国信证券股份有限公司

关于深圳市路维光电股份有限公司

2025年度持续督导跟踪报告

国信证券股份有限公司（以下简称“国信证券”或“保荐机构”）作为深圳

市路维光电股份有限公司（以下简称“路维光电”、“公司”或“上市公司”）向不特定对象发行可转换公司债券项目的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2025年修正）》（以下简称“《保荐办法》”）《上海证券交易所科创板股票上市规则（2025年4月修订）》（以下简称“《上市规则》”）《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导（2025年3月修订）》（以下简称“《自律监管指引第11号》”）等相关规定，负责路维光电可转换公司债券上市后的持续督导工作，并出具2025年度持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况序号工作内容实施情况建立健全并有效执行持续督导工作制

1保荐机构已建立健全并有效执行了持续度，并针对具体的持续督导工作制定相

督导制度，并制定了相应的工作计划。

应的工作计划。

保荐机构已与上市公司签署了保荐协

根据中国证监会相关规定，在持续督导议，协议明确了双方在持续督导期间的

2工作开始前，与上市公司签署持续督导权利和义务，并已报上海证券交易所备协议，明确双方在持续督导期间的权利案。本持续督导期间，未发生协议内容做义务，并报上海证券交易所备案。

出修改或终止协议的情况。

持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法违规事项公开发表声明的，应于

3本持续督导期间，上市公司未发生需公披露前向上海证券交易所报告，并经上

开发表声明的违法违规事项。

海证券交易所审核后在指定媒体上公告。

持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违法违规、违背承诺等事项的，应自发现或应当自发现之日起五个工作本持续督导期间，上市公司及相关当事

4日内向上海证券交易所报告，报告内容人未出现需报告的违法违规、违背承诺

包括上市公司或相关当事人出现违法等事项。

违规、违背承诺等事项的具体情况，保荐人采取的督导措施等。

1序号工作内容实施情况

本持续督导期间，保荐机构通过日常沟通、定期或不定期回访、现场检查、尽职

调查等方式，对上市公司开展持续督导

5通过日常沟通、定期回访、现场检查、工作。其中，保荐机构于2025年7月29

尽职调查等方式开展持续督导工作。

日对上市公司进行了2025年上半年募

集资金现场核查，于2025年12月8日-

9日对上市公司进行了年度现场检查。

保荐机构持续督促、指导上市公司及其

督导上市公司及其董事、取消监事会之

董事、取消监事会之前的监事、高级管理

前的监事、高级管理人员遵守法律、法

6人员，本持续督导期间，上市公司及其董规、部门规章和上海证券交易所发布的

事、监事、高级管理人员能够遵守相关法

业务规则及其他规范性文件，并切实履律法规的要求，并切实履行其所做出的行其所做出的各项承诺。

各项承诺。

督导上市公司建立健全并有效执行公保荐机构督促路维光电依照相关规定健

7司治理制度，包括但不限于股东大会、全完善公司治理制度，并严格执行公司

董事会以及董事、取消监事会前的监事治理制度。

和高级管理人员的行为规范等。

督导上市公司建立健全并有效执行内保荐机构对路维光电的内控制度的设控制度，包括但不限于财务管理制度、计、实施和有效性进行了核查，路维光电会计核算制度和内部审计制度，以及募

8的内控制度符合相关法规要求并得到了

集资金使用、关联交易、对外担保、对

有效执行，能够保证上市公司的规范运外投资、衍生品交易、对子公司的控制行。

等重大经营决策的程序与规则等。

督导上市公司建立健全并有效执行信

息披露制度，审阅信息披露文件及其他保荐机构督促路维光电严格执行信息披

9相关文件，并有充分理由确信上市公司露制度，审阅信息披露文件及其他相关

向上海证券交易所提交的文件不存在文件。

虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

对上市公司的信息披露文件及向中国

证监会、上海证券交易所提交的其他文

件进行事前审阅，对存在问题的信息披露文件及时督促公司予以更正或补充，公司不予更正或补充的，应及时向上海保荐机构对路维光电的信息披露文件进

10证券交易所报告；对上市公司的信息披行了审阅，不存在因文件存在问题、上市

露文件未进行事前审阅的，应在上市公公司不予更正或补充而应及时向上海证司履行信息披露义务后五个交易日内，券交易所报告的情况。

完成对有关文件的审阅工作，对存在问题的信息披露文件应及时督促上市公

司更正或补充，上市公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告。

关注上市公司或其控股股东、实际控制本持续督导期间，上市公司或其控股股人、董事、取消监事会前的监事、高级东、实际控制人、董事、取消监事会前的

11管理人员受到中国证监会行政处罚、上监事、高级管理人员未受到中国证监会

海证券交易所监管措施或纪律处分的行政处罚、上海证券交易所纪律处分或情况，并督促其完善内部控制制度，采者被上海证券交易所出具监管关注函的取措施予以纠正。情况。

2序号工作内容实施情况

关注上市公司及控股股东、实际控制人

等履行承诺的情况，上市公司及控股股东、实际控制人等未履行承诺事项的，保荐人应及时向上海证券交易所报告。

上市公司或其控股股东、实际控制人作

出承诺的，保荐机构、保荐代表人应当督促其对承诺事项的具体内容、履约方本持续督导期间，上市公司及控股股东、式及时间、履约能力分析、履约风险及实际控制人等不存在未履行承诺的情

