国信证券股份有限公司

关于深圳市路维光电股份有限公司

2026年半年度持续督导跟踪报告

国信证券股份有限公司（以下简称“国信证券”或“保荐机构”）作为深圳

市路维光电股份有限公司（以下简称“路维光电”、“公司”或“上市公司”）向不特定对象发行可转换公司债券和向特定对象发行股票的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2025年修正）》（以下简称“《保荐办法》”）《上海证券交易所科创板股票上市规则（2026年 4月修订）》（以下简称“《上市规则》”）《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 11号——持续督导（2025年 3月修订）》（以下简称“《自律监管指引第 11号》”）等相关规定，负责路维光电在可转换公司债券及向特定对象发行的股票上市后的持续督导工作，并出具 2026年半年度持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况

序号 工作内容 实施情况保荐机构已建立健全并有

1 建立健全并有效执行持续督导工作制度，并针对具 效执行了持续督导制度，并

体的持续督导工作制定相应的工作计划。

制定了相应的工作计划。

保荐机构已与上市公司签

署了保荐协议，协议明确了根据中国证监会相关规定，在持续督导工作开始前， 双方在持续督导期间的权

2 与上市公司签署持续督导协议，明确双方在持续督 利和义务，并已报上海证券

导期间的权利义务，并报上海证券交易所备案。 交易所备案。本持续督导期间，未发生协议内容做出修改或终止协议的情况。

持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法违规本持续督导期间，上市公司

3 事项公开发表声明的，应于披露前向上海证券交易 未发生需公开发表声明的所报告，并经上海证券交易所审核后在指定媒体上违法违规事项。

公告。

持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违法违本持续督导期间，上市公司规、违背承诺等事项的，应自发现或应当自发现之日

4 及相关当事人未出现需报起五个工作日内向上海证券交易所报告，报告内容

告的违法违规、违背承诺等

包括上市公司或相关当事人出现违法违规、违背承事项。

诺等事项的具体情况，保荐人采取的督导措施等。

序号 工作内容 实施情况

本持续督导期间，保荐机构通过日常沟通、定期或不定

期回访、现场检查、尽职调

5 通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调查等方 查等方式，对上市公司开展

式开展持续督导工作。 持续督导工作。其中，保荐机构于 2026 年 6 月 12 日

对上市公司进行了 2026年上半年募集资金现场核查。

保荐机构持续督促、指导上

市公司及其董事、高级管理

督导上市公司及其董事、高级管理人员遵守法律、法 人员，本持续督导期间，上

6 规、部门规章和上海证券交易所发布的业务规则及 市公司及其董事、高级管理

其他规范性文件，并切实履行其所做出的各项承诺。 人员能够遵守相关法律法规的要求，并切实履行其所做出的各项承诺。

督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制度， 保荐机构督促路维光电依

7 包括但不限于股东会、董事会议事规则以及董事、高 照相关规定严格执行公司

级管理人员的行为规范等。 治理制度。

保荐机构对路维光电的内

督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，包括控制度的设计、实施和有效

但不限于财务管理制度、会计核算制度和内部审计

8 性进行了核查，路维光电的制度，以及募集资金使用、关联交易、对外担保、对

内控制度符合相关法规要

外投资、衍生品交易、对子公司的控制等重大经营决

求并得到了有效执行，能够策的程序与规则等。

保证上市公司的规范运行。

督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制度， 保荐机构督促路维光电严

9 审阅信息披露文件及其他相关文件，并有充分理由 格执行信息披露制度，审阅

确信上市公司向上海证券交易所提交的文件不存在 信息披露文件及其他相关

虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。 文件。

对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、上海

证券交易所提交的其他文件进行事前审阅，对存在问题的信息披露文件及时督促公司予以更正或补 保荐机构对路维光电的信充，公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易 息披露文件进行了审阅，不

10 所报告；对上市公司的信息披露文件未进行事前审 存在因文件存在问题、上市阅的，应在上市公司履行信息披露义务后五个交易 公司不予更正或补充而应日内，完成对有关文件的审阅工作，对存在问题的信 及时向上海证券交易所报息披露文件应及时督促上市公司更正或补充，上市 告的情况。

公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告。

本持续督导期间，上市公司或其控股股东、实际控制

关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董事、高

人、董事、高级管理人员未

11 级管理人员受到中国证监会行政处罚、上海证券交 受到中国证监会行政处罚、易所监管措施或纪律处分的情况，并督促其完善内上海证券交易所纪律处分

部控制制度，采取措施予以纠正。

或者被上海证券交易所出具监管关注函的情况。

序号 工作内容 实施情况

关注上市公司及控股股东、实际控制人等履行承诺的情况，上市公司及控股股东、实际控制人等未履行承诺事项的，保荐人应及时向上海证券交易所报告。 本持续督导期间，上市公司上市公司或其控股股东、实际控制人作出承诺的，保 及控股股东、实际控制人等荐机构、保荐代表人应当督促其对承诺事项的具体 不存在未履行承诺的情况。

内容、履约方式及时间、履约能力分析、履约风险及 上市公司或其控股股东、实

12 对策、不能履约时的救济措施等方面进行充分信息 际控制人已对承诺事项的披露。保荐机构、保荐代表人应当针对前款规定的承 具体内容、履约方式及时诺披露事项，持续跟进相关主体履行承诺的进展情 间、履约能力分析、履约风况，督促相关主体及时、充分履行承诺。上市公司或 险及对策、不能履约时的救其控股股东、实际控制人披露、履行或者变更承诺事 济措施等方面进行充分信项，不符合法律法规、上市规则以及上海证券交易所 息披露。

其他规定的，保荐机构和保荐代表人应当及时提出督导意见，并督促相关主体进行补正。

关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露 本持续督导期间，路维光电

13 未披露的重大事项或与披露的信息与事实不符的， 未出现应披露未披露的重

应及时督促上市公司如实披露或予以澄清；上市公 大事项或披露的信息与事

司不予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报 实不符的情形。

告。

在持续督导期间发现以下情形之一的，保荐人应督促上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：

（一）上市公司涉嫌违反《上市规则》等上海证券交易所相关业务规则；

本持续督导期间，路维光电

（二）中介机构及其签名人员出具的专业意见可能

14 及相关主体未出现需要做存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违法违规 出说明、改正并向交易所报

