述专利的权利，并均已按照注册地法律法规的规定依法缴纳了相关费用，该等专利处于合法有效的状态；该等专利权属清晰，不存在争议或纠纷，或潜在争议或纠纷，或抵押、质押等权利瑕疵或限制的情形。

3.主要集成电路布图设计专有权

经本所律师核查，根据华力微提供的文件资料并经华力微确认，截至

2025年12月31日，华力微拥有的主要集成电路布图设计专有权共10项，具体情况详见本法律意见书附件一表3。

基于上述核查，本所律师认为，华力微系自行申请取得上述集成电路布图设计专有权，华力微已取得的上述集成电路布图设计专有权不存在产权纠纷或潜在产权纠纷。

4. 主要 IP 授权

25SH3110017/BC/az/cm/D6 55经本所律师核查，根据华力微提供的文件资料并经华力微确认，华力

微通过与第三方 IP 供应商的合作，为客户提供不同种类的标准单元库、存储器编译器和其他 IP 类型。截至 2025 年 12 月 31 日，华力微获得的 IP 授权主要类型包括标准单元库、可编程存储类 IP、嵌入式

非易失性存储 IP 及模拟、接口 IP 等。

(五)华力微的业务开展及业务许可经本所律师核查，华力微的经营范围为“开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产品，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】”。根据华力微的确认，华力微的主营业务为集成电路晶圆代工业务。

经本所律师核查，并根据华力微的确认，截至2025年12月31日，华力微拥有的主要资质及许可如下：

1.华力微已办理进出口货物收发货人备案，所在地海关为浦东海关，海

关备案编码为3122211409，备案日期为2010年3月5日。

2.华力微持有上海市浦东新区生态环境局于2022年12月9日核发的《排污许可证》，证书编号为913100005500570876001V，行业类别为集成电路制造、锅炉，有效期限自2022年12月9日至2027年12月8日。

(六)华力微的税务情况

1.税种、税率及税收优惠情况

25SH3110017/BC/az/cm/D6 56经本所律师核查，根据大华会计师出具的《审计报告》以及华力微的确认，华力微目前适用的主要税种、税率情况如下：

公司名称主要税种税率

企业所得税0%（注1）

华力微13、9、6、3、0%增值税（注2）注1：根据国务院颁布的《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发[2020]8号）和财政部、税务总局、发展改革委及工业和信息化部颁布的《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》（财政部税务总局发展改革委工业和信息化部公告[2020]45号）的相关规定，华力微为集成电路线宽小于65纳米（含），且经营期在15年以上的集成电路生产企业，按照税法相关规定可以自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。截至2025年12月31日止，华力微进入税务获利年度第一年。

注2：根据《财政部税务总局关于集成电路企业增值税加计抵减政策的通知》（财税〔2023〕17号），自2023年1月1日至2027年12月31日，允许集成电路设计、生产、封测、装备、材料企业，按照当期可抵扣进项税额加计15%抵减应纳增值税税额。据此，华力微适用上述增值税加计抵减政策。

2.税务合规情况

经本所律师核查，根据上海市公共信用信息服务中心于2026年3月

17日出具的《专用信用报告（替代有无违法记录证明专用版）》，就华力微，在2021年2月25日（含）至2026年2月25日（含）的查

25SH3110017/BC/az/cm/D6 57询时间范围内，在税务领域“未查见信息主体的违法记录信息”。

(七)华力微的合规经营情况

经本所律师核查，根据上海市公共信用信息服务中心于2026年3月17日出具的《专用信用报告（替代有无违法记录证明专用版）》，就华力微，在2021年2月25日（含）至2026年2月25日（含）的查询时间范围内，在发展改革、商务、生态环境、安全生产、消防、市场监管、税务、人力

资源社会保障、公积金管理等领域“未查见信息主体的违法记录信息”。

(八)华力微的重大诉讼、仲裁或行政处罚情况

经本所律师核查，根据华力微提供的相关文件资料、本所律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）、中国裁判文书网（ https://wenshu.court.gov.cn ） 、 中 国 执 行 信 息 公 开 网（ https://zxgk.court.gov.cn ） 、 信 用 中 国 网 站（https://www.creditchina.gov.cn）等公开网络信息的查询并经华力微确认，截至2025年12月31日，华力微不存在尚未了结的对其资产状况、财务状况产生重大不利影响的重大诉讼、仲裁、行政处罚案件。

五.本次交易涉及的债权债务和员工安置的处理

经本所律师核查，根据本次交易方案，本次交易实施完毕后，华力微涉及之原有债权债务将仍由华力微自行承担，不涉及债权、债务的转让。本次交易实施完毕后，华虹半导体将成为华力微的控股股东，并以其在华力微认缴的出资额为限对华力微承担责任。

经本所律师核查，本次交易实施完毕后，华力微的独立法人主体地位未发生变化，

25SH3110017/BC/az/cm/D6 58其应继续依法履行其与员工的劳动合同。

六.本次交易的信息披露

(一)经本所律师核查，截至本法律意见书出具之日，华虹半导体就本次交易履

行信息披露义务的具体情况如下：

1.2025年8月18日，华虹半导体发布《华虹半导体有限公司关于筹划发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项的停牌公告》（公告编号：2025-019），华虹半导体A股股票自2025年8月18日开市起停牌。

2.2025年8月25日，华虹半导体发布《华虹半导体有限公司关于筹划发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项的停牌进展公告》（公告编号：2025-020）。

3.2025年8月29日，华虹半导体2025年第六次董事会作出决议，同意《关于公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易符合相关法律法规的议案》《关于公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易方案的议案》等与本次交易相关的议案，并于2025年9月1日发布《华虹半导体有限公司关于披露重组预案的一般风险提示暨公司股票复牌的公告》（公告编号：2025-025），华虹半导体股票自2025年9月1日开市起复牌。

4.2025年9月30日、2025年10月31日、2025年11月29日、2025年12月29日，华虹半导体分别发布了关于本次交易事项的进展公告。

5.2025年12月31日，华虹半导体2025年第九次董事会作出决议，同意《关

25SH3110017/BC/az/cm/D6 59于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易符合相关法律法规的议案》《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案的议案》等与本次交易相关的议案；2026年1月22日，华虹半导体发出了关于本次交易的股东大会通知。

6.2026年2月10日，华虹半导体公告了关于发行股份购买资产并募集配套

资金暨关联交易相关主体买卖股票情况的自查报告。同日，华虹半导体召开2026年第一次临时股东大会，审议通过了《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易符合相关法律法规的议案》《关于调整公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案且本次方案调整不构成重大调整的议案》《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联（连）交易方案的议案》《关于〈华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）〉及其摘要的议案》等与本次交易相关的议案。

7.2026年3月30日，华虹半导体2026年第三次董事会作出决议，同意《关于批准本次交易相关的加期审计报告、备考审阅报告的议案》《关于<华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）>及其摘要的议案》等与本次交易相关的议案。

(二)基于上述核查，本所律师认为，截至本法律意见书出具之日，华虹半导体

就本次交易已根据相关法律、法规以及规范性文件的规定，履行了必要的信息披露义务，不存在应当披露而未披露的合同、协议、安排或其他事项；

华虹半导体尚须根据本次交易进展情况，按照《重组办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规以及规范性文件的规定履行相关信息披露义务。

七.本次交易的相关实质性条件

25SH3110017/BC/az/cm/D6 60(一) 本次交易符合《重组办法》规定的相关条件

1.经本所律师核查，本次交易符合国家产业政策和有关环境保护、土地

管理、反垄断、外商投资、对外投资等法律和行政法规的规定，符合《重组办法》第十一条第（一）项之规定，具体如下：

(1)经本所律师核查，根据华力微提供的相关文件资料及其确认，华力微主要从事集成电路晶圆代工业务。根据《产业结构调整指导

目录（2024年本）》，华力微所从事的业务不属于限制类、淘汰类行业，符合国家产业政策。

(2)经本所律师核查，本次交易的标的资产为华力微97.4988%的股权，根据上海市公共信用信息服务中心于2026年3月17日出具的《专用信用报告（替代有无违法记录证明专用版）》，报告期内华力微不存在因违反环境保护、土地管理相关法律法规而受到行政处罚的情形。

(3)经本所律师核查，本次交易中，参与集中的上市公司、标的公司

上一年度营业额已达到《国务院关于经营者集中申报标准的规定》所规定的申报经营者集中的营业额标准；但本次交易前华虹集团

直接持有标的公司63.5443%的股权，本次交易后标的公司将成为上市公司的全资子公司，由于华虹集团仍系上市公司的间接控股股东，华虹集团将通过上市公司间接控制标的公司因此本次交易未导致标的公司最终控制权发生变更。

本所律师已于2025年9月通过经营者集中反垄断业务系统提交25SH3110017/BC/az/cm/D6 61《华虹半导体有限公司收购上海华力微电子有限公司97.4988%股权经营者集中申报事宜商谈申请报告》，并提出本次交易是否触发经营者集中审查的商谈问题。上海市市场监督管理局（国家市场监督管理总局授权的华东地区行政监管单位）负责本次交易商谈申请的审查人员已在商谈过程中答复标的公司控制权未发

生变更的情形下，无需履行经营者集中申报程序。

(4)经本所律师核查，上市公司系注册于中国香港特别行政区的红筹企业，交易对方及标的公司均为内资企业；本次交易后，上市公司将直接持有标的公司97.4988%的股权。本次交易涉及外商投资事宜、不涉及对外投资，需就外商投资事宜履行外商投资信息报告程序，上市公司将根据有关规定及本次交易时间进度办理相关手续。

2.经本所律师核查，截至2025年12月31日，华虹半导体的股份总数为173761.4193万股。根据本次交易方案之发行股份上限计算（包括发行股份购买资产和募集配套资金），本次交易完成后，社会公众股股东持有的股份不低于华虹半导体股本总额的10%，华虹半导体仍然符合上市条件，符合《重组办法》第十一条第（二）项之规定。

3.经本所律师核查，本次交易购买的标的资产的最终交易价格以符合《证券法》规定的资产评估机构确认的评估结果为基础确定；华虹半导体

董事会和独立董事均已对评估机构的独立性、评估假设前提的合理性、评估方法与评估目的相关性和评估价值的公允性发表肯定性意见；本

次交易的交易各方已按照或将按照相关法律、法规以及规范性文件及内部管理制度的要求履行相应的内部授权与批准程序。本次发行股份购买资产的发行价格为43.34元/股，不低于定价基准日（即华虹半导

25SH3110017/BC/az/cm/D6 62体 2025 年第六次董事会会议决议公告日）前 120 个交易日华虹半导体

股票交易均价的80%。据此，本所律师认为，本次交易所涉及的资产定价公允，不存在损害华虹半导体和其股东合法权益的情形，符合《重组办法》第十一条第（三）项之规定。

4.经本所律师核查，根据交易对方和华力微提供的相关文件资料、本所

律师于国家企业信用信息公示系统（https://www.gsxt.gov.cn）、中

国裁判文书网（https://wenshu.court.gov.cn）等公开网络信息的查

询及资产出售方出具的相关承诺，华虹半导体本次交易购买的标的资产权属清晰，交易对方合法拥有标的资产的所有权，标的资产不存在被质押、查封、冻结等限制转让的情形，标的资产的过户和转移不存在法律障碍。

经本所律师核查，根据本次交易方案及相关协议，本次交易不涉及债权、债务的转移或处置，标的公司的债权债务仍将由其享有和承担。

基于上述核查，本所律师认为，本次交易涉及的资产权属清晰，资产过户或者转移不存在法律障碍，相关债权债务处理合法，本次交易符合《重组办法》第十一条第（四）项之规定。

5.经本所律师核查，根据《重组报告书》以及华虹半导体的确认，本次

交易有利于华虹半导体增强持续经营能力，不存在可能导致华虹半导体在本次交易后主要资产为现金或者无具体经营业务的情形。据此，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》第十一条第（五）项之规定。

6.经本所律师核查，根据《重组报告书》以及华虹半导体提供的相关文

25SH3110017/BC/az/cm/D6 63件资料及其确认，本次交易前，华虹半导体已经按照有关法律、法规

以及规范性文件的规定建立了法人治理结构和独立运营的公司管理体系，在业务、资产、财务、人员、机构等方面均独立于实际控制人及其关联人。本次交易完成后，华力微将成为华虹半导体的全资子公司，华虹半导体的业务、资产、财务、人员、机构等方面仍独立于其实际

控制人及其关联人。据此，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》

第十一条第（六）项之规定。

7.经本所律师核查，华虹半导体已经按照《证券法》《上市公司治理准则》

等法律、法规以及规范性文件的规定，设置了股东大会、董事会等组织机构，制定了相应的组织管理制度，组织机构健全。华虹半导体上述规范法人治理的措施不因本次交易而发生重大变化，本次交易完成后，华虹半导体仍将保持其健全有效的法人治理结构。据此，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》第十一条第（七）项之规定。

8.经本所律师核查，根据安永华明会计师事务所（特殊普通合伙）出具

的安永华明（2026）审字第 70013197_B01 号《审计报告》，华虹半导体不存在最近一年财务会计报告被出具保留意见、否定意见或者无法

表示意见的情形。据此，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》

第四十三条第一款第（一）项之规定。

9.经本所律师核查，根据华虹半导体及其董事、高级管理人员出具的承

诺、相关政府主管部门出具的证明以及本所律师于信用中国网站（ https://www.creditchina.gov.cn ）、 中 国 证 监 会 网 站（http://www.csrc.gov.cn）等公开网络信息的查询，华虹半导体及其现任董事、高级管理人员不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查

或涉嫌违法违规正被中国证监会立案调查的情形。据此，本所律师认

25SH3110017/BC/az/cm/D6 64为，本次交易符合《重组办法》第四十三条第一款第（二）项之规定。

10.经本所律师核查，根据《重组报告书》及华虹半导体的确认，本次交

易有利于提高华虹半导体的资产质量、增强华虹半导体的持续经营能力，不会导致华虹半导体财务状况发生重大不利变化，本次交易不会导致新增重大不利影响的同业竞争及严重影响独立性或者显失公平的关联交易。

经本所律师核查，根据本次交易的相关协议、资产出售方出具的相关承诺，华虹半导体本次交易购买的标的资产权属清晰，不存在尚未了结或可预见的诉讼、仲裁等纠纷或者妨碍权属转移的其他情况，标的资产的过户或者转移不存在内部决策障碍或实质性法律障碍；交易对

方合法持有标的资产，包括但不限于占有、使用、收益及处分权，不存在通过信托或委托持股方式代持标的资产的情形，标的资产未设置任何抵押、质押、留置等担保权和其他第三方权利，亦不存在被查封、冻结、托管等限制其转让的情形；交易对方对标的公司的出资不存在

未缴纳出资、虚报或抽逃注册资本的情形。据此，本所律师认为，本次交易购买的标的资产权属清晰，如相关法律程序和先决条件得到适当履行，资产出售方持有之华力微股权在约定期限内办理完毕权属转移手续不存在法律障碍。

据此，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》第四十四条之规定。

11.经本所律师核查，根据《重组报告书》以及本次交易方案，本次募集

配套资金总额不超过本次交易中发行股份购买资产交易价格的100%，且发行股份数量不超过本次交易中发行股份购买资产完成后上市公司

总股本的30%；本次募集配套资金拟用于华力微技术升级改造项目、

25SH3110017/BC/az/cm/D6 65华力微特色工艺研发及产业化项目、补充流动资金、偿还债务及支付中介机构费用。据此，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》第四十五条及《<上市公司重大资产重组管理办法>第十四条、第四十四条的适用意见——证券期货法律适用意见第12号》以及《监管规则适用指引——上市类第1号》之规定。

12.经本所律师核查，根据《重组报告书》、华虹半导体2025年第六次董

事会会议决议、2025年第九次董事会会议决议、2026年第一次临时股

东大会决议及2026年第三次董事会会议决议，华虹半导体本次发行股份购买资产的发行价格为43.34元/股，不低于定价基准日（即华虹半导体2025年第六次董事会会议决议公告日）前120个交易日华虹半导

体股票交易均价的80%。据此，本所律师认为，本次发行股份购买资产的发行价格符合《重组办法》第四十六条之规定。

13.经本所律师核查，根据《重组报告书》、华虹半导体2025年第六次董

事会会议决议、2025年第九次董事会会议决议、2026年第一次临时股

东大会决议、2026年第三次董事会会议决议以及交易对方出具的承诺函，交易对方已就在本次交易中以资产认购取得的上市公司股份的锁定期作出承诺（交易对方锁定期承诺的具体情况详见本法律意见书第

二（一）1（7）项）。据此，本所律师认为，本次交易中有关股份限售安排符合《重组办法》第四十七条、第四十八条第二款之规定。

(二)本次交易符合《发行办法》规定的相关条件

1.经本所律师核查，根据《重组报告书》、华虹半导体及其董事、高级

管理人员的出具的相关承诺并经华虹半导体确认，截至本法律意见书出具之日，华虹半导体不存在《发行办法》第十一条规定的不得向特

25SH3110017/BC/az/cm/D6 66定对象发行股票的如下情形：

(1)擅自改变前次募集资金用途未作纠正，或者未经股东大会认可；

(2)最近一年财务报表的编制和披露在重大方面不符合企业会计准则或者相关信息披露规则的规定；最近一年财务会计报告被出具否定意见或者无法表示意见的审计报告；最近一年财务会计报告

被出具保留意见的审计报告，且保留意见所涉及事项对上市公司的重大不利影响尚未消除。本次发行涉及重大资产重组的除外；

(3)现任董事和高级管理人员最近三年受到中国证监会行政处罚，或者最近一年受到证券交易所公开谴责；

(4)上市公司或者其现任董事和高级管理人员因涉嫌犯罪正在被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规正在被中国证监会立案调查；

(5)控股股东、实际控制人最近三年存在严重损害上市公司利益或者投资者合法权益的重大违法行为；

(6)最近三年存在严重损害投资者合法权益或者社会公共利益的重大违法行为。

2.经本所律师核查，根据《重组报告书》及本次交易方案，华虹半导体

本次募集配套资金拟用于华力微技术升级改造项目、华力微特色工艺

研发及产业化项目、补充流动资金、偿还债务及支付中介机构费用。

据此，本所律师认为，本次募集配套资金的用途符合《发行办法》第十二条之规定。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 673. 经本所律师核查，根据《重组报告书》及本次交易方案，本次募集配套资金的发行对象为符合中国证监会规定条件的合计不超过35名（含

35名）的特定投资者，最终发行对象将由华虹半导体股东大会授权董

事会在取得中国证监会注册同意文件后，与本次交易的主承销商根据有关法律、法规及其他规范性文件的规定及投资者申购报价情况确定。

据此，本所律师认为，本次募集配套资金的发行对象符合《发行办法》

第五十五条之规定。

4.经本所律师核查，根据《重组报告书》及本次交易方案，本次募集配

套资金的定价基准日为发行期首日，发行价格不低于定价基准日前20个交易日华虹半导体股票交易均价的80%，最终发行价格将在本次交易经上交所审核通过并经中国证监会注册后，按照相关法律、法规的规定和监管部门的要求，由董事会及董事会授权人士根据股东大会的授权与本次交易的主承销商根据竞价结果协商确定。据此，本所律师认为，本次募集配套资金的定价基准日、发行价格符合《发行办法》

第五十六条、第五十七条之规定。

5.经本所律师核查，根据《重组报告书》、本次交易方案，根据本次发行方案，本次发行的发行对象认购的股份，自本次发行结束之日起6个月内不得转让。据此，本所律师认为，本次募集配套资金的股份限售安排符合《发行办法》第五十九条之规定。

基于上述核查，本所律师认为，本次交易符合《重组办法》和《发行办法》规定的各项实质条件。

八.同业竞争与关联交易

25SH3110017/BC/az/cm/D6 68(一) 同业竞争

1.经本所律师核查，根据华虹半导体的年度报告等公开披露文件及其确认，华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

本次交易前，华虹半导体间接控股股东华虹集团控制的华力微与上市公司均从事 65/55nm、40nm 晶圆代工业务，双方的同类业务为相同工艺节点下的重合工艺平台的代工业务。上市公司和华力微的工艺技术存在一定的差异，但双方基于各自的工艺技术提供的代工服务不存在实质性差异，双方存在不构成重大不利影响的同业竞争。

2.经本所律师核查，根据本次交易方案、华虹集团出具的相关承诺及华

虹半导体的确认，本次交易完成后，华力微将成为华虹半导体的全资子公司，华虹集团及其控股子公司（华虹半导体及其控股子公司除外）所从事之业务与华虹半导体及其控股子公司从事之主营业务不存在构成重大不利影响的同业竞争。

3.关于避免同业竞争的措施

经本所律师核查，为充分保护华虹半导体及投资者的利益，华虹半导体的直接控股股东华虹国际、间接控股股东华虹集团出具了《关于避免同业竞争的承诺函》，承诺：

(1)截至承诺函签署之日，其及其控制的除华虹半导体及其控股子公

司外的其他企业（以下简称“控制的其他企业”），与华虹半导体及其控股子公司不存在构成重大不利影响的同业竞争。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 69(2) 本次交易完成后，其及其控制的其他企业与华虹半导体及其控股

子公司不存在构成重大不利影响的同业竞争，其及其控制的其他企业将采取有效措施避免新增与华虹半导体及其控股子公司构成重大不利影响的同业竞争的业务或活动。

(3)其如违反上述承诺的，愿意承担由此产生的全部责任，并及时足额赔偿给华虹半导体及其控股子公司造成的所有直接和间接损失。

(4)上述承诺在其作为华虹半导体控股股东/间接控股股东期间有效。

基于上述核查，本所律师认为，本次交易不会导致华虹半导体新增构成重大不利影响的同业竞争；同时，华虹国际及华虹集团已就避免与华虹半导体之间的同业竞争出具了有效承诺，有助于保护华虹半导体及其中小股东的利益。

(二)关联交易

1.本次交易构成关联交易

经本所律师核查，根据《重组报告书》及本次交易方案，本次发行股份购买资产的交易对方中，华虹集团系上市公司的间接控股股东，上海集成电路基金系上市公司董事曾担任董事的企业，根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》，本次交易构成关联交易。

2.标的公司报告期内关联交易情况

25SH3110017/BC/az/cm/D6 70经本所律师核查，根据大华会计师出具的《审计报告》以及华力微提

供的相关文件资料，报告期内，标的公司与其主要关联方之间发生的主要关联交易的具体情况详见本法律意见书附件二。

3.规范关联交易的措施

经本所律师核查，为减少和规范本次交易完成后的关联交易，维护华虹半导体及其中小股东的合法权益，华虹半导体的直接控股股东华虹国际、间接控股股东华虹集团出具了《关于规范关联交易的承诺》，承诺：

(1)本次交易完成后，其及其控制的其他企业将尽量避免与上市公司及其下属公司之间产生关联交易事项；对于不可避免发生的关联

业务往来或交易，将在平等、自愿的基础上，按照公平、公允和等价有偿的原则进行；

(2)其将严格遵守相关法律法规和上市公司章程等文件中关于关联

交易事项的回避规定，所涉及的关联交易均将按照规定的决策程序进行，并将履行合法程序、及时对关联交易事项进行信息披露；

不以任何形式非法占用上市公司的资金、资产，不要求上市公司违规向其提供任何形式担保，不利用关联交易转移、输送利润，损害上市公司及其他股东的合法权益。

(3)其违反上述承诺的，其愿意承担由此产生的全部责任，并及时足额赔偿给上市公司及其下属公司造成的所有直接和间接损失。

基于上述核查，本所律师认为，本次交易完成后，华力微将成为华虹半导

25SH3110017/BC/az/cm/D6 71体的全资子公司，华虹半导体因标的资产注入将新增部分关联交易，该等

关联交易是标的公司基于自身业务需求所作出的经营决策，未对其经营独立性产生重大不利影响。此外，华虹半导体的直接及间接控股股东已出具《关于规范关联交易的承诺》，该等承诺不存在违反法律、法规以及规范性文件规定的情形，有利于保障华虹半导体及其中小股东的利益。

九.本次交易涉及的证券服务机构及其资格

经本所律师核查，本次交易涉及的主要证券服务机构情况如下：

(一)独立财务顾问

经本所律师核查，本次交易的独立财务顾问为国泰海通，国泰海通持有中国证监会核发的《经营证券期货业务许可证》，具有为本次交易提供相关证券服务的执业资格。

(二)审计机构

经本所律师核查，本次交易针对标的资产的审计机构为大华会计师，大华会计师持有北京市财政局核发的《会计师事务所执业证书》，并办理了从事证券服务业务会计师事务所备案，具有为本次交易提供相关证券服务的执业资格。

(三)资产评估机构

经本所律师核查，本次交易针对标的资产的资产评估机构为东洲评估，东洲评估已于上海市财政局办理评估机构备案并公告，并办理了从事证券服

25SH3110017/BC/az/cm/D6 72务业务资产评估机构备案，具有为本次交易提供相关证券服务的执业资格。

(四)备考审阅机构经本所律师核查，本次交易的备考审阅机构为安永华明会计师事务所（特殊普通合伙），安永华明会计师事务所（特殊普通合伙）持有中华人民共和国财政部核发的《会计师事务所执业证书》，并办理了从事证券服务业务会计师事务所备案，具有为本次交易提供相关证券服务的执业资格。

(五)法律顾问

经本所律师核查，本次交易的法律顾问为本所，本所持有上海市司法局核发的《律师事务所执业许可证》，并已完成证券法律业务律师事务所备案，具有为本次交易提供相关证券服务的执业资格。

基于上述核查，本所律师认为，为本次交易提供服务的证券服务机构均具备为本次交易提供相关证券服务的执业资格。

十.关于上市公司内幕信息知情人登记制度制定及执行情况以及股票买卖自查情况

(一)内幕信息知情人登记制度的制定情况

经本所律师核查，华虹半导体已制定《内幕信息知情人登记管理制度》等公司制度。

(二)内幕信息知情人登记制度的执行情况

25SH3110017/BC/az/cm/D6 73经本所律师核查，根据华虹半导体董事会出具的相关说明，华虹半导体已

按照《证券法》《上市公司信息披露管理办法》等法律、法规以及规范性

文件以及《内幕信息知情人登记管理制度》的相关规定，在本次交易期间，采取了如下保密措施：

1.华虹半导体在本次交易中严格按照相关法律、法规及规范性文件的要求，遵循《华虹半导体有限公司之组织章程细则》及内部管理制度的规定，与本次交易的交易对方对相关事宜进行磋商时，采取了必要且充分的保密措施，参与项目商议的人员仅限于公司少数核心管理层，限定了相关敏感信息的知悉范围，确保信息处于可控范围之内。

2.华虹半导体及华虹半导体相关人员，在参与制订、论证本次交易方案

等相关环节严格遵守了保密义务。

3.华虹半导体严格按照《上市公司监管指引第5号——上市公司内幕信息知情人登记管理制度》等相关规定，严格控制内幕信息知情人范围，及时记录商议筹划、论证咨询等阶段的内幕信息知情人及筹划过程，制作内幕信息知情人登记表、交易进程备忘录，并及时报送上交所。

4.华虹半导体多次督导、提示内幕信息知情人严格遵守保密制度，履行

保密义务，在内幕信息依法披露前，不得公开或泄露内幕信息，不得利用内幕信息买卖公司股票。在华虹半导体召开审议有关本次交易的董事会之前，华虹半导体严格遵守了保密义务。

5.华虹半导体与交易对方签署《保密协议》，且华虹半导体与交易对方签

署的交易协议设有保密条款，约定各方对本次交易的相关信息负有保密义务。华虹半导体与为本次交易聘请的各中介机构签署了《保密协

25SH3110017/BC/az/cm/D6 74议》，要求各中介机构及相关人员严格遵守保密义务。

6.筹划本次交易期间，为维护投资者利益，避免造成华虹半导体股价异常波动，经华虹半导体向上交所申请，华虹半导体股票自2025年8月18日开市起停牌。

基于上述核查，本所律师认为，华虹半导体在本次交易中按照《内幕信息知情人登记制度》执行了内幕信息知情人的登记和上报工作，符合相关法律法规和公司制度的规定。

(三)相关人员买卖上市公司股票情况

经本所律师核查，根据《重组办法》等法律法规的规定，华虹半导体应对本次交易申请股票停牌前六个月至《重组报告书》披露之前一日止（以下简称“核查期间”），华虹半导体及其董事、高级管理人员，华虹半导体控股股东，交易对方及其主要负责人、有关知情人员，标的公司及其董事、高级管理人员、有关知情人员，相关中介机构及其经办人员、其他有关知情人员，以及前述人员的直系亲属等主体（以下简称“相关人员”）买卖华虹半导体股票的情况进行自查。

根据中国证券登记结算有限责任公司出具的《信息披露义务人持股及股份变更查询证明》《股东股份变更明细清单》以及相关人员出具的自查报告、

承诺函等文件资料，本所已就内幕信息知情人核查期间买卖上市公司股票的情况出具了《上海市通力律师事务所关于华虹半导体有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易内幕信息知情人买卖股票情况之专项核查意见》。

25SH3110017/BC/az/cm/D6 75十一. 结论意见

综上所述，本所律师认为，华虹半导体有限公司本次发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易的交易各方均具备参与本次交易的主体资格；本次交易方案的

内容符合法律、法规以及规范性文件的要求；本次交易符合《重组办法》和《发行办法》规定的各项实质条件；本次交易在取得本法律意见书所述必要的批准、授权后，其实施不存在法律障碍。

本法律意见书正本一式六份。

上海市通力律师事务所事务所负责人韩炯律师经办律师陈军律师夏青律师年月日

25SH3110017/BC/az/cm/D6 76附件一：标的公司拥有的主要知识产权

表1：标的公司拥有的分立后拟保留在其名下的主要境内已授权专利序号专利名称专利类型专利号申请日期限取得方式去除等离子体反应腔体内的刻蚀

1. 发明 ZL202410693041.7 2024-05-30 申请日起二十年 原始取得

残留物的方法

2. 基于承载台的套刻精度修正方法 发明 ZL202310580502.5 2023-05-22 申请日起二十年 原始取得

3. 一种接触层 OPC 方法 发明 ZL202310487630.5 2023-04-28 申请日起二十年 原始取得

4. 缺陷源检测方法 发明 ZL202310465632.4 2023-04-26 申请日起二十年 原始取得

5. CMOS 图像传感器及其制造方法 发明 ZL202310465646.6 2023-04-26 申请日起二十年 原始取得

6. 透射电子显微镜样品的制备方法 发明 ZL202310341087.8 2023-03-31 申请日起二十年 原始取得

7. 一种晶圆失效原因的诊断方法 发明 ZL202310345544.0 2023-03-31 申请日起二十年 原始取得

8. 一种失效定位方法及电子设备 发明 ZL202310176980.X 2023-02-24 申请日起二十年 原始取得

一种半导体测试结构、失效定位

9. 发明 ZL202310171806.6 2023-02-24 申请日起二十年 原始取得

方法及电子设备

10. 版图图形边缘分割方法 发明 ZL202211390612.7 2022-11-08 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 7711. OPC 修正方法 发明 ZL202211343909.8 2022-10-31 申请日起二十年 原始取得

12. 目标版图优化方法 发明 ZL202211343908.3 2022-10-31 申请日起二十年 原始取得

基于派工规则的自适应铜化学机

13. 发明 ZL202211343857.4 2022-10-31 申请日起二十年 原始取得

械抛光设备智能排程控制方法静电消除装置及晶圆表面静电的

14. 发明 ZL202211343831.X 2022-10-31 申请日起二十年 原始取得

消除方法

15. 调节器件电学参数的方法 发明 ZL202211343837.7 2022-10-31 申请日起二十年 原始取得

16. CMOS 图像传感器的形成方法 发明 ZL202211192978.3 2022-09-28 申请日起二十年 原始取得

17. 晶圆缺陷检测方法 发明 ZL202211129030.3 2022-09-16 申请日起二十年 原始取得

目标基准结构的选择及基于其制

18. 发明 ZL202211128817.8 2022-09-16 申请日起二十年 原始取得

备半导体结构的方法

19. 一种涡轮分子泵用定子防尘组件 发明 ZL202211058220.0 2022-08-31 申请日起二十年 原始取得

一种 CMP LK 机台清洗端漏液检测

20. 发明 ZL202211056056.X 2022-08-31 申请日起二十年 原始取得

装置及检测方法

21. 一种缺陷检测方法 发明 ZL202211053151.4 2022-08-29 申请日起二十年 原始取得

22. 一种电容测试结构及测试方法 发明 ZL202211042217.X 2022-08-29 申请日起二十年 原始取得

23. 产品版图的评估系统及评估方法 发明 ZL202211053139.3 2022-08-29 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 78一种数模混合的高精度建立保持

24. 发明 ZL202210963404.5 2022-08-11 申请日起二十年 原始取得

时间测量电路及其实现方法

25. 一种闪存器件及其制备方法 发明 ZL202210906188.0 2022-07-29 申请日起二十年 原始取得

26. 像素结构、图像传感器及终端 发明 ZL202210899224.5 2022-07-28 申请日起二十年 原始取得

27. 高压器件的制造方法 发明 ZL202210761842.3 2022-06-29 申请日起二十年 原始取得

28. 缺陷监控方法及缺陷监控系统 发明 ZL202210744426.2 2022-06-27 申请日起二十年 原始取得

29. 样品载体保存装置 发明 ZL202210743865.1 2022-06-27 申请日起二十年 原始取得

30. 晶圆校准方法 发明 ZL202210629214.X 2022-05-30 申请日起二十年 原始取得

31. WAT 测试装置的检测方法及系统 发明 ZL202210602433.9 2022-05-30 申请日起二十年 原始取得

32. SONOS 存储器的光刻返工方法 发明 ZL202210614756.X 2022-05-30 申请日起二十年 原始取得

缺陷样品的制备方法及互连结构

33. 发明 ZL202210438345.X 2022-04-20 申请日起二十年 原始取得

缺陷的失效分析方法

34. 版图的局部图形密度分析方法 发明 ZL202210420874.7 2022-04-20 申请日起二十年 原始取得

35. 图像传感器的制作方法 发明 ZL202210419104.0 2022-04-20 申请日起二十年 原始取得

36. 半导体结构及其制造方法 发明 ZL202210418472.3 2022-04-20 申请日起二十年 原始取得

37. 半导体制程量测数据的预测方法 发明 ZL202210419129.0 2022-04-20 申请日起二十年 原始取得

38. 一种用于带走工艺腔室内残污的 发明 ZL202210420937.9 2022-04-20 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 79工艺方法

39. 取卡装置 发明 ZL202210287643.3 2022-03-22 申请日起二十年 原始取得

40. 冲洗装置及半导体制造设备 发明 ZL202210304776.7 2022-03-22 申请日起二十年 原始取得

抽气阀门、抽气阀门开闭方法及

41. 发明 ZL202210289042.6 2022-03-22 申请日起二十年 原始取得

负压腔体组件

42. 图像传感器的制造方法 发明 ZL202210287629.3 2022-03-22 申请日起二十年 原始取得

一种双端口 SRAM 控制电路及其控

43. 发明 ZL202210190775.4 2022-02-28 申请日起二十年 原始取得

制方法一种晶圆生产线智能获取派工

44. 发明 ZL202210108131.6 2022-01-28 申请日起二十年 原始取得

WPH 的控制系统和方法

45. 一种 PVD 机台 发明 ZL202210102716.7 2022-01-27 申请日起二十年 原始取得

46. 缺陷自分类方法及系统 发明 ZL202111681769.0 2021-12-30 申请日起二十年 原始取得

47. 监测晶圆杂质的方法 发明 ZL202111656770.8 2021-12-30 申请日起二十年 原始取得

48. MOS 晶体管 发明 ZL202111626376.X 2021-12-28 申请日起二十年 原始取得

49. 一种 NOR 闪存的制备方法 发明 ZL202111681229.2 2021-12-28 申请日起二十年 原始取得

基于 Q-time 容时区间站点断线的

50. 发明 ZL202111626368.5 2021-12-28 申请日起二十年 原始取得

智能调控方法及系统

25SH3110017/BC/az/cm/D6 8051. 一种干泵尾管和离子注入机 发明 ZL202111626346.9 2021-12-28 申请日起二十年 原始取得