对策、不能履约时的救济措施等方面进况。上市公司或其控股股东、实际控制人

12行充分信息披露。保荐机构、保荐代表已对承诺事项的具体内容、履约方式及

人应当针对前款规定的承诺披露事项，时间、履约能力分析、履约风险及对策、持续跟进相关主体履行承诺的进展情不能履约时的救济措施等方面进行充分况，督促相关主体及时、充分履行承诺。信息披露。

上市公司或其控股股东、实际控制人披

露、履行或者变更承诺事项，不符合法律法规、上市规则以及上海证券交易所

其他规定的，保荐机构和保荐代表人应当及时提出督导意见，并督促相关主体进行补正。

关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露未披露的重大本持续督导期间，路维光电未出现应披

13事项或与披露的信息与事实不符的，应露未披露的重大事项或披露的信息与事

及时督促上市公司如实披露或予以澄实不符的情形。

清；上市公司不予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告。

在持续督导期间发现以下情形之一的，保荐人应督促上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：

（一）上市公司涉嫌违反《上市规则》等上海证券交易所相关业务规则；

（二）中介机构及其签名人员出具的

专业意见可能存在虚假记载、误导性陈本持续督导期间，路维光电及相关主体

14述或重大遗漏等违法违规情形或其他未出现需要做出说明、改正并向交易所

不当情形；报告的情形。

（三）上市公司出现《保荐办法》第七十条规定的情形；

（四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作；

（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其他情形。

3序号工作内容实施情况

在持续督导期间出现以下情形的，保荐人及其保荐代表人应当督促上市公司

核实并披露，同时应当自知道或者应当知道之日起15日内按规定进行专项现

场核查：（一）存在重大财务造假嫌疑；

（二）控股股东、实际控制人及其关联

15本持续督导期间，路维光电不存在需要人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大

进行专项现场核查的情形。

违规担保；（四）控股股东、实际控制

人及其关联人、董事、监事或者高级管

理人员涉嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者现金流存在重大异常；

（六）上海证券交易所或保荐机构认为应当进行现场核查的其他事项。

二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况

在本持续督导期间，保荐机构和保荐代表人未发现公司存在重大问题。

三、重大风险事项

（一）核心竞争力风险

1、部分产品技术指标较国际厂商存在差距

国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备 G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，公司已实现 150nm制程节点半导体掩膜版量产，130nm制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产，满足集成电路芯片制造、先进半导体芯片封装和器件等应用需求。在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在 130nm制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在 IC封装和 IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。

2、关键技术人才流失风险

公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。

截至2025年12月31日，公司共有研发技术人员71人，占总人数的18.83%。

随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提

4高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人

才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心人才出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。

3、技术替代风险

公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。

为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。

同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。

随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。

（二）经营风险

1、重资产经营风险

掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。随着经营规模扩大和产品结构升级，截至2025年12月31日，机器设备原值达到132175.66万元，目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。

如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。

2、主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险

公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内仅有部分供应商可提供少量配合，原材料存在一定的进口依赖。2025年度，公司向前五大供应商采购原材料的金额为57141.66万元，占原材料采购比例为88.85%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，且供应商集中度较高。

5未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，

短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。

3、主要客户相对集中的风险

2025年度，公司向前五大客户合计销售金额为89519.39万元，占当期营业

收入的比例为77.49%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。

（三）财务风险

1、应收账款回收风险

随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。截至2025年12月

31日，应收账款账面价值为26565.74万元，占期末流动资产的比例为19.94%。

公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。2025年度，公司主要对应收账款计提了坏账准备。

如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。

2、存货跌价风险

截至2025年12月31日，公司存货净额为24913.87万元，占期末流动资产的比例为18.70%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基板价值较高，周转速度较快。截至2025年12月31日，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为

1.46%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致

出现亏损合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。

（四）行业风险

1、市场竞争风险

目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直

6面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在

产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。根据 Omdia统计数据及公司实际经营数据，公司 2024年度平板显示掩膜版销售规模位居全球第六位、国内第二位，市场份额与国际龙头企业之间尚存在差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。

2、未能及时跟随下游需求变化的风险

公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。

（五）宏观环境风险

1、汇率波动的风险

公司设备及原材料采购主要采用美元及日元进行结算。随着产销规模的扩大，公司将新增设备购置，原材料进口金额亦持续增加，外汇结算量增多。随着人民币汇率日趋市场化，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经营业绩。

2、企业税收优惠风险

公司于2025年3月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202444201888，有效期为三年，税收优惠期为 2024 年至 2026年；成都路维于2025年12月通过高新技术企业复审取得新的《高新技术企业证书》，证书编号为：GR202551001107，税收优惠期为 2025年至 2027年减按 15%的税率征收企业所得税；成都路维、路维科技适用三部委（2020）23号《财政部税务总局国家发展改革委关于延续西部大开发企业所得税政策的公告》，自2021年1月1日至2030年12月31日，减按15%的税率征收企业所得税。