情形或其他不当情形； 告的情形。

（三）上市公司出现《保荐办法》第七十条规定的情形；

（四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作；

（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其他情形。

在持续督导期间出现以下情形的，保荐人及其保荐代表人应当督促上市公司核实并披露，同时应当自知道或者应当知道之日起 15日内按规定进行专项现

场核查：（一）存在重大财务造假嫌疑；（二）控股

本持续督导期间，路维光电

15 股东、实际控制人及其关联人涉嫌资金占用；（三） 不存在需要进行专项现场

可能存在重大违规担保；（四）控股股东、实际控制核查的情形。

人及其关联人、董事或者高级管理人员涉嫌侵占上

市公司利益；（五）资金往来或者现金流存在重大异

常；（六）上海证券交易所或保荐机构认为应当进行现场核查的其他事项。

二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况

在本持续督导期间，保荐机构和保荐代表人未发现公司存在重大问题。

三、重大风险事项

（一）核心竞争力风险

1、部分产品技术指标较国际厂商存在差距

国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备 G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，公司已实现 130nm制程节点半导体掩膜版量产，满足适配先进芯片封装、MEMS传感器、射频芯片等应用需求。在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在 130nm 制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在 IC封装和 IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。

2、关键技术人才流失风险

公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。

截至 2026年 6月 30日，公司共有研发技术人员 79人，占总人数的 19.17%。

随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心人才出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。

3、技术替代风险

公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。

为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。

同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。

随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。

（二）经营风险

1、重资产经营风险

掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。2026 年上半年，随着经营规模扩大和产品结构升级，截至 2026年 6月 30日，机器设备原值达到 135286.91万元，目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。

如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。

2、主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险

公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内仅有部分供应商可提供少量配合，原材料存在一定的进口依赖。2026年上半年，公司向前五大供应商采购原材料的金额为 25174.22万元，占原材料采购比例为 86.02%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，且供应商集中度较高。

未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。

3、主要客户相对集中的风险

2026年上半年，公司向前五大客户合计销售金额为 49951.61万元，占当期

营业收入的比例为 74.77%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。

（三）财务风险

1、应收账款回收风险

随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。截至 2026年 6月

30日，应收账款账面价值为 31387.78万元，占期末流动资产的比例为 24.70%。

公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。2026年 1-6月，公司对应收账款按信用政策计提了坏账准备。

如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。

2、存货跌价风险

截至 2026年 6月 30 日，公司存货净额为 21278.39万元，占期末流动资产的比例为 16.75%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基板价值较高，周转速度较快。截至 2026年 6月 30日，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为 1.52%。

若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致出现亏损

合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。

（四）行业风险

1、市场竞争风险

目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。

2、未能及时跟随下游需求变化的风险

公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。

（五）宏观环境风险

1、汇率波动的风险

公司设备及原材料采购主要采用美元及日元进行结算。随着产销规模的扩大，公司将新增设备购置，原材料进口金额亦持续增加，外汇结算量增多。随着人民币汇率日趋市场化，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经营业绩。

2、企业税收优惠风险

公司于 2025年 3月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202444201888，有效期为三年，税收优惠期为 2024 年至 2026年；成都路维于 2025年 12月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202551001107，税收优惠期为 2025年至 2027年减按 15%的税率征收企业所得税；成都路维、路维科技适用三部委（2020）23号《财政部税务总局国家发展改革委关于延续西部大开发企业所得税政策的公告》，自 2021年 1月 1日至 2030年 12月 31日，减按 15%的税率征收企业所得税。

如果公司及子公司不能持续获得高新技术企业认定或者在高新技术企业资

质有效期届满后，高新技术企业评定标准出现重大变化，或者高新技术企业的税收优惠政策未来出现重大调整，则公司及子公司有可能不再享受所得税优惠，对公司的盈利能力构成不利影响。

