路维光电:国信证券股份有限公司关于深圳市路维光电股份有限公司2024年度持续督导跟踪报告

国信证券股份有限公司

关于深圳市路维光电股份有限公司

2024年度持续督导跟踪报告

国信证券股份有限公司（以下简称“国信证券”或“保荐机构”）作为深圳

市路维光电股份有限公司（以下简称“路维光电”、“公司”或“上市公司”）首次公开发行股票并在科创板上市的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2025年修正）》（以下简称“《保荐办法》”）《上海证券交易所科创板股票上市规则（2024年4月修订）》（以下简称“《上市规则》”）《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导（2025年3月修订）》（以下简称“《自律监管指引第11号》”）等相关规定，负责路维光电上市后的持续督导工作，并出具2024年度持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况序号工作内容实施情况建立健全并有效执行持续督导工作制

1保荐机构已建立健全并有效执行了持续度，并针对具体的持续督导工作制定相

督导制度，并制定了相应的工作计划。

应的工作计划。

保荐机构已与上市公司签署了保荐协

根据中国证监会相关规定，在持续督导议，协议明确了双方在持续督导期间的

2工作开始前，与上市公司签署持续督导权利和义务，并已报上海证券交易所备协议，明确双方在持续督导期间的权利案。本持续督导期间，未发生协议内容义务，并报上海证券交易所备案。

做出修改或终止协议的情况。

持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法违规事项公开发表声明的，应于

3本持续督导期间，上市公司未发生需公披露前向上海证券交易所报告，并经上

开发表声明的违法违规事项。

海证券交易所审核后在指定媒体上公告。

持续督导期间，上市公司或相关当事人岀现违法违规、违背承诺等事项的，应自发现或应当自发现之日起五个工作本持续督导期间，上市公司及相关当事

4日内向上海证券交易所报告，报告内容人未出现需报告的违法违规、违背承诺

包括上市公司或相关当事人岀现违法等事项。

违规、违背承诺等事项的具体情况，保荐人采取的督导措施等。

1序号工作内容实施情况

本持续督导期间，保荐机构通过日常沟通、定期或不定期回访、现场检查、尽

职调查等方式，对上市公司开展持续督

5通过日常沟通、定期回访、现场检查、导工作。其中，保荐机构于2024年7月

尽职调查等方式开展持续督导工作。29日对上市公司进行了2024年上半年募集资金现场核查，于2024年12月23日-24日对上市公司进行了年度现场检查。

督导上市公司及其董事、监事、高级管保荐机构持续督促、指导上市公司及其

理人员遵守法律、法规、部门规章和上董事、监事、高级管理人员，本持续督

6海证券交易所发布的业务规则及其他导期间，上市公司及其董事、监事、高

规范性文件，并切实履行其所做出的各级管理人员能够遵守相关法律法规的要项承诺。求，并切实履行其所做出的各项承诺。

督导上市公司建立健全并有效执行公保荐机构督促路维光电依照相关规定健

7司治理制度，包括但不限于股东大会、全完善公司治理制度，并严格执行公司

董事会、监事会议事规则以及董事、监治理制度。

事和高级管理人员的行为规范等。

督导上市公司建立健全并有效执行内保荐机构对路维光电的内控制度的设控制度，包括但不限于财务管理制度、计、实施和有效性进行了核查，路维光会计核算制度和内部审计制度，以及募