如果公司及子公司不能持续获得高新技术企业认定或者在高新技术企业资

质有效期届满后，高新技术企业评定标准出现重大变化，或者高新技术企业的税

7收优惠政策未来出现重大调整，则公司及子公司有可能不再享受所得税优惠，对

公司的盈利能力构成不利影响。

四、重大违规事项

2025年度，路维光电不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

2025年度，路维光电主要财务数据及指标如下所示：

主要会计数据2025年度2024本期比上年同期增年度减（％）

营业收入（元）1155231677.14875548709.7531.94

归属于上市公司股东的净利251984299.40190862198.7132.02润（元）归属于上市公司股东的扣除

非经常性损益的净利润230313834.99173714759.9032.58

（元）

经营活动产生的现金流量净353775068.13266951875.5332.52额（元）

2025本期末比上年度末年12月末2024年12月末增减（％）

归属于上市公司股东的净资1661683461.641391895736.5919.38产（元）

总资产（元）3126612254.422242816653.6439.41主要财务指标2025本期比上年同期增年度2024年度减（％）

基本每股收益（元/股）1.310.9932.32

稀释每股收益（元/股）1.290.9930.30扣除非经常性损益后的基本

/1.200.9131.87每股收益（元股）

加权平均净资产收益率16.5413.60增加2.94个百分点

（%）

扣除非经常性损益后的加权15.1212.38增加2.74个百分点

平均净资产收益率（%）研发投入占营业收入的比例

%3.174.30

减少1.13个百分点

（）

2025年度，营业收入同比实现增长幅度较大，主要得益于公司产能有序提升，加之下游行业需求旺盛，各产品收入均有所增加。

利润总额、归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非

经常性损益的净利润同比增长幅度较大，主要系营业收入增长，叠加规模效应释放与产品结构持续优化推动毛利增长，同时公司持续强化运营管理，盈利能力得以加强。

经营活动产生的现金流量净额同比增长幅度较大，主要系2025年度销售规

8模增长，销售商品及提供劳务收到的现金增加所致。

基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增

长幅度较大，主要系2025年度归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长。

六、核心竞争力的变化情况

随着我国掩膜版行业的发展，掩膜版技术革新的步伐不断加快。2019年，随着 G11 平板显示掩膜版的自主研发成功，有效填补国内空白。我国掩膜版行业正式跻身国际先进行列，开启了高质量发展的新篇章。

掩膜版产业位于电子信息产业的上游，是连接工业设计和工艺制造的关键，是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本，作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。

公司经过近三十年的发展，构筑了自己的核心技术体系、建立了一支高素质的研发团队，积累了一批优质的客户群体，形成了自己的核心竞争力。

1、领先且持续迭代的技术能力

在平板显示领域，公司是国内唯一实现 G2.5至 G11全世代掩膜版量产配套的本土企业，技术能力覆盖从 a-Si TFT-LCD 到 LTPO、AMOLED、Mini/MicroLED、硅基 OLED等主流及前沿显示技术。公司不仅是国内 G11 掩膜版技术的开创者，更持续向高精度、高难度领域纵深突破。公司实现了高世代半色调、相移掩膜版的国产化替代，并自主掌握了核心的光阻涂布等上游材料工艺。

在半导体领域，公司构建起成熟的技术演进和战略布局路径。目前，公司已实现 150nm 制程节点半导体掩膜版量产，130nm 制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产，广泛应用覆盖功率器件、MEMS、先进封装等领域。路芯半导体掩膜版项目进展顺利，正逐步完成从试样到批量供货的转化，2025年已逐步实现产品量产，一期实现 90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，

40nm 和 28nm 单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进 40nm 成套掩膜

版客户端送样工作；二期布局 28-14nm半导体掩膜版，计划于 2026年陆续投建，致力于打破境外企业在高端制程领域的垄断。

2、深度协同产业演进的前瞻性综合能力

9公司深耕行业近三十年，亲历并推动了国内掩膜版产业从追赶到并跑的历程。

公司不仅积累了覆盖图档设计处理、光刻、检测与检验、修补的全流程制造 know-how，更形成了对下游面板行业世代更迭与半导体技术路线变迁的深刻洞察。这使得公司能够前瞻性地进行研发投入与产能规划，精准匹配下游客户的技术升级节奏。在与行业领先面板厂、晶圆厂及芯片设计公司的长期紧密合作中，公司锻炼出快速响应多样化、定制化需求的能力，成为客户在推动产品创新与产能爬坡过程中值得信赖的合作伙伴。

3、体系化与前瞻性并重的强大研发实力

作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司已构建起一套从基础工艺到前沿技术的系统化研发体系。研发团队核心成员具备深厚的专业背景与丰富的产业经验，围绕“高精度、大尺寸、精细化”的技术主线持续攻关。公司的研发不仅聚焦于产品本身，更向上游核心材料工艺（如光阻涂布技术）和下游新兴应用（如硅基 OLED、硅光芯片用掩膜版）延伸，形成全链条技术布局。通过承担多项国家级、省市级重大科研项目，公司与产业界、学术界保持开放协作，确保研发方向始终紧扣国家战略需求与行业技术前沿。

4、稳固并持续拓展的优质客户生态

掩膜版作为影响下游新型显示、半导体等产业的关键材料，客户认证壁垒极高。公司凭借可靠的产品性能、稳定的交付能力与专业的技术服务，赢得主流客户的长期信任。在平板显示领域，公司与京东方、TCL华星、天马微电子等全球主流显示面板企业均建立了深度、稳定的战略供应关系。在半导体领域，公司的客户群从原有的某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成（2.5D/3D）、

宁波中芯集成、华天科技、晶方科技、通富微电等厂商，持续向下游芯片制造与设计环节延伸，成功导入国内几家知名光刻机研发厂商及众多国内领先的芯片公司。基于深度互信的合作关系，构成了公司业务持续增长的坚实基础，并为公司切入更先进技术赛道提供了宝贵的市场入口和反馈闭环。

综上所述，2025年度，公司核心竞争力未发生不利变化。

七、核心技术与研发进展

（一）核心技术及其先进性以及2025年度的变化情况公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。2025年度，公司新增9项核心工艺技术，现共拥有53项核心工艺技术，具体情况如