四、重大违规事项

2026年上半年，路维光电不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

2026年上半年，路维光电主要财务数据及指标如下所示：

2026 1-6 2025 1-6 本期比上年同期主要会计数据 年 月 年 月增减（％）

营业收入（元） 668072048.95 544027627.85 22.80

归属于上市公司股东的净利润 144550912.95 106429768.86 35.82

（元）

归属于上市公司股东的扣除非经 136224120.96 95039378.93 43.33

常性损益的净利润（元）

经营活动产生的现金流量净额 248892369.46 266605420.31 -6.64

（元）

2026 本期末比上年度年 6月末 2025年 12月末

末增减（％）

归属于上市公司股东的净资产 1730479872.80 1661683461.64 4.14

（元）

总资产（元） 3333670716.71 3126612254.42 6.62

2026 1-6 2025 1-6 本期比上年同期主要财务指标 年 月 年 月增减（％）

基本每股收益（元/股） 0.75 0.55 36.36

稀释每股收益（元/股） 0.75 0.55 36.36扣除非经常性损益后的基本每股

/ 0.71 0.49 44.90收益（元 股）加权平均净资产收益率

% 8.39 7.41增加0.98个百分点（ ）

扣除非经常性损益后的加权平均 7.91 6.62增加1.29个百分点

净资产收益率（%）

研发投入占营业收入的比例 3.82 3.31增加0.51个百分点

（%）

2026年上半年，公司归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东

的扣除非经常性损益的净利润同比增长幅度较大，主要系营业收入增长，叠加规模效应释放与产品结构持续优化，同时公司持续强化运营管理，盈利能力得以加强。

六、核心竞争力的变化情况

1、领先且持续迭代的技术能力

自成立以来，公司始终将掩膜版研发作为核心主轴，在平板显示与半导体两大战略方向上持续构筑技术纵深。

在平板显示领域，公司以 2019年 G11掩膜版的国内首发量产为标志，成为

全球第四家、国内独家掌握该世代制造技术的企业，也是本土唯一能完整配套

G2.5至 G11全世代面板产线的掩膜版供应商。依托 G11产线的技术势能，公司先后将高世代半色调、灰阶掩膜版及相移掩膜版等高端品类推向市场，逐一打破海外厂商的长期供给垄断，产品技术指标对齐国际前沿水平。在 LTPO、Micro-LED、硅基 OLED等新型显示赛道，公司各产品线均已进入量产阶段，技术能力位居前列。与此同时，公司向上游延伸突破，已掌握光阻涂布、涂布洗边与Mura控制等多项核心工艺，补上了本土产业链在关键材料环节的短板。围绕 AMOLED这一高速增长市场，公司已构建起覆盖 G8.6 及以下 AMOLED 掩膜版制造、高PPI光刻补偿与缺陷检测、半色调掩膜版制造、相移掩膜版制造、大尺寸涂胶缺

陷与Mura控制及 FMM用掩膜版制造等全流程核心技术集群。

在半导体领域，公司明确将第三代半导体和先进封装作为主要发力点，面向功率器件、射频芯片、MEMS传感器、光模块等增量市场不断拓展产品边界。工艺层面，公司在稳固激光直写、湿法制程、光学检测等成熟能力的基础上，向电子束直写、干法制程、等离子束修补及半导体用相移掩膜版制造等更高阶工艺发起冲击，并布局光波导、衍射光学、光刻仿真模拟、反演光刻等前沿技术。伴随技术能力的梯次升级，公司正持续提升 150nm/130nm及以下节点的产出比重，同步扩大在 AI产业、智能装备、信息通信、新能源汽车、近眼显示等新兴终端

的客户版图，为半导体掩膜版的长期增长打开更广阔的空间。路芯半导体掩膜版项目进展顺利，2025年已逐步实现产品量产，一期实现 90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm 和 28nm 单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进 40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期布局至 14nm半导体掩膜版，计划于 2026年陆续投建，致力于打破境外企业在高端制程领域的垄断。

2、深度协同产业演进的前瞻性综合能力

公司深耕行业近三十年，亲历并推动了国内掩膜版产业从追赶到并跑的历程。

公司不仅积累了覆盖图档设计处理、光刻、检测与检验、修补的全流程制造 know-how，更形成了对下游面板行业世代更迭与半导体技术路线变迁的深刻洞察。这使得公司能够前瞻性地进行研发投入与产能规划，精准匹配下游客户的技术升级节奏。在与行业领先面板厂、晶圆厂、封测厂及芯片设计公司的长期紧密合作中，公司锻炼出快速响应多样化、定制化需求的能力，成为客户在推动产品创新与产能爬坡过程中值得信赖的合作伙伴。

3、体系化与前瞻性并重的强大研发实力

作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司已构建起覆盖产品制造与核心工艺两大维度的完整技术体系。产品制造层面，涵盖 G11及以下 TFT掩膜版、多灰阶掩膜版、高世代高精度半色调掩膜版、AMOLED掩膜版、平板显示相移掩

膜版、130nm制程节点半导体掩膜版、先进封装掩膜版等全品类；核心工艺层面，贯通了光阻涂布、Mura 检查与控制、高精度图形清洗缺陷控制、半导体精细化

光刻控制、条纹控制、OPC补偿等关键制程能力，广泛服务于平板显示与半导体领域。公司坚持研发驱动，已形成系统化、规范化、科学化的研发管理体系，汇聚了一支经验丰厚、技术精湛的专业研发团队，核心成员普遍具备多年的项目实践积淀与深厚的专业素养，为技术持续迭代提供了坚实的人才底座。近年来，公司多次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目，“高精度G8.5灰阶掩膜版研发项目”纳入四川省科技计划重点研发专项。同时，公司产品也屡获行业殊荣，公司的“G11光掩膜版项目”于 2020 年 8月被中国电子材料行业协会和中国光学光电子行业协会液晶分会联合授予“2019 年中国新型显示行业产业链突出贡献奖”；同时，G11和 G8.5掩膜版分别获得 2022年度四川省重大技术装备国内首批次产品认定；G8.6TFT 用光掩膜版、CF用光掩膜版分别获得

2024年度四川省新材料国内首批次产品认定；公司的“G6 TFT-LCD用相移掩膜版项目”被中国电子材料行业协会、中国光学光电子行业协会液晶分会和电子化

工新材料产业联盟联合授予“2024 年度新型显示产业链创新突破奖”；半色调（half-tone）掩膜版荣获 DIC WXPO2025“显示材料创新金奖”；LTPS 用光掩

膜版入选四川省新材料“国内首批次”产品名单；显示用高世代光掩膜版为公司

斩获“广东省制造业单项冠军企业”称号，彰显了公司卓越的市场地位与技术影响力。

4、稳固并持续拓展的优质客户生态

掩膜版直接定义了下游产品的良率，这一属性决定了客户对供应商的甄选极为审慎——从技术验证到批量导入，往往需经历漫长而严苛的认证周期，一旦达成合作便形成高度粘性。路维光电历经市场淬炼，已跻身掩膜版行业知名供应商行列，凭借领先的技术实力、稳定的品质交付与高效的服务响应，赢得了下游头部客户的充分信赖，与众多标杆企业缔结了长期稳固的合作纽带。在平板显示领域，公司与京东方、TCL华星、天马微电子等全球主流显示面板企业均建立了深度、稳定的战略供应关系。在半导体领域，公司的客户群从原有的某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成（2.5D/3D）、宁波中芯、华天科技、晶

方科技、通富微电等厂商，持续向下游芯片制造与设计环节延伸，成功导入国内几家知名光刻机研发厂商及众多国内领先的芯片公司。基于深度互信的合作关系，构成了公司业务持续增长的坚实基础，并为公司切入更先进技术赛道提供了宝贵的市场入口和反馈闭环。