一种增强特殊分布缺陷检测的方

52. 发明 ZL202111433602.2 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

法一种集成电路版图可制造性的分

53. 发明 ZL202111437319.7 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

析方法

54. SRAM 及其版图设计方法 发明 ZL202111437296.X 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

55. 一种晶圆缺陷扫描方法及系统 发明 ZL202111448042.8 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

一种检查光刻工艺微小失焦

56. 发明 ZL202111437342.6 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

的方法承载台边缘位置平坦度的监

57. 发明 ZL202111437339.4 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

控方法一种阈值电压的测量方法及

58. 发明 ZL202111436114.7 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

其系统一种深度加速集成电路版图光刻

59. 发明 ZL202111436108.1 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

工艺热点检查的方法

60. 一种全局工艺角模型的建模方法 发明 ZL202111436051.5 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

61. 一种横向扩散金属氧化物半导体 发明 ZL202111433629.1 2021-11-29 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 81的子电路模型构建方法

一种高压器件的栅氧层及其制造

62. 发明 ZL202111276185.5 2021-10-29 申请日起二十年 原始取得

方法

63. 图像传感器的制造方法 发明 ZL202111276184.0 2021-10-29 申请日起二十年 原始取得

浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀

64. 发明 ZL202111266553.8 2021-10-28 申请日起二十年 原始取得

窗口的方法基于整数规划的产品生产计划的

65. 发明 ZL202111153447.9 2021-09-29 申请日起二十年 原始取得

制定方法

66. PMOS 管触发双向硅控整流器 发明 ZL202111151124.6 2021-09-29 申请日起二十年 原始取得

67. NMOS 管触发双向硅控整流器 发明 ZL202111153440.7 2021-09-29 申请日起二十年 原始取得

68. PMOS 管触发双向硅控整流器 发明 ZL202111151126.5 2021-09-29 申请日起二十年 原始取得

机台联动性的监控方法及监

69. 发明 ZL202111006801.5 2021-08-30 申请日起二十年 原始取得

控系统一种半导体反应设备及其位置校

70. 发明 ZL202111005062.8 2021-08-30 申请日起二十年 原始取得

准方法

FINFET 多输入标准单元版图结构

71. 发明 ZL202111005046.9 2021-08-30 申请日起二十年 原始取得

及半导体器件

25SH3110017/BC/az/cm/D6 82缺陷忽视区域的自计算方法

72. 发明 ZL202110865251.6 2021-07-29 申请日起二十年 原始取得

及装置一种垂直栅半导体器件的制

73. 发明 ZL202110865250.1 2021-07-29 申请日起二十年 原始取得

备方法

74. 半导体器件的制备方法 发明 ZL202110865223.4 2021-07-29 申请日起二十年 原始取得

75. 显影方法及显影装置 发明 ZL202110865198.X 2021-07-29 申请日起二十年 原始取得

76. OPC 热点的修补方法 发明 ZL202110865191.8 2021-07-29 申请日起二十年 原始取得

77. 半导体器件的制备方法 发明 ZL202110865147.7 2021-07-29 申请日起二十年 原始取得

78. 测试结构及测试方法 发明 ZL202110748238.2 2021-06-29 申请日起二十年 原始取得

自动物料传输系统及自动化物料

79. 发明 ZL202110748236.3 2021-06-29 申请日起二十年 原始取得

传输方法浅沟槽隔离能力测试结构及其测

80. 发明 ZL202110728159.5 2021-06-29 申请日起二十年 原始取得

试方法

81. 通孔层的 OPC 热点的修补方法 发明 ZL202110728158.0 2021-06-29 申请日起二十年 原始取得

计算机存储介质、禁跑货物预警

82. 发明 ZL202110728140.0 2021-06-29 申请日起二十年 原始取得

系统及方法

83. MOSFET 本征电压的模拟计算方法 发明 ZL202110728116.7 2021-06-29 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 8384. 图像传感器及其制造方法 发明 ZL202110607036.6 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

85. TEM 样品的制备方法 发明 ZL202110593171.X 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

与非型闪存器件的接触孔制

86. 发明 ZL202110593161.6 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

造方法

87. 半导体器件 发明 ZL202110593143.8 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

在制品数量的预测方法及预

88. 发明 ZL202110591292.0 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

测系统

89. 掩模板及监控遮光板位置的方法 发明 ZL202110591286.5 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

90. 闪存器件及其制造方法 发明 ZL202110591283.1 2021-05-28 申请日起二十年 原始取得

91. 一种 SONOS 器件的制作方法 发明 ZL202110469842.1 2021-04-28 申请日起二十年 原始取得

92. 测试结构及测试方法 发明 ZL202110469820.5 2021-04-28 申请日起二十年 原始取得

晶圆背面清洁装置、浸没式光刻

93. 发明 ZL202110469812.0 2021-04-28 申请日起二十年 原始取得

机及晶圆背面清洁方法

94. 电阻失配模型及提取方法 发明 ZL202110354884.0 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

95. 版图结构及芯片的测试方法 发明 ZL202110354882.1 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

96. 一种图像传感器的制作方法 发明 ZL202110343076.4 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

97. 监控特殊形貌颗粒缺陷的方法 发明 ZL202110343035.5 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 84MOS 器件闪烁噪声模型及提取

98. 发明 ZL202110343014.3 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

方法

99. 光掩模结构和光刻设备 发明 ZL202110342840.6 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

100. 三维结构的天线效应的判断方法 发明 ZL202110342820.9 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

101. 半导体器件的制备方法 发明 ZL202110342807.3 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

化学机械研磨工艺模型的预

102. 发明 ZL202110340990.3 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

测方法晶边缺陷自动对焦系统及方法和

103. 发明 ZL202110340985.2 2021-03-30 申请日起二十年 原始取得

计算机存储介质

半导体生产制造中 lot 实时追踪

104. 发明 ZL202110278683.7 2021-03-15 申请日起二十年 原始取得

及分析方法及系统

针对 SRAM 图形 OPC 一致性检测的

105. 发明 ZL202110278678.6 2021-03-15 申请日起二十年 原始取得

方法带失效分析标尺的电迁移测

106. 发明 ZL202110278611.2 2021-03-15 申请日起二十年 原始取得

试结构一种固定宽度的单位方块电阻建

107. 发明 ZL202110274611.5 2021-03-15 申请日起二十年 原始取得

模方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 85108. 一种晶圆切割方法 发明 ZL202110274604.5 2021-03-15 申请日起二十年 原始取得

一种查询中断晶圆批次 LOT 的方

109. 发明 ZL202110274242.X 2021-03-15 申请日起二十年 原始取得

法及系统

一种栅约束 NPN 三极管型 ESD 器

110. 发明 ZL202110209885.6 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

件及其实现方法

111. 或非型闪存器件及其制造方法 发明 ZL202110209863.X 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

112. NOR FLASH 的形成方法 发明 ZL202110209862.5 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

113. 一种缺陷检测方法 发明 ZL202110209860.6 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

114. NOR FLASH 的形成方法 发明 ZL202110209856.X 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

一种栅约束 NPN 三极管型 ESD 器

115. 发明 ZL202110209122.1 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

件及其实现方法

116. 一种闪存存储器字线驱动电路 发明 ZL202110209114.7 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

一种具有数据保持功能的低功耗

117. 发明 ZL202110209113.2 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

静态随机存取存储器电路

118. 或非型闪存器件及其制造方法 发明 ZL202110209103.9 2021-02-24 申请日起二十年 原始取得

基于神经网络的存储器地址的测

119. 发明 ZL202110167504.2 2021-02-07 申请日起二十年 原始取得

试方法及测试装置

25SH3110017/BC/az/cm/D6 86芯片的图形密度的分析方法、装

120. 发明 ZL202110119198.5 2021-01-28 申请日起二十年 原始取得

置及电子设备

121. 一种光阻供应系统 发明 ZL202110117648.7 2021-01-28 申请日起二十年 原始取得

122. 一种基于 WCF 的分布式报表系统 发明 ZL202110117638.3 2021-01-28 申请日起二十年 原始取得

123. 一种异常检测方法及装置 发明 ZL202110105541.0 2021-01-26 申请日起二十年 原始取得

124. 半导体结构分析方法 发明 ZL202110105536.X 2021-01-26 申请日起二十年 原始取得

125. 半导体测试结构及测试方法 发明 ZL202110103680.X 2021-01-26 申请日起二十年 原始取得

126. 推挽结构输出电路 发明 ZL202011563490.8 2020-12-25 申请日起二十年 原始取得

用于 SAR-ADC 中差分输出共模电

127. 发明 ZL202011563240.4 2020-12-25 申请日起二十年 原始取得

压可控的 DAC 电路及其控制方法

一种版图 DRC 违例的对比和定位

128. 发明 ZL202011563235.3 2020-12-25 申请日起二十年 原始取得

方法

efuse 单元结构、efuse 单元的双

129. 列结构及 efuse 单元结构的应用 发明 ZL202011562191.2 2020-12-25 申请日起二十年 原始取得

电路涂胶显影设备的稳压装置以及涂

130. 发明 ZL202011486095.4 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

胶显影设备

25SH3110017/BC/az/cm/D6 87131. 掩模版及其制备方法、光刻机 发明 ZL202011486091.6 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

132. 炉管工艺的派工优化方法 发明 ZL202011486070.4 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

133. 半导体结构及其制备方法 发明 ZL202011486015.5 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

134. 分裂栅闪存单元 发明 ZL202011483368.X 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

光罩位置匹配装置及其匹配方

135. 发明 ZL202011483312.4 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

法、光刻机晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和

136. 发明 ZL202011483296.9 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

计算机存储介质

137. 图像传感器的制备方法 发明 ZL202011483214.0 2020-12-16 申请日起二十年 原始取得

138. 一种浅沟槽隔离的制备方法 发明 ZL202011377953.1 2020-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种具有线性对数输出的 CIS 传

139. 发明 ZL202011363476.3 2020-11-27 申请日起二十年 原始取得

感器半导体芯片缺陷定位方法和定位

140. 发明 ZL202011362183.3 2020-11-27 申请日起二十年 原始取得

模块

用于表征 PN 结耗尽区特征的 WAT

141. 发明 ZL202011355641.0 2020-11-27 申请日起二十年 原始取得

测试结构和方法

142. 阻变存储器及其制造方法 发明 ZL202011353688.3 2020-11-26 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 88CMOS 图像传感器的像素结构及像

143. 发明 ZL202011353401.7 2020-11-26 申请日起二十年 原始取得

素结构的形成方法

144. 半导体结构及其制备方法 发明 ZL202011353399.3 2020-11-26 申请日起二十年 原始取得

SPICE 寿命模型的建模方法、调参

145. 发明 ZL202011347826.7 2020-11-26 申请日起二十年 原始取得

方法及建模系统

146. DFM 综合评分方法 发明 ZL202011347795.5 2020-11-26 申请日起二十年 原始取得

存储器阈值电压均匀性的电性测

147. 发明 ZL202011347770.5 2020-11-26 申请日起二十年 原始取得

试方法

148. SPICE 模型仿真系统及仿真方法 发明 ZL202011265291.9 2020-11-13 申请日起二十年 原始取得

一种通过 STI 刻蚀工艺改善 HDP

149. 发明 ZL202011252721.3 2020-11-11 申请日起二十年 原始取得

填充缺陷的方法光刻工艺热点的光学邻近修正的

150. 发明 ZL202011199811.0 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

方法

无回滞效应硅控整流器型 ESD 保

151. 发明 ZL202011196327.2 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

护结构及其实现方法

测试结构、测试结构版图及其形

152. 发明 ZL202011192438.6 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

成方法和测试方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 89VT-BS 模型的先进工艺控制方法、

153. 发明 ZL202011191797.X 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

系统及半导体设备

154. 栅极氧化层的形成方法 发明 ZL202011191792.7 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

改善顶层金属互联层表面缺陷的

155. 发明 ZL202011191791.2 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

工艺方法

156. 半导体结构的刻蚀方法 发明 ZL202011187636.3 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

157. 光学邻近修正方法 发明 ZL202011187204.2 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

158. 半导体结构及其制备方法 发明 ZL202011187190.4 2020-10-30 申请日起二十年 原始取得

一种用于检测曝光机台透镜眩光

159. 发明 ZL202011125663.8 2020-10-20 申请日起二十年 原始取得

程度的光掩膜版及方法

160. 一种硅控整流器及其制造方法 发明 ZL202011095029.4 2020-10-14 申请日起二十年 原始取得

基于自对准双重图形的产品良率

161. 发明 ZL202011094785.5 2020-10-14 申请日起二十年 原始取得

在线评估系统及评估方法

162. 一种硅控整流器及其制造方法 发明 ZL202011094759.2 2020-10-14 申请日起二十年 原始取得

163. 监测光刻机漏光情况的方法 发明 ZL202011026687.8 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

一种栅约束硅控整流器及其实现

164. 发明 ZL202011026662.8 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 90165. 像素图形的预处理方法 发明 ZL202011026644.X 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

166. 晶圆缺陷的监控方法 发明 ZL202011026627.6 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

提高版图边缘格点的预测准确率

167. 发明 ZL202011024116.0 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

的方法一种栅约束硅控整流器及其实现

168. 发明 ZL202011024063.2 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

方法一种栅约束硅控整流器及其实现

169. 发明 ZL202011024051.X 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

方法

170. CMOS 图像传感器的制作方法 发明 ZL202011024012.X 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

171. 晶圆缺陷的验证方法 发明 ZL202011024000.7 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

改善栅极刻蚀形貌稳定性的方法

172. 发明 ZL202011023983.2 2020-09-25 申请日起二十年 原始取得

和刻蚀设备

173. 双重图形氧化硅芯轴制备方法 发明 ZL202010894940.5 2020-08-31 申请日起二十年 原始取得

接触孔光刻工艺热点的光学邻近

174. 发明 ZL202010891829.0 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

修正方法

175. 快速热退火设备 发明 ZL202010884966.1 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

176. 提升静电吸盘使用寿命的方法 发明 ZL202010884946.4 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 91一种高精度温度模型校准方法及

177. 发明 ZL202010884907.4 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

系统

增强二维图形 OPC模型精度的

178. 发明 ZL202010884893.6 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

方法

179. 半导体结构的制备方法 发明 ZL202010884286.X 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

180. 改善通孔刻蚀残留的方法 发明 ZL202010884276.6 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

181. 退火设备的温度监控方法 发明 ZL202010884274.7 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

182. 金属层光刻工艺热点的修复方法 发明 ZL202010884271.3 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

183. 一种高利用率的电阻并联结构 发明 ZL202010884261.X 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

判断研磨头的胶膜是否扭曲

184. 发明 ZL202010884254.X 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

的方法

185. 闪存存储器及其制造方法 发明 ZL202010884241.2 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

186. 优化冗余图形的方法 发明 ZL202010884240.8 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

MOSFET 阈值电压的 SPICE 子电路

187. 发明 ZL202010884236.1 2020-08-28 申请日起二十年 原始取得

模型建模方法非挥发性存储器的读参考电流自

188. 发明 ZL202010831332.X 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

动调节电路

25SH3110017/BC/az/cm/D6 92CMOS 图像传感器转移管垂直栅极

189. 发明 ZL202010831333.4 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

深度检测方法

全局快门 CMOS 图像传感器及其制

190. 发明 ZL202010832325.1 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

造方法

191. 刻蚀工艺的切换方法 发明 ZL202010840249.9 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

192. 掩膜版及其制备方法 发明 ZL202010833559.8 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

提高金属层和通孔层之间的覆盖

193. 发明 ZL202010833535.2 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

率的 OPC 处理方法

194. 版图的特征图形的识别方法 发明 ZL202010832188.1 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

深沟槽隔离结构的制备方法及半

195. 发明 ZL202010832187.7 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

导体结构绿色版图的认证方法及预警点的

196. 发明 ZL202010832185.8 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

风险性的判断方法

197. 光刻标记、对准标记及对准方法 发明 ZL202010832174.X 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

图像传感器金属栅格版图的生成

198. 发明 ZL202010832168.4 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

方法及金属栅格光罩图形

199. 提高 OPC 修正效率的方法 发明 ZL202010832140.0 2020-08-18 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 93栅氧化层测试结构及其制造方

200. 发明 ZL202010811326.8 2020-08-11 申请日起二十年 原始取得

法、栅氧化层测试基板一种集成电路数字后端设计的方

201. 发明 ZL202010803517.X 2020-08-11 申请日起二十年 原始取得

法和系统

只读存储器阵列结构、电子设备、

202. 发明 ZL202010802417.5 2020-08-11 申请日起二十年 原始取得

扩展方法及编码方法

203. 版图图形密度的分析方法 发明 ZL202010802392.9 2020-08-11 申请日起二十年 原始取得

判断扫描电子显微镜机台是否倾

204. 发明 ZL202010802383.X 2020-08-11 申请日起二十年 原始取得

斜的方法一种优化光学邻近效应修正中曝

205. 发明 ZL202010802375.5 2020-08-11 申请日起二十年 原始取得

光辅助图形的方法电可编程熔丝系统及其编程方

206. 发明 ZL202010762700.X 2020-07-31 申请日起二十年 原始取得

法、读取方法

可编程电路及其编程方法、读取

207. 发明 ZL202010760424.3 2020-07-31 申请日起二十年 原始取得

方法一种深沟槽隔离栅格结构的制造

208. 发明 ZL202010745346.X 2020-07-29 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 94209. 晶片传送装置及 PVD 机台 发明 ZL202010717946.5 2020-07-23 申请日起二十年 原始取得

温度控制电路、装置、芯片封装

210. 发明 ZL202010717932.3 2020-07-23 申请日起二十年 原始取得

测试系统

211. 半导体结构的形成方法 发明 ZL202010717830.1 2020-07-23 申请日起二十年 原始取得

212. 一种压控振荡器结构及锁相环 发明 ZL202010717303.0 2020-07-23 申请日起二十年 原始取得

213. 一种 SONOS 存储器及其制造方法 发明 ZL202010698851.3 2020-07-20 申请日起二十年 原始取得

214. 半导体测试结构及测试方法 发明 ZL202010695542.0 2020-07-16 申请日起二十年 原始取得

提升高压集成电路防负电流闩锁

215. 发明 ZL202010694335.3 2020-07-17 申请日起二十年 原始取得

能力的保护环及实现方法提升高压集成电路防负电流闩锁

216. 发明 ZL202010693328.1 2020-07-17 申请日起二十年 原始取得

能力的保护环及实现方法

217. 电迁移测试结构 发明 ZL202010611427.0 2020-06-29 申请日起二十年 原始取得

MOSFET 器件的全局工艺角模型的

218. 发明 ZL202010611393.5 2020-06-29 申请日起二十年 原始取得

建模方法

219. 电迁移测试结构 发明 ZL202010611392.0 2020-06-29 申请日起二十年 原始取得

MPW 多产品联测的数据处理方法、

220. 发明 ZL202010609717.1 2020-06-29 申请日起二十年 原始取得

存储介质及计算机设备

25SH3110017/BC/az/cm/D6 95版图分析管控标准的计算方法及

221. 发明 ZL202010609716.7 2020-06-29 申请日起二十年 原始取得

版图分析的管控方法

转移管的垂直栅及 CMOS 传感器的

222. 发明 ZL202010609712.9 2020-06-29 申请日起二十年 原始取得

形成方法

223. 晶圆缺陷检测方法及系统 发明 ZL202010577852.2 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

下字线驱动读辅助电路和版

224. 发明 ZL202010577071.3 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

图设计

晶背缺陷图检索及预警方法、存

225. 发明 ZL202010577051.6 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

储介质及计算机设备

226. OPC 修正通孔的选择方法 发明 ZL202010576117.X 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

时钟信号调节电路和方法以及模

227. 发明 ZL202010576116.5 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

拟电路

失效数据修复电路和方法、非挥

228. 发明 ZL202010576095.7 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

发性存储器、可读存储介质

一种网格图形统一尺寸的方法、

229. 发明 ZL202010576089.1 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

存储介质及计算机设备

230. 版图图形精准匹配的检查方法 发明 ZL202010576088.7 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 96231. 金属线版图设计规则检查方法 发明 ZL202010576086.8 2020-06-22 申请日起二十年 原始取得

232. 冗余图形的检测方法 发明 ZL202010479608.2 2020-05-29 申请日起二十年 原始取得

源极跟随管及 CMOS 传感器的形成

233. 发明 ZL202010478077.5 2020-05-29 申请日起二十年 原始取得

方法

234. 晶圆缺陷监控系统及其监控方法 发明 ZL202010414919.0 2020-05-15 申请日起二十年 原始取得

一种通用的芯片测试系统、测试

235. 发明 ZL202010414915.2 2020-05-15 申请日起二十年 原始取得

方法及存储介质

236. RRAM 阻变结构的形成方法 发明 ZL202010413713.6 2020-05-15 申请日起二十年 原始取得

237. 一种硅控整流器及其制造方法 发明 ZL202010350856.7 2020-04-28 申请日起二十年 原始取得

238. 一种硅控整流器及其制造方法 发明 ZL202010350852.9 2020-04-28 申请日起二十年 原始取得

239. NMOS 器件的制备方法 发明 ZL202010345511.2 2020-04-27 申请日起二十年 原始取得

240. NMOS 晶体管器件速度的补偿方法 发明 ZL202010344615.1 2020-04-27 申请日起二十年 原始取得

241. 金属线自对准二次成型工艺方法 发明 ZL202010344600.5 2020-04-27 申请日起二十年 原始取得

242. SONOS 存储器及其制作方法 发明 ZL202010231443.7 2020-03-27 申请日起二十年 原始取得

一种双向硅控整流器及其制

243. 发明 ZL202010231324.1 2020-03-27 申请日起二十年 原始取得

备方法

244. 一种堆叠电容、闪存器件及其制 发明 ZL202010224926.4 2020-03-26 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 97造方法

245. 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 发明 ZL202010183596.9 2020-03-16 申请日起二十年 原始取得

一种设置研磨时间上限和研磨时

246. 发明 ZL202010183587.X 2020-03-16 申请日起二十年 原始取得

间下限的方法及装置一次性可编程器件的制造方法及

247. 发明 ZL202010164411.X 2020-03-10 申请日起二十年 原始取得

一次性可编程器件

248. 一种检测晶圆缺陷的方法及装置 发明 ZL202010159765.5 2020-03-10 申请日起二十年 原始取得

249. 存储器的形成方法 发明 ZL202010159638.5 2020-03-10 申请日起二十年 原始取得

250. SONOS 器件的制作方法 发明 ZL202010159625.8 2020-03-10 申请日起二十年 原始取得

251. 半导体的形成方法 发明 ZL202010159624.3 2020-03-10 申请日起二十年 原始取得

252. 改善光刻机对准的方法 发明 ZL202010159622.4 2020-03-10 申请日起二十年 原始取得

过曝图形漏报错的检查方法、计

253. 发明 ZL202010104683.0 2020-02-20 申请日起二十年 原始取得

算机设备及存储介质

254. 一种单元标记及其设计方法 发明 ZL202010104156.X 2020-02-20 申请日起二十年 原始取得

255. 一种 efuse 熔丝的版图结构 发明 ZL202010063863.9 2020-01-20 申请日起二十年 原始取得

256. 一种并行冗余修正电路 发明 ZL202010053416.5 2020-01-17 申请日起二十年 原始取得

257. 检测闪存位线之间漏电结构的制 发明 ZL201911360934.5 2019-12-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 98造方法及漏电检测方法

258. 缺陷监控方法 发明 ZL201911360930.7 2019-12-25 申请日起二十年 原始取得

259. 减小关键尺寸漂移的方法 发明 ZL201911360926.0 2019-12-25 申请日起二十年 原始取得

写入辅助电路、存储器及写入操

260. 发明 ZL201911359172.7 2019-12-25 申请日起二十年 原始取得

作方法

261. 冗余结构及其形成方法 发明 ZL201911334713.0 2019-12-23 申请日起二十年 原始取得

262. 浮栅型闪存的制作方法 发明 ZL201911334533.2 2019-12-23 申请日起二十年 原始取得

263. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201911334529.6 2019-12-23 申请日起二十年 原始取得

264. 对准方法及校准方法 发明 ZL201911334523.9 2019-12-23 申请日起二十年 原始取得

265. 光罩组件以及光刻方法 发明 ZL201911334500.8 2019-12-23 申请日起二十年 原始取得

266. 标准单元库的测试方法 发明 ZL201911334496.5 2019-12-23 申请日起二十年 原始取得

用于形成空气间隔的存储器制造

267. 发明 ZL201911291112.6 2019-12-16 申请日起二十年 原始取得

方法

268. 闪存的制造方法及闪存 发明 ZL201911261707.7 2019-12-10 申请日起二十年 原始取得

269. 半导体测试结构及测试方法 发明 ZL201911261700.5 2019-12-10 申请日起二十年 原始取得

270. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201911260210.3 2019-12-10 申请日起二十年 原始取得

271. 阻变存储器及其制造方法 发明 ZL201911255220.8 2019-12-09 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 99272. 测试方法 发明 ZL201911255219.5 2019-12-09 申请日起二十年 原始取得

半导体结构、晶体管、可变电容

273. 发明 ZL201911252048.0 2019-12-09 申请日起二十年 原始取得

及元器件

274. 芯轴图形的形成方法 发明 ZL201911204018.2 2019-11-29 申请日起二十年 原始取得

275. 闪存器件的形成方法 发明 ZL201911204016.3 2019-11-29 申请日起二十年 原始取得

276. 跳线装置 发明 ZL201911194919.8 2019-11-28 申请日起二十年 原始取得

277. 版图优化方法 发明 ZL201911193288.8 2019-11-28 申请日起二十年 原始取得

检测晶片上下层叠对的方法

278. 发明 ZL201911186817.1 2019-11-28 申请日起二十年 原始取得

和设备

279. 改善铝焊盘结晶缺陷的方法 发明 ZL201911186786.X 2019-11-28 申请日起二十年 原始取得

280. 硅控整流器及其制造方法 发明 ZL201911186720.0 2019-11-28 申请日起二十年 原始取得

281. 硅控整流器及其制造方法 发明 ZL201911186693.7 2019-11-28 申请日起二十年 原始取得

进样密封装置、气相色谱-质谱联

282. 发明 ZL201911185508.2 2019-11-27 申请日起二十年 原始取得

用仪及色谱柱更换方法

测试结构、失效分析定位方法及

283. 发明 ZL201911183955.4 2019-11-27 申请日起二十年 原始取得

失效分析方法

284. 改善 2D-NAND 侧墙倾斜的方法 发明 ZL201911183942.7 2019-11-27 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 100285. 电平转换电路 发明 ZL201911173830.3 2019-11-26 申请日起二十年 原始取得

占空比50%的连续整数分频器及

286. 发明 ZL201911162944.8 2019-11-25 申请日起二十年 原始取得

包括其的锁相环电路掩膜版和标准片及对准图形误差

287. 发明 ZL201911162936.3 2019-11-25 申请日起二十年 原始取得

补偿方法金属硬质掩模一体化刻蚀方法及

288. 发明 ZL201911162919.X 2019-11-25 申请日起二十年 原始取得

其控制系统

光刻层掩膜版的制备方法、离子

289. 发明 ZL201911147979.4 2019-11-21 申请日起二十年 原始取得

注入方法

290. 晶圆缺陷扫描方法 发明 ZL201911137379.X 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

291. MOS 器件的制造方法 发明 ZL201911136246.0 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

去胶设备、顶针监控方法和去胶

292. 发明 ZL201911136237.1 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

工艺一种缺陷观测机台及其的图像分

293. 发明 ZL201911133518.1 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

析补偿方法

TechLEF 文件验证方法及其验证

294. 发明 ZL201911133493.5 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

系统

25SH3110017/BC/az/cm/D6 101295. 存储器读取速度调节电路 发明 ZL201911133050.6 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

n倍驱动两输入与非门标准单元

296. 发明 ZL201911133036.6 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

及其版图

一种垂直栅 CMOS 图像传感器及制

297. 发明 ZL201911133006.5 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

造方法

一种改善小像素 CMOS 图像传感器

298. 发明 ZL201911132999.4 2019-11-19 申请日起二十年 原始取得

性能的结构和工艺方法

299. 字线制作方法 发明 ZL201911095517.2 2019-11-11 申请日起二十年 原始取得

产品关键层的平均相似度计算方

300. 发明 ZL201911090135.0 2019-11-08 申请日起二十年 原始取得

法及产品良率预测方法

确定合适的 OPC 修正程序的方法

301. 发明 ZL201911089066.1 2019-11-08 申请日起二十年 原始取得

及装置、掩膜版及优化方法

晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶

302. 发明 ZL201911089034.1 2019-11-08 申请日起二十年 原始取得

圆扫描方法

浅沟槽隔离结构及其形成方法、

303. 发明 ZL201911046453.7 2019-10-30 申请日起二十年 原始取得

半导体器件的制作方法

304. 水循环装置及水循环系统 发明 ZL201911025742.9 2019-10-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 102刻蚀方法以及半导体器件的制造

305. 发明 ZL201911024501.2 2019-10-25 申请日起二十年 原始取得

方法

一种内嵌硅控整流器的 PMOS 器件

306. 发明 ZL201910969259.X 2019-10-12 申请日起二十年 原始取得

及其实现方法

无回滞效应硅控整流器型 ESD 保

307. 发明 ZL201910969256.6 2019-10-12 申请日起二十年 原始取得

护结构及其实现方法

基于 FDSOI 结构的电平转换单元

308. 发明 ZL201910969246.2 2019-10-12 申请日起二十年 原始取得

电路及版图设计方法一种提取用于透射电子显微镜的

309. 发明 ZL201910968721.4 2019-10-12 申请日起二十年 原始取得

待测样品的方法

310. RRAM 阻变结构下电极的工艺方法 发明 ZL201910914898.6 2019-09-26 申请日起二十年 原始取得

原子层沉积法形成氮化物膜

311. 发明 ZL201910912457.2 2019-09-25 申请日起二十年 原始取得

的方法

312. 版图图形密度的分析方法 发明 ZL201910906283.9 2019-09-24 申请日起二十年 原始取得

313. Flash 器件耐久性能测试方法 发明 ZL201910898039.2 2019-09-23 申请日起二十年 原始取得

314. 改善刻蚀腔体缺陷的方法 发明 ZL201910897996.3 2019-09-23 申请日起二十年 原始取得

315. 一种评估 CIS 产品不同机台白色 发明 ZL201910897871.0 2019-09-23 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 103像素差异的方法

电迁移可靠性测试结构及电迁移

316. 发明 ZL201910897833.5 2019-09-23 申请日起二十年 原始取得

可靠性测试方法一种应用于锁相环的基于频率比

317. 发明 ZL201910891665.9 2019-09-20 申请日起二十年 原始取得

较的锁定指示电路及方法

318. 聚合物的去除方法 发明 ZL201910891638.1 2019-09-20 申请日起二十年 原始取得

光源优化方法、光源优化装置、

319. 发明 ZL201910891431.4 2019-09-20 申请日起二十年 原始取得

光刻系统及光刻方法浸没式光刻工艺中晶圆表面残水

320. 发明 ZL201910891416.X 2019-09-20 申请日起二十年 原始取得

缺陷的改善方法浅沟道隔离结构中的孔洞缺陷的

321. 发明 ZL201910849214.9 2019-09-09 申请日起二十年 原始取得

检测方法

322. 套刻精度修正方法 发明 ZL201910818292.2 2019-08-30 申请日起二十年 原始取得

323. 金属互连线填充方法 发明 ZL201910818279.7 2019-08-30 申请日起二十年 原始取得

CMOS传感器及CMOS传感器的形成

324. 发明 ZL201910816560.7 2019-08-30 申请日起二十年 原始取得

方法

325. 改善栅极氧化层的方法及半导体 发明 ZL201910816556.0 2019-08-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 104器件的制造方法

一种栅约束硅控整流器 ESD 器件

326. 发明 ZL201910809929.1 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

及其实现方法

一种栅约束硅控整流器 ESD 器件

327. 发明 ZL201910809608.1 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

及其实现方法缺陷扫描机台间高匹配度扫描程

328. 发明 ZL201910809109.2 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

式的快速建立方法

329. 版图修正方法 发明 ZL201910809085.0 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

一种化学机械研磨机台缺陷检测

330. 发明 ZL201910809015.5 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

方法

一种栅约束硅控整流器 ESD 器件

331. 发明 ZL201910809013.6 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

及其实现方法

332. 阻变存储器的制备方法 发明 ZL201910808942.5 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

一种新型栅控 P-i-N 二极管 ESD

333. 发明 ZL201910808934.0 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

器件及其实现方法金属填充缺陷的检测结构及

334. 发明 ZL201910808932.1 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

其方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 105栅约束硅控整流器 ESD 器件及其

335. 发明 ZL201910808916.2 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

制作方法

336. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201910808827.8 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

一种内嵌硅控整流器的 PMOS 器件

337. 发明 ZL201910808797.0 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

及其实现方法

338. 标准晶片及其制造方法 发明 ZL201910808692.5 2019-08-29 申请日起二十年 原始取得

339. 振荡器 发明 ZL201910777059.4 2019-08-22 申请日起二十年 原始取得

340. 晶圆表面电荷消除装置及方法 发明 ZL201910777052.2 2019-08-22 申请日起二十年 原始取得

一种建立晶圆背面图形数据库的

341. 发明 ZL201910777051.8 2019-08-22 申请日起二十年 原始取得

方法

一种栅控 P-i-N 二极管及其制造

342. 发明 ZL201910763000.X 2019-08-19 申请日起二十年 原始取得

方法

343. 一种截取锥清洗装置及使用方法 发明 ZL201910762887.0 2019-08-19 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆表面超小尺寸缺陷检测

344. 发明 ZL201910762878.1 2019-08-19 申请日起二十年 原始取得

方法一种晶圆缺陷标记装置及晶圆缺

345. 发明 ZL201910698776.8 2019-07-31 申请日起二十年 原始取得

陷标记方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 106346. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201910698753.7 2019-07-31 申请日起二十年 原始取得

347. 套准标记及其形成方法 发明 ZL201910678518.3 2019-07-25 申请日起二十年 原始取得

348. OPC 修正程序的 MRC 取值方法 发明 ZL201910678510.7 2019-07-25 申请日起二十年 原始取得

349. 电迁移测试结构及方法 发明 ZL201910677450.7 2019-07-25 申请日起二十年 原始取得

一种具备修正功能的 antifuse 电

350. 发明 ZL201910670124.3 2019-07-24 申请日起二十年 原始取得

路

351. 闪存的分裂栅极的制造方法 发明 ZL201910659098.4 2019-07-22 申请日起二十年 原始取得

触点单元结构及其构成的矩阵探

352. 发明 ZL201910643613.X 2019-07-17 申请日起二十年 原始取得

针卡离线量产产品工艺参数调整方法

353. 发明 ZL201910571300.8 2019-06-28 申请日起二十年 原始取得

及其调整系统

闪存的制造方法、闪存储器及光

354. 发明 ZL201910541255.1 2019-06-21 申请日起二十年 原始取得

罩掩膜版色谱柱辅助安装工具及色谱柱安

355. 发明 ZL201910538137.5 2019-06-20 申请日起二十年 原始取得

装方法

356. 芯片拼接方法 发明 ZL201910529990.0 2019-06-19 申请日起二十年 原始取得

357. 锁存器 发明 ZL201910476094.2 2019-06-03 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 107半导体器件隔离侧墙厚度计算方