10下：

在主要产品知识产划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

最小图形可达 3μm线/间

G11 （ CD）精度可控制在及以下 ±0.25μm TP G11及以下以内；总长（ ） 已获得

1 产品制 TFT（a- 尺寸 a-Si 自主Si 及位置（Position）精度可造技术 ）掩膜版 ±0.5μm TFT

专利保显示面研发

控制在以内，产品护制造技术板用掩膜版

缺陷尺寸可控制在 1.0μm以内。

包含半色调及灰阶掩膜版，线/间（CD）精度可G11及以下 控制在±0.10μm以内；总

平板显示用 长（TP）精度可控制在 G11及以下 已获得2 产品制 多灰阶 ±0.5μm以内，两层图形 自主Multi- Overlay 尺寸平板显 专利保造技术 （ 之间套合偏差（ 研发tone）掩膜 Shift 示用掩膜版 护）可控制在±0.5μm

版制造技术以内，半色调层透过率均匀性可控制在2.0%以内。

最小图形可达 1.2μm，精度及均匀性高，线/间（ CD）精度可控制在

G6及以下 G6及以下

3 产品制 AMOLED

±0.1μm以内，均匀性可控 已获得制在 80nm AMOLED 自主以内；位置 专利保造技术掩膜版制造显示面板用（Position 研发）及总长（TP） 护技术掩膜版