综上所述，2026年上半年度，公司核心竞争力未发生不利变化。

七、核心技术与研发进展

（一）核心技术及其先进性以及 2026年上半年的变化情况公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。2026年 1-6月，公司新增 3项核心工艺技术，现共拥有 56 项核心工艺技术，具体情况如下：

技 知识在主要产品

序 划分 术 产权

核心技术 技术内容 中的应用情

号 维度 来 保护况

源 情况

最小图形可达 3μm线/间（CD）精度可控 G11及以下尺 自 已获

产 品 G11 及 以 下

1 TFT a-Si 制在±0.25μm 以内；总长（TP）及位置 寸 a-Si TFT显 主 得专制 造 （ ）掩膜（Position）精度可控制在±0.5μm以内， 示面板用掩 研 利保技术 版制造技术

产品缺陷尺寸可控制在 1.0μm以内。 膜版 发 护G11 包含半色调及灰阶掩膜版，线/间（CD）及以下平精度可控制在±0.10μm以内；总长（TP） 自 已获

产 品 板显示用多灰 G11及以下尺

2 Multi-tone 精度可控制在±0.5μm 以内，两层图形之 主 得专制 造 阶（ ）间套合偏差（Overlay Shift寸平板显示

）可控制在 研 利保

技术 掩膜版制造技 ±0.5μm 用掩膜版以内，半色调层透过率均匀性可 发 护术

控制在 2.0%以内。

最小图形可达 1.2μm，精度及均匀性高，G6 线/间（CD）精度可控制在±0.1μm以内， G6 及 以 下 自 已获产 品 及 以 下

3 AMOLED 均匀 性可控制 在 80nm 以内 ；位置 AMOLED 显 主 得专制 造 掩膜（Position）及总长（TP）精度可控制在 示面板用掩 研 利保

技术 版制造技术 ±0.2μm 以内，产品缺陷尺寸可控制在 膜版 发 护

0.75μm以内。

产 品 150nm 150nm 节 点 自 已获节点半

4 线/间（CD）精度可控制在±50nm 以内； 及第三代半 主 得专制 造 导体掩膜版制总长（TP）精度可控制在±0.2μm以内。 导体用掩膜 研 利保技术 造技术