358. 发明 ZL201910476089.1 2019-06-03 申请日起二十年 原始取得

法及其计算系统

359. CMOS 图像传感器及其制造方法 发明 ZL201910452540.6 2019-05-28 申请日起二十年 原始取得

360. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201910450593.4 2019-05-28 申请日起二十年 原始取得

MOS_D晶体管及其构成的ESD保护

361. 发明 ZL201910432616.9 2019-05-23 申请日起二十年 原始取得

电路

一种缺陷检测系统、检测方法及

362. 发明 ZL201910386157.5 2019-05-09 申请日起二十年 原始取得

电子束扫描机台

363. OPC 修正方法及 OPC 修正系统 发明 ZL201910385297.0 2019-05-09 申请日起二十年 原始取得

364. 全局快门 CMOS 图像传感器 发明 ZL201910382534.8 2019-05-09 申请日起二十年 原始取得

基于 FinFET 结构的高速标准单元

365. 发明 ZL201910382478.8 2019-05-09 申请日起二十年 原始取得

库版图设计方法一种分离栅闪存单元的半导体结

366. 发明 ZL201910362571.2 2019-04-30 申请日起二十年 原始取得

构及其制造方法

367. CMOS 图像传感器的形成方法 发明 ZL201910358958.0 2019-04-29 申请日起二十年 原始取得

368. 一种自对准双层图形的形成方法 发明 ZL201910313973.3 2019-04-18 申请日起二十年 原始取得

369. 一种半导体结构及其制造方法 发明 ZL201910265516.1 2019-04-03 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 108一种防止 ONO 刻蚀造成衬底损伤

370. 发明 ZL201910244692.7 2019-03-28 申请日起二十年 原始取得

的方法

371. 一种辅助对准方法及系统 发明 ZL201910234065.5 2019-03-26 申请日起二十年 原始取得

一种用于改善硅片翘曲度并提高

372. 发明 ZL201910177307.1 2019-03-08 申请日起二十年 原始取得

套刻精度的方法

373. 一种侧墙结构的形成方法 发明 ZL201910173445.2 2019-03-07 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆清洗干燥装置、方法及

374. 发明 ZL201910173003.8 2019-03-07 申请日起二十年 原始取得

化学机械研磨机台

375. 掩膜版、闪存器件及其制造方法 发明 ZL201910172994.8 2019-03-07 申请日起二十年 原始取得

376. 闪存器件及其制造方法 发明 ZL201910172992.9 2019-03-07 申请日起二十年 原始取得

377. 一种形成随机存储器层的方法 发明 ZL201910157174.1 2019-03-01 申请日起二十年 原始取得

一种探针卡的针尖的智能检测及

378. 发明 ZL201910157146.X 2019-03-01 申请日起二十年 原始取得

处理方法一种分析半导体晶圆的方法

379. 发明 ZL201811636763.X 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

及装置

NOR FLASH 器件结构及其制造

380. 发明 ZL201811632627.3 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 109381. 晶圆的晶边缺陷的监控方法 发明 ZL201811632588.7 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

382. STI 的填充方法 发明 ZL201811632345.3 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

383. SOI 二极管 发明 ZL201811632266.2 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

晶圆制造中在线产品批次跑货状

384. 发明 ZL201811630469.8 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

态的分析预测方法拼接产品的测试光罩及其组

385. 发明 ZL201811630468.3 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

合方法

386. 分栅闪存的制造方法 发明 ZL201811630467.9 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

387. NOR 闪存及其制造方法 发明 ZL201811630391.X 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

分栅闪存的测试结构及其制

388. 发明 ZL201811630384.X 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

造方法

389. 缺陷监控分析系统及方法 发明 ZL201811630264.X 2018-12-29 申请日起二十年 原始取得

390. 台阶状 ONO 薄膜的刻蚀方法 发明 ZL201811607216.9 2018-12-27 申请日起二十年 原始取得

电子束扫描机台电子束孔径动态

391. 发明 ZL201811607200.8 2018-12-27 申请日起二十年 原始取得

调整结构及测试方法

392. 一种自动扫描缺陷的方法 发明 ZL201811595214.2 2018-12-25 申请日起二十年 原始取得

393. 晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法 发明 ZL201811580776.X 2018-12-24 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 110一种提高混合刻蚀工艺稳定性的

394. 发明 ZL201811557616.3 2018-12-19 申请日起二十年 原始取得

方法一种提高刻蚀腔电流稳定性

395. 发明 ZL201811557608.9 2018-12-19 申请日起二十年 原始取得

的方法

396. 分离栅 flash 器件的工艺方法 发明 ZL201811553752.5 2018-12-19 申请日起二十年 原始取得

去除侧壁 ONO 结构中阻挡氧化层

397. 发明 ZL201811516115.0 2018-12-12 申请日起二十年 原始取得

残留的工艺方法

398. 晶体管电性测试结构及测试方法 发明 ZL201811477002.4 2018-12-05 申请日起二十年 原始取得

399. 一种处理半导体晶圆的方法 发明 ZL201811471840.0 2018-12-04 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆转速监控装置及监

400. 发明 ZL201811467391.2 2018-12-03 申请日起二十年 原始取得

控方法

401. 气体注入装置及高温炉管 发明 ZL201811460120.4 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

402. 源漏极离子注入方法及注入系统 发明 ZL201811460106.4 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀

403. 发明 ZL201811458598.3 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

的方法

404. SRAM 测试结构 发明 ZL201811458597.9 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

405. 半导体器件的缺陷检测结构、装 发明 ZL201811458596.4 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 111置及其检测方法

406. 半导体结构的制备方法 发明 ZL201811458583.7 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

407. 一种双大马士革结构的形成方法 发明 ZL201811458561.0 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种 MOS 晶体管栅极小信号电容

408. 发明 ZL201811458548.5 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

测试方法及系统

409. 电阻模型的建立方法 发明 ZL201811458546.6 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

410. 酸槽式湿法刻蚀工艺 发明 ZL201811458540.9 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

411. 一种自对准双层图形的形成方法 发明 ZL201811458523.5 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种 LOD 应力效应 SPICE 建模的

412. 发明 ZL201811458514.6 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

方法改善自对准像素单元满阱容量的

413. 发明 ZL201811458508.0 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

CMOS 图像传感器

414. 晶圆缺陷扫描方法 发明 ZL201811458489.1 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

415. 一种 MRC 冲突协同优化算法 发明 ZL201811458473.0 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

416. 一种晶圆缺陷扫描方法 发明 ZL201811458460.3 2018-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种 SONOS 存储结构及其制造

417. 发明 ZL201811444528.2 2018-11-29 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 112418. 一种刻蚀方法及半导体器件 发明 ZL201811432033.8 2018-11-28 申请日起二十年 原始取得

一种验证设计规则检查脚本

419. 发明 ZL201811408981.8 2018-11-23 申请日起二十年 原始取得

的方法

Interconnect 电容值 SPICE 建模

420. 发明 ZL201811396797.6 2018-11-22 申请日起二十年 原始取得

方法

421. 半导体产品良率上限分析方法 发明 ZL201811396608.5 2018-11-22 申请日起二十年 原始取得

422. SONOS 器件的制造方法 发明 ZL201811396604.7 2018-11-22 申请日起二十年 原始取得

423. 栅极结构的制造方法 发明 ZL201811396595.1 2018-11-22 申请日起二十年 原始取得

424. 一种晶粒缺陷监控方法 发明 ZL201811369312.4 2018-11-16 申请日起二十年 原始取得

425. 一种检测机台的派工方法 发明 ZL201811368312.2 2018-11-16 申请日起二十年 原始取得

426. 一种离子注入的方法及设备 发明 ZL201811344422.5 2018-11-13 申请日起二十年 原始取得

427. 一种缺陷抽检方法 发明 ZL201811340879.9 2018-11-12 申请日起二十年 原始取得

一种通过光阻膜厚监控涂胶显影

428. 发明 ZL201811302702.X 2018-11-02 申请日起二十年 原始取得

机台涂胶槽水平程度的方法一种优化通孔层连接性能的光学

429. 发明 ZL201811289318.0 2018-10-31 申请日起二十年 原始取得

邻近修正方法

430. 闪存的制造方法 发明 ZL201811281931.8 2018-10-31 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 113一种优化势垒区像素离子注入改

431. 发明 ZL201811246105.X 2018-10-24 申请日起二十年 原始取得

善串扰的方法改善分栅结构闪存多步多晶硅刻

432. 发明 ZL201811217631.3 2018-10-18 申请日起二十年 原始取得

蚀损伤的工艺集成方法

一种改善 SONOS 存储器之多晶硅

433. 发明 ZL201811217621.X 2018-10-18 申请日起二十年 原始取得

薄膜沉积特性的方法

434. 闪存器件的制造方法 发明 ZL201811216570.9 2018-10-18 申请日起二十年 原始取得

435. 一种膜质监控方法及装置 发明 ZL201811216561.X 2018-10-18 申请日起二十年 原始取得

一种光学临近修正前的预处

436. 发明 ZL201811204210.7 2018-10-16 申请日起二十年 原始取得

理方法一种阈值可调式高压金属氧化物

437. 发明 ZL201811198257.7 2018-10-15 申请日起二十年 原始取得

半导体器件及其制备方法

438. 一种样品去层次方法 发明 ZL201811198243.5 2018-10-15 申请日起二十年 原始取得

439. 一种图形密度的分析方法 发明 ZL201811154697.2 2018-09-30 申请日起二十年 原始取得

440. 闪存结构及其控制方法 发明 ZL201811134024.0 2018-09-27 申请日起二十年 原始取得

闪存结构及对应的编程、擦除和

441. 发明 ZL201811132953.8 2018-09-27 申请日起二十年 原始取得

读取方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 114一种涂布机构以及在硅片上涂布

442. 发明 ZL201811064491.0 2018-09-12 申请日起二十年 原始取得

HMDS 的方法应用于高压电路防静电保护的无

443. 发明 ZL201811064488.9 2018-09-12 申请日起二十年 原始取得

回滞效应硅控整流器缺陷过滤系统及过滤方法和计算

444. 发明 ZL201811063793.6 2018-09-12 申请日起二十年 原始取得

机存储介质

445. 一种刻蚀副产物智能自清洁方法 发明 ZL201811026563.2 2018-09-04 申请日起二十年 原始取得

446. 一种形成金属扩散阻挡层的方法 发明 ZL201811015325.1 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

晶圆缺陷检测系统及检测方法和

447. 发明 ZL201811014892.5 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

计算机存储介质

448. 一种锁存电路 发明 ZL201811014888.9 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

故障设备识别系统及识别方法和

449. 发明 ZL201811014880.2 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

计算机存储介质

450. 一种冗余图形添加方法 发明 ZL201811014864.3 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

451. 一种像素结构及其制造方法 发明 ZL201811013688.1 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

452. 晶圆清洗装置 发明 ZL201811013483.3 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

453. 一种多晶层光刻工艺热点查 发明 ZL201811012246.5 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 115找方法

一种校正及监测铜电镀中洗边位

454. 发明 ZL201811012214.5 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

置的方法

455. 一种一体化刻蚀方法 发明 ZL201811011770.0 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

456. 一种掩模版的制备方法 发明 ZL201811011755.6 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

控片及其制造方法和化学机械研

457. 发明 ZL201811011719.X 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

磨缺陷的监测方法

一种 CMOS 图像传感器的形成

458. 发明 ZL201811011675.0 2018-08-31 申请日起二十年 原始取得

方法一种形成具有高深宽比图形的结

459. 发明 ZL201810941652.3 2018-08-17 申请日起二十年 原始取得

构的方法改善高深宽比图形不一致和提高

460. 发明 ZL201810927353.4 2018-08-15 申请日起二十年 原始取得

光刻胶形貌陡度的方法

461. 去除光刻胶层的方法 发明 ZL201810898935.4 2018-08-08 申请日起二十年 原始取得

改善闪存单元擦除相关失效的工

462. 发明 ZL201810840312.1 2018-07-27 申请日起二十年 原始取得

艺集成方法

463. 改善 N型 SONOS 器件阈值电压均 发明 ZL201810840290.9 2018-07-27 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 116一性的方法

基于 BSIM4 模型的 MOS 器件子电

464. 发明 ZL201810840264.6 2018-07-27 申请日起二十年 原始取得

路温度模型及建模方法

465. 滤除图形匹配度误报错的方法 发明 ZL201810840252.3 2018-07-27 申请日起二十年 原始取得

一种 MOSFET 栅氧化层电容校准结

466. 发明 ZL201810800725.7 2018-07-20 申请日起二十年 原始取得

构一种改善双重图形刻蚀芯模顶端

467. 发明 ZL201810800712.X 2018-07-20 申请日起二十年 原始取得

圆角的工艺方法一种浅沟槽隔离结构的形成方法

468. 发明 ZL201810800695.X 2018-07-20 申请日起二十年 原始取得

及浅沟槽隔离结构

469. 一种光刻工艺热点的检查方法 发明 ZL201810800585.3 2018-07-20 申请日起二十年 原始取得

一种应用于干法去胶工艺的匹配

470. 发明 ZL201810800573.0 2018-07-20 申请日起二十年 原始取得

验证方法一种晶圆制程工艺参数的反

471. 发明 ZL201810759253.5 2018-07-11 申请日起二十年 原始取得

馈方法

472. 一种半导体器件及其制造方法 发明 ZL201810714188.4 2018-06-29 申请日起二十年 原始取得

473. 一种工艺控制方法 发明 ZL201810706079.8 2018-06-26 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 117474. 检测晶圆工作台平坦度的方法 发明 ZL201810672956.4 2018-06-26 申请日起二十年 原始取得

475. 快速热退火工艺能力的监控方法 发明 ZL201810672950.7 2018-06-26 申请日起二十年 原始取得

化学机械研磨设备工艺能力的监

476. 发明 ZL201810672949.4 2018-06-26 申请日起二十年 原始取得

控方法一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻

477. 发明 ZL201810632298.6 2018-06-19 申请日起二十年 原始取得

蚀工艺一种分裂栅结构下的侧墙栅极隔

478. 发明 ZL201810632297.1 2018-06-19 申请日起二十年 原始取得

离刻蚀膜层工艺

479. 一种双大马士革结构的制作方法 发明 ZL201810604625.7 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

480. 一种等离子体刻蚀的方法 发明 ZL201810604623.8 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

481. 栅极区域的 OPC 验证方法 发明 ZL201810604622.3 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

一种存储单元模型的阈值电压调

482. 发明 ZL201810604592.6 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

节方法和系统一种改善等离子体刻蚀工艺中首

483. 发明 ZL201810604582.2 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

片效应的方法

484. 探针卡 发明 ZL201810604560.6 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

485. 一种 SONOS 存储器及其制造方法 发明 ZL201810604556.X 2018-06-13 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 118一种划片区内的监控图形的排布

486. 发明 ZL201810565129.5 2018-06-04 申请日起二十年 原始取得

方法

487. 金属离子监控方法 发明 ZL201810504049.9 2018-05-23 申请日起二十年 原始取得

一种应用于 SRAM 的可调节 WLUD

488. 发明 ZL201810504047.X 2018-05-23 申请日起二十年 原始取得

读写辅助电路一种化学气相淀积机台及处理机

489. 发明 ZL201810503740.5 2018-05-23 申请日起二十年 原始取得

台报警的方法

490. 一种闪存单元结构的制备方法 发明 ZL201810428572.8 2018-05-07 申请日起二十年 原始取得

E-FUSE 存储阵列、E-FUSE 以及

491. 发明 ZL201810388020.9 2018-04-26 申请日起二十年 原始取得

E-FUSE 操作方法

492. 一种静电吸附盘的温度监控方法 发明 ZL201810387262.6 2018-04-26 申请日起二十年 原始取得

493. 一种检测站的来料负荷控制方法 发明 ZL201810362521.X 2018-04-20 申请日起二十年 原始取得

494. 一种调试关键尺寸均匀性的方法 发明 ZL201810360659.6 2018-04-20 申请日起二十年 原始取得

495. 一种晶圆的测试方法 发明 ZL201810355979.2 2018-04-19 申请日起二十年 原始取得

一种铜金属互连电迁移测试结构

496. 发明 ZL201810316625.7 2018-04-10 申请日起二十年 原始取得

及其测试方法

497. 一种芯片测试装置、测试方法及 发明 ZL201810298527.5 2018-04-03 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 119测试板

无回滞效应栅接地 NMOS 静电防护

498. 发明 ZL201810277913.6 2018-03-30 申请日起二十年 原始取得

半导体器件及其实现方法一种改进型的多样品并行去封装

499. 发明 ZL201810252902.2 2018-03-26 申请日起二十年 原始取得

方法

500. 获取晶圆晶背刮伤来源的方法 发明 ZL201810157691.4 2018-02-24 申请日起二十年 原始取得

501. 芯片的测试方法 发明 ZL201810157468.X 2018-02-24 申请日起二十年 原始取得

一种检测晶圆上介质层孔道连通

502. 发明 ZL201810153103.X 2018-02-11 申请日起二十年 原始取得

性的方法射频晶体管射频参数模型建

503. 发明 ZL201810114825.4 2018-02-06 申请日起二十年 原始取得

立方法一种独立控温的用于可靠性测试

504. 发明 ZL201810096981.2 2018-01-31 申请日起二十年 原始取得

的测试结构及其测试方法

505. 闪存的制造方法 发明 ZL201810084833.9 2018-01-29 申请日起二十年 原始取得

一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶

506. 发明 ZL201810069436.4 2018-01-24 申请日起二十年 原始取得

圆表面颗粒缺陷的方法

507. 闪存 发明 ZL201810063032.4 2018-01-23 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 120508. 闪存及其制造方法 发明 ZL201810063024.X 2018-01-23 申请日起二十年 原始取得

509. 光刻胶去除方法 发明 ZL201810058404.4 2018-01-22 申请日起二十年 原始取得

510. 闪存阵列的制作方法及闪存阵列 发明 ZL201711466172.8 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

511. 一种电迁移加速测试方法 发明 ZL201711465933.8 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

无回滞效应硅控整流器型 ESD 保

512. 发明 ZL201711464516.1 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

护结构及其实现方法

无回滞效应硅控整流器型 ESD 保

513. 发明 ZL201711464508.7 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

护结构及其实现方法一种闪烁噪声统计模型的建模方

514. 发明 ZL201711464504.9 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

法及其提取方法

OPC 建模中次分辨率辅助图形确

515. 发明 ZL201711464502.X 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

定的方法适用于离子注入工艺套刻精度的

516. 发明 ZL201711461652.5 2017-12-28 申请日起二十年 原始取得

评估方法

一种带 SONOS 结构的晶体管及其

517. 发明 ZL201711430506.6 2017-12-26 申请日起二十年 原始取得

制造方法

518. 改善 HTO 厚度稳定性的方法 发明 ZL201711419332.3 2017-12-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 121519. 一种对插塞缺陷进行检测的方法 发明 ZL201711394241.9 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

一种版图重复单元匹配性检查方

520. 发明 ZL201711394189.7 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

法及系统

521. 一种压控振荡器电路 发明 ZL201711394141.6 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

522. 一种高可靠性读出电路 发明 ZL201711394120.4 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

523. 去除斜边凸起的方法 发明 ZL201711394075.2 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

一种降低连接孔层程式运行时间

524. 发明 ZL201711394054.0 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

的 OPC 修正方法

一种 SPICE 集中模型的建模方法

525. 发明 ZL201711393123.6 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

及系统一种电子束扫描程式参数自调整

526. 发明 ZL201711393038.X 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

方法

527. 晶圆侧边去光阻方法 发明 ZL201711392379.5 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

一种 MOSFET 器件之全局工艺角模

528. 发明 ZL201711392362.X 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

型的建模方法一种电感版图之辅助层及器件参

529. 发明 ZL201711392318.9 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

数抽取的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 122适用于随机存储器自动测试的高

530. 发明 ZL201711392308.5 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

速电路结构及其测试方法

531. SONOS 存储器的 ONO 刻蚀方法 发明 ZL201711392296.6 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

一种改善长寿命钽靶材后期使用

532. 发明 ZL201711392270.1 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

的腔体套件结构具有侧墙型选择栅的非易失存储

533. 发明 ZL201711389221.2 2017-12-21 申请日起二十年 原始取得

器及其制造方法一种检测多晶硅是否出现短路的

534. 发明 ZL201711387149.X 2017-12-20 申请日起二十年 原始取得

检测方法一种通过增加热处理过程改善

535. 发明 ZL201711387099.5 2017-12-20 申请日起二十年 原始取得

CIS 白色像素点的方法一种带沟槽结构的双极型晶体管

536. 发明 ZL201711374117.6 2017-12-19 申请日起二十年 原始取得

及其制作方法

537. 提高通孔层 OPC 精度的方法 发明 ZL201711345445.3 2017-12-15 申请日起二十年 原始取得

538. 预调金属导线尺寸的方法 发明 ZL201711312299.4 2017-12-11 申请日起二十年 原始取得

优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀

539. 发明 ZL201711281769.5 2017-12-07 申请日起二十年 原始取得

形貌的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 123540. 改善金属层腐蚀缺陷方法 发明 ZL201711279353.X 2017-12-06 申请日起二十年 原始取得

监控 3D栅极氧化层工艺的方法及

541. 发明 ZL201711244384.1 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

结构

542. 金属互连结构及其制作方法 发明 ZL201711243083.7 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

避免控制栅形成中刻蚀返工导致

543. 发明 ZL201711242834.3 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

无定型碳膜剥落的方法

544. 浅沟槽隔离的制造方法 发明 ZL201711241074.4 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种亮场缺陷检测设备自动优化

545. 发明 ZL201711240724.3 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

光强条件的方法及系统一种金属连线恒温电迁移测

546. 发明 ZL201711240650.3 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

试结构一种存储单元及其存储阵列结

547. 发明 ZL201711240646.7 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

构、操作方法

548. 刻蚀腔体部件的检测方法 发明 ZL201711239742.X 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

549. 提高注入机生产效率的方法 发明 ZL201711237469.7 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

改善闪存中高压器件栅极氧化层

550. 发明 ZL201711237456.X 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

可靠性的工艺集成方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 124551. 小样品的去层方法 发明 ZL201711234859.9 2017-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种金属层光阻顶部缺失工艺热

552. 发明 ZL201711227505.1 2017-11-29 申请日起二十年 原始取得

点的版图处理方法根据电路设计图形设置扫描阈值

553. 发明 ZL201711220974.0 2017-11-29 申请日起二十年 原始取得

的方法一种自动监控产品跑货状况

554. 发明 ZL201711219188.9 2017-11-28 申请日起二十年 原始取得

的方法一种基于光学临近效应修正减少

555. 发明 ZL201711219183.6 2017-11-28 申请日起二十年 原始取得

栅极波动的方法一种形成不同深度接触孔的刻蚀

556. 发明 ZL201711219182.1 2017-11-28 申请日起二十年 原始取得

方法单端转差分电路及其构成的缓冲

557. 发明 ZL201711201528.5 2017-11-27 申请日起二十年 原始取得

器电路和采样保持电路一种一键式激活数据收集项目的

558. 发明 ZL201711192842.1 2017-11-24 申请日起二十年 原始取得

方法一种改善锗硅源漏极形貌的制备

559. 发明 ZL201711191234.9 2017-11-24 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 125一种化学机械研磨垫磨损的检测

560. 发明 ZL201711189823.3 2017-11-24 申请日起二十年 原始取得

装置及工作方法一种改善层间介质研磨工艺厚度

561. 发明 ZL201711189813.X 2017-11-24 申请日起二十年 原始取得

稳定性的方法一种模拟内部版图图形的边缘冗

562. 发明 ZL201711183763.4 2017-11-23 申请日起二十年 原始取得

余图形生成方法

563. 半导体器件的 SAB 工艺方法 发明 ZL201711178355.X 2017-11-23 申请日起二十年 原始取得

提高离子注入区的深宽比的制造

564. 发明 ZL201711178339.0 2017-11-23 申请日起二十年 原始取得

方法

565. 槽式湿法清洗机台 发明 ZL201711178278.8 2017-11-23 申请日起二十年 原始取得

去除光刻胶显影后残留缺陷

566. 发明 ZL201711178203.X 2017-11-23 申请日起二十年 原始取得

的方法一种监测离子注入设备性能

567. 发明 ZL201711177123.2 2017-11-22 申请日起二十年 原始取得

的方法

568. 一种晶圆的重测方法 发明 ZL201711177120.9 2017-11-22 申请日起二十年 原始取得

一种用于尺寸缩减 NORFlash 单元

569. 发明 ZL201711176780.5 2017-11-22 申请日起二十年 原始取得

工艺集成方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 126570. 一种高可靠性三态输出电路 发明 ZL201711176777.3 2017-11-22 申请日起二十年 原始取得

一种改善一体化刻蚀聚集残留缺

571. 发明 ZL201711172098.9 2017-11-22 申请日起二十年 原始取得

陷的方法

572. SONOS 器件的形成方法 发明 ZL201711168493.X 2017-11-21 申请日起二十年 原始取得

一种精确控制浅沟槽隔离的整体

573. 发明 ZL201711167683.X 2017-11-21 申请日起二十年 原始取得

形貌和性能的方法

574. 一种嵌入式闪存工艺集成方法 发明 ZL201711160947.9 2017-11-20 申请日起二十年 原始取得

一种具备故障诊断的系统级芯片

575. 发明 ZL201711160758.1 2017-11-20 申请日起二十年 原始取得

生产方法一种建立全局调节模型进行优化

576. 发明 ZL201711160733.1 2017-11-20 申请日起二十年 原始取得

快速热退火的方法

一种改善 HCD 氮化硅沉积工艺过

577. 发明 ZL201711160388.1 2017-11-20 申请日起二十年 原始取得

程缺陷状况的装置一种对芯片表面进行分区域对比

578. 发明 ZL201711160370.1 2017-11-20 申请日起二十年 原始取得

扫描的检测方法及设备一种基于缺陷贡献度的缺陷检测

579. 发明 ZL201711159860.X 2017-11-20 申请日起二十年 原始取得

机台自动派工系统和方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 127一种接触孔底部钨栓缺陷的检测

580. 发明 ZL201711140573.4 2017-11-16 申请日起二十年 原始取得

结构及检测方法

581. 闪存的工艺集成结构和方法 发明 ZL201711138163.6 2017-11-16 申请日起二十年 原始取得

一种检测接触孔底部钨栓缺失缺

582. 发明 ZL201711132944.4 2017-11-15 申请日起二十年 原始取得

陷的方法一种消除湿法刻蚀金属硅化物阻

583. 发明 ZL201711131180.7 2017-11-15 申请日起二十年 原始取得

挡层底切缺陷的工艺方法

PVD 设备的工艺腔的工艺调节结

584. 发明 ZL201711127897.4 2017-11-15 申请日起二十年 原始取得

构和方法

585. 一种改善的套刻精度量测方法 发明 ZL201711125009.5 2017-11-14 申请日起二十年 原始取得

一种存储器件中形成控制栅的工

586. 发明 ZL201711123938.2 2017-11-14 申请日起二十年 原始取得

艺流程方法有源区顶部圆滑度的模拟检

587. 发明 ZL201711121971.1 2017-11-14 申请日起二十年 原始取得

测方法

镍金属硅化物的 TEM 样品的制备

588. 发明 ZL201711121958.6 2017-11-14 申请日起二十年 原始取得

方法

589. 闪存单元结构及其制造方法 发明 ZL201711121845.6 2017-11-14 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 128590. 刻蚀腔体的聚合物清洁方法 发明 ZL201711121422.4 2017-11-14 申请日起二十年 原始取得

591. 基于规则的 OPC 方法 发明 ZL201711112632.7 2017-11-10 申请日起二十年 原始取得

一种改善光刻填充材料平坦度的

592. 发明 ZL201711106966.3 2017-11-10 申请日起二十年 原始取得

方法接触孔的金属连接结构及其制造

593. 发明 ZL201711102829.2 2017-11-10 申请日起二十年 原始取得

方法光刻套刻精度量测准确性的评估

594. 发明 ZL201711102811.2 2017-11-10 申请日起二十年 原始取得

方法用于化学机械研磨工艺模型建模

595. 发明 ZL201711102787.2 2017-11-10 申请日起二十年 原始取得

的测试图形

一种边缘保护圈结构、反应室和

596. 发明 ZL201711100107.3 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

化学气相沉积设备一种提高离子注入层抗前层反射

597. 发明 ZL201711100020.6 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

的 OPC 修正方法

598. 一种分布式存储区块访问电路 发明 ZL201711100003.2 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

一种改善闪存单元的工艺集

599. 发明 ZL201711099991.3 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

成方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 129一种带误码消除功能的锁定指示

600. 发明 ZL201711099120.1 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

器电路一种提高监控图形监控精度

601. 发明 ZL201711099108.0 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

的方法

一种省去 CLDD 光罩的 NorFlash

602. 发明 ZL201711098208.1 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

器件集成工艺方法

603. OPC 修正方法 发明 ZL201711097082.6 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

604. 刻蚀工艺方法 发明 ZL201711097030.9 2017-11-09 申请日起二十年 原始取得

605. 一种高效的缺陷抽检方法及系统 发明 ZL201711092655.6 2017-11-08 申请日起二十年 原始取得

606. 一种制备西格玛凹槽的方法 发明 ZL201711092654.1 2017-11-08 申请日起二十年 原始取得

一种根据射频时数改善一体化刻

607. 发明 ZL201711091683.6 2017-11-08 申请日起二十年 原始取得

蚀工艺面内均匀性的方法一种检测静电吸盘表面颗粒污染

608. 发明 ZL201711091677.0 2017-11-08 申请日起二十年 原始取得

物的方法一种检测及校正晶圆与腔体载物

609. 发明 ZL201711073025.4 2017-11-03 申请日起二十年 原始取得

台偏移的装置及方法

610. 一种闪存晶圆的制作方法 发明 ZL201711057785.6 2017-10-23 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 130一种减小 WPE 效应的标准单元库

611. 发明 ZL201711050885.6 2017-10-31 申请日起二十年 原始取得

版图设计方法一种完善光刻模型数据对测试图

612. 发明 ZL201710987039.0 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

形覆盖范围的方法

613. 浅沟槽隔离结构的形成方法 发明 ZL201710987035.2 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

614. 重复性缺陷的筛选方法 发明 ZL201710987031.4 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

615. 一种高性能输出驱动电路 发明 ZL201710986287.3 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

一种自适应闪存写入操作控制方

616. 发明 ZL201710986267.6 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

法及电路一种多晶硅层桥接断路的解

617. 发明 ZL201710985194.9 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

决方法

618. 一种套刻精度点检方法 发明 ZL201710985188.3 2017-10-20 申请日起二十年 原始取得

619. 一种光刻辅助图形的设计方法 发明 ZL201710928912.9 2017-10-09 申请日起二十年 原始取得

一种校正全局金属层工艺热点的

620. 发明 ZL201710924604.9 2017-09-30 申请日起二十年 原始取得

方法

621. 一种分裂栅的栅极形成方法 发明 ZL201710884971.0 2017-09-26 申请日起二十年 原始取得

622. 源/漏的形成方法以及半导体器 发明 ZL201710882857.4 2017-09-26 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 131件的形成方法

623. 一种锗硅源漏极及其制备方法 发明 ZL201710882787.2 2017-09-26 申请日起二十年 原始取得

624. 一种光罩的校正方法 发明 ZL201710861813.3 2017-09-21 申请日起二十年 原始取得

一种温度的测量方法及电迁移的

625. 发明 ZL201710822916.9 2017-09-13 申请日起二十年 原始取得

测试方法

一种 MIP 平板电容结构及其形成

626. 发明 ZL201710801609.2 2017-09-07 申请日起二十年 原始取得

方法一种针对产品量测区域缺陷监控

627. 发明 ZL201710797272.2 2017-09-06 申请日起二十年 原始取得

的方法

628. 一种线宽量测和问题评估的方法 发明 ZL201710797215.4 2017-09-06 申请日起二十年 原始取得

一种离子注入机钨金属污染的监

629. 发明 ZL201710796722.6 2017-09-06 申请日起二十年 原始取得

控方法一种套刻误差量测和问题评估的

630. 发明 ZL201710796702.9 2017-09-06 申请日起二十年 原始取得

方法基于计算机辅助设计的晶圆激光

631. 发明 ZL201710758627.7 2017-08-29 申请日起二十年 原始取得

标识工艺实现方法及系统

632. 适用于 TDDB 的原位侦测热点 发明 ZL201710757942.8 2017-08-29 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 132方法

633. 光刻工艺热点的整合方法 发明 ZL201710757929.2 2017-08-29 申请日起二十年 原始取得

634. 一种晶圆检测方法 发明 ZL201710750267.6 2017-08-28 申请日起二十年 原始取得

一种新型硅控整流器型 ESD 保护

635. 发明 ZL201710731685.0 2017-08-23 申请日起二十年 原始取得

结构及其实现方法

一种新型硅控整流器型 ESD 保护

636. 发明 ZL201710731223.9 2017-08-23 申请日起二十年 原始取得

结构及其实现方法一种改善浮栅极并联电容稳定性

637. 发明 ZL201710730505.7 2017-08-23 申请日起二十年 原始取得

的方法一种多晶硅上接触孔粘结层异常

638. 发明 ZL201710730497.6 2017-08-23 申请日起二十年 原始取得

缺陷检测方法

一种改善 CMOS 图像传感器刻蚀腔

639. 发明 ZL201710702567.7 2017-08-16 申请日起二十年 原始取得

体金属污染的方法

640. 一种通孔的形成方法 发明 ZL201710702565.8 2017-08-16 申请日起二十年 原始取得

一种掩膜板微尘影响评估方法和

641. 发明 ZL201710701067.1 2017-08-16 申请日起二十年 原始取得

系统

642. 一种光学临近修正工艺的预处理 发明 ZL201710670732.5 2017-08-08 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 133方法

一种确定离子注入机注入角度偏

643. 发明 ZL201710642794.5 2017-07-31 申请日起二十年 原始取得

差的方法一种降低存储器擦写功耗的电荷

644. 发明 ZL201710642793.0 2017-07-31 申请日起二十年 原始取得

泵电路

645. 一种双时域动态变频测试方法 发明 ZL201710641641.9 2017-07-31 申请日起二十年 原始取得

一种新型 ESD 保护结构及其实现

646. 发明 ZL201710640089.1 2017-07-31 申请日起二十年 原始取得

方法

647. 一种图形转角的 OPC 修正方法 发明 ZL201710636987.X 2017-07-31 申请日起二十年 原始取得

一种浅离子注入层的 OPC修正

648. 发明 ZL201710636973.8 2017-07-31 申请日起二十年 原始取得

方法一种自适应定义缺陷扫描方程式

649. 发明 ZL201710613874.8 2017-07-25 申请日起二十年 原始取得

扫描区域的方法

650. 电阻模型及其修正方法 发明 ZL201710612356.4 2017-07-25 申请日起二十年 原始取得

一种用于闪存电路中的变容二极

651. 发明 ZL201710609969.2 2017-07-25 申请日起二十年 原始取得

管结构及其制造方法

652. 一种基于改进的带隙基准结构的 发明 ZL201710567419.9 2017-07-12 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 134上电复位电路

刻蚀管控系统及其管控方法和刻

653. 发明 ZL201710567416.5 2017-07-12 申请日起二十年 原始取得

蚀机台一种用于聚焦离子束机台提取样

654. 发明 ZL201710567411.2 2017-07-12 申请日起二十年 原始取得

品的方法

655. 一种熔断器及其制造方法 发明 ZL201710561178.7 2017-07-11 申请日起二十年 原始取得

656. 图像传感器的制备方法 发明 ZL201710494748.5 2017-06-26 申请日起二十年 原始取得

一种高能离子注入工艺中形成高

657. 发明 ZL201710471715.9 2017-06-20 申请日起二十年 原始取得

深宽比隔离的方法一种模拟离子注入光阻穿透深度

658. 发明 ZL201710471713.X 2017-06-20 申请日起二十年 原始取得

的模型及其建模方法

静电释放装置及制造方法、聚焦

659. 发明 ZL201710470999.X 2017-06-20 申请日起二十年 原始取得

离子束设备及使用方法

660. 提高套刻精度的方法 发明 ZL201710458343.6 2017-06-16 申请日起二十年 原始取得

一种检测晶圆表面氮化硅残留的

661. 发明 ZL201710429161.6 2017-06-08 申请日起二十年 原始取得

方法

662. 一种新型 ESD 保护结构及其实现 发明 ZL201710420095.6 2017-06-06 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 135方法