精度可控制在±0.2μm 以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.75μm以内。

150nm 线/间（CD）精度可控制在 150nm 节点节点

4 产品制 ±50nm

已获得以内；总长（TP） 及第三代半 自主半导体掩膜专利保

造技术 精度可控制在±0.2μm 以 导体用掩膜 研发版制造技术护内。版最小图形可达 1.5μm线 /

间（CD）精度可控制在

G6 ±0.1μm以内，均匀性可控 G6及以下及以下 已获得

5 产品制 LTPS 制在 100nm 以内；位置 LTPS显示 自主掩膜

造技术 （Position）及总长（TP 专利保） 面板用掩膜 研发版制造技术

精度可控制在±0.30μm 护以 版内，产品缺陷尺寸可控制在 1.0μm以内。

先进半导体 线/间（CD）精度可控制在

封装及指纹 ±0.1μm 以内，总长（TP） 半导体、指 已获得

6 产品制 自主模组封装用 精度可以控制在±0.2μm 纹模组等封 专利保

造技术研发

掩膜版制造以内，产品缺陷尺寸可控装用掩膜版护技术 制在 1.0μm以内。

高精度蓝宝 / CD PSS蓝宝石 已获得7 产品制 线 间（ ）精度可控制在 自主石衬底

造技术 (PSS) ±0.1μm TP衬底用掩膜专利保总长（）精度可研发用掩版护

11在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

膜版制造技 控制在±0.15μm 以内，允术 许缺陷尺寸≤1.0μm。

G5.5 线/间（CD）精度可控制在及以 G5.5 及以

Metal ±0.3μm总长（TP）精度可8 产品制 下 ±0.75μm 下Metal已获得自主

Mesh 控制在 以内，产 专利保造技术 掩膜 Mesh触控 研发品缺陷可控制在 5.0μm 以 护版制造技术用掩膜版内。

AF 触控、线路带 防护 产品具有防指纹、耐划伤 未单独

9 产品制 板、LED 自主膜层的掩膜 等功能，具有疏水性，水 申请专

造技术115°等行业用掩研发版制造技术滴角可达及以上。利膜版

可实现不同粘度、对比度、敏感度及膜厚要求的光阻

1 应用于 G11涂布， ）光阻涂布膜厚均

匀性可控制在3.0%及以下平板以内；已获得

10核心工掩膜版光阻2显示掩膜版自主）控制涂布过程中的流专利保

艺技术涂布技术/半导体掩研发

量、间隙、转速、气压等，护膜版的光阻消除涂布后因光阻不均匀涂布

造成的色差，达到控制涂布Mura 的目的。

采用高纯度有机溶液，通 应用于 G11掩膜版涂布 过调整 Nozzle 角度、喷洒 及以下平板已获得

11核心工洗边状态等，可对不同粘度、显示掩膜版自主

艺技术 （EBR 专利保）控 膜 厚 的 光 阻 进 行 洗 边 /半导体掩 研发

制技术 （EBR 护）处理，实现不同范 膜版的光阻围内的光阻洗边。涂布洗边通过分析掩膜版图形线路

电学特性，针对性进行图掩膜版图档 档设计优化处理，从而有 LCD/TP/TF 已获得

12 核心工 自主防静电处理 效避免因设计原因造成的 T用掩膜版 专利保

艺技术研发

技术掩膜版静电击伤现象，提的生产护高了掩膜版品质及使用寿命。

针对面板制造中由于投影光刻过程造成的图形

DCM Distortion，通过相关算法 G11及以下 未单独13 核心工 补偿 自主对掩膜版设计图档进行光 平板显示掩 申请专艺技术光刻技术研发

刻参数补偿，从而实现掩膜版利膜版图形与面板投影曝光的整体匹配。

针对多膜层结构掩膜版， G11及以下未单独

14核心工多次对位光开发多次对位光刻技术，平板显示掩自主申请专

艺技术刻技术实现不同膜层图形套合精膜版/半导研发利度的要求。体掩膜版掩膜版显影自主开发用于掩膜版显影

15 核心工 G6

未单独及以下自主

过程中缺陷过程的浸润液，运用该浸申请专艺技术尺寸掩膜版研发控制技术润液可保证掩膜版在显影利

12在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

过程中表面无气泡产生，出现气泡的比率从目前的

10%降低到0%，提升了产品品质。

针对掩膜版蚀刻后精度偏 G11及以下差问题，自主开发显影后未单独

16核心工显影后精度平板显示掩自主精度补偿技术，极大提高申请专

艺技术补偿技术膜版/半导研发

蚀刻后图形线条质量，减利体掩膜版小图形的精度误差。

自主开发针对掩膜版表面

有机异物的清洗技术，利用光学手段并结合化学方 G11及以下已获得

17核心工掩膜版高效法，针对性去除掩膜版表平板显示掩自主专利保

艺技术清洗技术面的有机杂质和异物。与膜版/半导研发护传统单一化学清洗方式相体掩膜版比，极大提高了有机杂质和异物的清洗效率。

采用不同于传统气相化学

沉积的方式，可针对不同半色调 透过率半色调膜层缺陷进 G11及以下未单独

核心工 (Half-tone)

18行修补。最小修补图形可

平板显示用自主

艺技术 掩膜版沉积 达 1μm，可实现 10% 申请专到 半色调掩膜 研发利

式修补技术60%透过率范围膜层修版补，修补膜层透过率均匀性可控制在2%以内。

针对掩膜版贴膜过程中造

成的异物缺陷，自主开发 G11及以下掩膜版贴膜未单独

19核心工贴膜后缺陷处理技术，运平板显示掩自主后缺陷处理申请专

艺技术用激光处理的方式，可实膜版/半导研发技术利现掩膜版贴膜后异物性缺体掩膜版

陷的去除，处理效率高。

自主开发掩膜版光学膜贴 G11及以下附技术，结合自主开发的已获得

20核心工掩膜版光学平板显示掩自主自动、半自动装置，可将/专利保艺技术膜贴附技术膜版半导研发

贴附精度控制在±0.5mm 护体掩膜版以内，效率高、品质优异。

自主开发化学清洗药液及

自动化装置，形成高效自 G11及以下高世代掩膜动化清洗工艺，能在短时已获得

21核心工平板显示掩自主版用包装材间内进行有效清洗，满足专利保

艺技术膜版包装材研发料清洗技术平板显示掩膜版产品包装护料的清洗

洁净度、防静电等品质要求。

衰减型相移 自主开发相移掩膜版工艺 180nm 及以 未单独

22核心工掩膜版技术，可用以实现嵌入式自主

艺技术 (ATT PSM) 下节点半导 申请专单层式衰减型相移掩膜版 研发体用掩膜版利工艺技术的制造；使用该类掩膜版

13在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况曝光时，光在图形边界处的相位角相差180°（误差在±2°以内），出现光的相消叠加，最终使得客户端的光刻分辨率有所提高。

可实现不同精度要求的半导体用掩膜版的光阻涂

高精度半导布、不同光阻涂布膜厚的已获得

23核心工半导体用掩自主体掩膜版光控制；涂布均匀性可控制专利保

艺技术1.0%膜版研发阻涂布技术在以内，可满足不同护粘度、感光性光阻的涂布要求。

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现

980*1550 TFT掩膜版的制

980*1550980*1550造。针对图形尺寸精度、产品制 TFTArray TFTArray 未单独24 自主造技术掩膜版制造

总长精度、图形套合精度显示面板用申请专研发控制等方面进行开发研利技术掩膜版究，实现产品 CD 精度±0.1μm ， 位 置 精 度±0.3μm。

开发掩膜版显影后缺陷修复技术，避免产品蚀刻后新型掩膜版 LCD/TP/TF 未单独

25 核心工 出现大尺寸缺陷，降低缺陷修复技 T 自主用掩膜版

艺技术 CVD 申请专修复风险，提高产品 研发术的生产利

制造良率，缺陷修复面积可达 200μm以上。

开发新型半导体掩膜版贴

半导体掩膜膜工艺及流程，降低已获得

26 核心工 版贴膜缺陷 Particle 半导体用掩 自主对贴膜成功造成 专利保

艺技术膜版研发

控制技术的影响，提高产品贴膜良护率及品质。

通过研究混版间距、曝光

及制程参数对混版图形位 G11及以下

混版图形置精度的影响，结合图形未单独核心工

27 Mura

平板显示掩自主

控制重新设计排布，开发混版申请专艺技术

技术 图形Mura 膜版/半导 研发控制技术，实现 利体掩膜版

不同混版图形的 Mura 要求。

开发新型下置型半色调（Half-tone）掩膜版制造

下置型半色 技术，可实现二元图形和 G11及以下28 产品制 调（Half- 半色调图形的一次制作， 平板显示掩 自主 正在申造技术 tone）掩膜 CD 精 度 可 控 制 在 膜版/半导 研发 请专利