版 发 护

最小图形可达 1.5μm线/间（CD）精度可

产 品 G6 自 已获及 以 下 控制在±0.1μm 以内，均匀性可控制在 G6 及 以 下

5 制 造 LTPS掩膜版制 100nm以内；位置（Position）及总长（TP） LTPS 主 得专显示面

研 利保

技术 造技术 精度可控制在±0.30μm以内，产品缺陷尺 板用掩膜版发 护

寸可控制在 1.0μm以内。

先进半导体封 自 已获

产 品 线/间（CD）精度可控制在±0.1μm以内， 半导体、指纹

6 装及指纹模组制 造 总长（TP）精度可以控制在±0.2μm 主 得专以内， 模组等封装

封装用掩膜版 研 利保

技术 产品缺陷尺寸可控制在 1.0μm以内。 用掩膜版制造技术 发 护高精度蓝宝石

产 品 (PSS) 线/间（CD）精度可控制在±0.1μm

自 已获总长

7 衬底 用 TP PSS蓝宝石衬 主 得专制 造 （ ）精度可控制在±0.15μm以内，允许

掩膜版制造技 底用掩膜版 研 利保

技术 缺陷尺寸≤1.0μm。

术 发 护

自 已获

产 品 G5.5 及 以 下 线/间（CD）精度可控制在±0.3μm总长 G5.5 及以下

8 制 造 Metal Mesh 掩 （TP）精度可控制在±0.75μm Metal Mesh 主 得专以内，产品 触

研 利保

技术 膜版制造技术 缺陷可控制在 5.0μm以内。 控用掩膜版发 护

AF 自 未单产 品 带 防护膜 触控、线路

9 产品具有防指纹、耐划伤等功能，具有疏制 造 层的掩膜版制 板、LED 主 独申等行水性，水滴角可达 115°及以上。 研 请专技术 造技术 业用掩膜版

发 利

可实现不同粘度、对比度、敏感度及膜厚 应 用 于 G11要求的光阻涂布，1）光阻涂布膜厚均匀 及以下平板 自 已获核 心

10 掩膜版光阻涂 性可控制在 3.0%以内；2）控制涂布过程 显示掩膜版 / 主 得专工 艺

布技术 中的流量、间隙、转速、气压等，消除涂 半导体掩膜 研 利保技术

布后因光阻不均匀造成的色差，达到控制 版的光阻涂 发 护涂布Mura的目的。 布应 用 于 G11

采用高纯度有机溶液，通过调整Nozzle角 及以下平板 自 已获核 心 掩膜版涂布洗

11 EBR 度、喷洒状态等，可对不同粘度、膜厚的 显示掩膜版 / 主 得专工 艺 边（ ）控制

光阻进行洗边（EBR）处理，实现不同范 半导体掩膜 研 利保技术 技术

围内的光阻洗边。 版的光阻涂 发 护布洗边

12 核 心 掩膜版图档防 通过分析掩膜版图形线路电学特性，针对 LCD/TP/TFT 自 已获

工 艺 静电处理技术 性进行图档设计优化处理，从而有效避免 用掩膜版的 主 得专技 知识在主要产品

序 划分 术 产权

核心技术 技术内容 中的应用情

号 维度 来 保护况

源 情况

技术 因设计原因造成的掩膜版静电击伤现象， 生产 研 利保提高了掩膜版品质及使用寿命。 发 护针对面板制造中由于投影光刻过程造成 自 未单

核 心

13 DCM补偿光刻 的图形 Distortion

G11及以下平，通过相关算法对掩膜 主 独申

工 艺 板显示掩膜

技术 版设计图档进行光刻参数补偿，从而实现 研 请专技术 版

掩膜版图形与面板投影曝光的整体匹配。 发 利G11及以下平 自 未单

核 心 针对多膜层结构掩膜版，开发多次对位光

14 多次对位光刻 板显示掩膜 主 独申工 艺 刻技术，实现不同膜层图形套合精度的要

技术 版 /半导体掩 研 请专技术 求。

膜版 发 利

自主开发用于掩膜版显影过程的浸润液， 自 未单核 心 掩膜版显影过

15 运用该浸润液可保证掩膜版在显影过程 G6 及以下尺 主 独申工 艺 程中缺陷控制

中表面无气泡产生，出现气泡的比率从目 寸掩膜版 研 请专技术 技术

前的 10%降低到 0%，提升了产品品质。 发 利G11及以下平 自 未单

核 心 针对掩膜版蚀刻后精度偏差问题，自主开

16 显影后精度补 板显示掩膜 主 独申工 艺 发显影后精度补偿技术，极大提高蚀刻后

偿技术 版 /半导体掩 研 请专

技术 图形线条质量，减小图形的精度误差。

膜版 发 利

自主开发针对掩膜版表面有机异物的清 G11及以下平 自 已获

核 心 洗技术，利用光学手段并结合化学方法，

17 掩膜版高效清 板显示掩膜 主 得专工 艺 针对性去除掩膜版表面的有机杂质和异

洗技术 版 /半导体掩 研 利保技术 物。与传统单一化学清洗方式相比，极大膜版 发 护提高了有机杂质和异物的清洗效率。

采用不同于传统气相化学沉积的方式，可自 未单

核 心 半 色 调 (Half- 针对不同透过率半色调膜层缺陷进行修 G11及以下平

18 工 艺 tone) 主 独申掩膜版沉 补。最小修补图形可达 1μm，可实现 10% 板显示用半

研 请专

技术 积式修补技术 到 60%透过率范围膜层修补，修补膜层透 色调掩膜版

2% 发 利过率均匀性可控制在 以内。

针对掩膜版贴膜过程中造成的异物缺陷， G11及以下平 自 未单核 心

19 掩膜版贴膜后 自主开发贴膜后缺陷处理技术，运用激光 板显示掩膜 主 独申工 艺

缺陷处理技术 处理的方式，可实现掩膜版贴膜后异物性 版 /半导体掩 研 请专技术

缺陷的去除，处理效率高。 膜版 发 利自主开发掩膜版光学膜贴附技术，结合自 G11及以下平 自 已获核 心

20 掩膜版光学膜 主开发的自动、半自动装置，可将贴附精 板显示掩膜 主 得专工 艺

贴附技术 度控制在±0.5mm以内，效率高、品质优 版 /半导体掩 研 利保技术异。 膜版 发 护自主开发化学清洗药液及自动化装置，形 G11及以下平 自 已获核 心 高世代掩膜版

21 成高效自动化清洗工艺，能在短时间内进 板显示掩膜 主 得专工 艺 用包装材料清

行有效清洗，满足平板显示掩膜版产品包 版包装材料 研 利保技术 洗技术

装洁净度、防静电等品质要求。 的清洗 发 护自主开发相移掩膜版工艺技术，可用以实衰减型相移掩 现嵌入式单层式衰减型相移掩膜版的制 自 未单核 心 (ATT 180nm 及 以22 膜 版 造；使用该类掩膜版曝光时，光在图形边 主 独申工 艺 PSM) 工艺技 界处的相位角相差 180°（误差在±2° 下节点半导以 研 请专技术 体用掩膜版术 内），出现光的相消叠加，最终使得客户 发 利端的光刻分辨率有所提高。