一种新型 ESD 保护结构及其实现

663. 发明 ZL201710420086.7 2017-06-06 申请日起二十年 原始取得

方法

664. 一种电平转换与非电路 发明 ZL201710419522.9 2017-06-06 申请日起二十年 原始取得

一种减小 STI-CMP 过程中碟型凹

665. 发明 ZL201710401452.4 2017-05-31 申请日起二十年 原始取得

陷的方法

666. 晶圆退火的热量补偿方法 发明 ZL201710401289.1 2017-05-31 申请日起二十年 原始取得

667. 半导体芯片老化测试装置及方法 发明 ZL201710400323.3 2017-05-31 申请日起二十年 原始取得

668. 一种晶圆颗粒检测系统及方法 发明 ZL201710399666.2 2017-05-31 申请日起二十年 原始取得

669. 一种驱动力可配置的电荷泵电路 发明 ZL201710370115.3 2017-05-23 申请日起二十年 原始取得

670. 一种光刻胶供应装置 发明 ZL201710370114.9 2017-05-23 申请日起二十年 原始取得

一种在氧化硅湿法刻蚀中降低硅

671. 发明 ZL201710370095.X 2017-05-23 申请日起二十年 原始取得

损伤的方法一种器件建模中最优器件的自动

672. 发明 ZL201710368792.1 2017-05-23 申请日起二十年 原始取得

选择方法及系统一种通孔中光刻胶栓刻蚀量的自

673. 发明 ZL201710368784.7 2017-05-23 申请日起二十年 原始取得

动调节方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 136674. 晶圆缺陷的检测方法 发明 ZL201710353548.8 2017-05-18 申请日起二十年 原始取得

675. 一种金属互连结构的制备方法 发明 ZL201710329424.6 2017-05-11 申请日起二十年 原始取得

光学邻近校正前的图形预处

676. 发明 ZL201710318782.7 2017-05-08 申请日起二十年 原始取得

理方法计算版图中线宽固定节距不同的

677. 发明 ZL201710318781.2 2017-05-08 申请日起二十年 原始取得

线条的分布的方法一种采用电流编程的电子可编程

678. 发明 ZL201710312461.6 2017-05-05 申请日起二十年 原始取得

熔丝电路结构一种通过预补值来快速建立光刻

679. 发明 ZL201710276130.1 2017-04-25 申请日起二十年 原始取得

工艺条件的方法一种电荷捕获型非易失存储器及

680. 发明 ZL201710272690.X 2017-04-24 申请日起二十年 原始取得

其制作方法一种降低闪存源端导通电阻

681. 发明 ZL201710272670.2 2017-04-24 申请日起二十年 原始取得

的方法一种结合耐高压晶体管的电荷捕

682. 发明 ZL201710272223.7 2017-04-24 申请日起二十年 原始取得

获型非易失存储器制作方法

683. 一种层间电容的控制方法及控制 发明 ZL201710229267.1 2017-04-10 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 137系统

一种嵌入式存储器自适应工作参

684. 发明 ZL201710228681.0 2017-04-10 申请日起二十年 原始取得

数调整方法图形光罩连接孔缺陷检查测试结

685. 发明 ZL201710225567.2 2017-04-07 申请日起二十年 原始取得

构及方法

686. 接触孔制作工艺缺陷的检查方法 发明 ZL201710225130.9 2017-04-07 申请日起二十年 原始取得

687. 实现更小线宽的光刻工艺 发明 ZL201710190157.9 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

688. 一种大尺寸拼接产品曝光方法 发明 ZL201710190123.X 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

689. 一种钳位电压电路 发明 ZL201710189260.1 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

690. 减缓晶圆边缘散焦的光刻方法 发明 ZL201710188876.7 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

691. 套刻精度补正的优化方法及系统 发明 ZL201710187899.6 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

692. 一种 EFUSE 烧写方法及烧写电路 发明 ZL201710187627.6 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

693. 一种浪涌电流控制模块及其方法 发明 ZL201710187522.0 2017-03-27 申请日起二十年 原始取得

版图重复单元光学邻近效应修正

694. 发明 ZL201710170707.0 2017-03-21 申请日起二十年 原始取得

一致性检查方法补偿由光刻镜头散射光导致曝光

695. 发明 ZL201710170252.2 2017-03-21 申请日起二十年 原始取得

误差的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 138696. 一种上电复位电路 发明 ZL201710169793.3 2017-03-21 申请日起二十年 原始取得

一种监控 Ge 离子注入质量的

697. 发明 ZL201710146467.0 2017-03-13 申请日起二十年 原始取得

方法一种时钟分布网络结构及其生成

698. 发明 ZL201710146090.9 2017-03-13 申请日起二十年 原始取得

方法

699. 一种提高芯片同测数的方法 发明 ZL201710141184.7 2017-03-10 申请日起二十年 原始取得

700. 一种增强型 CMOS 施密特电路 发明 ZL201710141051.X 2017-03-10 申请日起二十年 原始取得

701. 一种光罩颗粒尺寸的评估方法 发明 ZL201710140908.6 2017-03-10 申请日起二十年 原始取得

一种提高 SONOS 器件读取电流的

702. 发明 ZL201710140796.4 2017-03-10 申请日起二十年 原始取得

方法

703. 一种刻蚀方法 发明 ZL201710033545.6 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

704. 图形光罩接触孔缺陷检测方法 发明 ZL201611089543.0 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

705. 测试结构及测试方法 发明 ZL201611087779.0 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

706. 一种基于频率比较的锁定指示器 发明 ZL201611086921.X 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种基于前层图形判别的离子注

707. 发明 ZL201611085965.0 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

入层边界的光学临近修正方法

708. WAT机台报警引起的lot异常处理 发明 ZL201611085624.3 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 139优化方法及系统

709. 一种半导体晶圆的测试结构 发明 ZL201611077582.9 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种降低热载流子劣化的电平转

710. 发明 ZL201611077581.4 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

换电路一种改善高深宽比光刻胶形貌的

711. 发明 ZL201611077084.4 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

结构和方法防止研磨头与研磨垫修整器相撞

712. 发明 ZL201611076614.3 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

的装置、方法及研磨设备

一种监控 CIS 像素单元相关电容

713. 发明 ZL201611076611.X 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

的电路及方法一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶

714. 发明 ZL201611076590.1 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

圆传送方法

715. 一种电源箝位 ESD 保护电路结构 发明 ZL201611076587.X 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

一种优化低功耗产品漏电流

716. 发明 ZL201611076529.7 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

的方法

717. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201611075479.0 2016-11-30 申请日起二十年 原始取得

718. 一种考虑版图环境的电阻模型提 发明 ZL201611061474.2 2016-11-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 140取方法及系统

一种应用于 PLL 的高性能 VCO

719. 发明 ZL201611061473.8 2016-11-25 申请日起二十年 原始取得

电路一种电阻闪烁噪声模型的建立方

720. 发明 ZL201611061346.8 2016-11-25 申请日起二十年 原始取得

法及系统

721. 一种炉管尾气处理管道 发明 ZL201611059866.5 2016-11-22 申请日起二十年 原始取得

一种通用版图临近效应表征模型

722. 发明 ZL201611053506.4 2016-11-25 申请日起二十年 原始取得

及其提取方法一种电阻子电路噪声模型结构及

723. 发明 ZL201611048937.1 2016-11-23 申请日起二十年 原始取得

其建模方法

724. 一种增强 OPC 处理精度的方法 发明 ZL201611047406.0 2016-11-22 申请日起二十年 原始取得

一种用于产生二维 OPC 测试图形

725. 发明 ZL201611042085.5 2016-11-22 申请日起二十年 原始取得

的方法

一种自校准可扩展性 SRAM 延时测

726. 发明 ZL201611041043.X 2016-11-23 申请日起二十年 原始取得

试电路

727. 改善有源区点状腐蚀缺陷的方法 发明 ZL201611040507.5 2016-11-22 申请日起二十年 原始取得

728. 芯片内部动作时间的检测系统及 发明 ZL201611040490.3 2016-11-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 141方法

一种基于理想电阻的可熔断电阻

729. 发明 ZL201611037379.9 2016-11-23 申请日起二十年 原始取得

验证系统及方法

一种 WAT阈值电压测试方法及

730. 发明 ZL201611031129.4 2016-11-22 申请日起二十年 原始取得

系统一种改善非对称性静电吸盘刻蚀

731. 发明 ZL201611028534.0 2016-11-18 申请日起二十年 原始取得

腔体边缘缺陷的方法一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监

732. 发明 ZL201611027701.X 2016-11-01 申请日起二十年 原始取得

测的方法

一种 NISSIN 离子注入机台的自动

733. 发明 ZL201611018094.0 2016-11-18 申请日起二十年 原始取得

化程式正确性管理方法及装置

734. PMOS 器件及其集成工艺方法 发明 ZL201611017984.X 2016-11-17 申请日起二十年 原始取得

735. 电迁移测试结构 发明 ZL201611010913.7 2016-11-17 申请日起二十年 原始取得

一种动态调整安全研磨时间限的

736. 发明 ZL201610993680.0 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

方法

737. 一种上电复位电路 发明 ZL201610986873.3 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

738. 一种可探知晶圆滑动的机械 发明 ZL201610986671.9 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 142臂装置

提高前照式 CMOS 图像传感器红光

739. 发明 ZL201610985910.9 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

量子效率的方法及结构

一种集成 5伏器件和 SONOS 存储

740. 发明 ZL201610985902.4 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

器的制造方法一种晶圆化学机械抛光保持环的

741. 发明 ZL201610985516.5 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

清洗装置及清洗方法一种集成离子刻蚀划片槽和密封

742. 发明 ZL201610985505.7 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

环的制造方法用于钨沉积前的接触孔表面的处

743. 发明 ZL201610985481.5 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

理方法

744. 半导体器件及其制备方法 发明 ZL201610984921.5 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

消除前金属层内部缺陷导致的短

745. 发明 ZL201610984912.6 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

路漏电的方法一种炉管的氮气冷却系统及晶圆

746. 发明 ZL201610983199.3 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

和晶舟的冷却方法

747. 一种延长刻蚀腔体开腔保养时间 发明 ZL201610983032.7 2016-11-09 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 143间隔的保养方法

一种快速收集阈值电压分布

748. 发明 ZL201610971021.7 2016-11-01 申请日起二十年 原始取得

的方法一种化学机械研磨机台研磨压力

749. 发明 ZL201610957345.5 2016-10-27 申请日起二十年 原始取得

补偿方法恒温电迁移测试中的电流加速因

750. 发明 ZL201610950150.8 2016-10-26 申请日起二十年 原始取得

子评估方法用于封装级可靠性测试的静电防

751. 发明 ZL201610949909.0 2016-10-26 申请日起二十年 原始取得

护电路和测试安装方法

一种基于 systemverilog 的 AHB

752. 发明 ZL201610936104.2 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

核随机验证方法药液槽承载晶圆的底座及提高槽

753. 发明 ZL201610926005.6 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

式湿法刻蚀均匀性的方法一种嵌入式闪存及其电流比较读

754. 发明 ZL201610925994.7 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

出电路一种晶圆边缘清洗装置及清

755. 发明 ZL201610925966.5 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

洗方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 144756. 一种优化晶圆环状缺陷的方法 发明 ZL201610924726.3 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

自校准式恒温电迁移测试中的金

757. 发明 ZL201610924546.5 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

属活化能评估方法

758. 一种减少曝光焦距误差的方法 发明 ZL201610924503.7 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

一种 CIS 器件及优化后段光通道

759. 发明 ZL201610924437.3 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

工艺来降低 CIS 暗电流的方法

760. 抗电磁干扰的晶振谐振回路电路 发明 ZL201610924231.0 2016-10-24 申请日起二十年 原始取得

一种用于无电容型 LDO的补偿

761. 发明 ZL201610901016.9 2016-10-17 申请日起二十年 原始取得

电路一种改善应力记忆工艺效果

762. 发明 ZL201610885707.4 2016-10-10 申请日起二十年 原始取得

的方法一种连接孔图形光罩缺点的检测

763. 发明 ZL201610884418.2 2016-10-10 申请日起二十年 原始取得

方法

一种降低背照式 CMOS 图像传感器

764. 发明 ZL201610884399.3 2016-10-10 申请日起二十年 原始取得

白像素的方法一种剥离嵌入式闪存的逻辑及

765. 发明 ZL201610884377.7 2016-10-10 申请日起二十年 原始取得

SRAM 区中浮栅结构的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 145一种金属线层小尺寸冗余图形的

766. 发明 ZL201610884323.0 2016-10-10 申请日起二十年 原始取得

添加和处理方法

767. 一种双向 ESD 器件及其制作方法 发明 ZL201610875594.X 2016-09-30 申请日起二十年 原始取得

一种用于缺陷检测机台的实时侦

768. 发明 ZL201610857461.X 2016-09-27 申请日起二十年 原始取得

测光阻损伤的方法

一种用作 ESD 保护的 GGNMOS 器件

769. 发明 ZL201610854759.5 2016-09-27 申请日起二十年 原始取得

及其制作方法

770. 一种栅氧层的制备方法 发明 ZL201610854700.6 2016-09-27 申请日起二十年 原始取得

771. 一种上电复位电路 发明 ZL201610852610.3 2016-09-26 申请日起二十年 原始取得

772. 一种 ESD 器件及其制作方法 发明 ZL201610850755.X 2016-09-26 申请日起二十年 原始取得

降低化学机械抛光工艺热点检测

773. 发明 ZL201610828347.4 2016-09-18 申请日起二十年 原始取得

漏报率的方法一种突破外观缺陷机台检测极限

774. 发明 ZL201610795422.1 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

的方法适用于各类周期性测试算法的存

775. 发明 ZL201610795123.8 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

储器内建自测试电路

776. 一种测试有源区顶部圆滑度 发明 ZL201610790820.4 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 146的方法

777. 一种形成 MIS 结构的方法 发明 ZL201610790816.8 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

降低离子注入层光刻胶剥离风险

778. 发明 ZL201610790803.0 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

的方法

一种优化 CMOS 图像传感器晶圆边

779. 发明 ZL201610790785.6 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

缘缺陷的方法提高良率提升缺陷监测效率

780. 发明 ZL201610790782.2 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

的方法电化学镀铜洗边装置以及电化学

781. 发明 ZL201610790760.6 2016-08-31 申请日起二十年 原始取得

镀铜洗边方法保形沉积的薄膜厚度预测模型建

782. 发明 ZL201610777684.5 2016-08-30 申请日起二十年 原始取得

立及应用方法刻蚀设备以及用于去除晶背边缘

783. 发明 ZL201610776793.5 2016-08-30 申请日起二十年 原始取得

薄膜的晶背边缘刻蚀方法

784. 一种监控侧墙刻蚀后残留的方法 发明 ZL201610770418.X 2016-08-30 申请日起二十年 原始取得

785. 一种炉管的进气装置 发明 ZL201610770371.7 2016-08-30 申请日起二十年 原始取得

786. 一种降低变容器最小电容的方法 发明 ZL201610766363.5 2016-08-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 147787. 可制造性检测分析方法 发明 ZL201610766345.7 2016-08-30 申请日起二十年 原始取得

一种检测浅沟槽隔离区空洞缺陷

788. 发明 ZL201610704834.X 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

的方法

789. 一种锗硅 TEM 样品的制备方法 发明 ZL201610704833.5 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

一种非易失存储器结构及其制作

790. 发明 ZL201610704806.8 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

方法改善有源区边界处的栅极拐角的

791. 发明 ZL201610704771.8 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

方法一种嵌入式闪存的电荷泵控制电

792. 发明 ZL201610704743.6 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

路结构

793. 一种在接触孔中制备薄膜的方法 发明 ZL201610704710.1 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆研磨头清洗装置及清洗

794. 发明 ZL201610703066.6 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

方法一种适用于低电容密度电容测试

795. 发明 ZL201610703053.9 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

结构的版图布局方法

一种可调控制栅增加 ILD 填充窗

796. 发明 ZL201610703052.4 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

口的工艺方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 148防止重掺杂的硅衬底边缘的离子

797. 发明 ZL201610703032.7 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

析出的方法一种避免电子束扫描过程中产生

798. 发明 ZL201610703019.1 2016-08-22 申请日起二十年 原始取得

电弧放电的缺陷检测方法

799. 半浮栅晶体管工艺方法 发明 ZL201610696009.X 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

800. 改善 OPC 版图处理不一致的方法 发明 ZL201610695909.2 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

透射电子显微镜样品结染色

801. 发明 ZL201610694441.5 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

的方法针对多晶硅氧化物栅极缺失的电

802. 发明 ZL201610694386.X 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

子束扫描检测方法多产品共晶圆流片中的几何信息

803. 发明 ZL201610694146.X 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

提取方法降低金属硬质掩模大马士革一体

804. 发明 ZL201610694050.3 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

化刻蚀缺陷生长的方法

805. 制备透射电子显微镜样品的方法 发明 ZL201610692334.9 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

透射电子显微镜样品结染色

806. 发明 ZL201610692332.X 2016-08-19 申请日起二十年 原始取得

的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 149自加热电迁移测试结构以及晶圆

807. 发明 ZL201610608746.X 2016-07-29 申请日起二十年 原始取得

级自加热电迁移测试方法

808. 离子注入设备及监控方法 发明 ZL201610608697.X 2016-07-29 申请日起二十年 原始取得

809. 一种化学机械研磨模拟方法 发明 ZL201610606958.4 2016-07-28 申请日起二十年 原始取得

810. 一种单位格点几何信息提取方法 发明 ZL201610606945.7 2016-07-28 申请日起二十年 原始取得

一种基于图形密度的工艺模型建

811. 发明 ZL201610606942.3 2016-07-28 申请日起二十年 原始取得

模与修正方法

SEN 离子注入机台的自动化程式

812. 发明 ZL201610585587.6 2016-07-22 申请日起二十年 原始取得

正确性管理方法及装置

813. 用于执行版图 OPC 处理的方法 发明 ZL201610585550.3 2016-07-22 申请日起二十年 原始取得

具有双外延层结构的 CMOS 图像传

814. 发明 ZL201610585056.7 2016-07-22 申请日起二十年 原始取得

感器及其制造方法一种用于共源架构嵌入式闪存的

815. 发明 ZL201610584970.X 2016-07-22 申请日起二十年 原始取得

字线驱动电路及其方法一种改善圆晶片内膜厚均匀性的

816. 发明 ZL201610584924.X 2016-07-22 申请日起二十年 原始取得

方法

817. 改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程 发明 ZL201610510527.8 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 150中硅衬底完整性的方法

一种降低 ESD风险的版图处理

818. 发明 ZL201610510504.7 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

方法一种离子注入工艺的精确控

819. 发明 ZL201610498922.9 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

制方法

820. 一种快速降低热板温度的方法 发明 ZL201610498921.4 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

一种量测工序的智能抽样方法及

821. 发明 ZL201610498899.3 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

系统调节衬底表面反射率的结构及方

822. 发明 ZL201610498878.1 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

法、光刻方法一种离子注入层图形线宽尺寸的

823. 发明 ZL201610498312.9 2016-06-30 申请日起二十年 原始取得

形成方法

824. 一种优化 OPC 验证的方法 发明 ZL201610421103.4 2016-06-14 申请日起二十年 原始取得

一种电化学镀铜洗边宽度的自动

825. 发明 ZL201610415928.5 2016-06-14 申请日起二十年 原始取得

调节装置和自动调节方法

用于 CMP 设备上的研磨垫安装夹

826. 发明 ZL201610370175.0 2016-05-30 申请日起二十年 原始取得

具装置及使用方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 151一种光刻机的晶圆承载吸附压力

827. 发明 ZL201610370135.6 2016-05-30 申请日起二十年 原始取得

优化方法

828. 一种曝光条件检测方法及系统 发明 ZL201610370132.2 2016-05-30 申请日起二十年 原始取得

829. 一种自对准 STI 的制备方法 发明 ZL201610367958.3 2016-05-30 申请日起二十年 原始取得

830. 一种铜研磨方法及系统 发明 ZL201610367935.2 2016-05-30 申请日起二十年 原始取得

831. 一种提高 OPC 修正精度的方法 发明 ZL201610367932.9 2016-05-30 申请日起二十年 原始取得

改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双

832. 发明 ZL201610357144.1 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

光刻处理方法防止有形貌晶圆表面刻蚀损伤的

833. 发明 ZL201610357141.8 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

光刻刻蚀方法一种暗场缺陷检测设备自对准工

834. 发明 ZL201610357127.8 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

艺窗口的校正方法

835. 局部曝光异常缺陷自动检测方法 发明 ZL201610356816.7 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

一种亮场扫描设备自动定义扫描

836. 发明 ZL201610355214.X 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

区域的检测方法

一种优化 CMOS 图像传感器晶圆边

837. 发明 ZL201610355204.6 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

缘缺陷的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 152一种金属层膜厚堆叠模型校准的

838. 发明 ZL201610355194.6 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

方法及系统一种离子注入机的智能工艺互锁

839. 发明 ZL201610355192.7 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

控制方法及系统一种靶材边缘之铝熔射层的检测

840. 发明 ZL201610353584.X 2016-05-25 申请日起二十年 原始取得

方法函括格点边缘区域图形数据的版

841. 发明 ZL201610327932.6 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

图特征参数提取方法

842. 超浅结退火方法 发明 ZL201610327931.1 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

843. 一种平面 TEM 样品的制备方法 发明 ZL201610327914.8 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

化学机械研磨工艺模型校准验证

844. 发明 ZL201610327878.5 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

流程中薄膜厚度引入方法

845. 实现多晶硅栅极平坦化的方法 发明 ZL201610327876.6 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

版图设计中的权重线宽的提

846. 发明 ZL201610326227.4 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

取方法基于掩模板规则限制优化光学临

847. 发明 ZL201610326182.0 2016-05-17 申请日起二十年 原始取得

近修正结果的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 153848. 一种减少光刻胶中毒的方法 发明 ZL201610323439.7 2016-05-16 申请日起二十年 原始取得

用于预防半导体芯片版图的天线

849. 发明 ZL201610320945.0 2016-05-13 申请日起二十年 原始取得

效应的方法一种离子注入层阴影效应分析结

850. 发明 ZL201610319144.2 2016-05-16 申请日起二十年 原始取得

构的形成方法

一种 3D集成电路结构及其制造方

851. 发明 ZL201610319141.9 2016-05-16 申请日起二十年 原始取得

法

852. 一种加速 WAT 测试的系统和方法 发明 ZL201610280121.5 2016-04-29 申请日起二十年 原始取得

853. 离子注入层版图的光学修正方法 发明 ZL201610280103.7 2016-04-29 申请日起二十年 原始取得

一种使电荷泵输出电压具有多种

854. 发明 ZL201610250583.2 2016-04-21 申请日起二十年 原始取得

温度系数的电路

855. 一种基于 MEEF 的 OPC 验证方法 发明 ZL201610250573.9 2016-04-21 申请日起二十年 原始取得

一种用于小电容失配检测及绝对

856. 发明 ZL201610250571.X 2016-04-21 申请日起二十年 原始取得

值测量的电路及方法

857. 阻挡介质层的刻蚀方法 发明 ZL201610250432.7 2016-04-21 申请日起二十年 原始取得

MOS 管阈值电压分布的测量系统

858. 发明 ZL201610219022.6 2016-04-11 申请日起二十年 原始取得

及测量方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 154一种通过改变 SAB 膜质降低 CIS

859. 发明 ZL201610218970.8 2016-04-11 申请日起二十年 原始取得

器件噪声的方法

860. 离子注入设备的冷却单元 发明 ZL201610212943.X 2016-04-07 申请日起二十年 原始取得

梯度压力模式改善膜厚均一性的

861. 发明 ZL201610212828.2 2016-04-07 申请日起二十年 原始取得

方法

862. 测试金属线的电迁移结构 发明 ZL201610212826.3 2016-04-07 申请日起二十年 原始取得

一种平衡存储单元区填充与逻辑

863. 发明 ZL201610212604.1 2016-04-07 申请日起二十年 原始取得

区栅氧完整性的工艺方法利用曝光辅助图形来减少基底反

864. 发明 ZL201610212558.5 2016-04-07 申请日起二十年 原始取得

射影响的方法

865. 一种确定 OPC 模型焦平面的方法 发明 ZL201610212556.6 2016-04-07 申请日起二十年 原始取得

866. 一种改善晶圆翘曲度的方法 发明 ZL201610186873.5 2016-03-29 申请日起二十年 原始取得

一种改善炉管晶舟支撑脚颗粒状

867. 发明 ZL201610185803.8 2016-03-29 申请日起二十年 原始取得

况的装置及方法控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性

868. 发明 ZL201610173911.3 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

的方法

869. 高电流注入机台监控方法 发明 ZL201610173716.0 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 155炉管、晶片冷却方法以及自动晶

870. 发明 ZL201610173685.9 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

舟清洁方法

871. 自动晶圆校准方法 发明 ZL201610173682.5 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

一种消除闪光退火机台首十枚效

872. 发明 ZL201610173408.8 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

应的方法

阻挡 CMOS 图像传感器 HDP 浅沟槽

873. 发明 ZL201610173365.3 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

填充过程中金属污染的方法针对版图设计数据改版的光刻工

874. 发明 ZL201610173339.0 2016-03-24 申请日起二十年 原始取得

艺的友善性检查方法

875. 一种 TEM 样品的制备方法 发明 ZL201610164426.X 2016-03-22 申请日起二十年 原始取得

一种 MOSFET BSIM4 子电路器件模

876. 发明 ZL201610163792.3 2016-03-22 申请日起二十年 原始取得

型及其建模方法一种改善深亚微米级闪存器件耦

877. 发明 ZL201610163759.0 2016-03-22 申请日起二十年 原始取得

合率的沟槽氧化物的刻蚀方法一种校正电子显微镜电子束与晶

878. 发明 ZL201610114691.7 2016-03-01 申请日起二十年 原始取得

圆位置偏差的方法

879. 一种解决 HDP PSG 制程厚度均一 发明 ZL201610109837.9 2016-02-29 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 156性持续跳高的方法

降低 CMOS 图像传感器的无金属硅

880. 发明 ZL201610107865.7 2016-02-26 申请日起二十年 原始取得

化物区域接触电阻的方法一种兼容不同规格之探针的

881. 发明 ZL201610107841.1 2016-02-26 申请日起二十年 原始取得

探针卡改善静电吸附盘树脂保护环损伤

882. 发明 ZL201610107752.7 2016-02-26 申请日起二十年 原始取得

的结构及方法改善闪存产品多晶硅表面缺陷检

883. 发明 ZL201610107730.0 2016-02-26 申请日起二十年 原始取得

测灵敏度的方法及结构

884. 双结构接触孔同步刻蚀工艺 发明 ZL201610107729.8 2016-02-26 申请日起二十年 原始取得

一种提升经时击穿测试有效性的

885. 发明 ZL201610107358.3 2016-02-26 申请日起二十年 原始取得

方法

886. 栅氧化层厚度实时监控方法 发明 ZL201610088975.3 2016-02-17 申请日起二十年 原始取得

一种用于槽型湿法设备的干燥装

887. 发明 ZL201610088128.7 2016-02-17 申请日起二十年 原始取得

置及干燥方法一种验证快闪存储器隧穿氧化层

888. 发明 ZL201610088127.2 2016-02-17 申请日起二十年 原始取得

可靠性的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 157889. 消除比较器延迟的振荡电路 发明 ZL201510724253.8 2015-10-29 申请日起二十年 原始取得

一种 CMOS 图像传感器的结构及其

890. 发明 ZL201510719251.X 2015-10-29 申请日起二十年 原始取得

制备方法

891. 一种 H3PO4 槽小换酸的控制方法 发明 ZL201510719240.1 2015-10-29 申请日起二十年 原始取得

一种检测光刻机焦距偏移量

892. 发明 ZL201510719205.X 2015-10-29 申请日起二十年 原始取得

的方法

893. 一种排除电性噪声干扰的方法 发明 ZL201510716961.7 2015-10-28 申请日起二十年 原始取得

一种改善低介电质膜厚稳定性的

894. 发明 ZL201510716951.3 2015-10-28 申请日起二十年 原始取得

方法一种改善低介电质薄膜厚度稳定

895. 发明 ZL201510716938.8 2015-10-28 申请日起二十年 原始取得

性的方法形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的

896. 发明 ZL201510716917.6 2015-10-28 申请日起二十年 原始取得

方法

897. 一种降低颗粒产生的方法 发明 ZL201510716894.9 2015-10-28 申请日起二十年 原始取得

一种针对多晶硅层光刻版图的工

898. 发明 ZL201510715852.3 2015-10-28 申请日起二十年 原始取得

艺热点检查方法

899. 一种降低接触式图像传感器工作 发明 ZL201510708400.2 2015-10-27 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 158区金属污染的方法

一种降低接触式图像传感器工作

900. 发明 ZL201510708385.1 2015-10-27 申请日起二十年 原始取得

区金属污染的方法

一种 MOS 可变电容的仿真模型建

901. 发明 ZL201510707912.7 2015-10-27 申请日起二十年 原始取得

立方法和仿真方法嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制

902. 发明 ZL201510707870.7 2015-10-27 申请日起二十年 原始取得

作方法嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制

903. 发明 ZL201510707673.5 2015-10-27 申请日起二十年 原始取得

作方法

研磨液供给及研磨垫整理装置、

904. 发明 ZL201510707376.0 2015-10-27 申请日起二十年 原始取得

研磨机台

905. 一种研磨垫及其更换方法 发明 ZL201510703868.2 2015-10-26 申请日起二十年 原始取得

一种保持研磨机台研磨率平衡的

906. 发明 ZL201510703181.9 2015-10-26 申请日起二十年 原始取得

方法

907. 用于化学机械研磨机台的固定环 发明 ZL201510683995.0 2015-10-20 申请日起二十年 原始取得

908. 一种 TEM 芯片样品的标记方法 发明 ZL201510680560.0 2015-10-19 申请日起二十年 原始取得

909. 一种 CIS 器件的制造方法 发明 ZL201510680467.X 2015-10-19 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 159MIM 电容器的测试结构和测试

910. 发明 ZL201510680458.0 2015-10-19 申请日起二十年 原始取得

方法抑制浅沟槽隔离结构深度负载效

911. 发明 ZL201510663204.8 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

应的方法

912. 一种侦测锗硅残留的方法 发明 ZL201510663115.3 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

无深度负载效应的浅沟槽隔离结

913. 发明 ZL201510663074.8 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

构的制备方法

914. 一种 SRAM 单元建模方法 发明 ZL201510663043.2 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆验收测试机台加压校准

915. 发明 ZL201510662809.5 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

方法

916. 一种半导体器件电性测试方法 发明 ZL201510662806.1 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

917. 对准精度测量的图形结构 发明 ZL201510662782.X 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

一种利用信息码识别的探针卡及

918. 发明 ZL201510662503.X 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

方法一种避免浅沟槽隔离结构出现深

919. 发明 ZL201510662464.3 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

度负载效应的方法

920. 一种 AL刻蚀机台热量再利用的装 发明 ZL201510662415.X 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 160置及方法

921. 离子注入阻挡层的制作方法 发明 ZL201510662096.2 2015-10-14 申请日起二十年 原始取得

一种存储器测试装置及一种存储

922. 发明 ZL201510655029.8 2015-09-27 申请日起二十年 原始取得

器芯片测试方法一种消除比较器延迟和失配的振

923. 发明 ZL201510626725.6 2015-09-28 申请日起二十年 原始取得

荡电路

924. 一种光刻套准补正的方法 发明 ZL201510626687.4 2015-09-28 申请日起二十年 原始取得

925. 一种金属沟槽刻蚀方法 发明 ZL201510626669.6 2015-09-28 申请日起二十年 原始取得

一种偏置电压显性相关的失配模

926. 发明 ZL201510624152.3 2015-09-27 申请日起二十年 原始取得

型及其提取方法

927. U 形栅极的形成方法 发明 ZL201510624106.3 2015-09-27 申请日起二十年 原始取得

928. 一种通用失配模型及其提取方法 发明 ZL201510623395.5 2015-09-27 申请日起二十年 原始取得

一种降低 CMOS 图像传感器白像素

929. 发明 ZL201510621256.9 2015-09-25 申请日起二十年 原始取得

的集成工艺

通过多晶硅吸杂降低 CMOS 图像传

930. 发明 ZL201510621245.0 2015-09-25 申请日起二十年 原始取得

感器白像素的方法

931. 通过 C离子注入降低 CMOS 图像传 发明 ZL201510621209.4 2015-09-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 161感器白像素的方法

通过 F离子注入降低 CMOS 图像传

932. 发明 ZL201510621207.5 2015-09-25 申请日起二十年 原始取得

感器暗电流的方法

933. 一种改善晶圆形变的曝光载片台 发明 ZL201510608938.6 2015-09-22 申请日起二十年 原始取得

一种漏电流的测试版图、检测结

934. 发明 ZL201510592962.5 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

构及其检测方法一种改善晶圆边缘产品良率

935. 发明 ZL201510591788.2 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

的方法一种栅极阵列图形的双重曝光制

936. 发明 ZL201510591374.X 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

作方法一种光学邻近效应修正离焦模型

937. 发明 ZL201510591365.0 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

的校准方法

一种制作 Sigma 型锗硅沟槽的

938. 发明 ZL201510591355.7 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

方法

939. 一种提高器件性能均一性的方法 发明 ZL201510591338.3 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

一种扫描程式运用阈值修正进行

940. 发明 ZL201510591333.0 2015-09-17 申请日起二十年 原始取得

晶圆检测的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 162一种防止 TEM芯片样品破裂的

941. 发明 ZL201510578320.X 2015-09-11 申请日起二十年 原始取得

方法

用于 CMOS 器件离子注入光学修正

942. 发明 ZL201510578319.7 2015-09-11 申请日起二十年 原始取得

的测试结构及方法解决高能量下连续片晶圆孤立线

943. 发明 ZL201510578270.5 2015-09-11 申请日起二十年 原始取得

宽下降的方法

一种 SONOS 器件中 ONO 结构的制

944. 发明 ZL201510547787.8 2015-08-31 申请日起二十年 原始取得

造方法一种晶圆边缘产品良率的改

945. 发明 ZL201510547779.3 2015-08-31 申请日起二十年 原始取得

善方法常压炉管生长的薄膜厚度的控制

946. 发明 ZL201510546241.0 2015-08-31 申请日起二十年 原始取得

方法

947. 高深宽比结构的光刻胶填充方法 发明 ZL201510546180.8 2015-08-31 申请日起二十年 原始取得

948. 一种制备 TEM 芯片样品的方法 发明 ZL201510532705.2 2015-08-26 申请日起二十年 原始取得

949. 电迁移测试结构及测试方法 发明 ZL201510532704.8 2015-08-26 申请日起二十年 原始取得

用于减少高浓度外延工艺中的位

950. 发明 ZL201510524163.4 2015-08-24 申请日起二十年 原始取得

错缺陷的方法和系统

25SH3110017/BC/az/cm/D6 163951. 一种互连寄生电阻电容校准结构 发明 ZL201510514462.X 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

CMOS 器件工艺中锗硅外延层的制

952. 发明 ZL201510514447.5 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

备方法一种集成电路分析中透射电镜平

953. 发明 ZL201510514446.0 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

面样品的制备方法

一种双位 SONOS 存储器及其编译、

954. 发明 ZL201510514435.2 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

擦除和读取方法

一种 N沟道非易失性闪存器件及

955. 发明 ZL201510514392.8 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

其编译、擦除和读取方法

956. 一种栅氧化层缺陷的分析方法 发明 ZL201510514373.5 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