版制造技术 ±0.10μm 以内；两层图形 体掩膜版之间套合偏差可控制在

±0.3μm以内。

14在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现

980*1150 TFT掩膜版的制

980*1150980*1150

TFTArray 造。针对图形尺寸精度、产品制 TFTArray未单独

29自主总长精度、图形套合精度申请专

造技术掩膜版制造显示面板用研发技术控制等方面进行开发研利掩膜版究，实现产品 CD 精度±0.1μm ， 位 置 精 度±0.3μm。

开发应用于 G6 及以下

高 PPI

AMOLED AMOLED 显示面板用掩 G6及以下

膜版产品的 OPC 光刻补

核心工 显示面板掩30 AMOLED未单独自主

OPC 偿技术，使其中高 PPI 类 申请专艺技术 膜版 显示面板用 研发产品的复杂图形以及更锐利光刻补偿技掩膜版利的尖角可以有良好的制术作效果。

通过优化自动扫描设备逻

高 PPI

AMOLED 辑与算法，实现高 PPI G6及以下

31 核心工 AMOLED

未单独

显示面板用掩 AMOLED 自主显示面板掩申请专

艺技术 膜版产品中 CH 图形缺陷 显示面板用 研发膜版缺陷检利检查，检出能力可达掩膜版查技术

0.5μm。

通过研究光阻涂布、光刻

及化学制程等关键工艺，开发 G8.5 灰阶掩膜版制高精度

G8.5 造技术，实现产品光阻涂 G8.5及以 未单独32 产品制 灰阶 自主布膜厚达到 5000A，均匀 下显示面板 申请专造技术掩膜版制造

性可达到1.5%研发以内；产品用掩膜版利

技术 CD 精度灰阶区域可达

±0.1μm；图形修补精度可

达±0.15μm。

通过控制及调整优化

overlap区域能量，优化像半导体掩膜素能级分布，针对不同厚未单独

33 核心工 半导体用掩 自主版精细化光 度膜层优化Defocus补偿， 申请专

艺技术膜版研发刻控制技术实现精细化控制光刻过利程，将图形 local CD精度控制在 20nm 内。

通过研究不同基板材质特性及半导体掩膜版霉变影响因素，从环境温湿度、半导体掩膜已获得

34核心工保护气体填充、包装前的半导体用掩自主版防霉变清专利保

艺技术清洗干燥工艺控制、包装膜版研发洗包装技术护箱体设计等多方面因素出发，开发针对性的清洗包装方式及制具，改善半导

15在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

体掩膜版霉变现象，延长产品使用寿命。

根据半导体掩膜版产品的图形设计及制作工艺差

半导体掩膜异，开发半导体掩膜版

35 核心工 半导体用掩 自主 正在申版Mura 检 Mura 检查专用工具及检

艺技术膜版研发请专利

查技术查工艺，通过此技术可以检查出普通肉眼下无法分

辨出的Mura。

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现硅基 OLED用掩膜版产品

硅基 OLED 开发，线/间（CD）精度可 未单独

36 产品制 半导体用掩 自主用掩膜版制 控制在±0.07μm 以内，总 申请专

造技术膜版研发

造技术 长（TP）精度可以控制在 利

±0.15μm 以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.7μm以内

同时产品无Mura。

开发产品制造中的扫描技

G6及以下 术、基板镀膜前后清洗技 G6及以下 未单独

37 产品制 FMM用掩 术、图形缺陷处理技术； FMM 自主用掩 申请专

造技术膜版制造技产品图形精度可达研发

±0.5μm 膜版 利术 ，表面水滴角可＞

100°，产品表面无Mura。

开发产品制造中 Mosi 系

Mosi系双 膜层蚀刻技术、双层 PSM G11及以下

38 产品制 层 PSM掩 图形修复技术；产品透过 平板显示掩 自主 正在申

造技术 膜版制造技 率精度可达±0.5%，range 膜版/半导 研发 请专利术＜0.8%，相移角精度可达体掩膜版±5°。

开发 PSM+OPC 相结合的

产品蚀刻技术、清洗技术、 G11及以下未单独

39 产品制 PSO掩膜 图形修复技术；最小图形 平板显示掩 自主 申请专

造技术 版制造技术 0.5μm 可以有良好的制作 膜版/半导 研发利效果，产品精度可达体掩膜版±0.1μm半导体掩膜开发半导体掩膜版光刻图

版Min

40 核心工 Contact

形处理补偿技术，改善极未单独半导体用掩自主

Hole 限方孔直角制作效果； 申请专艺技术 圆弧 1.5μm 膜版 研发方孔图形精度可达 利角形貌优化±0.1μm。

技术

Metal Mesh 开发产品制造中的光阻涂 G5.5及以

PSM 未单独

41产品制

用 掩 布、二次对位光刻、相移 下Metal 自主申请专

造技术 膜版制造技 层清洗、相移层缺陷处理 Mesh触控 研发利术技术；产品图形精度可达用掩膜版

16在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

±0.1μm，二次对位精度可达±0.3μm。

针对红外传感掩膜版图形

设计进行研究，找到不同红外传感用 pitch 设计对条纹影响的 未单独

42核心工半导体用掩自主掩膜版条纹规律，对应开发针对性的申请专

艺技术

控制技术 条纹控制技术，实现高 PPI 膜版 研发 利红外传感掩膜版条纹的明显改善。

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现高精度 应用于 LTPO 显示技术的 G6及以下 未单独