可实现不同精度要求的半导体用掩膜版 自 已获

核 心 高精度半导体

23 的光阻涂布、不同光阻涂布膜厚的控制； 半导体用掩 主 得专工 艺 掩膜版光阻涂

涂布均匀性可控制在 1.0%以内，可满足 膜版 研 利保技术 布技术

不同粘度、感光性光阻的涂布要求。 发 护通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等

产 品 980*1550 TFT 980*1550 TFT 980*1550 自 未单工艺，实现 掩膜版的制造。 TFT Array 显

24 主 独申制 造 Array掩膜版制 针对图形尺寸精度、总长精度、图形套合

示面板用掩 研 请专

技术 造技术 精度控制等方面进行开发研究，实现产品膜版

CD精度±0.1μm 发 利，位置精度±0.3μm。

技 知识在主要产品

序 划分 术 产权

核心技术 技术内容 中的应用情

号 维度 来 保护况

源 情况

开发掩膜版显影后缺陷修复技术，避免产核 心 LCD/TP/TFT 自 未单

25 新型掩膜版缺 品蚀刻后出现大尺寸缺陷，降低 CVD修 主 独申工 艺 用掩膜版的

陷修复技术 复风险，提高产品制造良率，缺陷修复面 研 请专技术 生产

积可达 200μm以上。 发 利自 已获

核 心 半导体掩膜版 开发新型半导体掩膜版贴膜工艺及流程，

26 工 艺 贴膜缺陷控制 降低 Particle 半导体用掩 主 得专对贴膜成功造成的影响，提

膜版 研 利保

技术 技术 高产品贴膜良率及品质。

发 护

通过研究混版间距、曝光及制程参数对混 G11及以下平 自 未单

核 心

27 混版图形 Mura 版图形位置精度的影响，结合图形重新设 板显示掩膜 主 独申工 艺

控制技术 计排布，开发混版图形Mura控制技术， 版 /半导体掩 研 请专技术

实现不同混版图形的Mura要求。 膜版 发 利开发新型下置型半色调（Half-tone）掩膜 G11及以下平 自

产 品 下置型半色调 版制造技术，可实现二元图形和半色调图 正在

28 制 造 （Half-tone 板显示掩膜 主）掩 形的一次制作，CD精度可控制在±0.10μm / 申请版 半导体掩 研

技术 膜版制造技术 以内；两层图形之间套合偏差可控制在 专利

±0.3μm 膜版 发以内。

通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等

980*1150 TFT 980*1150 TFT 980*1150 自 未单产 品 工艺，实现 掩膜版的制造。 TFT Array 显

29 Array 主 独申制 造 掩膜版制 针对图形尺寸精度、总长精度、图形套合

示面板用掩 研 请专

技术 造技术 精度控制等方面进行开发研究，实现产品膜版

CD精度±0.1μm，位置精度±0.3μm 发 利。

高 PPI

AMOLED 开发应用于 G6 及以下 AMOLED 显示面 G6 及 以 下 自 未单核 心 显示

30 板用掩膜版产品的 OPC 光刻补偿技术， AMOLED 显 主 独申工 艺 面 板 掩 膜 版

OPC 使其中高PPI类产品的复杂图形以及更锐 示面板用掩 研 请专技术 光刻补偿

利的尖角可以有良好的制作效果。 膜版 发 利技术

高 PPI 通过优化自动扫描设备逻辑与算法，实现 G6 及 以 下 自 未单核 心

31 AMOLED显示 高 PPI AMOLED 显示面板用掩膜版产品 AMOLED 显 主 独申工 艺

面板掩膜版缺 中 CH 图形缺陷检查，检出能力可达 示面板用掩 研 请专技术

陷检查技术 0.5μm。 膜版 发 利通过研究光阻涂布、光刻及化学制程等关

G8.5 键工艺，开发 G8.5灰阶掩膜版制造技术， G8.5 自 未单产 品 高精度 灰

32 实现产品光阻涂布膜厚达到 5000A

及以下，均匀 主 独申

制 造 阶掩膜版制造

性可达到 1.5% 显示面板用以内；产品 CD 精度灰阶 研 请专

技术 技术 掩膜版

区域可达±0.1μm；图形修补精度可达 发 利

±0.15μm。

通过控制及调整优化 overlap区域能量， 自 未单核 心 半导体掩膜版

33 优化像素能级分布，针对不同厚度膜层优 半导体用掩 主 独申工 艺 精细化光刻控

化 Defocus补偿，实现精细化控制光刻过 膜版 研 请专技术 制技术程，将图形 local CD精度控制在 20nm内。 发 利通过研究不同基板材质特性及半导体掩

膜版霉变影响因素，从环境温湿度、保护 自 已获核 心 半导体掩膜版

34 气体填充、包装前的清洗干燥工艺控制、 半导体用掩 主 得专工 艺 防霉变清洗包

包装箱体设计等多方面因素出发，开发针 膜版 研 利保技术 装技术

对性的清洗包装方式及制具，改善半导体 发 护掩膜版霉变现象，延长产品使用寿命。

根据半导体掩膜版产品的图形设计及制 自

核 心 正在

35 半导体掩膜版 作工艺差异，开发半导体掩膜版Mura检 半导体用掩 主工 艺 Mura 申请检查技术 查专用工具及检查工艺，通过此技术可以 膜版 研

技术

检查出普通肉眼下无法分辨出的Mura 专利。 发产 品 硅基 OLED 通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等 自 未单用

36 工艺，实现硅基 OLED 用掩膜版产品开 半导体用掩 主 独申制 造 掩膜版制造技发，线/间（CD）精度可控制在±0.07μm以 膜版 研 请专技术 术内，总长（TP）精度可以控制在±0.15μm 发 利技 知识在主要产品

序 划分 术 产权

核心技术 技术内容 中的应用情

号 维度 来 保护况

源 情况以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.7μm以内同时产品无Mura。

产 品 G6 开发产品制造中的扫描技术、基板镀膜前及 以 下 G6 自 未单及 以 下

37 制 造 FMM 后清洗技术、图形缺陷处理技术；产品图 主 独申用掩膜版

形精度可达±0.5μm

FMM 用掩膜，表面水滴角可＞ 研 请专

技术 制造技术 100° 版，产品表面无Mura。 发 利产 品 Mosi 开发产品制造中 Mosi系膜层蚀刻技术、 G11及以下平 自系 双 层 正在

38 PSM 双层 PSM 图形修复技术；产品透过率精 板显示掩膜 主制 造 掩膜版制

度可达±0.5%，range＜0.8% 申请，相移角精度 版 /半导体掩 研技术 造技术

可达±5° 专利。 膜版 发开发 PSM+OPC 相结合的产品蚀刻技术、 G11及以下平 自 未单

产 品

39 PSO 掩膜版制 清洗技术、图形修复技术；最小图形0.5μm 板显示掩膜 主 独申制 造

造技术 可以有良好的制作效果，产品精度可达 版 /半导体掩 研 请专技术 ±0.1μm 膜版 发 利

半导体掩膜版 自 未单

核 心 Min Contact 开发半导体掩膜版光刻图形处理补偿技

40 半导体用掩 主 独申工 艺 Hole 术，改善极限方孔直角制作效果；1.5μm圆弧角形 膜版 研 请专

技术 方孔图形精度可达±0.1μm。

貌优化技术 发 利

Metal Mesh 开发产品制造中的光阻涂布、二次对位光 G5.5 自 未单产 品 用 及以下

41 PSM 刻、相移层清洗、相移层缺陷处理技术； 主 独申制 造 掩膜版制

产品图形精度可达±0.1μm Metal Mesh触，二次对位精度 研 请专技术 造技术

可达±0.3μm 控用掩膜版。 发 利针对红外传感掩膜版图形设计进行研究， 自 未单核 心 红外传感用掩

42 找到不同 pitch设计对条纹影响的规律， 半导体用掩 主 独申工 艺 膜版条纹控制

对应开发针对性的条纹控制技术，实现高 膜版 研 请专技术 技术 PPI红外传感掩膜版条纹的明显改善。 发 利LTPO 通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等 自 未单产 品 高 精 度

43 工艺，实现应用于 LTPO显示技术的掩膜 G6 及 以 下 主 独申制 造 掩膜版制造技

版产品制造，产品尺寸可达850*1200mm， LTPO掩膜版 研 请专技术 术 CD精度±0.07μm，位置精度±0.3μm 发 利开发半导体掩膜版贴膜后检查专用工具 自 未单