一种防止 I/O 电路不确定态的上

957. 发明 ZL201510514279.X 2015-08-20 申请日起二十年 原始取得

电检测电路

预估 MEEF 较大图形的方法及

958. 发明 ZL201510497384.7 2015-08-13 申请日起二十年 原始取得

系统多管路液体气化反应成膜设备气

959. 发明 ZL201510494546.1 2015-08-12 申请日起二十年 原始取得

流控制方法

960. 一种∑型结构的半浮栅器件的制 发明 ZL201510494525.X 2015-08-12 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 164造方法

961. 光刻生产控制方法 发明 ZL201510493961.5 2015-08-12 申请日起二十年 原始取得

962. 一种 TEM 样品制备方法 发明 ZL201510493945.6 2015-08-12 申请日起二十年 原始取得

963. 一种引线键合去除的方法 发明 ZL201510493865.0 2015-08-12 申请日起二十年 原始取得

金属硬掩模一体化刻蚀中桥接位

964. 发明 ZL201510489081.0 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

置的检测方法

965. 弯折探针及其治具 发明 ZL201510489059.6 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

966. 栅极硬掩模层的去除方法 发明 ZL201510489041.6 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

967. 一种避免光刻机镜头过热的方法 发明 ZL201510489028.0 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

抑制反短沟道效应的方法及 NMOS

968. 发明 ZL201510488879.3 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

器件制备方法一种基于多曝光程序的多硅片循

969. 发明 ZL201510488878.9 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

环运动方法

970. 一种平面 TEM 样品的制备方法 发明 ZL201510487953.X 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

971. 超薄栅氧的制备方法 发明 ZL201510487665.4 2015-08-11 申请日起二十年 原始取得

一种引入套刻误差的光刻工艺规

972. 发明 ZL201510460417.0 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

则检查方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 165一种自动放行 WAT PM 探针卡的系

973. 发明 ZL201510460280.9 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

统及方法

974. 一种双浅沟槽隔离形成方法 发明 ZL201510460278.1 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

975. 一种栅介质层的制备方法 发明 ZL201510460277.7 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆支撑件的清洗装置及清

976. 发明 ZL201510460195.2 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

洗方法

一种重复单元结构 TEM 样品的定

977. 发明 ZL201510460194.8 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

位方法

978. 一种在线测试半导体器件衬底 发明 ZL201510459334.X 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

一种避免在形成金属硅化物工艺

979. 发明 ZL201510459314.2 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

中接触孔尺寸偏移的方法一种集成电路芯片反向工程的定

980. 发明 ZL201510459284.5 2015-07-30 申请日起二十年 原始取得

位方法栅极区域的光学临近修正验

981. 发明 ZL201510456589.0 2015-07-29 申请日起二十年 原始取得

证方法离子注入层光刻胶膜厚的优

982. 发明 ZL201510456455.9 2015-07-29 申请日起二十年 原始取得

化方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 166针对特定重复图形的光学临近效

983. 发明 ZL201510435966.2 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

应修正方法一种同时形成一维和二维光刻胶

984. 发明 ZL201510435960.5 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

图形的方法通过优化电荷释放步骤工艺条件

985. 发明 ZL201510435956.9 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

改善球状缺陷的方法

一种测试 SRAM 共享接触孔与多晶

986. 发明 ZL201510435944.6 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

硅接触电阻的结构一种晶圆反应腔室及晶圆反应腔

987. 发明 ZL201510435942.7 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

室之晶圆保护方法

一种测试 SRAM 共享接触孔与有源

988. 发明 ZL201510435916.4 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

区接触电阻的结构金属电迁移测试结构以及金属电

989. 发明 ZL201510435910.7 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

迁移测试方法

进出气装置、具有进出气装置之

990. 发明 ZL201510435906.0 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

热处理机台及进出气方法

991. 形成不同深度沟槽的集成电路制 发明 ZL201510435897.5 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 167造方法

992. 晶圆测试管理系统及方法 发明 ZL201510435476.2 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

一种同时形成一维和二维光刻胶

993. 发明 ZL201510435445.7 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

图形的方法

一种SPC策略自动更新方法及SPC

994. 发明 ZL201510435372.1 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

自动策略系统一种半导体工艺生产线的派工方

995. 发明 ZL201510435344.X 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

法及系统掩模板表面微尘去除装置及除尘

996. 发明 ZL201510435342.0 2015-07-22 申请日起二十年 原始取得

方法

一种节省光罩的 CMOS 阱形成

997. 发明 ZL201510430138.X 2015-07-21 申请日起二十年 原始取得

方法一种双位无结闪存存储器及其编

998. 发明 ZL201510422547.5 2015-07-17 申请日起二十年 原始取得

程、擦除和读取方法

999. 金属氧化物金属电容器制作方法 发明 ZL201510375658.5 2015-06-30 申请日起二十年 原始取得

针对晶圆晶边的化学气相沉积工

1000. 发明 ZL201510375630.1 2015-06-30 申请日起二十年 原始取得

艺腔及化学气相沉积方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 168刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔

1001. 发明 ZL201510369469.7 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

离刻蚀关键尺寸的方法

1002. 侧墙的形成方法 发明 ZL201510369468.2 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

改善磷硅玻璃中磷分布均匀性的

1003. 发明 ZL201510369420.1 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

方法双层套刻精度控制层次管理的方

1004. 发明 ZL201510369337.4 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

法、校准标记及测量系统

1005. 一种镍硅化物的形成方法 发明 ZL201510369145.3 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

1006. 一种探针卡 发明 ZL201510367325.8 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

一种掩膜板及孤立孔寻址图形在

1007. 发明 ZL201510367319.2 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

测量中的应用方法

1008. 一种制作镍硅化物的方法 发明 ZL201510367130.3 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

1009. 一种镍硅化物的优化方法 发明 ZL201510367108.9 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

1010. 一种镍硅化物的制作方法 发明 ZL201510367094.0 2015-06-29 申请日起二十年 原始取得

1011. 一种跨导恒定的差分对输入电路 发明 ZL201510309771.3 2015-06-08 申请日起二十年 原始取得

1012. 一种控制静电吸盘吸力的方法 发明 ZL201510277990.8 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

1013. 一种基于动态电压衬度分析的样 发明 ZL201510277921.7 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 169品制备方法

一种用于器件建模的标准单元选

1014. 发明 ZL201510277904.3 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

择方法一种金属硬质掩模一体化刻蚀通

1015. 发明 ZL201510277903.9 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

孔过刻蚀量的检测方法一种降低图像传感器暗电流

1016. 发明 ZL201510277901.X 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

的方法

1017. 一种晶圆曝光顺序的优化方法 发明 ZL201510277863.8 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

1018. 探针针痕位置的检测系统及方法 发明 ZL201510277862.3 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

1019. 一种混合晶向无结 CMOS 结构 发明 ZL201510276547.9 2015-05-27 申请日起二十年 原始取得

1020. 光刻抗反射层的离线监控方法 发明 ZL201510272206.4 2015-05-25 申请日起二十年 原始取得

通过工艺集成优化减小半导体器

1021. 发明 ZL201510249105.5 2015-05-15 申请日起二十年 原始取得

件性能调试难度的方法一种改善不同晶片之间有源区关

1022. 发明 ZL201510249102.1 2015-05-15 申请日起二十年 原始取得

键尺寸差异的方法一种提高芯片去层次时均匀度的

1023. 发明 ZL201510248913.X 2015-05-15 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 170减少聚合物产生的光刻化学品喷

1024. 发明 ZL201510225370.X 2015-05-04 申请日起二十年 原始取得

涂系统及控制方法

1025. 一种离子注入机的剂量匹配方法 发明 ZL201510216741.8 2015-04-30 申请日起二十年 原始取得

1026. 一种刻蚀反应腔体的清洁方法 发明 ZL201510213483.8 2015-04-29 申请日起二十年 原始取得

1027. 一种嵌入式锗硅结构的制作方法 发明 ZL201510213373.1 2015-04-29 申请日起二十年 原始取得

一种监控光刻机台稳定性的方法

1028. 发明 ZL201510199044.6 2015-04-23 申请日起二十年 原始取得

及系统一种透射电镜样品的制备方法及

1029. 发明 ZL201510199043.1 2015-04-23 申请日起二十年 原始取得

定位方法

1030. 一种铜互连的制备方法 发明 ZL201510198901.0 2015-04-22 申请日起二十年 原始取得

一种 SONOS 双栅闪存器件及其编

1031. 发明 ZL201510198895.9 2015-04-22 申请日起二十年 原始取得

译方法用于使用保形填充层改善器件表

1032. 发明 ZL201510189718.4 2015-04-20 申请日起二十年 原始取得

面均匀性的方法和系统等离子体刻蚀装置及提高硅钴镍

1033. 发明 ZL201510174002.7 2015-04-13 申请日起二十年 原始取得

刻蚀效率的方法

1034. 一种 Flash 产品的 ONO 薄膜缺陷 发明 ZL201510174001.2 2015-04-13 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 171的失效分析方法

降低多孔 low-k 材料的 k值的互

1035. 发明 ZL201510173995.6 2015-04-13 申请日起二十年 原始取得

连工艺钴阻挡层的形成方法和金属互连

1036. 发明 ZL201510173198.8 2015-04-13 申请日起二十年 原始取得

工艺

1037. 光刻对准标记结构及其制造方法 发明 ZL201510149621.0 2015-03-31 申请日起二十年 原始取得

1038. 一种气体喷嘴 发明 ZL201510149062.3 2015-03-31 申请日起二十年 原始取得

1039. 一种掩膜版装载盒 发明 ZL201510149035.6 2015-03-31 申请日起二十年 原始取得

改善 ArF 光阻在硅片表面上的黏

1040. 发明 ZL201510149034.1 2015-03-31 申请日起二十年 原始取得

附性的方法

1041. 晶片刻蚀腔室的清洗方法 发明 ZL201510145288.6 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

集成目标图形优化与光学邻近修

1042. 发明 ZL201510144598.6 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

正的方法

1043. 接触孔的形成方法 发明 ZL201510144276.1 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

一种解决光罩图形单元 ESD 现象

1044. 发明 ZL201510144260.0 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

的处理方法

1045. 检测刻蚀负载效应的方法 发明 ZL201510144256.4 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 172一种基于模型的离子析出缺陷改

1046. 发明 ZL201510144225.9 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

善方法

1047. 一种晶圆边缘缺陷的检测方法 发明 ZL201510144223.X 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

根据集成电路制程能力指数自动

1048. 发明 ZL201510144222.5 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

调整抽检频率的量测方法

1049. 一种 TEM 样品制备方法 发明 ZL201510144200.9 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

一种提高二维图形解析度的工艺

1050. 发明 ZL201510144159.5 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

方法栅氧层缺陷检测方法及器件漏电

1051. 发明 ZL201510144158.0 2015-03-30 申请日起二十年 原始取得

检测方法一种通过显微镜法实现纳米级套

1052. 发明 ZL201510133717.8 2015-03-25 申请日起二十年 原始取得

刻精度的方法

1053. 一种浮栅闪存器件及其编译方法 发明 ZL201510128242.3 2015-03-23 申请日起二十年 原始取得

晶圆可接受性测试机台内部环境

1054. 发明 ZL201510128230.0 2015-03-23 申请日起二十年 原始取得

的监测方法和监测装置一种监控电子显微镜真空腔体洁

1055. 发明 ZL201510126619.1 2015-03-20 申请日起二十年 原始取得

净度的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1731056. 一种检测接触孔过度刻蚀的方法 发明 ZL201510126618.7 2015-03-20 申请日起二十年 原始取得

相邻两个同电位通孔的光学临近

1057. 发明 ZL201510126616.8 2015-03-20 申请日起二十年 原始取得

修正方法一种侦测图形底部光刻胶残留的

1058. 发明 ZL201510126604.5 2015-03-20 申请日起二十年 原始取得

缺陷检测方法具有用于嵌入锗材料的成形腔的

1059. 发明 ZL201510079521.5 2015-02-13 申请日起二十年 原始取得

半导体器件及其双沟槽制造工艺具有用于嵌入锗材料的成形腔的

1060. 发明 ZL201510079513.0 2015-02-13 申请日起二十年 原始取得

半导体器件及其制造工艺

1061. 嵌入式 SiGe 外延测试块的设计 发明 ZL201510050661.X 2015-01-30 申请日起二十年 原始取得

用于改善 SiGe 厚度的均匀性的方

1062. 发明 ZL201510035496.0 2015-01-23 申请日起二十年 原始取得

法和系统

一种 UV处理机台工艺性能的日常

1063. 发明 ZL201410714988.8 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

检查方法

1064. 一种接触孔刻蚀装置及刻蚀方法 发明 ZL201410714909.3 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

1065. ONO 介质层的制备方法 发明 ZL201410714893.6 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

1066. 消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残 发明 ZL201410714842.3 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 174余的方法

一种光刻工艺热点的自动修

1067. 发明 ZL201410714799.0 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

复方法

1068. 一种改善金属硅化物的方法 发明 ZL201410714798.6 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

1069. 一种测定薄膜研磨速率的方法 发明 ZL201410710267.X 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

1070. 一种改善金属硅化物的方法 发明 ZL201410710161.X 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

1071. 一种离子注入机的预处理方法 发明 ZL201410710134.2 2014-11-28 申请日起二十年 原始取得

1072. 嵌入式碳化硅的制备方法 发明 ZL201410697561.1 2014-11-26 申请日起二十年 原始取得

改善 SiGe CMOS 工艺中 PMOS 器件

1073. 发明 ZL201410697473.1 2014-11-26 申请日起二十年 原始取得

的电学性能的方法一种采用存储器监测器件制程余

1074. 发明 ZL201410697305.2 2014-11-26 申请日起二十年 原始取得

量的方法

1075. 嵌入式锗硅器件的制作方法 发明 ZL201410693124.2 2014-11-26 申请日起二十年 原始取得

1076. 一种 TEM 样品的制备方法 发明 ZL201410692996.7 2014-11-26 申请日起二十年 原始取得

1077. DC?DC 转换电路 发明 ZL201410692975.5 2014-11-26 申请日起二十年 原始取得

1078. NMOS 器件的硅衬底表面的处理方 发明 ZL201410664725.0 2014-11-19 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 175法及 NMOS 器件的制作方法

改善浅沟槽隔离边缘 SiC 应力性

1079. 发明 ZL201410664592.7 2014-11-19 申请日起二十年 原始取得

能的方法

1080. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201410664315.6 2014-11-19 申请日起二十年 原始取得

晶圆净化装置、刻蚀机台及大马

1081. 发明 ZL201410654598.6 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

士革刻蚀方法

1082. 一种闪存器件及其编程方法 发明 ZL201410654597.1 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

1083. 一种 SONOS 闪存器件的编译方法 发明 ZL201410654584.4 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

1084. 一种浮栅闪存器件及其编程方法 发明 ZL201410654582.5 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

一种 SONOS 闪存器件及其编译

1085. 发明 ZL201410654511.5 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

方法

1086. 一种降低源极和漏极电阻的方法 发明 ZL201410654365.6 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

降低源极和漏极电阻的结构

1087. 发明 ZL201410654361.8 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

和方法

1088. 一种静电吸盘性能的监测方法 发明 ZL201410652825.1 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

1089. 一种接触孔关键尺寸的控制方法 发明 ZL201410652823.2 2014-11-17 申请日起二十年 原始取得

1090. 根据特殊电路结构脱落缺陷确定 发明 ZL201410629236.1 2014-11-10 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 176可疑工艺步骤的方法

后段铜互连工艺中降低通孔间介

1091. 发明 ZL201410625362.X 2014-11-07 申请日起二十年 原始取得

质材料的 K值的方法

改善浅沟槽隔离边缘 SiC 应力性

1092. 发明 ZL201410619982.2 2014-11-05 申请日起二十年 原始取得

能的方法

1093. SiGe 源漏 MOS 器件制造方法 发明 ZL201410619373.7 2014-11-05 申请日起二十年 原始取得

1094. 半导体器件的形成方法 发明 ZL201410618097.2 2014-11-05 申请日起二十年 原始取得

1095. 一种浅沟槽隔离结构的制造方法 发明 ZL201410597402.4 2014-10-29 申请日起二十年 原始取得

背面探测式光子辐射显微镜装置

1096. 发明 ZL201410597388.8 2014-10-29 申请日起二十年 原始取得

及测试方法一种调节高压器件电性的多晶硅

1097. 发明 ZL201410522341.5 2014-09-30 申请日起二十年 原始取得

刻蚀方法

改善 HCD 氮化硅沉积工艺的应力

1098. 发明 ZL201410520740.8 2014-09-30 申请日起二十年 原始取得

缺陷的方法

1099. 浅沟槽隔离的制造方法 发明 ZL201410491604.0 2014-09-24 申请日起二十年 原始取得

1100. 一种探针卡清针装置 发明 ZL201410491591.7 2014-09-24 申请日起二十年 原始取得

1101. 铜互连的扩散阻挡层、半导体器 发明 ZL201410487739.X 2014-09-23 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 177件及其制造方法

一种用于制备等离子氮化栅极介

1102. 发明 ZL201410443794.9 2014-09-02 申请日起二十年 原始取得

质层的方法高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检

1103. 发明 ZL201410443792.X 2014-09-02 申请日起二十年 原始取得

测方法改善亮场机台缺陷扫描精度的方

1104. 发明 ZL201410443791.5 2014-09-02 申请日起二十年 原始取得

法

1105. 消息中间件的监控系统 发明 ZL201410443404.8 2014-09-02 申请日起二十年 原始取得

1106. 一种接触孔可靠性测试装置 发明 ZL201410443389.7 2014-09-02 申请日起二十年 原始取得

一种对图形结构刻蚀能力的检测

1107. 发明 ZL201410441474.X 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

方法一种用于缺陷分类的光学检

1108. 发明 ZL201410441473.5 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

测方法一种检测离子阱注入形貌对器件

1109. 发明 ZL201410441471.6 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

性能影响的方法

1110. 一种清洗设备颗粒监控的方法 发明 ZL201410441448.7 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

1111. 预防机台偏移对产品造成机械刮 发明 ZL201410441418.6 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 178伤的方法

一种提高外延机台产能的装置与

1112. 发明 ZL201410440501.1 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

方法

1113. 一种刻蚀装置与方法 发明 ZL201410440490.7 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

1114. 改善晶圆边缘缺陷的装置 发明 ZL201410440477.1 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

1115. 样品座 发明 ZL201410440457.4 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

一种检测图形尺寸对离子阱形貌

1116. 发明 ZL201410440456.X 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

影响的方法

1117. 一种检测扫描机台的性能方法 发明 ZL201410440447.0 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

一种光罩图形缺陷检测系统

1118. 发明 ZL201410440440.9 2014-09-01 申请日起二十年 原始取得

及方法

1119. 减少修正迭代次数的 OPC 方法 发明 ZL201410428712.3 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

1120. n 沟道 SONOS 器件及其编译方法 发明 ZL201410428695.3 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

一种双接触孔刻蚀停止层的制作

1121. 发明 ZL201410428687.9 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

方法用于镍硅合金化工艺的阻挡层的

1122. 发明 ZL201410428597.X 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

制备方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1791123. 改善激光退火热分布的方法 发明 ZL201410428585.7 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

一种光罩自动派工控制方法及控

1124. 发明 ZL201410428244.X 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

制系统

n沟道非易失性存储元件及其编

1125. 发明 ZL201410427477.8 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

译方法

1126. SONOS 闪存器件及其编译方法 发明 ZL201410427471.0 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

1127. 闪存器件的编程方法 发明 ZL201410427436.9 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

一种提高钴阻挡层沉积选择比的

1128. 发明 ZL201410427394.9 2014-08-27 申请日起二十年 原始取得

方法

1129. 电子束缺陷扫描装置及方法 发明 ZL201410414994.1 2014-08-21 申请日起二十年 原始取得

1130. 晶圆缺陷扫描方法 发明 ZL201410414597.4 2014-08-21 申请日起二十年 原始取得

1131. 梯度式干法去胶方法 发明 ZL201410412283.0 2014-08-20 申请日起二十年 原始取得

静态存储器的检测设备及检

1132. 发明 ZL201410411989.5 2014-08-20 申请日起二十年 原始取得

测方法一种修复超低介质常数薄膜侧壁

1133. 发明 ZL201410411975.3 2014-08-20 申请日起二十年 原始取得

损伤的方法

1134. 一种减少超低介质常数薄膜侧壁 发明 ZL201410411972.X 2014-08-20 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 180损伤的方法

一种防止化学机械研磨时微观刮

1135. 发明 ZL201410411838.X 2014-08-20 申请日起二十年 原始取得

伤的研磨方法

1136. 形成浅沟槽隔离结构的方法 发明 ZL201410410384.4 2014-08-20 申请日起二十年 原始取得

末端射程损伤的检测以及修

1137. 发明 ZL201410403765.X 2014-08-15 申请日起二十年 原始取得

复方法图形预处理方法以及测量图形密

1138. 发明 ZL201410403759.4 2014-08-15 申请日起二十年 原始取得

度的方法

改善 PMOS 器件性能的离子注入方

1139. 发明 ZL201410403757.5 2014-08-15 申请日起二十年 原始取得

法用于多孔低介电常数材料的紫外

1140. 发明 ZL201410403729.3 2014-08-15 申请日起二十年 原始取得

光固化工艺方法改善多孔低介电常数材料垂直均

1141. 发明 ZL201410403327.3 2014-08-15 申请日起二十年 原始取得

匀性的方法半导体制造过程的监控方法及半

1142. 发明 ZL201410390822.5 2014-08-08 申请日起二十年 原始取得

导体生产方法

1143. 根据图形特征对自动聚焦光强进 发明 ZL201410390806.6 2014-08-08 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 181行补偿的缺陷检测方法

1144. 湿法清洗工艺设备颗粒监控方法 发明 ZL201410390799.X 2014-08-08 申请日起二十年 原始取得

一种提高同测数的新型测试开发

1145. 发明 ZL201410390798.5 2014-08-08 申请日起二十年 原始取得

方法通过刻蚀不足缺陷检测多晶硅与

1146. 发明 ZL201410390797.0 2014-08-08 申请日起二十年 原始取得

连接孔对准度的方法

1147. 一种浅沟槽隔离结构的制造方法 发明 ZL201410390784.3 2014-08-08 申请日起二十年 原始取得

通过栅氧的双氧化提高栅氧均匀

1148. 发明 ZL201410390774.X 2014-09-18 申请日起二十年 原始取得

性的方法一种产品通孔刻蚀缺陷的检

1149. 发明 ZL201410377465.9 2014-08-01 申请日起二十年 原始取得

测方法

1150. 半导体器件缺陷的光学检测方法 发明 ZL201410377459.3 2014-08-01 申请日起二十年 原始取得

1151. 晶圆缺陷监控方法 发明 ZL201410377374.5 2014-08-01 申请日起二十年 原始取得

静态存储器的在线失效分析方法

1152. 发明 ZL201410377359.0 2014-08-01 申请日起二十年 原始取得

及在线电子束检测设备

1153. 量测群组设备及量测方法 发明 ZL201410377345.9 2014-08-01 申请日起二十年 原始取得

1154. 一种对缺陷进行选择性检测 发明 ZL201410377341.0 2014-08-01 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 182的方法

一种具有凸面栅极结构的 B4?

1155. 发明 ZL201410375182.0 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

Flash

1156. 一种有效验证探针卡异常的方法 发明 ZL201410374767.0 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

1157. 气体过滤方法 发明 ZL201410374698.3 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

一种具有凸面栅极结构的 B4?

1158. 发明 ZL201410374646.6 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

Flash

1159. 一种无结晶体管 发明 ZL201410374634.3 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

1160. 用于制作嵌入式锗硅的方法 发明 ZL201410374256.9 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

1161. 曝光辅助图形的优化方法 发明 ZL201410371051.5 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

1162. 一种透射电镜样品的制备方法 发明 ZL201410370914.7 2014-07-31 申请日起二十年 原始取得

1163. 测试结构及其测试方法 发明 ZL201410369986.X 2014-07-30 申请日起二十年 原始取得

1164. 浅沟槽隔离的工艺方法 发明 ZL201410359893.9 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

CMOS 中 P 型源漏离子注入对准度

1165. 发明 ZL201410357338.2 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

的监控结构及方法

1166. P 型轻掺杂离子注入对准度的监 发明 ZL201410357335.9 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 183控结构及方法

N型轻掺杂离子注入对准度的监

1167. 发明 ZL201410357285.4 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

控结构及方法

利用同型结监控 N型源漏离子注

1168. 发明 ZL201410357283.5 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

入对准度的结构及方法

1169. 恒温测试系统及温度监测方法 发明 ZL201410357245.X 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

1170. 一种通孔刻蚀不足的检测方法 发明 ZL201410357244.5 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

利用同型结监控 N型轻掺杂离子

1171. 发明 ZL201410357242.6 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

注入对准度的结构及方法一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微

1172. 发明 ZL201410357201.7 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

环境的方法

1173. 浅沟槽隔离工艺 发明 ZL201410357183.2 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

CMOS 中 N 型源漏注入对准度的监

1174. 发明 ZL201410357182.8 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

控结构及方法

利用同型结监控 P型轻掺杂离子

1175. 发明 ZL201410357174.3 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

注入对准度的结构及方法

1176. 负偏压温度不稳定性评估方法 发明 ZL201410357130.0 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1841177. 一种通孔刻蚀不足的检测方法 发明 ZL201410357129.8 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

1178. 形成浅沟槽隔离结构的方法 发明 ZL201410357127.9 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

一种消除连接孔刻蚀副产物凝结

1179. 发明 ZL201410357115.6 2014-07-25 申请日起二十年 原始取得

缺陷的晶圆净化设备

1180. 炉管清洗工艺 发明 ZL201410356934.9 2014-07-24 申请日起二十年 原始取得

监控图形晶片栅极氧化层表面的

1181. 发明 ZL201410356924.5 2014-07-24 申请日起二十年 原始取得

方法监控图形晶片栅极氧化层表面的

1182. 发明 ZL201410356373.2 2014-07-24 申请日起二十年 原始取得

方法减少自对准硅化镍尖峰缺陷和管

1183. 发明 ZL201410331759.8 2014-07-11 申请日起二十年 原始取得

道缺陷的方法半导体制造的多平行动态流程控

1184. 发明 ZL201410331742.2 2014-07-11 申请日起二十年 原始取得

制方法晶圆边缘非晶碳薄膜清除装置及

1185. 发明 ZL201410331729.7 2014-07-11 申请日起二十年 原始取得

方法

1186. 测试结构的断路定位方法 发明 ZL201410331726.3 2014-07-11 申请日起二十年 原始取得

1187. OPC 修正方法 发明 ZL201410331704.7 2014-07-11 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 185消除晶圆曝光失焦缺陷的吸盘及

1188. 发明 ZL201410321501.X 2014-07-08 申请日起二十年 原始取得

方法

1189. 半导体工艺方法以及半导体结构 发明 ZL201410315127.2 2014-07-03 申请日起二十年 原始取得

1190. 并行测试系统及其测试方法 发明 ZL201410307559.9 2014-06-30 申请日起二十年 原始取得

干氧扩散过程中氧在硅基片中扩

1191. 发明 ZL201410306975.7 2014-06-30 申请日起二十年 原始取得

散系数的确定方法

一种解决 TEOS 机台保养后颗粒跳

1192. 发明 ZL201410286826.9 2014-06-24 申请日起二十年 原始取得

高的方法

1193. 浸没式光刻工艺方法 发明 ZL201410276008.0 2014-06-19 申请日起二十年 原始取得

掩膜板图形的形成方法和光刻及

1194. 发明 ZL201410275987.8 2014-06-19 申请日起二十年 原始取得

刻蚀方法

1195. 电击穿测试结构 发明 ZL201410274268.4 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

1196. 半导体器件的制备方法 发明 ZL201410273962.4 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

1197. 半导体生产约束管控方法 发明 ZL201410273947.X 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

1198. SONOS B4-flash 存储器 发明 ZL201410273620.2 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

1199. 一种提高图形搜索准确率的方法 发明 ZL201410273618.5 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

1200. 一种晶圆横向水平对准的方法 发明 ZL201410273408.6 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1861201. 一种晶圆边缘找平的方法 发明 ZL201410273168.X 2014-06-18 申请日起二十年 原始取得

1202. 光刻机对准性能的检测方法 发明 ZL201410261079.3 2014-06-12 申请日起二十年 原始取得

一种在线确定光刻工艺窗口

1203. 发明 ZL201410261076.X 2014-06-12 申请日起二十年 原始取得

的方法

铝刻蚀工艺用聚焦环、铝刻蚀

1204. 发明 ZL201410260820.4 2014-06-12 申请日起二十年 原始取得

工艺

1205. 晶圆曝光布局的优化方法 发明 ZL201410260817.2 2014-06-12 申请日起二十年 原始取得

一种用于光刻胶厚度摆动曲线测

1206. 发明 ZL201410260816.8 2014-06-12 申请日起二十年 原始取得

试的硅片及制作方法离子注入层图形线宽尺寸的优化

1207. 发明 ZL201410260767.8 2014-06-12 申请日起二十年 原始取得

方法机台之机械手臂偏移的检测装置

1208. 发明 ZL201410258529.3 2014-06-11 申请日起二十年 原始取得

及其检测方法

1209. 小尺寸样品层次去除方法 发明 ZL201410254088.X 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

1210. 一种低功耗高稳定性的复位电路 发明 ZL201410254082.2 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

一种采用双侧墙工艺形成超低尺

1211. 发明 ZL201410253948.8 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

寸图形的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1871212. SRAM 版图的生成方法 发明 ZL201410253555.7 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

利用氮注入改善锗硅选择性外延

1213. 发明 ZL201410253551.9 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

的侧墙淀积问题的方法

1214. PMOS 器件漏电测量方法 发明 ZL201410253237.0 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

一种采用双侧墙工艺形成超低尺

1215. 发明 ZL201410253213.5 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

寸图形的方法

1216. 通孔链结构的失效分析方法 发明 ZL201410253207.X 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

1217. 半导体芯片失效分析的方法 发明 ZL201410253203.1 2014-06-09 申请日起二十年 原始取得

1218. 一种化学机械研磨后的清洗装置 发明 ZL201410228259.1 2014-05-27 申请日起二十年 原始取得

1219. 铜互连大马士革工艺方法 发明 ZL201410217938.9 2014-05-21 申请日起二十年 原始取得

1220. 金属互连结构及其制造方法 发明 ZL201410217927.0 2014-05-21 申请日起二十年 原始取得

1221. 一次性可编程器件的制造方法 发明 ZL201410217798.5 2014-05-21 申请日起二十年 原始取得

侧墙结构、侧墙结构的制备方法、

1222. 发明 ZL201410217721.8 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

CMOS 器件

辅助图形的设计方法、测试版图

1223. 发明 ZL201410217697.8 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

的制作方法、光刻方法

1224. 一种优化离子注入区域形貌 发明 ZL201410217696.3 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 188的方法

1225. 锁存比较器 发明 ZL201410217637.6 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

1226. 一种内介电层的制备方法 发明 ZL201410217636.1 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

一种监控电子显微镜化学油污污

1227. 发明 ZL201410216685.3 2014-05-21 申请日起二十年 原始取得

染的方法应用晶边扫描预防线状分布缺陷

1228. 发明 ZL201410216683.4 2014-05-21 申请日起二十年 原始取得

发生的方法一种消除晶边颗粒残留的铝刻蚀

1229. 发明 ZL201410215840.X 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

前置工艺方法

1230. 离子注入设备及离子注入方法 发明 ZL201410215837.8 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

一种改善晶圆尖峰退火均一性的

1231. 发明 ZL201410215824.0 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

校准方法

1232. 单电容振荡器 发明 ZL201410215811.3 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

高粘度光刻胶的涂布方法、光刻

1233. 发明 ZL201410215788.8 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

方法一种探针卡探针的颗粒物清洁控

1234. 发明 ZL201410215781.6 2014-05-20 申请日起二十年 原始取得

制方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1891235. 金属互连线拼接版图结构 发明 ZL201410193170.6 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

1236. 一种低介电常数薄膜的成膜方法 发明 ZL201410193144.3 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

一种形成低介电常数薄膜及其缓

1237. 发明 ZL201410193143.9 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

冲层的成膜方法

1238. 氧化硅薄膜制备方法 发明 ZL201410192908.7 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

1239. 硅通孔绝缘层制备方法 发明 ZL201410192894.9 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

金属硬掩膜结构、制造方法及铜

1240. 发明 ZL201410192846.X 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

互连结构制造方法一种用于硅通孔形貌修正的

1241. 发明 ZL201410192806.5 2014-05-08 申请日起二十年 原始取得

SiCoNi 蚀刻方法

1242. 测试结构及其版图生成方法 发明 ZL201410182131.6 2014-04-30 申请日起二十年 原始取得

1243. 一种传输晶体管结构 发明 ZL201410174842.9 2014-04-28 申请日起二十年 原始取得

一种浅沟槽氧化物空洞和浮栅极

1244. 发明 ZL201410174759.1 2014-04-28 申请日起二十年 原始取得

多晶硅凹点的消除方法

1245. 一种有源区制备方法 发明 ZL201410174736.0 2014-04-28 申请日起二十年 原始取得

一种用于光阻喷嘴的清洗槽体结

1246. 发明 ZL201410174612.2 2014-04-28 申请日起二十年 原始取得

构及其应用

25SH3110017/BC/az/cm/D6 1901247. 一种栅极侧墙减薄工艺 发明 ZL201410174441.3 2014-04-28 申请日起二十年 原始取得

一个光罩内的单元芯片存在不同

1248. 发明 ZL201410173942.X 2014-04-28 申请日起二十年 原始取得

图像条件的缺陷扫描方法

1249. 晶圆回收方法 发明 ZL201410164593.5 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

1250. 一种半导体炉管的晶舟 发明 ZL201410164143.6 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

一种缺陷检测和观察设备的位置

1251. 发明 ZL201410164124.3 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

同步方法用于预防封装时测试结构短路的

1252. 发明 ZL201410164122.4 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

保护环和封装测试方法

1253. 一种新的芯片测试结构 发明 ZL201410164090.8 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

一种消除有源区损伤的多晶硅刻

1254. 发明 ZL201410164086.1 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

蚀方法一种离子注入倾角的日常监

1255. 发明 ZL201410164080.4 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

控方法一种采用温度模型进行曲线拟合

1256. 发明 ZL201410164079.1 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

的方法

1257. 一种快速退火装置的监控方法 发明 ZL201410164077.2 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 191一种闪存的存储单元栅极制

1258. 发明 ZL201410164074.9 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

备方法

1259. 一种形成浅沟槽隔离的方法 发明 ZL201410164057.5 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

一种套刻精度测量的图像结构及

1260. 发明 ZL201410164035.9 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

其套刻精度测量方法一种管理设备状态转换关系

1261. 发明 ZL201410163886.1 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

的方法一种提高光刻工艺窗口的版图处

1262. 发明 ZL201410163857.5 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

理方法

1263. 一种研磨盘装置 发明 ZL201410163591.4 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

1264. 一种集成电路缺陷的分析方法 发明 ZL201410163560.9 2014-07-28 申请日起二十年 原始取得

降低多晶硅栅极与活化区镍硅化

1265. 发明 ZL201410163504.5 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

物厚度比的方法

1266. 晶圆测试结果图标记修改方法 发明 ZL201410163495.X 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

电流检测电路及包括该电流检测

1267. 发明 ZL201410163453.6 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

电路的电流环控制电路

1268. 一种降低在线 WAT 测试对铜互连 发明 ZL201410163450.2 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 192可靠性影响的方法