43 产品制 LTPO掩膜 掩膜版产品制造，产品尺 LTPO

自主掩膜申请专造技术研发

版制造技术 寸可达 850*1200mm，CD 版 利精度±0.07um，位置精度±0.3um开发半导体掩膜版贴膜后半导体掩膜检查专用工具及检查工未单独

44核心工版光学膜膜艺，并针对掩膜版光学膜半导体用掩自主申请专

艺技术面缺陷去除表面异物开发去除工艺，膜版研发利技术提升贴膜半导体掩膜版产品制作良率开发针对大尺寸

AMOLED 掩膜版产品的

大尺寸掩膜光阻涂布缺陷控制技术，

45核心工版光阻涂布并研究开发涂布头相应的平板显示掩自主正在申

艺技术缺陷控制技清洁与保护系统，使大尺膜版研发请专利术寸掩膜版的缺陷密度

≤0.003ea/cm2，缺陷尺寸小于 10um

开发应用于 3D 玻璃盖板

3D玻璃盖 的掩膜版产品制造技术， 未单独

46产品制半导体用掩自主板掩膜版制提升复杂及大数据量资料申请专

造技术膜版研发

造技术的处理效率，并且将产品利缺陷控制在 1um 以内

开发用于大尺寸 IC 掩膜版的套刻精度校正与量测

大尺寸 IC 技术，进而控制和提升大未单独

47 核心工 掩膜版套刻 尺寸 IC 掩膜版的位置精 半导体用掩 自主 申请专

艺技术精度控制技度和套刻精度。最大覆盖膜版研发利

术 产品尺寸达 228*228mm

套刻精度≤0.1um，量测重复精度小于 15nm

大尺寸 开发用于 G6 代 FMM 图

FMM 未单独48 核心工 图形 形设计制作的形变预补偿 平板显示掩 自主 申请专

艺技术 形变预补偿 技术，实现 FMM 图形拉 膜版 研发利技术伸变形局部位置的精度提

17在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

前预补偿，保障 FMM 使用过程中的套刻精度准确性，在光掩膜版上实现≤0.5um 以下的位置精度偏移

光刻机信号根据设备及产品特点，实已获得

49 核心工 识别与对接 现 AGV 平板显示掩 自主直接对接光刻机， 专利保

艺技术膜版研发技术并实现掩膜版自动上下版护通过研究化学药液对石英

表面特性的影响，掌握各高精度产品种工艺条件下掩膜版表面未单独核心工平板显示掩自主

50脱膜清洗缺形貌变化和有机物脏污、申请专

艺技术膜版研发

陷控制技术颗粒物数量对比差异，提利高脱膜清洗过程缺陷的可控性

针对套刻产品，开发相应基于混沌理的视觉处理系统，提高二未单独

51核心工平板显示掩自主论的视觉水次对位的准确性和稳定申请专

艺技术膜版研发

纹模糊技术性，使二次曝光对位精度利可达±0.2μm

针对半导体掩膜版产品，开发基于电感耦合高密度

电感耦合高等离子体的刻蚀技术，刻未单独

52核心工1%半导体用掩自主密度等离子蚀均匀性可控制在以申请专

艺技术 TaperAngle 85° 膜版 研发体蚀刻技术 内， 大于 ， 利满足 130nm节点及以下产品要求。

开发平板显示像素驱动阵

像素驱动阵列用相移产品技术，涵盖未单独

53产品制列高精度相蚀刻、图形修复等核心环平板显示掩自主申请专

造技术移掩膜版量节，产品精度可达膜版研发利

产技术 ±0.08μm，修补均匀性可达到1.5%以内

（二）2025年度，公司获得的研发成果

公司坚持以技术创新驱动发展，围绕掩膜版制造的核心工艺环节与下游技术演进趋势，在工艺革新、精度攻坚、产品布局、前瞻储备四个维度同步发力，取得了一系列研发成果。

2025年度，公司完成了多项技术研发项目。“光刻机特殊结构开发”项目结

合设备特性及产品工艺要求，实现 AGV直接对接光刻机，并实现掩膜版自动上下版功能；其研究成果可显著节约产品转运时间，提升生产效率、降低掩膜版产品转运风险。“化学药液对石英表面特性的影响研究与高精度产品脱膜工艺开发”

18项目通过研究化学药液对石英表面特性的影响，掌握不同清洗工艺下掩膜版表面

的变化以及影响掩膜版表面有机物脏污和颗粒物数量的规律，锁定掩膜版脱膜清洗的关键控制点，从而提升高精度产品的脱膜清洗良率。“基于混沌理论的 VPG视觉水纹模糊技术开发项目”面向平板显示 HTM产品，开发相应的视觉处理系统，使二次曝光对位精度可达±0.2μm，从而提高产品对位的准确性和稳定性。

“清洗环境对产品清洗效果影响研究与 AMOLED产品清洗能力提升”项目通过

对现有清洗机进行环境改造和工艺优化，减少贴膜后缺陷数量，满足高精度AMOLED产品贴膜要求，从而提高产品良率。“高精度半导体掩膜版清洗能力提升项目”通过研究高精度半导体掩膜版清洗过程中的清洗参数和药液配比等，开发相应的清洗工艺，从而达到高精度半导体掩膜版的洁净要求，可将缺陷控制到 0.2um以内。

针对具体产品研发方面，公司开展了 G8.6AMOLED产品、G8.6 FMM用掩膜版产品、FOPLP 面板级封装用掩膜版产品开发等研发项目，配套国内 G8.6AMOLED 面板产线及 FOPLP、TGV 等先进封装工艺产线开发所需的光掩膜版产品。在过往研发成果的基础上，公司成功实现多个尺寸平板显示用 PSM量产，进一步丰富公司产品种类。同时，在图档处理这一关键技术环节，公司还推进了外框 Barcode数据自动化生成及处理效率提升、封装行业图形处理效率提升等项目，有效提高产品图档处理效率。

（三）研发支出变化及研发进展

2025年度，公司持续进行研发投入达3666.73万元，占营业收入比例3.17%。

项目2025年度2024年度变化幅度(%)