核 心 半导体掩膜版

44 及检查工艺，并针对掩膜版光学膜表面异 半导体用掩 主 独申工 艺 光学膜膜面缺

物开发去除工艺，提升贴膜半导体掩膜版 膜版 研 请专技术 陷去除技术

产品制作良率 发 利

开发针对大尺寸AMOLED掩膜版产品的自

核 心 大尺寸掩膜版 光阻涂布缺陷控制技术，并研究开发涂布 正在

45 平板显示掩 主工 艺 光阻涂布缺陷 头相应的清洁与保护系统，使大尺寸掩膜 申请

技术 控制技术 版的缺陷密度≤0.003ea/cm2 膜版 研，缺陷尺寸小 专利

10μm 发于

自 未单

产 品 3D 开发应用于 3D玻璃盖板的掩膜版产品制46 玻璃盖板掩 半导体用掩 主 独申制 造 造技术，提升复杂及大数据量资料的处理膜版制造技术 膜版 研 请专

技术 效率，并且将产品缺陷控制在 1μm以内发 利

开发用于大尺寸 IC 掩膜版的套刻精度校

自 未单

核 心 大尺寸 IC掩膜 正与量测技术，进而控制和提升大尺寸 IC

47 半导体用掩 主 独申工 艺 版套刻精度控 掩膜版的位置精度和套刻精度。最大覆盖

膜版 研 请专

技术 制技术 产 品 尺 寸 达 228*228mm 套 刻 精 度

≤0.1μm 发 利，量测重复精度小于 15nm开发用于 G6代 FMM图形设计制作的形

FMM FMM 自 未单核 心 大 尺 寸 变预补偿技术，实现 图形拉伸变形

48 平板显示掩 主 独申工 艺 图形形变预补 局部位置的精度提前预补偿，保障 FMM

膜版 研 请专

技术 偿技术 使用过程中的套刻精度准确性，在光掩膜版上实现≤0.5μm 发 利的位置精度偏移

技 知识在主要产品

序 划分 术 产权

核心技术 技术内容 中的应用情

号 维度 来 保护况

源 情况

自 已获

核 心

49 光刻机信号识 根据设备及产品特点，实现 AGV直接对 平板显示掩 主 得专工 艺

别与对接技术 接光刻机，并实现掩膜版自动上下版 膜版 研 利保技术

发 护

通过研究化学药液对石英表面特性的影 自 未单

核 心 高精度产品脱

50 响，掌握各种工艺条件下掩膜版表面形貌 平板显示掩 主 独申工 艺 膜清洗缺陷控

变化和有机物脏污、颗粒物数量对比差 膜版 研 请专

技术 制技术异，提高脱膜清洗过程缺陷的可控性 发 利自 未单

核 心 基于混沌理论 针对套刻产品，开发相应的视觉处理系

51 平板显示掩 主 独申工 艺 的视觉水纹模 统，提高二次对位的准确性和稳定性，使

膜版 研 请专

技术 糊技术 二次曝光对位精度可达±0.2μm

发 利

针对半导体掩膜版产品，开发基于电感耦 自 未单核 心 电感耦合高密

52 合高密度等离子体的刻蚀技术，刻蚀均匀 半导体用掩 主 独申工 艺 度等离子体蚀

性可控制在 1%以内，Taper Angle 大于 膜版 研 请专技术 刻技术 85°，满足 130nm节点及以下产品要求。 发 利开发平板显示像素驱动阵列用相移产品 自 未单

产 品 像素驱动阵列

53 技术，涵盖蚀刻、技术、图形修复等核心 平板显示掩 主 独申制 造 高精度相移掩环节，产品精度可达±0.08μm，修补均匀 膜版 研 请专技术 膜版量产技术

性可达到 1.5%以内 发 利

通过研究化学蚀刻对高精度图形形貌的 G11及以下平 自 未单

核 心 高精度图形蚀 影响，然后围绕高精度图形蚀刻后形貌优

54 板显示掩膜 主 独申工 艺 刻形貌控制技 化展开蚀刻工艺开发，能够将图形蚀刻后

版 /半导体掩 研 请专

技术 术 侧壁形貌控制在合理角度，并且 Side Etch

0.15μm 膜版 发 利量控制在 以内。

barcode 开发掩膜版数据条形码自动生成技术，实 G11及以下平 自 未单核 心 外框 数

55 现快速自动生成对应的条形码内容，降低 板显示掩膜 主 独申工 艺 据自动化生成

人员手工输入错误的风险，提升掩膜版图 版 /半导体掩 研 请专技术 技术

形设计准确率，缩短产品制作周期。 膜版 发 利针对封装行业 ODB++的数据文件，开发 自 未单核 心

56 封装行业图形 对应图形处理软件，优化数据处理流程， 半导体用掩 主 独申工 艺

快速处理技术 将图形比对效率稳定提升 45%以上，从而 膜版 研 请专技术

有效缩短产品制作周期。 发 利

（二）2026年上半年，公司获得的研发成果公司始终将技术创新视为驱动发展的核心引擎。围绕掩膜版制造的关键工艺与下游技术迭代方向，公司构建了“技术突破—精度跃升—产品扩展—前沿储备”四位一体的研发推进体系。在工艺技术端，持续深挖光刻、刻蚀等核心制程的迭代空间；在精度端，向更窄线宽、更优均匀性发起攻关；在产品端，加速高附加值品类的量产导入与全世代覆盖；在储备端，前瞻布局面向下一代显示与半导体技术的掩膜版方案。四维协同发力，使公司在技术演进的道路上持续收获阶段性研发成果。

2026年 1-6月，公司完成了多项技术研发项目。“化学蚀刻对高精度图形形貌的影响研究与蚀刻工艺开发”项目通过对高精度图形蚀刻后形貌的研究，制定出更精确的蚀刻工艺参数，进而达到更精确的 CD（关键尺寸）控制能力，提升MASK精度等级，更好地满足下游客户需求，同时显著提升公司在行业中的竞争力。“外框 barcode数据自动化生成及处理效率提升”项目通过开发外框 barcode图形坐标计算和生成系统，实现批量自动化设计，提高外框 barcode图档文件处理效率，从而有效缩短产品制作周期。“封装行业图形处理效率提升”项目针对封装行业 ODB++的数据文件，测试研究图形处理软件，优化数据处理流程，提高封装行业图形处理时效，从而有效缩短产品制作周期。