链式通孔结构样品处理方法及失

1269. 发明 ZL201410163436.2 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

效测试方法降低多晶硅栅极与活化区镍硅化

1270. 发明 ZL201410162899.7 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

物厚度比的方法改善器件负偏压温度不稳定性的

1271. 发明 ZL201410162847.X 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

方法用于监控炉管无氧氛围的监控

1272. 发明 ZL201410162818.3 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

片、制造方法及其监控方法降低手机时间管理模块漏电的工

1273. 发明 ZL201410162700.0 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

艺改进方法一种多晶硅上小尺寸图形结构的

1274. 发明 ZL201410161318.8 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

制备方法

1275. 一种激光脉冲退火方法 发明 ZL201410161316.9 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

一种底部无负载的自对准双层图

1276. 发明 ZL201410161257.5 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

形的制作方法

1277. 一种监控离子注入机稳定性和均 发明 ZL201410161246.7 2014-04-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 193匀性的方法

1278. 围栅型纳米线晶体管 发明 ZL201410145600.7 2014-04-08 申请日起二十年 原始取得

1279. 离子注入浓度的校准方法 发明 ZL201410141310.5 2014-04-08 申请日起二十年 原始取得

延长超低介电常数材料的工艺等

1280. 发明 ZL201410138998.1 2014-04-08 申请日起二十年 原始取得

待时间的方法一种改进接触孔线宽均一性的刻

1281. 发明 ZL201410138996.2 2014-04-08 申请日起二十年 原始取得

蚀方法

1282. 闪存存储器 发明 ZL201410138977.X 2014-04-08 申请日起二十年 原始取得

浸润式光刻机浸润部件的自动清

1283. 发明 ZL201410127033.2 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

洗装置和清洗方法等离子体刻蚀装置的腔体清

1284. 发明 ZL201410127005.0 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

洗方法离线机台利用率计算系统及计算

1285. 发明 ZL201410126994.1 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

方法

1286. 透射电镜样品的制备方法 发明 ZL201410126975.9 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

1287. PMOS制造工艺中减少e?SiGe晶格 发明 ZL201410125554.4 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 194缺陷的方法

1288. 用于清洗半导体晶圆的清洗槽 发明 ZL201410125553.X 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

1289. 一种添加冗余图形的方法 发明 ZL201410125546.X 2014-03-31 申请日起二十年 原始取得

1290. 原子力显微镜探针装置 发明 ZL201410118223.8 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

1291. 晶圆良率监测方法 发明 ZL201410118221.9 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

1292. 原子力显微镜探针装置 发明 ZL201410118215.3 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

一种半导体制造试验工艺流程的

1293. 发明 ZL201410118200.7 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

建立方法一种多晶硅层器件辅助图形的绘

1294. 发明 ZL201410118199.8 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

制方法

1295. 一种双栅氧的制备方法 发明 ZL201410118197.9 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

一种智能探针卡针压控制系统及

1296. 发明 ZL201410118188.X 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

控制方法

1297. 多晶硅残留监测结构 发明 ZL201410117788.4 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

1298. PMOS 器件的制造方法 发明 ZL201410117766.8 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

一种与激光退火工艺问题相关的

1299. 发明 ZL201410117759.8 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

排除硅片质量因素的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 195一种多通道管控工艺流程的设计

1300. 发明 ZL201410117735.2 2014-03-27 申请日起二十年 原始取得

方法一种智能化选择性目标尺寸调整

1301. 发明 ZL201410111322.3 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

方法

1302. 用于 NDC 薄膜的离线监控方法 发明 ZL201410111309.8 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

一种 NAND 闪存器件及其制造

1303. 发明 ZL201410111308.3 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

方法

1304. 探针卡识别芯片安装方法 发明 ZL201410111293.0 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

1305. 晶圆后段电容电性测试结构 发明 ZL201410111285.6 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

层间介质层性能的测试结构和测

1306. 发明 ZL201410110743.4 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

试方法

1307. 双层栅介质层结构及其制备方法 发明 ZL201410110065.1 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

1308. 对准图形及晶圆 发明 ZL201410110062.8 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

1309. P 型沟道闪存器件及其制造方法 发明 ZL201410110060.9 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

1310. 用于 WAT 测试的半导体结构 发明 ZL201410110056.2 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

1311. 监测方法 发明 ZL201410109846.9 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

1312. 离子注入层的光学临近效应修正 发明 ZL201410109835.0 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 196方法

监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的

1313. 发明 ZL201410109834.6 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

方法减少互补式金氧半导体影像传感

1314. 发明 ZL201410109814.9 2014-03-24 申请日起二十年 原始取得

器白像素的方法一种优化浅槽隔离刻蚀线宽

1315. 发明 ZL201410106820.9 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

的方法

1316. 一种浅沟槽填充方法 发明 ZL201410106819.6 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

1317. 一种监测低温离子注入的方法 发明 ZL201410106663.1 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

1318. 一种防止研磨垫刮伤晶圆的系统 发明 ZL201410106660.8 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

读取非易失性存储器电流的方法

1319. 发明 ZL201410106658.0 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

及获取电流分布状态的方法一种针对光刻版图接触孔热点的

1320. 发明 ZL201410106641.5 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

检查方法一种验证缺陷检测程序灵敏度的

1321. 发明 ZL201410106633.0 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

方法

1322. 一种稳定 MIM电容光刻线宽的 发明 ZL201410106627.5 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 197方法

1323. 一种提高栅氧化层质量的方法 发明 ZL201410106618.6 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

一种提高 B4-Flash 器件耐久性的

1324. 发明 ZL201410106616.7 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

方法一种用于氮掺杂碳化硅薄膜的离

1325. 发明 ZL201410106607.8 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

线监控方法采用电容衬度测试结构检测多晶

1326. 发明 ZL201410106602.5 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

硅底部桥连缺陷的方法

1327. 一种测试样品的制备方法 发明 ZL201410106589.3 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

1328. 一种形成浅沟槽隔离的方法 发明 ZL201410106568.1 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

一种用于锁相环电路的锁定检测

1329. 发明 ZL201410106552.0 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

电路对没有重复分界的存储区域进行

1330. 发明 ZL201410106540.8 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

扫描的方法

1331. 一种降低镍管道缺陷的方法 发明 ZL201410106537.6 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

1332. 控制栅极刻蚀方法 发明 ZL201410106533.8 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

1333. 一种降低源漏外延生长缺陷 发明 ZL201410106521.5 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 198的方法

1334. 一种金属电迁移结构 发明 ZL201410106505.6 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

一种减少 OPC 修正后验证误报错

1335. 发明 ZL201410106502.2 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

的方法

1336. 探针卡 发明 ZL201410106479.7 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

一种优化等离子体均匀性的压力

1337. 发明 ZL201410106477.8 2014-03-20 申请日起二十年 原始取得

控制阀门及方法

1338. 离子注入段问题机台的判定方法 发明 ZL201410060668.5 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

芯片分区采集最佳光线偏振信号

1339. 发明 ZL201410060660.9 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

的缺陷程式建立方法

1340. 一种晶圆可接受测试方法 发明 ZL201410060659.6 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

具有毛刺抑制能力的电流舵型数

1341. 发明 ZL201410060641.6 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

模转换电路

1342. 用于湿法刻蚀工艺的酸槽 发明 ZL201410060590.7 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

采用电容测试结构检测多晶硅栅

1343. 发明 ZL201410060338.6 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

极刻蚀缺陷的方法

1344. 一种检测多晶硅残留的测试结构 发明 ZL201410060317.4 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 199一种 WAT 测试的备份结构及备份

1345. 发明 ZL201410060309.X 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

方法采用小窗口图形测试结构检测多

1346. 发明 ZL201410060130.4 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

晶硅底部桥连缺陷的方法

1347. 一种高压晶体管制备工艺 发明 ZL201410060105.6 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

一种晶圆可接受性测试的探针卡

1348. 发明 ZL201410059971.3 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

自动更换方法采用离子击穿检测多晶硅底部刻

1349. 发明 ZL201410059958.8 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

蚀不足缺陷的方法

1350. 一种通用型针座及其使用方法 发明 ZL201410059942.7 2014-02-21 申请日起二十年 原始取得

制备嵌入式锗硅外延前的表面处

1351. 发明 ZL201410042486.5 2014-01-29 申请日起二十年 原始取得

理方法

1352. 用于激光退火机的监控方法 发明 ZL201410042474.2 2014-01-29 申请日起二十年 原始取得

改善工艺窗口的光学临近修

1353. 发明 ZL201410042455.X 2014-01-29 申请日起二十年 原始取得

正方法

1354. 自动扩展缺陷图形库的方法 发明 ZL201410042444.1 2014-01-29 申请日起二十年 原始取得

1355. 一种制备空气间隙铜互连结构的 发明 ZL201310637734.6 2013-12-02 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 200方法

一种利用高深宽比工艺的器件隔

1356. 发明 ZL201310632125.1 2013-12-02 申请日起二十年 原始取得

离方法

1357. 晶圆多次测试数据的整合方法 发明 ZL201310631845.6 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

多层薄膜层间粘附性能表征及其

1358. 发明 ZL201310631772.0 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

试样制备方法

1359. 浮栅晶体管阵列及其制备方法 发明 ZL201310631488.3 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

电流舵数模转换器电流源阵列的

1360. 发明 ZL201310631462.9 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

版图结构

1361. 通孔或接触孔的形成方法 发明 ZL201310631359.4 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

1362. 双大马士革结构的制造方法 发明 ZL201310631357.5 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

1363. 控制多晶硅栅极关键尺寸的方法 发明 ZL201310630338.0 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

1364. 离子注入角度监控方法 发明 ZL201310630276.3 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

干法工艺稳定性和匹配性的判断

1365. 发明 ZL201310630263.6 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

方法

1366. CMOS 器件栅氧化层的制造方法 发明 ZL201310630240.5 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

1367. 双大马士革结构的制造方法 发明 ZL201310630206.8 2013-11-29 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 201改善 HDP PSG 工艺的方法及金属

1368. 发明 ZL201310625737.8 2013-11-28 申请日起二十年 原始取得

沉积前的介电质层制造方法基于规则图形过滤的版图设计光

1369. 发明 ZL201310625726.X 2013-11-28 申请日起二十年 原始取得

刻工艺友善性检查方法

CMOS 感光器件接触孔刻蚀方法及

1370. 发明 ZL201310625589.X 2013-11-28 申请日起二十年 原始取得

CMOS 感光器件制造方法

TEM 样品的制作方法及其 TEM

1371. 发明 ZL201310625537.2 2013-11-28 申请日起二十年 原始取得

样品一种晶圆可接受性测试系统

1372. 发明 ZL201310625206.9 2013-11-28 申请日起二十年 原始取得

及方法

1373. 一种铝衬垫制备方法 发明 ZL201310625197.3 2013-11-28 申请日起二十年 原始取得

1374. 栅极侧墙图形化的方法 发明 ZL201310616217.0 2013-11-26 申请日起二十年 原始取得

1375. 一种 WAT 测试头的布置方法 发明 ZL201310612743.X 2013-11-26 申请日起二十年 原始取得

一种低介电常数薄膜的紫外线处

1376. 发明 ZL201310612730.2 2013-11-26 申请日起二十年 原始取得

理方法

1377. 十字型探针卡 发明 ZL201310565733.5 2013-11-13 申请日起二十年 原始取得

1378. 三维容错性自寻路径交叉开关矩 发明 ZL201310565679.4 2013-11-13 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 202阵设备

1379. 一种浅沟槽隔离结构的形成方法 发明 ZL201310565677.5 2013-11-13 申请日起二十年 原始取得

一种炉管设备的组批派工系统和

1380. 发明 ZL201310554674.1 2013-11-08 申请日起二十年 原始取得

方法

1381. DRC 文件的坐标数据对比方法 发明 ZL201310554644.0 2013-11-08 申请日起二十年 原始取得

一种软启动电路及包括该软启动

1382. 发明 ZL201310554631.3 2013-11-08 申请日起二十年 原始取得

电路的 DC-DC 电路开关装置及具有该开关装置的多

1383. 发明 ZL201310554295.2 2013-11-08 申请日起二十年 原始取得

通道耦合选择器

1384. 浅沟槽隔离结构制备方法 发明 ZL201310530767.0 2013-10-30 申请日起二十年 原始取得

1385. 曝光机文件自动检查系统 发明 ZL201310506771.3 2013-10-23 申请日起二十年 原始取得

1386. SECS/GEM 消息交换设备和方法 发明 ZL201310505310.4 2013-10-23 申请日起二十年 原始取得

一种形成多层复合式接触孔刻蚀

1387. 发明 ZL201310505137.8 2013-10-23 申请日起二十年 原始取得

阻挡层的方法

1388. 多种类硅化物掩膜层的形成方法 发明 ZL201310505099.6 2013-10-23 申请日起二十年 原始取得

一种 CMOS 图像传感器有源像素的

1389. 发明 ZL201310495735.1 2013-10-21 申请日起二十年 原始取得

结构及其制造方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 203减小负偏压温度不稳定性的 CMOS

1390. 发明 ZL201310492053.5 2013-10-18 申请日起二十年 原始取得

器件制作方法一种金属硬掩膜层及铜互连结构

1391. 发明 ZL201310491799.4 2013-10-18 申请日起二十年 原始取得

的制备方法一种光刻胶填充式金属互连结构

1392. 发明 ZL201310491613.5 2013-10-18 申请日起二十年 原始取得

及其制造方法嵌入式锗硅工艺中静态随机存储

1393. 发明 ZL201310491611.6 2013-10-18 申请日起二十年 原始取得

器及写入冗余度改善方法一种用于非晶碳沉积工艺中的清

1394. 发明 ZL201310461217.8 2013-09-30 申请日起二十年 原始取得

洗方法一种在芯片失效分析过程中去除

1395. 发明 ZL201310460450.4 2013-09-30 申请日起二十年 原始取得

层次的方法

1396. 制作高均匀度栅极线条的方法 发明 ZL201310449849.2 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

1397. 制作高均匀度栅极线条的方法 发明 ZL201310432459.4 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

1398. 制作高均匀度栅极线条的方法 发明 ZL201310432456.0 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

1399. 制作高均匀度栅极线条的方法 发明 ZL201310432448.6 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

1400. 制作栅极线条的方法 发明 ZL201310432435.9 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2041401. 制作高均匀度栅极线条的方法 发明 ZL201310432414.7 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

双重曝光制作高均匀度栅极线条

1402. 发明 ZL201310432385.4 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

的方法能简化极小线宽栅极线条的制作

1403. 发明 ZL201310432087.5 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

工艺的栅极线条制作方法一种可按照离子注入区域分类的

1404. 发明 ZL201310432063.X 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

电子束缺陷检测方法解决氮化硅和镍硅化物界面剥落

1405. 发明 ZL201310432018.4 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

问题的工艺方法提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附

1406. 发明 ZL201310432014.6 2013-09-22 申请日起二十年 原始取得

力的方法一种金属硬掩膜层及铜互连结构

1407. 发明 ZL201310380002.3 2013-08-27 申请日起二十年 原始取得

的制备方法应用于栅极线尾切割的双重图形

1408. 发明 ZL201310360830.0 2013-08-16 申请日起二十年 原始取得

成型方法

1409. 栅极 LELE 双重图形成型方法 发明 ZL201310360404.7 2013-08-16 申请日起二十年 原始取得

1410. 基于 DARC 掩膜结构的栅极 LELE 发明 ZL201310360385.8 2013-08-16 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 205双重图形成型方法

基于 DARC 掩膜结构的双重图形成

1411. 发明 ZL201310360384.3 2013-08-16 申请日起二十年 原始取得

型方法

1412. 双深度浅沟道隔离槽的刻蚀工艺 发明 ZL201310354785.8 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

1413. 多晶硅炉管生长厚度监测方法 发明 ZL201310354782.4 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

高压 ESD 器件版图结构以及包含

1414. 发明 ZL201310354719.0 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

该版图结构的芯片双重曝光制作高均匀度栅极线条

1415. 发明 ZL201310354689.3 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

的方法双重曝光制作高均匀度栅极线条

1416. 发明 ZL201310354686.X 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

的方法

1417. 浅沟槽隔离工艺 发明 ZL201310354616.4 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

双重曝光制作高均匀度栅极线条

1418. 发明 ZL201310354609.4 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

的方法双重曝光制作高均匀度栅极线条

1419. 发明 ZL201310354608.X 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

的方法

1420. 双重曝光制作高均匀度栅极线条 发明 ZL201310354606.0 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 206的方法

双重曝光制作高均匀度栅极线条

1421. 发明 ZL201310354604.1 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

的方法

1422. 接触孔的刻蚀方法 发明 ZL201310354603.7 2013-08-14 申请日起二十年 原始取得

1423. 改善有源区损伤的方法 发明 ZL201310337067.X 2013-08-02 申请日起二十年 原始取得

1424. SRAM 失配晶体管检测方法 发明 ZL201310317737.1 2013-07-25 申请日起二十年 原始取得

1425. 用于测试 MIM 电容的半导体结构 发明 ZL201310312455.2 2013-07-23 申请日起二十年 原始取得

SONOS 器件中 ONO 结构的制造

1426. 发明 ZL201310302913.4 2013-07-18 申请日起二十年 原始取得

方法

1427. 高压 NPN 器件及其版图结构 发明 ZL201310286451.1 2013-07-09 申请日起二十年 原始取得

检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺

1428. 发明 ZL201310286389.6 2013-07-09 申请日起二十年 原始取得

陷的方法

1429. 改善电容器件击穿电压的方法 发明 ZL201310265059.9 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

一种可按照工艺晶圆数量负载动

1430. 发明 ZL201310264843.8 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

态调整的缺陷抽检方法增强光刻工艺能力的装置及利用

1431. 发明 ZL201310264730.8 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

该装置进行的光刻工艺

25SH3110017/BC/az/cm/D6 207检测多晶硅栅极与接触孔对准度

1432. 发明 ZL201310264726.1 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

的方法

1433. 双结构接触孔同步刻蚀工艺 发明 ZL201310264711.5 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

1434. 改善栅氧有源区缺陷的方法 发明 ZL201310264408.5 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

检测接触孔与多晶硅栅极对准度

1435. 发明 ZL201310262927.8 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

的方法抗反射涂层填充式超低介电常数

1436. 发明 ZL201310262907.0 2013-06-27 申请日起二十年 原始取得

之铜互连制造方法

1437. 版图数据的处理方法 发明 ZL201310258304.3 2013-06-26 申请日起二十年 原始取得

1438. 栅极的形成方法 发明 ZL201310258301.X 2013-06-26 申请日起二十年 原始取得

测算接触孔与多晶硅栅极对准偏

1439. 发明 ZL201310256841.4 2013-06-25 申请日起二十年 原始取得

差值的方法测算接触孔与多晶硅栅极对准偏

1440. 发明 ZL201310256206.6 2013-06-25 申请日起二十年 原始取得

差值的方法

1441. 保护浅沟槽隔离区的方法 发明 ZL201310253617.X 2013-06-24 申请日起二十年 原始取得

1442. 改善硅片背面金属污染的方法 发明 ZL201310253594.2 2013-06-24 申请日起二十年 原始取得

1443. 改善 GP CMOS 器件的电性参数均 发明 ZL201310253193.7 2013-06-24 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 208一性的方法

1444. 一种多功能半导体样品夹具 发明 ZL201310253153.2 2013-06-24 申请日起二十年 原始取得

1445. 改善半导体器件电性参数的方法 发明 ZL201310253134.X 2013-06-24 申请日起二十年 原始取得

1446. 光学临近效应修正方法 发明 ZL201310229404.3 2013-06-08 申请日起二十年 原始取得

1447. 改善半导体器件良率的方法 发明 ZL201310222267.0 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

1448. 一种制备铜种子层的方法 发明 ZL201310221366.7 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

改善 CMOS 图像传感器性能的

1449. 发明 ZL201310221336.6 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

方法一种快速高效的晶背缺陷识

1450. 发明 ZL201310220498.8 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

别方法

1451. flash 抗编程串扰的优化方法 发明 ZL201310220497.3 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

一种缺陷扫描结果控制制程机台

1452. 发明 ZL201310220485.0 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

的派工方法改善半导体器件负偏压温度不稳

1453. 发明 ZL201310220483.1 2013-06-04 申请日起二十年 原始取得

定性的方法

1454. ∑形凹槽的制作方法 发明 ZL201310217267.1 2013-06-03 申请日起二十年 原始取得

1455. 化学气相沉积室的清洁方法 发明 ZL201310213637.4 2013-05-31 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2091456. 一种提高叠对测量精度的方法 发明 ZL201310213617.7 2013-05-31 申请日起二十年 原始取得

采用双极曝光方式的光刻装置、

1457. 发明 ZL201310211966.5 2013-05-31 申请日起二十年 原始取得

通光单元及光刻方法

具有环形透光光圈的光刻装置、

1458. 发明 ZL201310211954.2 2013-05-31 申请日起二十年 原始取得

通光单元及光刻方法一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体

1459. 发明 ZL201310196276.7 2013-05-23 申请日起二十年 原始取得

化学气相沉积方法降低冗余金属耦合电容的通孔优

1460. 发明 ZL201310196254.0 2013-05-23 申请日起二十年 原始取得

先双大马士革铜互连方法光刻胶的处理方法以及半导体器

1461. 发明 ZL201310195621.5 2013-05-23 申请日起二十年 原始取得

件的制备方法降低冗余金属耦合电容的通孔优

1462. 发明 ZL201310195572.5 2013-05-23 申请日起二十年 原始取得

先双大马士革铜互连方法

1463. 双栅氧器件的制造方法 发明 ZL201310177577.5 2013-05-14 申请日起二十年 原始取得

膜厚量测机台中颗粒的监控方法

1464. 发明 ZL201310166041.3 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

及控片

1465. CMOS 带隙基准源电路 发明 ZL201310166026.9 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 210监控制程稳定性的测试模块

1466. 发明 ZL201310165992.9 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

和方法

1467. CMOS 电荷泵电路 发明 ZL201310165971.7 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

1468. TEM 样品的制备方法 发明 ZL201310165226.2 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

提高高压器件浅沟槽隔离性能的

1469. 发明 ZL201310165188.0 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

方法

一种在 SiGe BiCMOS 工艺中寄生

1470. 发明 ZL201310164260.8 2013-05-07 申请日起二十年 原始取得

的 PNP 管及其制造方法

一种双层浅沟槽隔离结构、制备

1471. 发明 ZL201310157307.8 2013-05-02 申请日起二十年 原始取得

方法及横向扩散 MOS 管

1472. 晶体管及其沟道长度的形成方法 发明 ZL201310157253.5 2013-05-02 申请日起二十年 原始取得

一种控制晶圆温度的等离子体刻

1473. 发明 ZL201310157252.0 2013-05-02 申请日起二十年 原始取得

蚀腔室及其方法

1474. ∑形凹槽的制作方法 发明 ZL201310156183.1 2013-04-28 申请日起二十年 原始取得

半导体芯片的版图图层设计方法

1475. 发明 ZL201310153678.9 2013-04-28 申请日起二十年 原始取得

及其掩膜板

1476. 半导体器件的制造方法 发明 ZL201310122105.X 2013-04-09 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2111477. 一种制备栅极氧化层的方法 发明 ZL201310120029.9 2013-04-08 申请日起二十年 原始取得

1478. 浅沟槽隔离工艺 发明 ZL201310119905.6 2013-04-08 申请日起二十年 原始取得

1479. 一种形成超浅结面的方法 发明 ZL201310119895.6 2013-04-08 申请日起二十年 原始取得

1480. 一种栅氧化层的制备方法 发明 ZL201310085199.8 2013-03-15 申请日起二十年 原始取得

1481. 金属沟槽的刻蚀方法 发明 ZL201310085181.8 2013-03-15 申请日起二十年 原始取得

1482. 实现浅沟道隔离的工艺方法 发明 ZL201310085158.9 2013-03-15 申请日起二十年 原始取得

1483. 金属硬质掩模结构的修复方法 发明 ZL201310084505.6 2013-03-15 申请日起二十年 原始取得

1484. 一种Σ型硅沟槽的制造方法 发明 ZL201310082117.4 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

1485. TEM 样品的制备方法 发明 ZL201310082083.9 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

1486. 掩膜版的自动化管理系统及方法 发明 ZL201310082060.8 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

1487. 检测研磨工艺负载效应的方法 发明 ZL201310082029.4 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

1488. 一种形成硅化物阻挡层的方法 发明 ZL201310081989.9 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

1489. 一种 U型沟槽的制造方法 发明 ZL201310081961.5 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

一种二氧化硅金属阻挡层的淀积

1490. 发明 ZL201310081930.X 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

方法一组应用于双大马士革金属互连

1491. 发明 ZL201310081912.1 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

工艺的光掩模

25SH3110017/BC/az/cm/D6 212提高 PMOS 栅氧负偏压温度不稳定

1492. 发明 ZL201310081898.5 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

性的方法

去除 BPSG 薄膜中散射状颗粒的方

1493. 发明 ZL201310081872.0 2013-03-14 申请日起二十年 原始取得

法

1494. 涂布装置及其涂布方法 发明 ZL201310062544.6 2013-02-27 申请日起二十年 原始取得

1495. 实现浅沟槽隔离的工艺方法 发明 ZL201310062525.3 2013-02-27 申请日起二十年 原始取得

1496. 互连电迁移的测试结构 发明 ZL201310062231.0 2013-02-27 申请日起二十年 原始取得

一种氧化反应炉及利用该反应炉

1497. 发明 ZL201310055077.4 2013-02-20 申请日起二十年 原始取得

进行氧化反应的方法一种侦测硅片平坦度的装置

1498. 发明 ZL201210501282.4 2012-11-30 申请日起二十年 原始取得

及方法

1499. 优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法 发明 ZL201210501020.8 2012-11-29 申请日起二十年 原始取得

1500. 浅沟槽隔离之边角圆化的方法 发明 ZL201210496571.X 2012-11-28 申请日起二十年 原始取得

1501. 铜金属覆盖层的制备方法 发明 ZL201210496254.8 2012-11-28 申请日起二十年 原始取得

1502. 湿法刻蚀装置及其刻蚀方法 发明 ZL201210496197.3 2012-11-28 申请日起二十年 原始取得

一种研磨垫及利用该研磨垫进行

1503. 发明 ZL201210493978.7 2012-11-28 申请日起二十年 原始取得

研磨时的损耗检测方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2131504. 铜金属覆盖层的制备方法 发明 ZL201210451889.6 2012-11-12 申请日起二十年 原始取得

双应力薄膜的制造方法以及半导

1505. 发明 ZL201210451699.4 2012-11-12 申请日起二十年 原始取得

体器件

1506. 接触孔的制作方法 发明 ZL201210451655.1 2012-11-12 申请日起二十年 原始取得

1507. 接触孔的制作方法 发明 ZL201210451318.2 2012-11-12 申请日起二十年 原始取得

一种 B4-flash 器件及其制作

1508. 发明 ZL201210432508.X 2012-11-02 申请日起二十年 原始取得

方法一种监控设备运行状态的系统及

1509. 发明 ZL201210432475.9 2012-11-02 申请日起二十年 原始取得

方法

1510. 一种铜互联线的制作工艺 发明 ZL201210432401.5 2012-11-02 申请日起二十年 原始取得

一种磁阻存储器的环状存储单元

1511. 发明 ZL201210432398.7 2012-11-02 申请日起二十年 原始取得

的制作方法一种检测半导体圆形接触孔圆度

1512. 发明 ZL201210432250.3 2012-11-02 申请日起二十年 原始取得

的方法一种介电常数可调整的金属互连

1513. 发明 ZL201210432249.0 2012-11-02 申请日起二十年 原始取得

层及其制作方法

1514. 铜金属覆盖层的制备方法 发明 ZL201210389028.X 2012-10-12 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 214检测光刻机对图形模糊成像控制

1515. 发明 ZL201210389026.0 2012-10-12 申请日起二十年 原始取得

能力的方法机台传送部件自清洗方法以及机

1516. 发明 ZL201210388933.3 2012-10-12 申请日起二十年 原始取得

台传送部件

1517. 通孔优先铜互连制作方法 发明 ZL201210388834.5 2012-10-12 申请日起二十年 原始取得

1518. 多晶硅栅极刻蚀方法 发明 ZL201210388740.8 2012-10-12 申请日起二十年 原始取得

1519. 一种提高 MOM 电容密度的方法 发明 ZL201210380938.1 2012-10-09 申请日起二十年 原始取得

1520. 提高 MOM 电容密度的方法 发明 ZL201210380920.1 2012-10-09 申请日起二十年 原始取得

1521. 一种形成双深度隔离沟槽的方法 发明 ZL201210375753.1 2012-10-08 申请日起二十年 原始取得

一种简化存储器中字线介电质膜

1522. 发明 ZL201210375725.X 2012-10-08 申请日起二十年 原始取得

刻蚀成型工艺的方法

1523. 炉管挡片结构制造方法 发明 ZL201210352952.0 2012-09-19 申请日起二十年 原始取得

一种增大 MOM 电容密度的制造工

1524. 发明 ZL201210345797.X 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

艺方法一种形成磁阻存储器环状存储单

1525. 发明 ZL201210343578.8 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

元的方法

1526. 一种具有多孔结构的双大马士革 发明 ZL201210343547.2 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 215结构

一种对40/45纳米工艺金属硬光

1527. 发明 ZL201210343527.5 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

罩结构的缺陷解决方案改善掺杂与非掺杂多晶硅栅极刻

1528. 发明 ZL201210343505.9 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

蚀形貌差异的方法

一种对40/45纳米工艺金属硬光

1529. 发明 ZL201210343463.9 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

罩结构的缺陷解决方案一种带有空气间隙的大马士

1530. 发明 ZL201210341832.0 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

革工艺

1531. 一种提高 Cu CMP 效率的方法 发明 ZL201210341662.6 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

一种制备顶层金属互联工艺刻蚀

1532. 发明 ZL201210341630.6 2012-09-17 申请日起二十年 原始取得

中间停止层的方法双大马士革结构中底部抗反射涂

1533. 发明 ZL201210335545.9 2012-09-11 申请日起二十年 原始取得

层的刻蚀方法

1534. 提高 MOM 电容密度的方法 发明 ZL201210335529.X 2012-09-11 申请日起二十年 原始取得

1535. 一种铜互联线的制作工艺 发明 ZL201210333872.0 2012-09-11 申请日起二十年 原始取得

1536. 一种双位 NROM 存储器及提高其电 发明 ZL201210333706.0 2012-09-11 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 216子注入效率的方法和结构

1537. 提高通孔图形性能表现的方法 发明 ZL201210293369.7 2012-08-16 申请日起二十年 原始取得

改善刻蚀形貌并提升可靠性的铜

1538. 发明 ZL201210292646.2 2012-08-16 申请日起二十年 原始取得

互连制备方法

1539. 半导体器件的制造方法 发明 ZL201210292632.0 2012-08-16 申请日起二十年 原始取得

改善可靠性的铜互连层制备方法

1540. 发明 ZL201210292621.2 2012-08-16 申请日起二十年 原始取得

及半导体器件

1541. 通孔优先铜互连制作方法 发明 ZL201210264541.6 2012-07-27 申请日起二十年 原始取得

一种消除侧墙宽度负载效应

1542. 发明 ZL201210259241.9 2012-07-25 申请日起二十年 原始取得

的工艺一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡

1543. 发明 ZL201210259216.0 2012-07-25 申请日起二十年 原始取得

能力的方法一种形成无负载效应大尺寸沟槽

1544. 发明 ZL201210259010.8 2012-07-25 申请日起二十年 原始取得

的方法

1545. CMOS 图像传感器及其制作方法 发明 ZL201210229018.X 2012-07-03 申请日起二十年 原始取得

一种具有低操作电压的 NROM 结构

1546. 发明 ZL201210228272.8 2012-07-04 申请日起二十年 原始取得

器件

25SH3110017/BC/az/cm/D6 217一种利用非对称分层势垒提高

1547. 发明 ZL201210225804.2 2012-07-03 申请日起二十年 原始取得

SONNS 结构器件可靠性的方法一种浅沟槽隔离工艺研磨装置及

1548. 发明 ZL201210225801.9 2012-07-03 申请日起二十年 原始取得

其使用方法

一种去除晶圆上 SiGe 薄膜的

1549. 发明 ZL201210225796.1 2012-07-03 申请日起二十年 原始取得

方法

一种具有低操作电压的 SONOS 结

1550. 发明 ZL201210225786.8 2012-07-03 申请日起二十年 原始取得

构器件测算半导体器件井区注入离子横

1551. 发明 ZL201210225784.9 2012-07-03 申请日起二十年 原始取得

向扩散能力的方法超低介电材料的化学机械抛

1552. 发明 ZL201210220362.2 2012-06-28 申请日起二十年 原始取得

光方法

1553. NMOS 器件制作方法 发明 ZL201210209049.9 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

1554. NMOS 器件制作方法 发明 ZL201210209048.4 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

金属硬掩膜层制备方法以及半导

1555. 发明 ZL201210208994.7 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

体制造方法

1556. NMOS 器件制作方法 发明 ZL201210208991.3 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 218使用应力记忆技术的半导体器件

1557. 发明 ZL201210208961.2 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

制造方法双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方

1558. 发明 ZL201210208909.7 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

法和半导体器件制造方法使用应力记忆技术的半导体器件

1559. 发明 ZL201210208906.3 2012-06-21 申请日起二十年 原始取得

制造方法一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙

1560. 发明 ZL201210204506.5 2012-06-20 申请日起二十年 原始取得

的方法一种检测接触孔和多晶硅栅极对

1561. 发明 ZL201210204463.0 2012-06-20 申请日起二十年 原始取得

准度的方法一种具有低编译电压捕获电荷的

1562. 发明 ZL201210204452.2 2012-06-20 申请日起二十年 原始取得

BE-SONOS 结构器件及形成方法

一种短沟道围栅结构 MOSFET 的阈

1563. 发明 ZL201210204444.8 2012-06-20 申请日起二十年 原始取得

值电压解析模型

SONOS 栅极结构及其制备方法、以

1564. 发明 ZL201210170390.8 2012-05-28 申请日起二十年 原始取得

及半导体器件

1565. 提高载流子迁移率的 PMOS 器件的 发明 ZL201210170354.1 2012-05-28 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 219制作方法及器件结构

1566. 一次性可编程器件以及集成电路 发明 ZL201210169827.6 2012-05-28 申请日起二十年 原始取得

利用应力技术提高 SONOS 结构器

1567. 发明 ZL201210169810.0 2012-05-28 申请日起二十年 原始取得

件编译速度的方法

提高载流子迁移率的 CMOS 器件的

1568. 发明 ZL201210169809.8 2012-05-28 申请日起二十年 原始取得

制作方法及器件结构

1569. 一次性可编程器件以及集成电路 发明 ZL201210169500.9 2012-05-28 申请日起二十年 原始取得

降低 N型掺杂和非掺杂多晶硅栅

1570. 发明 ZL201210163138.4 2012-05-22 申请日起二十年 原始取得

极刻蚀后形貌差异的方法

一种具有低操作电压的 BE-SONOS

1571. 发明 ZL201210158901.4 2012-05-22 申请日起二十年 原始取得

结构器件及形成方法一种形成双应力层氮化硅薄膜的

1572. 发明 ZL201210158843.5 2012-05-22 申请日起二十年 原始取得

方法

1573. 一种形成半导体通孔的方法 发明 ZL201210158835.0 2012-05-22 申请日起二十年 原始取得

一种形成双应力刻蚀阻挡层

1574. 发明 ZL201210158828.0 2012-05-22 申请日起二十年 原始取得

的方法

1575. 一种形成双应力刻蚀阻挡层 发明 ZL201210158826.1 2012-05-22 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 220的方法