费用化研发投入（元）36667310.8537617409.13-2.53

资本化研发投入（元）000

研发投入合计（元）36667310.8537617409.13-2.53研发投入总额占营业收入

(%)3.174.30减少1.13个百分点比例

研发投入资本化的比重(%)000

2025年度，公司新获授权发明专利2件，实用新型14件，软件著作权5件。

截至2025年末，公司累计申请专利183件，软件著作权34件；有效授权专利

117件，软件著作权33件。2025年度，公司获得的知识产权具体如下：

19本期新增累计数量

项目

申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利624718实用新型专利191413699软件著作权653433其他0022合计3121219152

八、新增业务进展是否与前期信息披露一致不适用。

九、募集资金的使用情况及是否合规

（一）募集资金专户存储情况

截至2025年12月31日，募集资金存放专项账户的存储情况如下：

1、2022年公司首次公开发行股票募集资金专户存储情况表

单位：万元币种：人民币

2022年公司首次

发行名称公开发行股票募集资金到账时间2022年8月12日截至2025账户账户名称开户银行银行账号年末余额状态

深圳市路维光电股份中国银行股份有限公司深748476083055/已注有限公司圳沙井支行销深圳市路维光电股份兴业银行股份有限公司深338100100100263已注

有限公司圳新安支行823/销深圳市路维光电股份华夏银行股份有限公司深108690000003344已注

有限公司圳后海支行41/销中国农业银行股份有限公成都路维光电科技有228083010400175已注

司成都高新技术产业开发/限公司72销区支行

公司对募集资金的存放和使用进行专户管理，并于2022年8月与保荐机构及存放募集资金的银行签署了《募集资金专户存储三方监管协议》《募集资金四方监管协议》。

截至2025年12月31日，公司2022年首次公开发行股票募集资金的募投项目均已结项；同时，公司已按照相关规定办理募集资金专户注销手续，公司与保荐机构、开户银行签署的募集资金专户存储监管协议随之终止。

2、2025年公司向不特定对象发行可转换公司债券募集资金专户存储情况表

单位：万元币种：人民币

2025年公司向不

发行名称特定对象发行可

20转换公司债券

募集资金到账时间2025年6月17日截至2025账户账户名称开户银行银行账号年末余额状态

深圳市路维光电股份有兴业银行股份有限公337070100100699908/已注限公司司深圳华侨城支行销

深圳市路维光电股份有招商银行股份有限公755919401710001/已注限公司司深圳前海分行销成都路维光电科技有限中信银行股份有限公811030101280080488

6946.52

使用公司司深圳华侨城支行中

注：上述募集资金存放专项账户的期末余额中不含现金管理产品11000.00万元。

公司对募集资金的存放和使用进行专户管理，并于2025年6月与保荐机构及存放募集资金的银行签署了《募集资金专户存储三方监管协议》。

上述监管协议明确了各方的权利和义务，与上海证券交易所《募集资金专户存储三方监管协议（范本）》不存在重大差异，截至2025年12月31日，公司对募集资金的使用严格遵守《募集资金专户存储三方监管协议》的约定执行，且上述监管协议履行正常。

（二）募集资金投资项目的变更情况

1、2022年公司首次公开发行股票募集资金

截至2025年12月31日，2022年公司首次公开发行股票募集资金不存在募集资金投资项目（以下简称“募投项目”）的变更情况。

2、2025年公司向不特定对象发行可转换公司债券募集资金

公司于2026年4月15日召开第五届董事会第二十七次会议，审议通过了《关于部分募投项目增加实施主体、实施地点及募集资金专户并向全资子公司提供无息借款以实施募投项目的议案》，同意公司新增全资子公司厦门路维和福建省厦门市作为募投项目“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”的共同实施

主体及实施地点，据此办理募集资金专户开立手续、签订三方监管协议，并使用部分募集资金通过提供无息借款的方式将募集资金划转至新增的募投项目实施主体厦门路维募集资金专户以实施项目。

本次部分募投项目增加实施主体、实施地点事项未改变公司募集资金的用途，募投项目的投资总额、拟投入的募集资金金额、建设内容、建设进度、实施方式

等均不存在变化，保荐机构对该事项出具了明确的核查意见。

21除上述情形外，截至2025年12月31日，2025年公司向不特定对象发行可

转换公司债券募集资金不存在募投项目的其他变更情况。

十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况

截至2025年12月31日，公司董事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属持有公司股份的情况如下表所示：

直接持有公司间接持有公司合计持有公司股份情况股份情况股份情况在公司担任的姓名数量职务数量数量

比例（万比例比例（万股）（万股）

股）

杜武兵董事长、总裁4602.5923.80%782.704.05%5385.2927.85%

董事、执行总

肖青裁、董事会秘1545.417.99%16.010.08%1561.428.08%书

董事、财务总

刘鹏//50.750.26%50.750.26%监

孙政民董事//////

梁新清独立董事//////

李玉周独立董事//////

杨洲独立董事//////

研发总监、研

司继伟//41.470.21%41.470.21%发中心主任研发中心副主

郑宇辰任，成都路维//////研发总监成都路维研发

周荣梵0.380.20%//0.380.20%工程师

注：以上存在间接持股情况的人员均为通过路维兴投资间接持有公司股份

截至2025年12月31日，上述人员持有的公司股份不存在质押或冻结的情况。

十一、保荐机构认为应当发表意见的其他事项

截至本持续督导跟踪报告出具之日，不存在保荐机构认为应当发表意见的其他事项。

（以下无正文）22（本页无正文，为《国信证券股份有限公司关于深圳市路维光电股份有限公司

2025年度持续督导跟踪报告》之签章页）

保荐代表人：

王琳颜利燕国信证券股份有限公司年月日

23