针对具体产品研发方面，在平板显示领域公司新开展了基于半色调技术的异质导电层同步图形化掩膜产品开发，形成 G8.5、G11等尺寸产品，配套国内 G8.5及以上 TFT-LCD、AMOLED等高精度显示终端；在半导体领域，公司开展了高精度衍射光学元件产品开发等研发项目，通过高精度衍射光学元件产品的逐步国产化，可有效打破海外技术垄断，进一步丰富公司在半导体领域的产品线，助力光电产业链国产化升级。与此同时，在过往研发成果的基础上，公司成功实现 G6、G8.5等多个尺寸 CF/Array用 PSM量产，进一步丰富公司产品种类。

（三）研发支出变化及研发进展

2026年上半年，公司持续进行研发投入达 2551.58万元，同比增加 41.64%，

占营业收入比例 3.82%。

项目 2026年1-6月 2025年1-6月 变化幅度(%)

费用化研发投入（元） 25515833.05 18014989.63 41.64

资本化研发投入（元） 0.00 0.00 0.00

研发投入合计（元） 25515833.05 18014989.63 41.64研发投入总额占营业收入

(%) 3.82 3.31增加 0.51个百分点比例

研发投入资本化的比重 (%) 0.00 0.00增加 0.00个百分点

2026年上半年，公司新增 3项核心技术，新获发明专利 2件，实用新型专

利 8件，软件著作权 1件。累计有效授权发明专利 19件；实用新型 105件；软件著作权 34件。2026年上半年，公司获得的知识产权具体如下：

本期新增 累计数量项目

申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个）

发明专利 5 2 52 19

实用新型专利 6 8 142 105

软件著作权 1 1 35 34

其他 0 0 2 2

合计 12 11 231 160

八、新增业务进展是否与前期信息披露一致不适用。

九、募集资金的使用情况及是否合规

（一）募集资金基本情况根据中国证监会于2025年5月6日签发的《关于同意深圳市路维光电股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复》（证监许可〔2025〕979号），公司向不特定对象发行6150000张可转换公司债券，期限6年，每张面值人民币

100.00元，募集资金总额为人民币615000000.00元，扣除与募集资金相关的不含

税发行费用总计人民币 7844414.06元后，实际募集资金净额为人民币

607155585.94元，上述资金已于2025年6月17日全部到位。天职国际对资金到位

情况进行了审验，并出具了天职业字[2025]32665号《验资报告》。

（二）募集资金使用及结余情况

截至2026年6月30日，公司向不特定对象发行可转换公司债券募集资金实际使用及结余情况如下：

募集资金基本情况表

单位：人民币万元

发行名称 2025年向不特定对象发行可转换公司债券

募集资金到账时间 2025年 6月 17日

本次报告期 2026年 1月 1日至 2026年 6月 30日

项目 金额

一、募集资金总额 61500.00

其中：超募资金金额 0.00

减：直接支付发行费用 784.44

二、募集资金净额 60715.56

减：

以前年度已使用金额 48803.32

本年度使用金额 11932.52

暂时补流金额 0.00

现金管理金额 0.00

银行手续费支出及汇兑损益 0.00

其他-销户转出 14.10

加：

募集资金利息收入 149.05

其他-具体说明

三、报告期期末募集资金余额 114.66

注 1：销户转出金额 14.10 万元，系募集资金利息收入；

注 2：本表所涉数据的尾数差异系四舍五入所致。

（三）募集资金存储与监管情况

截至2026年6月30日，公司向不特定对象发行可转换公司债券募集资金存放专项账户的存款余额如下：

单位：人民币万元存款

账户名称 开户银行 银行账号 余额 备注方式兴业银行股深圳市路维份有限公司

光电股份有 337070100100699908 活期 0.00 已注销

深圳华侨城 存款限公司支行招商银行股深圳市路维份有限公司

光电股份有 755919401710001 活期 已注销

深圳前海分 存款 0.00限公司行中信银行股成都路维光份有限公司

电科技有限 8110301012800804886 活期 /

深圳华侨城 存款 114.61公司支行

厦门路维光 招商银行股

592910510510008 活期电有限公司 份有限公司

存款 0.05 /厦门分行

合计 114.66 /路维光电 2026年上半年募集资金存放、管理与使用情况符合《上市公司募集资金监管规则》《上市规则》以及《自律监管指引第 11号》等法律法规和规

范性文件的规定，上市公司对募集资金进行了专户存储、管理和使用，并及时履行了相关信息披露义务，不存在变相改变募集资金用途和损害股东利益的情形，不存在违规使用募集资金的情形。

十、控股股东、实际控制人、董事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况

截至 2026年 6月 30日，路维光电实际控制人、董事和高级管理人员持有上市公司股份的情况如下：

直接持股数量（万 间接持股数量（万序号 姓名 任职情况股） 股）

1 杜武兵 董事长、总裁 4602.5900 782.6542

2 肖青 董事、执行总裁、董事会秘书 1545.4100 16.0386

3 刘鹏 董事、财务总监 / 50.7644

4 孙政民 董事 / /

5 梁新清 独立董事 / /

6 李玉周 独立董事 / /

7 杨洲 独立董事 / /

注：以上存在间接持股情况的人员均为通过江苏路维兴投资有限公司间接持有公司股份

上市公司实际控制人、董事及高级管理人员不存在质押、冻结及减持情况。

十一、保荐机构认为应当发表意见的其他事项

截至本持续督导跟踪报告出具之日，不存在保荐机构认为应当发表意见的其他事项。

（以下无正文）（本页无正文，为《国信证券股份有限公司关于深圳市路维光电股份有限公司

2026年半年度持续督导跟踪报告》之签章页）

保荐代表人： _______________ _______________

王 琳 张伟权国信证券股份有限公司

年 月 日