一种用于45纳米及以下技术节点

1576. 发明 ZL201210136032.5 2012-05-04 申请日起二十年 原始取得

的金属前介质集成工艺

1577. 一种离子注入阻挡层的制作方法 发明 ZL201210136017.0 2012-05-04 申请日起二十年 原始取得

一种提高金属-绝缘体-金属电容

1578. 发明 ZL201210136004.3 2012-05-04 申请日起二十年 原始取得

器可靠性的方法及其工艺结构

一种提高金属-绝缘体-金属电容

1579. 发明 ZL201210135983.0 2012-05-04 申请日起二十年 原始取得

器介电质质量的方法一种用于45纳米及以下技术节点

1580. 发明 ZL201210135982.6 2012-05-04 申请日起二十年 原始取得

的金属前介质集成工艺

基于 SOI 的后栅型积累模式

1581. 发明 ZL201210135272.3 2012-05-03 申请日起二十年 原始取得

Si-NWFET 制备方法

SOI 上双层隔离混合晶向后栅型

1582. 发明 ZL201210133935.8 2012-05-03 申请日起二十年 原始取得

反型模式 SiNWFET 的制备方法

多层金属-氧化硅-金属电容器的

1583. 发明 ZL201210116158.6 2012-04-20 申请日起二十年 原始取得

制作方法

1584. 一种形成双应力层氮化硅薄膜的 发明 ZL201210114142.1 2012-04-17 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 221方法

一种形成双应力层氮化硅薄膜的

1585. 发明 ZL201210114141.7 2012-04-17 申请日起二十年 原始取得

方法

1586. 连接孔的形成方法 发明 ZL201210114135.1 2012-04-17 申请日起二十年 原始取得

一种形成双应力层氮化硅薄膜的

1587. 发明 ZL201210113716.3 2012-04-17 申请日起二十年 原始取得

方法

多层金属-多层绝缘体-金属电容

1588. 发明 ZL201210109591.7 2012-04-16 申请日起二十年 原始取得

器的制作方法一种成型无定形碳牺牲栅极的基

1589. 发明 ZL201210109584.7 2012-04-16 申请日起二十年 原始取得

体的制备方法一种无定形碳牺牲栅极结构的浅

1590. 发明 ZL201210109582.8 2012-04-16 申请日起二十年 原始取得

结和侧墙的制备方法一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅

1591. 发明 ZL201210100763.4 2012-04-09 申请日起二十年 原始取得

酸盐玻璃薄膜吸水的方法一种制备无定形碳牺牲栅极结构

1592. 发明 ZL201210098261.2 2012-04-06 申请日起二十年 原始取得

的浅结和侧墙的方法

1593. 一种埋入式可编程闪存器件及其 发明 ZL201210098232.6 2012-04-06 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 222控制方法

提高静态随机存储器写入冗余度

1594. 发明 ZL201210093940.0 2012-03-31 申请日起二十年 原始取得

的方法基于体硅的纵向堆叠式后栅型

1595. 发明 ZL201210093913.3 2012-03-31 申请日起二十年 原始取得

SiNWFET 制备方法

金属-多层绝缘体-金属电容器及

1596. 发明 ZL201210081402.X 2012-03-23 申请日起二十年 原始取得

其制造方法、集成电路

金属-多层绝缘体-金属电容器及

1597. 发明 ZL201210081401.5 2012-03-23 申请日起二十年 原始取得

其制造方法、集成电路一种表征多层栅极中多晶硅电阻

1598. 发明 ZL201210077724.7 2012-03-22 申请日起二十年 原始取得

的方法一种形成双应力刻蚀阻挡层及前

1599. 发明 ZL201210064639.7 2012-03-13 申请日起二十年 原始取得

金属介电质层的方法

1600. 一种形成前金属介电质层的方法 发明 ZL201210064629.3 2012-03-13 申请日起二十年 原始取得

1601. 一种形成前金属介电质层的方法 发明 ZL201210064628.9 2012-03-13 申请日起二十年 原始取得

1602. 一种形成前金属介电质层的方法 发明 ZL201210064615.1 2012-03-13 申请日起二十年 原始取得

1603. 一种形成前金属介电质层的方法 发明 ZL201210064614.7 2012-03-13 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 223双层隔离纵向堆叠式半导体纳米

1604. 发明 ZL201210050780.1 2012-02-28 申请日起二十年 原始取得

线 MOSFET一种用于铜互连冗余金属图形的

1605. 发明 ZL201210049162.5 2012-02-28 申请日起二十年 原始取得

插入算法一种超低介电常数薄膜生长中形

1606. 发明 ZL201210047381.X 2012-02-28 申请日起二十年 原始取得

成渐进二氧化硅层的方法

一种利用应变硅技术提高 SONOS

1607. 发明 ZL201210047380.5 2012-02-28 申请日起二十年 原始取得

的擦写速度的方法一种增加浅沟槽隔离压应力提高

1608. 发明 ZL201210047378.8 2012-02-28 申请日起二十年 原始取得

NMOS 电子迁移率的方法一种用于栅极侧墙的二氧化硅薄

1609. 发明 ZL201210046161.5 2012-02-27 申请日起二十年 原始取得

膜的沉积方法一种宽频带锁相环频率综合

1610. 发明 ZL201210016167.8 2012-01-18 申请日起二十年 原始取得

器电路

1611. 一种栅极图形尺寸收缩方法 发明 ZL201210014989.2 2012-01-18 申请日起二十年 原始取得

SONOS结构制造方法以及SONOS结

1612. 发明 ZL201210009215.0 2012-01-12 申请日起二十年 原始取得

构

25SH3110017/BC/az/cm/D6 224双位氮化硅只读存储器制造方法

1613. 发明 ZL201210009093.5 2012-01-12 申请日起二十年 原始取得

及双位氮化硅只读存储器改善高密度等离子体化学气相淀

1614. 发明 ZL201210009089.9 2012-01-12 申请日起二十年 原始取得

积的磷硅玻璃形貌的方法

一种形成高阶电常数 K和 T型金

1615. 发明 ZL201110393469.2 2011-12-02 申请日起二十年 原始取得

属栅极的形成方法用于等离子体刻蚀的先进工艺控

1616. 发明 ZL201110392794.7 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

制方法一种相位移焦距检测光罩及制造

1617. 发明 ZL201110392792.8 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

方法及检测焦距差的方法一种低介电常数阻挡层工艺中的

1618. 发明 ZL201110392783.9 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

预处理的监控方法及装置

一种金属-氧化物-金属电容的制

1619. 发明 ZL201110392608.X 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

作方法

金属-氧化物-金属电容的制

1620. 发明 ZL201110392607.5 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

作方法

1621. 一种多层金属-氧化物-金属电容 发明 ZL201110391743.2 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 225的制作方法

一种多层金属-氧化硅-金属电容

1622. 发明 ZL201110391732.4 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

的制作方法用于等离子体刻蚀结构的光学探

1623. 发明 ZL201110391728.8 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

测方法及计算机辅助系统

1624. 一种光刻机曝光方法 发明 ZL201110391163.3 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

1625. CMOS 半导体器件及其制造方法 发明 ZL201110389208.3 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

可降低方块电阻的铜互连结构的

1626. 发明 ZL201110388945.1 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

制造方法应力记忆作用的半导体器件及其

1627. 发明 ZL201110388942.8 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

制造方法

PMOS 源漏区离子注入方法及相应

1628. 发明 ZL201110388784.6 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

的器件制造方法可降低方块电阻的铜互连结构的

1629. 发明 ZL201110388783.1 2011-11-30 申请日起二十年 原始取得

制造方法一种形成厚金属的单大马士

1630. 发明 ZL201110388371.8 2011-11-29 申请日起二十年 原始取得

革方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2261631. 一种双镶嵌结构的形成方法 发明 ZL201110386916.1 2011-11-29 申请日起二十年 原始取得

一种提高金属绝缘层金属电容层

1632. 发明 ZL201110386908.7 2011-11-29 申请日起二十年 原始取得

多次光刻重复性的方法一种降低铜互连方块电阻的单大

1633. 发明 ZL201110386892.X 2011-11-29 申请日起二十年 原始取得

马士革方法

一种形成高介电常数 K和 T型金

1634. 发明 ZL201110386890.0 2011-11-29 申请日起二十年 原始取得

属栅极的形成方法具有部分冗余通孔的集成电路制

1635. 发明 ZL201110386297.6 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

作方法及集成电路具有部分冗余通孔的集成电路制

1636. 发明 ZL201110386296.1 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

作方法及集成电路具有部分冗余通孔的集成电路制

1637. 发明 ZL201110386112.1 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

作方法及集成电路

1638. 扫描电子显微镜的检测方法 发明 ZL201110386090.9 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

一种降低铜互连方块电阻的全光

1639. 发明 ZL201110385563.3 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

阻双大马士革方法

1640. 一种利用上掩膜实现铜互连 发明 ZL201110384049.8 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 227的方法

一种半导体制程中的偏移管理的

1641. 发明 ZL201110384048.3 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

良率提升系统一种利用上掩膜实现高性能铜互

1642. 发明 ZL201110384046.4 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

连的方法一种半导体制程中的设备监

1643. 发明 ZL201110384000.2 2011-11-28 申请日起二十年 原始取得

控方法

1644. 钨生长控制设备及方法 发明 ZL201110379861.1 2011-11-24 申请日起二十年 原始取得

提高空穴迁移率的方法以及半导

1645. 发明 ZL201110379854.1 2011-11-24 申请日起二十年 原始取得

体器件制造方法

通孔刻蚀方法、集成电路制造方

1646. 发明 ZL201110379853.7 2011-11-24 申请日起二十年 原始取得

法和集成电路

1647. 铜填充硅通孔的制作方法 发明 ZL201110379852.2 2011-11-24 申请日起二十年 原始取得

1648. 具有空气侧墙的 CMOS 制作方法 发明 ZL201110379535.0 2011-11-24 申请日起二十年 原始取得

光刻机投影物镜温度均衡装置及

1649. 发明 ZL201110374963.4 2011-11-22 申请日起二十年 原始取得

均衡方法

1650. 提高浮体效应存储单元写入速度 发明 ZL201110366206.2 2011-11-17 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 228的方法及半导体器件

提高浮体效应存储单元写入速度

1651. 发明 ZL201110366188.8 2011-11-17 申请日起二十年 原始取得

的方法及半导体器件

接触孔刻蚀方法、集成电路制造

1652. 发明 ZL201110366186.9 2011-11-17 申请日起二十年 原始取得

方法以及集成电路

一种多层金属-氮化硅-金属电容

1653. 发明 ZL201110361155.4 2011-11-15 申请日起二十年 原始取得

的制造方法

一种金属-氮化硅-金属电容的制

1654. 发明 ZL201110361154.X 2011-11-15 申请日起二十年 原始取得

造方法

一种多层金属-氮化硅-金属电容

1655. 发明 ZL201110361149.9 2011-11-15 申请日起二十年 原始取得

及其制作方法一种导电聚合物凝胶填充硅通孔

1656. 发明 ZL201110359862.X 2011-11-15 申请日起二十年 原始取得

的方法一种利用上掩膜实现高性能铜互

1657. 发明 ZL201110359760.8 2011-11-15 申请日起二十年 原始取得

连的方法

1658. 一种存储器单元的制备方法 发明 ZL201110349900.3 2011-11-08 申请日起二十年 原始取得

1659. 用 DPN 氮氧化硅作为 SONOS 存储 发明 ZL201110349894.1 2011-11-08 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 229介质层的 ONO 结构及其制备方法

形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结

1660. 发明 ZL201110349874.4 2011-11-08 申请日起二十年 原始取得

1T--DRAM 结构的方法及形成结构

一种低应力金属硬掩膜层的制备

1661. 发明 ZL201110347738.1 2011-11-07 申请日起二十年 原始取得

方法提高浮体效应存储单元写入速度

1662. 发明 ZL201110341117.2 2011-11-02 申请日起二十年 原始取得

的方法

1663. 一种形成浅沟槽隔离的方法 发明 ZL201110341116.8 2011-11-02 申请日起二十年 原始取得

1664. 半导体器件制作方法 发明 ZL201110335363.7 2011-10-29 申请日起二十年 原始取得

1665. 硅纳米线器件的制作方法 发明 ZL201110328162.4 2011-10-25 申请日起二十年 原始取得

1666. 保留部分无定形碳层的方法 发明 ZL201110328160.5 2011-10-25 申请日起二十年 原始取得

高速电流模式逻辑到互补金属氧

1667. 发明 ZL201110322330.9 2011-10-21 申请日起二十年 原始取得

化物半导体信号转换电路一种形成侧墙的方法及由该方法

1668. 发明 ZL201110322309.9 2011-10-21 申请日起二十年 原始取得

形成存储单元

基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM

1669. 发明 ZL201110314347.X 2011-10-17 申请日起二十年 原始取得

结构及其形成方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 230提高写入速度的浮体动态随机存

1670. 发明 ZL201110314346.5 2011-10-17 申请日起二十年 原始取得

储器单元及其制作方法提高写入速度的浮体动态随机存

1671. 发明 ZL201110314344.6 2011-10-17 申请日起二十年 原始取得

储器单元及其制作方法

基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM

1672. 发明 ZL201110314331.9 2011-10-17 申请日起二十年 原始取得

结构及其制备方法一种提高写入速度的浮体动态随

1673. 发明 ZL201110314327.2 2011-10-17 申请日起二十年 原始取得

机存储器单元的制作方法

基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM

1674. 发明 ZL201110314325.3 2011-10-17 申请日起二十年 原始取得

结构及其制备方法超低介电常数薄膜铜互连的制作

1675. 发明 ZL201110310575.X 2011-10-13 申请日起二十年 原始取得

方法

一种金属-氧化物-金属电容及其

1676. 发明 ZL201110308004.2 2011-10-12 申请日起二十年 原始取得

制作方法

一种高性能金属-氧化物-金属电

1677. 发明 ZL201110308002.3 2011-10-12 申请日起二十年 原始取得

容及其制作方法

1678. 一种金属-氧化物-金属电容 发明 ZL201110307989.7 2011-10-12 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 231一种金属-氧化物-金属电容及其

1679. 发明 ZL201110307984.4 2011-10-12 申请日起二十年 原始取得

制作方法一种降低化学机械抛光后微粒缺

1680. 发明 ZL201110307983.X 2011-10-12 申请日起二十年 原始取得

陷的方法

一种金属-氧化物-金属电容的制

1681. 发明 ZL201110307976.X 2011-10-12 申请日起二十年 原始取得

作方法

1682. 铜互连结构的制作方法 发明 ZL201110301126.9 2011-09-28 申请日起二十年 原始取得

一种降低双大马士革氮化硅工艺

1683. 发明 ZL201110299091.X 2011-09-29 申请日起二十年 原始取得

颗粒的处理方法一种避免双刻蚀阻挡层引起的接

1684. 发明 ZL201110298921.7 2011-09-29 申请日起二十年 原始取得

触孔不通的方法一种提高浅沟隔离多次曝光稳定

1685. 发明 ZL201110285100.X 2011-09-23 申请日起二十年 原始取得

性的方法超低介电常数薄膜铜互连的制作

1686. 发明 ZL201110274496.8 2011-09-15 申请日起二十年 原始取得

方法具有金属前介质填充结构的半导

1687. 发明 ZL201110274490.0 2011-09-15 申请日起二十年 原始取得

体器件及其制备方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 232金属铜大马士革互联结构的制造

1688. 发明 ZL201110274227.1 2011-09-15 申请日起二十年 原始取得

方法

1689. 一种大马士革的集成方法 发明 ZL201110272665.4 2011-09-15 申请日起二十年 原始取得

预防物理气相沉积溅射工艺过程

1690. 发明 ZL201110272663.5 2011-09-15 申请日起二十年 原始取得

中金属靶材被击穿的方法一种改进的硬质掩膜与多孔低介

1691. 发明 ZL201110266463.9 2011-09-09 申请日起二十年 原始取得

电常数值材料的集成方法制备具有多厚度硅化物掩模层的

1692. 发明 ZL201110266445.0 2011-09-09 申请日起二十年 原始取得

半导体器件的方法一种单一厚度栅氧化层实现

1693. 多级工作电压的 CMOS 器件的 发明 ZL201110265327.8 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

制备方法一种提高浮体动态随机存储器单

1694. 发明 ZL201110265311.7 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

元性能的栅刻蚀方法一种根据不同衬底进行光学临近

1695. 发明 ZL201110265304.7 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

修正的方法

1696. 一种解决高磷浓度 PSG 薄膜表面 发明 ZL201110265302.8 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 233雾状颗粒的工艺方法

一种增加两次图形曝光工艺窗口

1697. 发明 ZL201110265283.9 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

的方法一种用于提高半导体器件性能的

1698. 发明 ZL201110265270.1 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

硅化物掩模刻蚀方法一种降低碳辅助注入工艺流程中

1699. 发明 ZL201110265267.X 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

多晶硅栅电阻的方法

一种利用侧向边墙技术提高 STI

1700. 发明 ZL201110265265.0 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

凹陷区特性的方法提高浮体动态随机存储单元写入

1701. 发明 ZL201110265239.8 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

速度的方法

一种金属—绝缘层—金属电容结

1702. 发明 ZL201110265234.5 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

构的制造工艺一种减小半导体器件热载流子注

1703. 发明 ZL201110265219.0 2011-09-08 申请日起二十年 原始取得

入损伤的方法绝缘体上硅硅片及浮体动态随机

1704. 发明 ZL201110256001.9 2011-08-31 申请日起二十年 原始取得

存储器单元的制造方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 234绝缘体上硅硅片及浮体动态随机

1705. 发明 ZL201110256000.4 2011-08-31 申请日起二十年 原始取得

存储器单元的制造方法一种新的硅化物和金属前介质集

1706. 发明 ZL201110250281.2 2011-08-29 申请日起二十年 原始取得

成工艺及该形成的结构

一种新型的双 bit 线 SONOS 单元

1707. 发明 ZL201110250278.0 2011-08-29 申请日起二十年 原始取得

结构及其制作方法一种提高浮体动态随机存储器单

1708. 发明 ZL201110250276.1 2011-08-29 申请日起二十年 原始取得

元性能的栅氧预清洗方法

一种 STI 结构 CMP 方法以及 STI

1709. 发明 ZL201110250266.8 2011-08-29 申请日起二十年 原始取得

结构制作方法

一种 CMP机台内置清洗结构及

1710. 发明 ZL201110250265.3 2011-08-29 申请日起二十年 原始取得

方法一种简化侧墙定义的两次图形曝

1711. 发明 ZL201110235262.2 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

光工艺的方法一种实现两种不同绝缘层厚度电

1712. 发明 ZL201110235259.0 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

容的集成方法

1713. 一种减小半导体器件热载流子注 发明 ZL201110235255.2 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 235入损伤的方法

一种提高浮体动态随机存储器单

1714. 发明 ZL201110235254.8 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

元写入速度的注入方法及结构

一种后栅极两晶体管 DRAM 的制造

1715. 发明 ZL201110235244.4 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

方法改进双重通孔刻蚀停止层交叠区

1716. 发明 ZL201110235240.6 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

通孔刻蚀的方法

1717. 一种源漏区超浅结的改进方法 发明 ZL201110235237.4 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

改进双重通孔刻蚀停止层交叠区

1718. 发明 ZL201110235219.6 2011-08-17 申请日起二十年 原始取得

域通孔刻蚀的方法后栅极两晶体管零电容动态随机

1719. 发明 ZL201110232271.6 2011-08-15 申请日起二十年 原始取得

存储器的制备方法

1720. 增强应力记忆技术效果的方法 发明 ZL201110232262.7 2011-08-15 申请日起二十年 原始取得

一种有助于消除倒 U形镍硅化物

1721. 发明 ZL201110222302.X 2011-08-04 申请日起二十年 原始取得

的器件结构及其制备工艺

一种改善 PMOS 器件载流子迁移率

1722. 发明 ZL201110222150.3 2011-08-04 申请日起二十年 原始取得

的方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 236一种改善 NMOS 器件载流子迁移率

1723. 发明 ZL201110222138.2 2011-08-04 申请日起二十年 原始取得

的方法

一种利用 P型离子注入形成双深

1724. 发明 ZL201110222125.5 2011-08-04 申请日起二十年 原始取得

度隔离沟道的方法改进双重通孔刻蚀停止层交叠区

1725. 发明 ZL201110222089.2 2011-08-04 申请日起二十年 原始取得

通孔刻蚀的方法及其器件一种不同多晶硅栅电极厚度的集

1726. 发明 ZL201110206448.5 2011-07-22 申请日起二十年 原始取得

成工艺

一种提高光刻胶与金属/金属化

1727. 发明 ZL201110206446.6 2011-07-22 申请日起二十年 原始取得

合物表面之间粘附力的方法

1728. 无金属阻挡层的铜后道互连工艺 发明 ZL201110194242.5 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

用于高、低压器件的多晶硅栅电

1729. 发明 ZL201110194223.2 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

极集成工艺

1730. 一种铜后道互连工艺 发明 ZL201110194154.5 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

一种优化的多晶栅极氧化硅硬质

1731. 发明 ZL201110194153.0 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

掩膜去除方法

1732. MOS 电容器的结构的制作方法 发明 ZL201110194151.1 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 237一种提高半导体器件中 MIM 电容

1733. 发明 ZL201110194148.X 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

密度的方法及其器件

一种增加半导体器件中 MIM 电容

1734. 发明 ZL201110194118.9 2011-07-12 申请日起二十年 原始取得

密度的方法及其结构

抑制 GIDL 效应的后栅极工艺半导

1735. 发明 ZL201110163853.3 2011-06-17 申请日起二十年 原始取得

体器件及其制备方法

一种双晶体管零电容动态 RAM 的

1736. 发明 ZL201110163852.9 2011-06-17 申请日起二十年 原始取得

制备方法一种抑制漏极感应势垒降低效应

1737. 的后栅极工艺 CMOS 器件及其制备 发明 ZL201110160322.9 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

方法一种抑制漏极感应势垒降低效应

1738. 发明 ZL201110160321.4 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

的 CMOS 器件及其制备方法

一种提高 MIM 器件电容均匀性的

1739. 发明 ZL201110160311.0 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

方法

铜大马士革工艺金属-绝缘层-金

1740. 发明 ZL201110160309.3 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

属电容制造工艺及结构

25SH3110017/BC/az/cm/D6 238铜大马士革工艺金属-绝缘层-金

1741. 发明 ZL201110160305.5 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

属电容制造工艺及结构

铜大马士革工艺金属-绝缘层-金

1742. 发明 ZL201110160301.7 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

属电容结构及制造工艺设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触

1743. 发明 ZL201110160287.0 2011-06-15 申请日起二十年 原始取得

孔刻蚀制程窗口的方法一种双大马士革工艺中通孔填充

1744. 发明 ZL201110150744.8 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

的方法改善双应力氮化硅薄膜集成的工

1745. 发明 ZL201110150725.5 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

艺及其中的结构一种用于双刻蚀阻挡层技术的应

1746. 发明 ZL201110150724.0 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

变硅工艺制作方法一种增强氮化硅薄膜张应力

1747. 发明 ZL201110150722.1 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

的方法

铜大马士革工艺金属-绝缘层-金

1748. 发明 ZL201110150721.7 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

属电容制造工艺及结构

1749. 消除栅极凹形缺陷的方法 发明 ZL201110150717.0 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 239一种提高铜互连可靠性的表面处

1750. 发明 ZL201110150700.5 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

理方法

一种 MIM（金属-绝缘层-金属）电

1751. 发明 ZL201110150697.7 2011-06-07 申请日起二十年 原始取得

容制作方法

铜大马士革工艺金属-绝缘层-金

1752. 发明 ZL201110138154.3 2011-05-26 申请日起二十年 原始取得

属电容结构及制造工艺

一种形成 MIM 电容器结构的方法

1753. 发明 ZL201110138130.8 2011-05-26 申请日起二十年 原始取得

及 MIM 电容器一种针对氟基等离子体刻蚀后的

1754. 发明 ZL201110138127.6 2011-05-26 申请日起二十年 原始取得

氮化钛薄膜的处理方法一种利用铜大马士革工艺制造双

1755. 发明 ZL201110138065.9 2011-05-26 申请日起二十年 原始取得

层金属-绝缘层-金属电容的方法离子注入调整隔离氧化物应力的

1756. 发明 ZL201110133619.6 2011-05-23 申请日起二十年 原始取得

浅沟槽隔离结构制备方法用于提高半导体器件性能的在浅

1757. 发明 ZL201110123709.7 2011-05-13 申请日起二十年 原始取得

沟槽上形成接触孔的方法

1758. 一种具有自对准空洞层的 SON 互 发明 ZL201110123708.2 2011-05-13 申请日起二十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 240补型金属氧化物半导体制备方法

一种提高 MIM 电容密度的结构及

1759. 发明 ZL201110123645.0 2011-05-13 申请日起二十年 原始取得

其制作工艺

一种 CMOS 侧墙结构及其制备

1760. 发明 ZL201110123643.1 2011-07-27 申请日起二十年 原始取得

方法

一种 MIM 电容的改进结构及其制

1761. 发明 ZL201110123642.7 2011-05-13 申请日起二十年 原始取得

造工艺在浅沟槽上形成接触孔以提高半

1762. 发明 ZL201110110384.9 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

导体器件性能的方法提高半导体器件中空穴迁移率的

1763. 发明 ZL201110110382.X 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

方法

一种提高 PMOS 器件中空穴迁移率

1764. 发明 ZL201110110369.4 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

的多晶硅栅附加样本填充方法一种增强应力记忆效应的栅多晶

1765. 发明 ZL201110110368.X 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

硅刻蚀方法一种制造高拉应力氮化硅薄膜的

1766. 发明 ZL201110110367.5 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

方法

25SH3110017/BC/az/cm/D6 241一种用于表征低介电常数介质材

1767. 发明 ZL201110110175.4 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

料损伤的检测方法

1768. 集成电路钝化层及其制造方法 发明 ZL201110110174.X 2011-04-29 申请日起二十年 原始取得

一种用于双刻蚀阻挡层技术的应

1769. 发明 ZL201110099265.8 2011-04-20 申请日起二十年 原始取得

变硅工艺集成方法改进晶体管载流子迁移率的半导

1770. 发明 ZL201110078473.X 2011-03-30 申请日起二十年 原始取得

体器件及方法一种减小半导体器件中交叠电容

1771. 发明 ZL201110078449.6 2011-03-30 申请日起二十年 原始取得

的方法

一种干泵信号接头及 CVD 成膜设

1772. 实用新型 ZL202421830222.1 2024-07-30 申请日起十年 原始取得

备信号接头

1773. 定位装置以及蚀刻机 实用新型 ZL202421524674.7 2024-06-28 申请日起十年 原始取得

线圈支架、射频匹配电路组件以

1774. 实用新型 ZL202421520067.3 2024-06-28 申请日起十年 原始取得

及半导体制造设备具有位置偏移检测装置的离子注

1775. 实用新型 ZL202421520050.8 2024-06-28 申请日起十年 原始取得

入机

1776. 等离子刻蚀装置 实用新型 ZL202420910871.6 2024-04-28 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2421777. 石英管固定结构及反应腔体 实用新型 ZL202420908366.8 2024-04-28 申请日起十年 原始取得

1778. 立式炉管装置 实用新型 ZL202420907843.9 2024-04-28 申请日起十年 原始取得

1779. 具有除湿装置的前开式晶圆盒 实用新型 ZL202420907810.4 2024-04-28 申请日起十年 原始取得

用于气化装置的进出口管路及具

1780. 实用新型 ZL202420590490.4 2024-03-26 申请日起十年 原始取得

有其的气化设备喷嘴支撑臂位置偏移检测装置及

1781. 实用新型 ZL202420590463.7 2024-03-26 申请日起十年 原始取得

旋涂单元和涂胶设备

1782. 用于掩膜版存储柜的喷气组件 实用新型 ZL202420392586.X 2024-02-29 申请日起十年 原始取得

1783. 固定装置及具有其的炉管机台 实用新型 ZL202420390531.5 2024-02-29 申请日起十年 原始取得

1784. 一种干燥槽顶针 实用新型 ZL202420389435.9 2024-02-29 申请日起十年 原始取得

1785. 涂料装置以及光刻设备 实用新型 ZL202420385391.2 2024-02-29 申请日起十年 原始取得

1786. 用于牵引天车的连接杆结构 实用新型 ZL202420344486.X 2024-02-23 申请日起十年 原始取得

1787. 隔振装置以及光刻设备 实用新型 ZL202420344063.8 2024-02-23 申请日起十年 原始取得

1788. 防降温保护装置 实用新型 ZL202420232425.4 2024-01-30 申请日起十年 原始取得

1789. 货物载入台以及测试机台 实用新型 ZL202420232052.0 2024-01-30 申请日起十年 原始取得

1790. 天车维修系统 实用新型 ZL202420232021.5 2024-01-30 申请日起十年 原始取得

1791. 检漏装置 实用新型 ZL202420231968.4 2024-01-30 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2431792. 燃烧式除害设备 实用新型 ZL202420231058.6 2024-01-30 申请日起十年 原始取得

1793. 辅助上油装置以及测试机台 实用新型 ZL202420143421.9 2024-01-19 申请日起十年 原始取得

1794. 一种烘烤排气管清洗装置 实用新型 ZL202420141150.3 2024-01-19 申请日起十年 原始取得

1795. 晶圆刻蚀均匀度提升装置 实用新型 ZL202420141145.2 2024-01-19 申请日起十年 原始取得

1796. 连接组件以及半导体制造设备 实用新型 ZL202420141126.X 2024-01-19 申请日起十年 原始取得

1797. 清针砂纸粘贴辅助装置 实用新型 ZL202322019571.7 2023-07-28 申请日起十年 原始取得

一种信号线和背氦流量控制器的

1798. 实用新型 ZL202321351972.6 2023-05-30 申请日起十年 原始取得

防干扰结构

1799. 安装辅助支架 实用新型 ZL202321349596.7 2023-05-30 申请日起十年 原始取得

1800. 一种阳极装置及电镀设备 实用新型 ZL202321349565.1 2023-05-30 申请日起十年 原始取得

1801. 一种支撑架及收纳装置 实用新型 ZL202321251352.5 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1802. 一种手动取片机械爪 实用新型 ZL202321251340.2 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1803. 一种冷却水管路连接装置 实用新型 ZL202321251328.1 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1804. 接头保护装置和液压快速接头 实用新型 ZL202321247559.5 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1805. 清洁治具及刻蚀机 实用新型 ZL202321247527.5 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1806. 研磨保护装置及半导体工艺设备 实用新型 ZL202321246644.X 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1807. 漏液检测报警装置及刻蚀机 实用新型 ZL202321246628.0 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2441808. 校准治具及量测系统 实用新型 ZL202321246619.1 2023-05-22 申请日起十年 原始取得

1809. 工艺腔清洁装置 实用新型 ZL202320982876.5 2023-04-26 申请日起十年 原始取得

一种快速热处理半导体加工机台

1810. 实用新型 ZL202320982859.1 2023-04-26 申请日起十年 原始取得

及半导体加工系统气柜部件清洗保护结构及半导体

1811. 实用新型 ZL202320982844.5 2023-04-26 申请日起十年 原始取得

设备

1812. 一种对石英腔体进行降温的装置 实用新型 ZL202320982818.2 2023-04-26 申请日起十年 原始取得

适用于紫外线灯照射台的吸

1813. 实用新型 ZL202320982746.1 2023-04-26 申请日起十年 原始取得

尘装置

1814. 晶圆清洗装置 实用新型 ZL202320704865.0 2023-03-31 申请日起十年 原始取得

1815. 清洗装置及半导体工艺设备 实用新型 ZL202320698685.6 2023-03-31 申请日起十年 原始取得

1816. 一种真空吸附式取放装置 实用新型 ZL202320696516.9 2023-03-31 申请日起十年 原始取得

1817. 一种用于晶圆存储盒的承载装置 实用新型 ZL202320695689.9 2023-03-31 申请日起十年 原始取得

检测设备、工艺腔室及离子注

1818. 实用新型 ZL202320680210.4 2023-03-31 申请日起十年 原始取得

入机

1819. 一种晶圆存储盒的防坠落装置 实用新型 ZL202320680205.3 2023-03-31 申请日起十年 原始取得

1820. 倾角传感器的保护结构及倾角传 实用新型 ZL202320351401.6 2023-02-27 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 245感器

1821. 卡盘销组件及晶圆清洗设备 实用新型 ZL202320348444.9 2023-02-28 申请日起十年 原始取得

1822. 晶圆级半自动探针台 实用新型 ZL202320347595.2 2023-02-27 申请日起十年 原始取得

1823. 一种输送链的承载装置 实用新型 ZL202320347565.1 2023-02-27 申请日起十年 原始取得

一种半导体设备及反应气体供应

1824. 实用新型 ZL202320347548.8 2023-02-27 申请日起十年 原始取得

装置

沉积环装置、静电卡盘装置及高

1825. 实用新型 ZL202320345982.2 2023-02-27 申请日起十年 原始取得

温铝腔

一种石英窗保温装置、等离子体

1826. 实用新型 ZL202320345925.4 2023-02-27 申请日起十年 原始取得

反应设备及半导体加工机台

1827. 臭氧分解装置及其保护结构 实用新型 ZL202320339205.7 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

1828. 一种防脱治具和静电吸盘 实用新型 ZL202320339162.2 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

1829. 电容防护装置 实用新型 ZL202320328598.1 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

一种真空管收集粉尘装置及真空

1830. 实用新型 ZL202320328408.6 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

吸附系统防光罩盒底盘掉落装置及光罩检

1831. 实用新型 ZL202320328390.X 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

测设备

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2461832. 光罩传送台防尘装置 实用新型 ZL202320320779.X 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

1833. 起膜顶针的移动装置 实用新型 ZL202320320743.1 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

基座装置、溅射腔体及物理气相

1834. 实用新型 ZL202320320717.9 2023-02-24 申请日起十年 原始取得

沉积设备

1835. 光刻机温控用储液装置 实用新型 ZL202320171574.X 2023-01-30 申请日起十年 原始取得

1836. 一种更换上部电极的治具 实用新型 ZL202320171532.6 2023-01-30 申请日起十年 原始取得

1837. 阀门切换检测装置 实用新型 ZL202320163729.5 2023-01-30 申请日起十年 原始取得

1838. 芯片测试板除霜装置 实用新型 ZL202320163714.9 2023-01-30 申请日起十年 原始取得

1839. 一种高度测量治具和涂胶显影机 实用新型 ZL202320152873.9 2023-01-30 申请日起十年 原始取得

铜电极组装装置及电化学电

1840. 实用新型 ZL202222915186.6 2022-10-31 申请日起十年 原始取得

镀设备晶圆传送位置检测装置及半导体

1841. 实用新型 ZL202222877144.8 2022-10-31 申请日起十年 原始取得

工艺设备

1842. 管路装置及半导体工艺设备 实用新型 ZL202222876868.0 2022-10-31 申请日起十年 原始取得

一种晶圆前开式传送盒的运

1843. 实用新型 ZL202222623922.0 2022-09-30 申请日起十年 原始取得

输装置

1844. 漏气检测装置及半导体工艺设备 实用新型 ZL202222614300.1 2022-09-30 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 247一种半导体设备电气柜的温度监

1845. 实用新型 ZL202222601790.1 2022-09-29 申请日起十年 原始取得

控装置

1846. 老化板及芯片老化测试系统 实用新型 ZL202222598976.6 2022-09-29 申请日起十年 原始取得

1847. 一种光刻机的光罩传送手臂 实用新型 ZL202222598910.7 2022-09-29 申请日起十年 原始取得

1848. 一种晶圆工作台用偏差矫正机构 实用新型 ZL202222596169.0 2022-09-29 申请日起十年 原始取得

1849. 贯穿装置 实用新型 ZL202222304331.7 2022-08-31 申请日起十年 原始取得

1850. 一种探针卡清洁纸辅助夹具 实用新型 ZL202222121460.2 2022-08-12 申请日起十年 原始取得

1851. 清洗装置 实用新型 ZL202222110611.4 2022-08-11 申请日起十年 原始取得

1852. 一种排气装置及尾气处理系统 实用新型 ZL202221984746.7 2022-07-29 申请日起十年 原始取得

1853. 一种药液桶推车 实用新型 ZL202221982328.4 2022-07-29 申请日起十年 原始取得

1854. 量测机台照明开关监控系统 实用新型 ZL202220927550.8 2022-04-20 申请日起十年 原始取得

1855. 等离子刻蚀机台 实用新型 ZL202220924713.7 2022-04-20 申请日起十年 原始取得

1856. 一种粉尘收集装置 实用新型 ZL202220923322.3 2022-04-20 申请日起十年 原始取得

1857. 一种基座及半导体设备 实用新型 ZL202220421787.9 2022-02-28 申请日起十年 原始取得

1858. 一种推车柜 实用新型 ZL202220348470.7 2022-02-21 申请日起十年 原始取得

1859. 机械臂模块 实用新型 ZL202220260638.9 2022-02-07 申请日起十年 原始取得

1860. 一种臭氧分解装置 实用新型 ZL202220252166.2 2022-01-28 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2481861. 一种紫外线照射装置 实用新型 ZL202220250842.2 2022-01-27 申请日起十年 原始取得

一种温控装置的加液口盖帽及温

1862. 实用新型 ZL202220238947.6 2022-01-28 申请日起十年 原始取得

控装置的排气系统

1863. 一种清洗装置 实用新型 ZL202220229831.6 2022-01-27 申请日起十年 原始取得

1864. 清洗装置 实用新型 ZL202220228704.4 2022-01-27 申请日起十年 原始取得

1865. 一种晶圆检测装置及半导体设备 实用新型 ZL202123436186.X 2021-12-30 申请日起十年 原始取得

1866. 一种反应装置及半导体设备 实用新型 ZL202123348685.3 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

干法刻蚀机台的设备前端模块的

1867. 实用新型 ZL202123348572.3 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

颗粒堆积物清理检测系统

1868. 一种校准装置及真空传送装置 实用新型 ZL202123348110.1 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

1869. 一种排湿装置、送风管和空调机 实用新型 ZL202123348080.4 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

一种研磨机台的冷却装置及研磨

1870. 实用新型 ZL202123347985.X 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

机台

1871. 一种清洗设备 实用新型 ZL202123346972.0 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

1872. 一种清洗槽及具有其的清洗机台 实用新型 ZL202123341787.2 2021-12-28 申请日起十年 原始取得

1873. 一种干式真空泵及半导体设备 实用新型 ZL202122963402.X 2021-11-29 申请日起十年 原始取得

1874. 一种显影设备 实用新型 ZL202122961152.6 2021-11-29 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 249一种光刻机的载片台平坦度的检

1875. 实用新型 ZL202122953910.X 2021-11-29 申请日起十年 原始取得

测系统及光刻机

1876. 一种过热报警装置 实用新型 ZL202122953908.2 2021-11-29 申请日起十年 原始取得

1877. 一种排风结构及除胶机 实用新型 ZL202122953885.5 2021-11-29 申请日起十年 原始取得

一种 DRIE 机台的等离子体约束环

1878. 实用新型 ZL202122945564.0 2021-11-29 申请日起十年 原始取得

用定位锁定结构

1879. 一种热电偶及半导体设备 实用新型 ZL202122638508.2 2021-10-29 申请日起十年 原始取得

一种监测特气的装置及半导

1880. 实用新型 ZL202122388633.2 2021-09-29 申请日起十年 原始取得

体设备

1881. 一种加热器水平调节装置 实用新型 ZL202122377375.8 2021-09-29 申请日起十年 原始取得

1882. 一种改造后的 LPCVD 反应室 实用新型 ZL202122065570.7 2021-08-30 申请日起十年 原始取得

1883. 一种 LPCVD 晶舟旋转装置 实用新型 ZL202122065555.2 2021-08-30 申请日起十年 原始取得

一种用于 LPCVD 模块的底座及其

1884. 实用新型 ZL202122063121.9 2021-08-30 申请日起十年 原始取得

LPCVD 模块一种光刻胶去除机台的晶圆传送

1885. 实用新型 ZL202121585532.8 2021-07-13 申请日起十年 原始取得

手臂的清洁及干燥机构

1886. 一种用于校正遮光板位置精度的 实用新型 ZL202121584306.8 2021-07-13 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 250监控光罩

1887. 一种用于管道法兰拆装的工具 实用新型 ZL202120651747.9 2021-03-30 申请日起十年 原始取得

一种间隙测量仪、反应腔及半导

1888. 实用新型 ZL202120536419.4 2021-03-15 申请日起十年 原始取得

体设备

1889. 晶圆清洗装置 实用新型 ZL202120412470.4 2021-02-24 申请日起十年 原始取得

一种气体吹扫管路、反应腔及半

1890. 实用新型 ZL202120249404.X 2021-01-28 申请日起十年 原始取得

导体设备

1891. 预热激光光源冷却系统 实用新型 ZL202023245543.X 2020-12-29 申请日起十年 原始取得

1892. 掩模板清洁装置 实用新型 ZL202023242011.0 2020-12-29 申请日起十年 原始取得

1893. 炉管设备中的晶舟运动机构 实用新型 ZL202023180549.3 2020-12-25 申请日起十年 原始取得

1894. 半导体冷却装置及半导体机台 实用新型 ZL202023036249.8 2020-12-16 申请日起十年 原始取得

1895. 半导体传送装置 实用新型 ZL202023020628.8 2020-12-16 申请日起十年 原始取得

1896. 接口阀及化学气相沉积设备 实用新型 ZL202022479572.6 2020-10-30 申请日起十年 原始取得

1897. 显影液供应系统 实用新型 ZL202020671981.3 2020-04-27 申请日起十年 原始取得

1898. 一种排气取样装置及湿法清洗机 实用新型 ZL202020328502.8 2020-03-16 申请日起十年 原始取得

1899. 气体管路分流装置及干法刻蚀机 实用新型 ZL201922088521.8 2019-11-27 申请日起十年 原始取得

1900. 一种腔体结构 实用新型 ZL201922081130.3 2019-11-27 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2511901. 紫外光固化装置 实用新型 ZL201921603197.2 2019-09-24 申请日起十年 原始取得

1902. 电极保护装置 实用新型 ZL201921576498.0 2019-09-20 申请日起十年 原始取得

1903. 一种遮光结构和涂胶显影机 实用新型 ZL201921189178.X 2019-07-25 申请日起十年 原始取得

1904. 预对准装置及晶圆处理系统 实用新型 ZL201920784669.2 2019-05-28 申请日起十年 原始取得

一种光罩盒锁定/解锁装置及相

1905. 实用新型 ZL201920613386.1 2019-04-29 申请日起十年 原始取得

应的光刻机

1906. 一种改善白色像素点的隔离结构 实用新型 ZL201920391846.0 2019-03-26 申请日起十年 原始取得

一种化学药液混合装置及湿法刻

1907. 实用新型 ZL201920391750.4 2019-03-26 申请日起十年 原始取得

蚀装置

一种改善 HCD 炉管硅片间均匀性

1908. 实用新型 ZL201821904812.9 2018-11-19 申请日起十年 原始取得

差异的装置一种用于监控尼康光刻机底部镜

1909. 实用新型 ZL201821903870.X 2018-11-19 申请日起十年 原始取得

头雾化散光程度的掩膜板

1910. 一种用于研磨装置的新型研磨头 实用新型 ZL201821675862.4 2018-10-16 申请日起十年 原始取得

1911. 电镀洗边结构 实用新型 ZL201820975644.6 2018-06-25 申请日起十年 原始取得

1912. 用于刻蚀设备的新型陶瓷环 实用新型 ZL201820760179.4 2018-05-22 申请日起十年 原始取得

1913. 化学气相沉淀机台中静电吸盘的 实用新型 ZL201721797367.6 2017-12-21 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 252拆装夹具

一种高电流离子注入机末端

1914. 实用新型 ZL201721682661.2 2017-12-06 申请日起十年 原始取得

测流器

一种用于改善白像素的 CMOS 图像

1915. 实用新型 ZL201721592960.7 2017-11-24 申请日起十年 原始取得

传感器

一种改善 low-k 薄膜均一性的

1916. 实用新型 ZL201721252681.6 2017-09-27 申请日起十年 原始取得

装置一种改善氮化硅薄膜膜厚均一性

1917. 实用新型 ZL201721251982.7 2017-09-27 申请日起十年 原始取得

的炉管石英外管一种加热装置及化学气相沉

1918. 实用新型 ZL201720969251.X 2017-08-04 申请日起十年 原始取得

积设备一种超声波修整盘及化学机械研

1919. 实用新型 ZL201720948244.1 2017-08-01 申请日起十年 原始取得

磨机一种组合式溅射靶材及磁控溅射

1920. 实用新型 ZL201720931858.9 2017-07-28 申请日起十年 原始取得

装置

1921. 一种侦测电镀洗边异常的装置 实用新型 ZL201621209504.5 2016-11-09 申请日起十年 原始取得

1922. 一种铜电镀机台腔体 实用新型 ZL201621151042.6 2016-10-24 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2531923. 套准精度量测图形结构 实用新型 ZL201620809339.0 2016-07-29 申请日起十年 原始取得

一种用于机台 RF电感线圈的防电

1924. 实用新型 ZL201620807709.7 2016-07-28 申请日起十年 原始取得

弧击伤装置

1925. 一种化学气相成膜机台 实用新型 ZL201620283550.3 2016-04-07 申请日起十年 原始取得

1926. 一种化学气相沉积工艺设备 实用新型 ZL201520861935.9 2015-10-30 申请日起十年 原始取得

1927. 一种改善晶圆边缘缺陷的装置 实用新型 ZL201520857832.5 2015-10-29 申请日起十年 原始取得

高密度等离子体机台顶端喷嘴与

1928. 实用新型 ZL201520856143.2 2015-10-29 申请日起十年 原始取得

气体集流器的连接结构

1929. 一种氧化炉晶舟 实用新型 ZL201520839960.7 2015-10-27 申请日起十年 原始取得

1930. 一种探针台 实用新型 ZL201520828827.1 2015-10-23 申请日起十年 原始取得

1931. 一种恒转矩控制系统 实用新型 ZL201520794773.1 2015-10-14 申请日起十年 原始取得

1932. 一种探针卡 实用新型 ZL201520793943.4 2015-10-14 申请日起十年 原始取得

1933. 一种机械手臂 实用新型 ZL201520739022.X 2015-09-22 申请日起十年 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 254表 2：标的公司拥有的分立后拟保留在其名下的主要境外已授权专利

专利授权国家序号专利名称申请号申请日专用权期限取得方式

类型/地区

Stack capacitor，a flash memory device and 申请日起

1. 发明 美国 US17/872534 2022-7-25 原始取得

a manufacturing method thereof 二十年

Stack capacitor，a flash memory device and 申请日起

2. 发明 美国 US17/213885 2021-3-26 原始取得

a manufacturing method thereof 二十年

One-time programmable memory and an 申请日起

3. 发明 美国 US17/206631 2021-3-19 原始取得

operation method thereof 二十年

Method for improving HDP filling defects 申请日起

4. 发明 美国 US17/142623 2021-1-6 原始取得

through STI etching process 二十年

Self-aligned two-time forming method申请日起

5. capable of preventing sidewalls from 发明 美国 US17/142500 2021-1-6 原始取得

二十年

being deformed申请日起

6. Programmable memory 发明 美国 US16/952262 2020-11-19 原始取得

二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 255Reading reference current automatic 申请日起

7. 发明 美国 US16/951018 2020-11-18 原始取得

regulation circuit of non-volatile memory 二十年申请日起

8. Method of sub resolution assist feature 发明 美国 US16/702492 2019-12-3 原始取得

二十年

Flash with shallow trench in channel申请日起

9. region and method for manufacturing the 发明 美国 US16/854129 2020-4-21 原始取得

二十年

same

Semiconductor structure of split gate申请日起

10. flash memory cell and method for 发明 美国 US16/861967 2020-4-29 原始取得

二十年

manufacturing the same

1.5T SONOS memory structure and 申请日起

11. 发明 美国 US16/826554 2020-3-23 原始取得

manufacturing method 二十年

Method of making resistive structure of 申请日起

12. 发明 美国 US16/850993 2020-4-16 原始取得

RRAM 二十年

LDO circuit device and overcurrent 申请日起

13. 发明 美国 US16/800614 2020-2-25 受让取得

protection circuit thereof 二十年

14. Oscillator 发明 美国 US16/815379 2020-3-11 申请日起 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 256二十年

Erase-write cycling method of a flash 申请日起

15. 发明 美国 US16/830740 2020-3-26 原始取得

device 二十年申请日起

16. Power Supply Powering-On Structure 发明 美国 US16/822757 2020-3-18 原始取得

二十年

Voltage-controlled oscillator circuit 申请日起

17. 发明 美国 US16/789550 2020-2-13 原始取得

and phase-locked loop circuit 二十年

50%-duty-cycle consecutive integer

申请日起

18. frequency divider and phase-locked loop 发明 美国 US16/857617 2020-4-24 原始取得

二十年

circuit

Classification method for automatically申请日起

19. identifying wafer spatial pattern 发明 美国 US16/690470 2019-11-21 原始取得

二十年

distribution

Nonvolatile memory device having a

memory-transistor gate-electrode 申请日起

20. 发明 美国 US16/666418 2019-10-29 原始取得

provided with a charge-trapping 二十年

gate-dielectric layer and two sidewall

25SH3110017/BC/az/cm/D6 257select-transistor gate-electrodes

Global shutter CMOS image sensor having申请日起

21. photosensitive doped region with 发明 美国 US16/692832 2019-11-22 原始取得

二十年

inhomogeneous potentials

Method and apparatus for analyzing 申请日起

22. 发明 美国 US16/681843 2019-11-13 原始取得

semiconductor wafer 二十年申请日起

23. Etching method and a semiconductor device 发明 美国 US16/680512 2019-11-12 原始取得

二十年

Method for detecting ultra-small defect 申请日起

24. 发明 美国 US16/691180 2019-11-21 原始取得

on wafer surface 二十年

Semiconductor device and manufacturing 申请日起

25. 发明 美国 US16/384966 2019-4-16 原始取得

method therefor 二十年

Semiconductor structure and method of 申请日起

26. 发明 美国 US16/681830 2019-11-13 原始取得

manufacturing the same 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 258Method of ion implantation and an 申请日起

27. 发明 美国 US16/566876 2019-9-11 原始取得

apparatus for the same 二十年

Electrostatic protection circuit and a 申请日起

28. 发明 美国 US16/566875 2019-9-11 受让取得

semiconductor structure 二十年

Methods and systems for reducing申请日起

29. dislocation defects in high concentration 发明 美国 US16/409876 2019-5-13 原始取得

二十年

epitaxy processes

Method of manufacturing a bipolar 申请日起

30. 发明 美国 US16/427356 2019-5-31 原始取得

transistor with trench structure 二十年

Method for measuring interface state 申请日起

31. 发明 美国 US13/656701 2012-10-20 原始取得

density 二十年

Structure for critical dimension and 申请日起

32. 发明 美国 US13/667363 2012-11-2 原始取得

overlay measurement 二十年申请日起

33. Method of forming Cu interconnects 发明 美国 US13/667492 2012-11-2 原始取得

二十年申请日起

34. CML to CMOS conversion circuit 发明 美国 US13/656700 2012-10-20 原始取得

二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 259Method for producing silicon nanowire 申请日起

35. 发明 美国 US13/659907 2012-10-24 原始取得

devices 二十年

Temperature balancing device of申请日起

36. projection objective of lithography 发明 美国 US13/682069 2012-11-20 原始取得

二十年

machine and method thereof

Method for depositing phosphosilicate 申请日起

37. 发明 美国 US13/728743 2012-12-27 原始取得

glass 二十年

Method for monitoring alignment between申请日起

38. contact holes and polycrystalline silicon 发明 美国 US13/731294 2012-12-31 原始取得

二十年

gate

Integration flow for LDD and spacer申请日起

39. fabrication on a sacrificial amorphous 发明 美国 US13/716990 2012-12-17 原始取得

二十年

carbon gate structure申请日起

40. Method for etching polysilicon gate 发明 美国 US13/730532 2012-12-28 原始取得

二十年

Method for improving write margins of SRAM 申请日起

41. 发明 美国 US13/721071 2012-12-20 原始取得

cells 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 260申请日起

42. Method of manufacturing a tungsten plug 发明 美国 US13/706576 2012-12-6 原始取得

二十年

Dummy wafer structure and method of 申请日起

43. 发明 美国 US13/730576 2012-12-28 原始取得

forming the same 二十年申请日起

44. Method of forming contact hole 发明 美国 US13/730486 2012-12-28 原始取得

二十年

Phase shift focus monitor reticle，申请日起

45. manufacturing method thereof and method 发明 美国 US13/688407 2012-11-29 原始取得

二十年

for monitoring focus difference

Fabrication method for improving surface申请日起

46. planarity after tungsten chemical 发明 美国 US13/730103 2012-12-28 原始取得

二十年

mechanical polishing

Method and structure to improve the

erasing speed operation of SONOS memory 申请日起

47. 发明 美国 US13/721078 2012-12-20 原始取得

device having a graded silicon nitride 二十年

layer

48. Method of forming connection holes 发明 美国 US13/721070 2012-12-20 申请日起 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 261二十年

Method for reducing morphological申请日起

49. difference between N-doped and undoped 发明 美国 US13/721073 2012-12-20 原始取得

二十年

polysilicon gates after etching

Measurement of lateral diffusion of申请日起

50. implanted ions in doped well region of 发明 美国 US13/721082 2012-12-20 原始取得

二十年

semiconductor devices申请日起

51. Method of dual-depth STI formation 发明 美国 US13/728190 2012-12-27 原始取得

二十年

Method of improving PMOS performance in a 申请日起

52. 发明 美国 US13/730169 2012-12-28 原始取得

contact etch stop layer process 二十年

Method to manufacture trench-first copper 申请日起

53. 发明 美国 US13/726532 2012-12-24 原始取得

interconnection 二十年

Algorithm of Cu interconnect dummy 申请日起

54. 发明 美国 US13/731128 2012-12-31 原始取得

inserting 二十年

Method of depositing the metal barrier 申请日起

55. 发明 美国 US14/069570 2013-11-1 原始取得

layer comprising silicon dioxide 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 262Semiconductor structure with means for 申请日起

56. 发明 美国 US14/040741 2013-09-30 原始取得

testing metal-insulator-metal capacitors 二十年

Test module device and a test method for 申请日起

57. 发明 美国 US14/080534 2013-11-14 原始取得

monitoring the stability of processes 二十年

Method of manufacturing semiconductor 申请日起

58. 发明 美国 US14/103496 2013-12-11 原始取得

device 二十年申请日起

59. Layout pattern modification method 发明 美国 US14/105689 2013-12-13 原始取得

二十年

Optical proximity correction method based 申请日起

60. 发明 美国 US14/086222 2013-11-21 原始取得

on hybrid simulation model 二十年

Method of detecting and measuring contact申请日起

61. alignment shift relative to gate 发明 美国 US14/040730 2013-09-30 原始取得

二十年

structures in a semicondcutor device

Method of detecting transistors mismatch 申请日起

62. 发明 美国 US14/040733 2013-09-30 原始取得

in a SRAM cell 二十年

Method of reducing contamination in CVD 申请日起

63. 发明 美国 US14/040739 2013-09-30 原始取得

chamber 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 263Method of manufacturing dual gate oxide 申请日起

64. 发明 美国 US14/040737 2013-09-30 原始取得

devices 二十年

Method of detecting the circular申请日起

65. uniformity of the semiconductor circular 发明 美国 US14/053750 2013-10-15 原始取得

二十年

contact holes

Forming method of an annular storage unit 申请日起

66. 发明 美国 US14/063398 2013-10-25 原始取得

of a magneto-resistive memory 二十年

Method of manufacturing the trench of 申请日起

67. 发明 美国 US14/070060 2013-11-1 原始取得

U-shape 二十年

Method of forming the gate with the LELE 申请日起

68. 发明 美国 US14/085380 2013-11-20 原始取得

double pattern 二十年申请日起

69. CMOS charge pump circuit 发明 美国 US14/091337 2013-11-26 原始取得

二十年

Apparatus for detecting the flatness of 申请日起

70. 发明 美国 US14/092056 2013-11-27 原始取得

wafer and the method thereof 二十年

Method of inspecting misalignment of 申请日起

71. 发明 美国 US14/142584 2013-12-27 原始取得

polysilicon gate 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 264Methods and systems for using oxidation

申请日起

72. layers to improve device surface 发明 美国 US14/590011 2015-1-6 原始取得

二十年

uniformity申请日起

73. Embedded SiGe epitaxy test pad 发明 美国 US15/937881 2018-3-28 原始取得

二十年申请日起

74. Embedded SiGe epitaxy test pad 发明 美国 US14/691516 2015-4-20 原始取得

二十年

Semiconductor devices with shaped申请日起

75. cavities for embedding germanium material 发明 美国 US14/691508 2015-4-20 原始取得

二十年

and manufacturing processes thereof

Methods and Systems for Improved 申请日起

76. 发明 美国 US14/691520 2015-4-20 原始取得

Uniformity of SiGe Thickness 二十年申请日起

77. Shaped cavity for SiGe filling material 发明 美国 US14/706986 2015-5-8 原始取得

二十年

Methods and systems for using conformal申请日起

78. filling layers to improve device surface 发明 美国 US14/720829 2015-5-24 原始取得

二十年

uniformity

25SH3110017/BC/az/cm/D6 265Method for forming cobalt barrier layer 申请日起

79. 发明 美国 US14/753311 2015-6-29 原始取得

and metal interconnection process 二十年

Floating gate flash memory device and 申请日起

80. 发明 美国 US14/753220 2015-6-29 原始取得

compilation method thereof 二十年

Methods and systems for reducing申请日起

81. dislocation defects in high concentration 发明 美国 US14/879057 2015-10-8 原始取得

二十年

epitaxy processes

Method of fabricating semiconductor申请日起

82. device and semiconductor device 发明 美国 US15/235235 2016-8-12 原始取得

二十年

fabricated thereby

Method for establishing mapping relation申请日起

83. in STI etch and controlling critical 发明 美国 US15/083292 2016-3-29 原始取得

二十年

dimension of STI申请日起

84. Method of planarizing polysilicon gate 发明 美国 US15/235172 2016-8-12 原始取得

二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 266Method of preparing a plan-view

申请日起

85. transmission electron microscope sample 发明 美国 US15/241284 2016-8-19 原始取得

二十年

used in an integrated circuit analysis

Structure for interconnect parasitic 申请日起

86. 发明 美国 US15/241108 2016-8-19 原始取得

extraction 二十年

System，method and test layout for 申请日起

87. 发明 美国 US15/260361 2016-9-9 原始取得

detecting leakage current 二十年申请日起

88. Simulation method of CMP process 发明 美国 US15/283286 2016-9-30 原始取得

二十年

Method for forming shallow trenches of the 申请日起

89. 发明 美国 US15/283271 2016-9-30 原始取得

dual active regions 二十年

Photoresist bottle capable of improving 申请日起

90. 发明 美国 US15/333105 2016-10-24 原始取得

poor coating coverage 二十年

High pressure low thermal budge high-k 申请日起

91. 发明 美国 US16/057829 2018-8-8 原始取得

post annealing process 二十年申请日起

92. SiGe source/drain structure 发明 美国 US16/112640 2018-8-24 原始取得

二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 267申请日起

93. Method of sub resolution assist feature 发明 美国 US15/822230 2017-11-27 原始取得

二十年申请日起

94. Hotspot correction method 发明 美国 US15/826705 2017-11-30 原始取得

二十年

SiGe source/drain structure and 申请日起

95. 发明 美国 US15/390528 2016-12-25 原始取得

preparation method thereof 二十年

Method for forming high aspect ratio 申请日起

96. 发明 美国 US15/385884 2016-12-21 原始取得

patterning structure 二十年

Method for quickly establishing申请日起

97. lithography process condition by a 发明 美国 US15/800043 2017-10-31 原始取得

二十年

pre-compensation value申请日起

98. Method of etching a shallow trench 发明 美国 US15/389414 2016-12-22 原始取得

二十年

Structure and generation method of clock 申请日起

99. 发明 美国 US15/659577 2017-7-25 原始取得

distribution network 二十年

Method and system for MOM capacitance 申请日起

100. 发明 美国 US15/826726 2017-11-30 原始取得

value control 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 268Optimization method and system for 申请日起

101. 发明 美国 US15/800071 2017-11-1 原始取得

overlay error compensation 二十年申请日起

102. OPC method for a pattern corner 发明 美国 US15/800088 2017-11-1 原始取得

二十年

OPC method for a shallow ion implanting 申请日起

103. 发明 美国 US15/800081 2017-11-1 原始取得

layer 二十年申请日起

104. Manufacturing method of a flash wafer 发明 美国 US15/822226 2017-11-27 原始取得

二十年

High pressure low thermal budge high-k 申请日起

105. 发明 美国 US15/429194 2017-2-10 原始取得

post annealing process 二十年

Device and method for inrush current 申请日起

106. 发明 美国 US15/638383 2017-6-30 原始取得

control 二十年

Transistor with SONOS structure having

barrier wall over adjacent portions of the 申请日起

107. 发明 美国 US15/944802 2018-4-4 原始取得

select transistor well and memory 二十年

transistor well

108. Bipolar transistor with trench structure 发明 美国 US15/944801 2018-4-4 申请日起 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 269二十年

Pixel structure and manufacturing method 申请日起

109. 发明 美国 US16/203628 2018-11-29 原始取得

therefor 二十年申请日起

110. Pattern density analysis method 发明 美国 US16/203624 2018-11-29 原始取得

二十年

Silicon-controlled rectifier structure 申请日起

111. 发明 美国 US16/192818 2018-11-16 原始取得

and manufacturing method thereof 二十年

Manufacturing method of a high 申请日起

112. 发明 美国 US13/339593 2011-12-29 原始取得

performance metal-oxide-metal 二十年

Method for reducing a minimum line width申请日起

113. in a spacer-defined double patterning 发明 美国 US13/339559 2011-12-29 原始取得

二十年

process

Treatment method for reducing particles 申请日起

114. 发明 美国 US13/339400 2011-12-29 原始取得

in dual damascene silicon nitride process 二十年

Method of making optical proximity申请日起

115. correction to original gate photomask 发明 美国 US13/339411 2011-12-29 原始取得

二十年

pattern based on different substrate

25SH3110017/BC/az/cm/D6 270areas

Method for improving capacitance 申请日起

116. 发明 美国 US13/339406 2011-12-29 原始取得

uniformity in a MIM device 二十年

Method for decreasing polysilicon gate申请日起

117. resistance in a carbon co-implantation 发明 美国 US13/339417 2011-12-29 原始取得

二十年

process

Global shutter CMOS image sensor and 申请日起

118. 发明 美国 US18/063808 2022-12-9 原始取得

method for making the same 二十年

Method for locating open circuit failure 申请日起

119. 发明 美国 US17/896336 2022-8-26 原始取得

point of test structure 二十年

Semiconductor structure and the 申请日起

120. 发明 美国 US17/723305 2022-4-18 原始取得

manufacturing method thereof 二十年

Semiconductor structure of split gate 申请日起

121. 发明 美国 US17/409146 2021-8-23 原始取得

flash memory cell 二十年

122. Method for manufacturing shallow trench 发明 美国 US17/493229 2021-10-4 申请日起 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 271isolations 二十年

Method for detecting flare degree of lens 申请日起

123. 发明 美国 US17/492786 2021-10-4 原始取得

of exposure machine 二十年

Semiconductor device and method for 申请日起

124. 发明 美国 US17/389182 2021-7-29 原始取得

manufacturing the same 二十年

Semiconductor device and manufacturing 申请日起

125. 发明 美国 US17/388842 2021-7-29 原始取得

method thereof 二十年

Voltage controlled oscillator structure 申请日起

126. 发明 美国 US17/327294 2021-5-21 原始取得

and phase-locked loop 二十年

Silicon controlled rectifier and method 申请日起

127. 发明 美国 US17/240862 2021-4-26 原始取得

for making the same 二十年

No-snapback silicon controlled rectifier 申请日起

128. 发明 美国 US17/217644 2021-3-30 原始取得

and method for making the same 二十年

Silicon controlled rectifier and method 申请日起

129. 发明 美国 US17/217517 2021-3-30 原始取得

for making the same 二十年

Manufacturing method for a semiconductor 申请日起

130. 发明 美国 US17/244620 2021-4-29 原始取得

device 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 272Silicon controlled rectifier and method 申请日起

131. 发明 美国 US17/234633 2021-4-19 原始取得

for making the same 二十年

Method for forming doped epitaxial layer 申请日起

132. 发明 美国 US17/142431 2021-1-6 原始取得

of contact image sensor 二十年

Global shutter CMOS image sensor and 申请日起

133. 发明 美国 US16/951606 2020-11-18 原始取得

method for making the same 二十年

Semiconductor structure and the 申请日起

134. 发明 美国 US16/855803 2020-4-22 原始取得

manufacturing method thereof 二十年

Preventive maintenance method for chamber 申请日起

135. 发明 美国 US17/958548 2022-10-3 原始取得

of metal etching machine 二十年

Method for manufacturing deep trench 申请日起

136. 发明 美国 US17/385430 2021-7-26 原始取得

isolation grid structure 二十年

SONOS memory and method for making the 申请日起

137. 发明 美国 US17/352451 2021-6-21 原始取得

same 二十年申请日起

138. Layout structure of eFuse unit 发明 美国 US16/952288 2020-11-19 原始取得

二十年

139. Power-on-reset circuit 发明 美国 US18/231851 2025-1-28 申请日起 原始取得

25SH3110017/BC/az/cm/D6 273二十年

Method for Preparing Pixel Cell of CMOS 申请日起

140. 发明 美国 US17/890376 2022-8-18 原始取得

Image Sensor 二十年

Method for Measuring Stitching Overlay申请日起

141. Accuracy of Image Sensor Stitching 发明 美国 US17/893425 2022-8-23 原始取得

二十年

Manufacturing

Image Stitching Method for Stitching 申请日起

142. 发明 美国 US17/895279 2022-8-25 原始取得

Product 二十年

Method for Automatically Detecting Wafer 申请日起

143. 发明 美国 US17/941222 2022-9-9 原始取得

Backside Brightfield Image Anomaly 二十年

Method for purge clean of low pressure 申请日起

144. 发明 美国 US18/305983 2023-4-24 原始取得

furnace 二十年

Super Flash and Method for Manufacturing 申请日起

145. 发明 美国 US18/139530 2023-4-26 原始取得

Same 二十年

System for Truning Off Power Consumption 申请日起

146. 发明 美国 US18/368775 2023-9-15 原始取得

of Auxiliary Startup Circuit 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 274申请日起

147. One Time Programmable Memory Cell 发明 美国 US18/368691 2023-9-15 原始取得

二十年

Method for Manufacturing Photomask and 申请日起

148. 发明 美国 US17/893387 2022-8-23 原始取得

Photomask 二十年

25SH3110017/BC/az/cm/D6 275表 3：标的公司拥有的主要集成电路布图设计专有权

序号布图设计名称登记号专有权人申请日登记日

1. HL55LPPOR06S1V1P0 BS.165515805 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 11 日

2. HL55LPPOR12D1V1P0 BS.165515813 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 12 日

3. HL55LPAD12S025D1V1 BS.165515791 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 12 日

4. AD12S025D1V1_DAC BS.165515783 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 11 日

5. HL55LPBGR12D1V1P0 TOP_B BS.165515775 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 12 日

6. HL55LPVR100D1V1P0 BS.165515767 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 11 日

7. HL55LPBGR12D1V1P0 TOP_A BS.165515759 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 12 日

8. HL55LPPLL1500S1V1P0_A BS.165515732 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 12 日

9. HL55LPPLL1500D1V1P0 BS.165515740 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 11 日

10. HL55LPLDO100D1V1P0 BS.165515724 华力微 2016 年 8 月 29 日 2016 年 10 月 11 日

25SH3110017/BC/az/cm/D6 276附件二：标的公司报告期内关联交易情况

一.购买商品、接受劳务的关联交易

单位：元关联方关联交易内容2025年度2024年度

华力集采购货物289556083.80278582785.84

公司 B 采购货物 5486901.00 128310.00

上海华虹虹日电子有限公司采购货物14318999.2938475798.67

上海华虹挚芯电子科技有限公司采购货物1008159.931621553.57

挚芯电子（上海）有限公司采购货物541987.0013562.00

华海清科股份有限公司采购货物10620.46120786.15

华力集接受服务66214382.5131562775.64

公司 B 接受服务 33311.01 71904.03

二.销售商品、提供劳务的关联交易

单位：元关联方关联交易内容2025年度2024年度

25SH3110017/BC/az/cm/D6 277华力集 销售货物 206495606.97 271167801.10

公司 B 销售货物 2098652.82 -

挚芯电子（上海）有限公司销售货物-628432.00

上海复旦微电子集团股份有限公司销售货物70211820.0054346165.00

华力集提供服务16698951.0122721820.09

公司 B 提供服务 5267828.48 5678354.79

挚芯电子（上海）有限公司提供服务-71798.00

上海复旦微电子集团股份有限公司提供服务5719318.408008543.00

公司 B 技术开发 - 471000000.00

三.关联租赁情况

1.本公司作为出租方

单位：元承租方名称租赁资产种类2025年度确认的租赁收入2024年度确认的租赁收入

华力集房屋及建筑物561369.03571066.86

公司 B 设备 1384633.42 -

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2782. 本公司作为承租方

单位：元

2025年度

出租方名称租赁资产种类支付的租金承担的租赁负债利息支出使用权资产重估调整

上海华虹宏力房屋及建筑物99595621.2819470211.16786033.11

单位：元

2024年度

出租方名称租赁资产种类支付的租金承担的租赁负债利息支出使用权资产重估调整

上海华虹宏力房屋及建筑物97846263.6023249978.041136643.66

四.关联方委托贷款

单位：元委托人2024年12月31日本期增加本期减少2025年12月31日

华虹集团-137550000.00-137550000.00

五.关联方资产转让、债务重组情况

25SH3110017/BC/az/cm/D6 279单位：元

关联方关联交易内容2025年度2024年度

公司 B 融资租出设备 59292984.00 -

六.关键管理人员薪酬

单位：元项目2025年度2024年度

关键管理人员薪酬16212816.7836527033.43

七.其他关联交易

单位：元交易类型关联方名称2025年度2024年度

由关联方代收代付水电物业费等上海华虹宏力203724693.70203582910.27

八.关联方应收应付款项

25SH3110017/BC/az/cm/D6 2801. 应收账款

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

华力集75067747.9133886020.36

公司 B 374771.65 1191472.39

上海复旦微电子集团股份有限公司440146.302997737.45

2.其他应收款

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

华力集12240.054174.00

3.长期应收款（含一年内到期的非流动资产）

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

25SH3110017/BC/az/cm/D6 281公司 B 69457501.42 -

4.其他非流动资产

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

上海华虹宏力3498229.313876226.67

华力集-51585101.89

5.应付账款

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

华力集86965487.0085795520.74

公司 B - 128310.00

上海华虹宏力46759356.1162806966.77

上海华虹虹日电子有限公司319712.8015474109.26

上海华虹挚芯电子科技有限公司212470.00476905.12

25SH3110017/BC/az/cm/D6 282挚芯电子（上海）有限公司 334915.00 13562.00

华海清科股份有限公司105.002049.04

6.其他应付款

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

华力集2151177.487022838.92

公司 B 1137.48 33234.90

上海华虹宏力5738944.954173815.32

7.租赁负债（含一年内到期的非流动负债）

单位：元关联方名称2025年12月31日2024年12月31日

上海华虹宏力391445003.95470784380.79

25SH3110017/BC/az/cm/D6 283