8电的内控制度符合相关法规要求并得到

集资金使用、关联交易、对外担保、对

了有效执行，能够保证上市公司的规范外投资、衍生品交易、对子公司的控制运行。

等重大经营决策的程序与规则等。

督导上市公司建立健全并有效执行信

息披露制度，审阅信息披露文件及其他保荐机构督促路维光电严格执行信息披

9相关文件，并有充分理由确信上市公司露制度，审阅信息披露文件及其他相关

向上海证券交易所提交的文件不存在文件。

虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

对上市公司的信息披露文件及向中国

证监会、上海证券交易所提交的其他文

件进行事前审阅，对存在问题的信息披露文件及时督促公司予以更正或补充，公司不予更正或补充的，应及时向上海保荐机构对路维光电的信息披露文件进

10证券交易所报告；对上市公司的信息披行了审阅，不存在因文件存在问题、上

露文件未进行事前审阅的，应在上市公市公司不予更正或补充而应及时向上海司履行信息披露义务后五个交易日内，证券交易所报告的情况。

完成对有关文件的审阅工作，对存在问题的信息披露文件应及时督促上市公

司更正或补充，上市公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告。

关注上市公司或其控股股东、实际控制本持续督导期间，上市公司或其控股股人、董事、监事、高级管理人员受到中东、实际控制人、董事、监事、高级管

11国证监会行政处罚、上海证券交易所监理人员未受到中国证监会行政处罚、上

管措施或纪律处分的情况，并督促其完海证券交易所纪律处分或者被上海证券善内部控制制度，采取措施予以纠正。交易所出具监管关注函的情况。

2序号工作内容实施情况

关注上市公司及控股股东、实际控制人

等履行承诺的情况，上市公司及控股股东、实际控制人等未履行承诺事项的，保荐人应及时向上海证券交易所报告。

上市公司或其控股股东、实际控制人作

出承诺的，保荐机构、保荐代表人应当督促其对承诺事项的具体内容、履约方本持续督导期间，上市公司及控股股东、式及时间、履约能力分析、履约风险及实际控制人等不存在未履行承诺的情

对策、不能履约时的救济措施等方面进况。上市公司或其控股股东、实际控制

12行充分信息披露。保荐机构、保荐代表人已对承诺事项的具体内容、履约方式

人应当针对前款规定的承诺披露事项，及时间、履约能力分析、履约风险及对持续跟进相关主体履行承诺的进展情策、不能履约时的救济措施等方面进行况，督促相关主体及时、充分履行承诺。充分信息披露。

上市公司或其控股股东、实际控制人披

露、履行或者变更承诺事项，不符合法律法规、上市规则以及上海证券交易所

其他规定的，保荐机构和保荐代表人应当及时提出督导意见，并督促相关主体进行补正。

关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露未披露的重大本持续督导期间，路维光电未岀现应披

13事项或与披露的信息与事实不符的，应露未披露的重大事项或披露的信息与事

及时督促上市公司如实披露或予以澄实不符的情形。

清；上市公司不予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告。

在持续督导期间发现以下情形之一的，保荐人应督促上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：

（一）上市公司涉嫌违反《上市规则》等上海证券交易所相关业务规则；

（二）中介机构及其签名人员岀具的

专业意见可能存在虚假记载、误导性陈本持续督导期间，路维光电及相关主体

14述或重大遗漏等违法违规情形或其他未岀现需要做出说明、改正并向交易所

不当情形；报告的情形。

（三）上市公司出现《保荐办法》第七十条规定的情形；

（四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作；

（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其他情形。

3序号工作内容实施情况

在持续督导期间出现以下情形的，保荐人及其保荐代表人应当督促上市公司

核实并披露，同时应当自知道或者应当知道之日起15日内按规定进行专项现

场核查：（一）存在重大财务造假嫌疑；

（二）控股股东、实际控制人及其关联

15本持续督导期间，路维光电不存在需要人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大

进行专项现场核查的情形。

违规担保；（四）控股股东、实际控制

人及其关联人、董事、监事或者高级管

理人员涉嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者现金流存在重大异常；

（六）上海证券交易所或保荐机构认为应当进行现场核查的其他事项。

二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况

在本持续督导期间，保荐机构和保荐代表人未发现公司存在重大问题。

三、重大风险事项

（一）核心竞争力风险

1、部分产品技术指标较国际厂商存在差距

国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备 G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，实现了 180nm制程节点半导体掩膜版量产，并掌握了 150nm/130nm 制程节点半导体掩膜版制造核心技术，满足集成电路芯片制造、先进半导体芯片封装和器件等应用需求。在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在 130nm制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在 IC封装和 IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。

2、关键技术人才流失风险

公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。

截至2024年12月31日，公司共有研发技术人员55人，占总人数的16.72%。

随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提

4高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人

才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。

3、技术替代风险

公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。

为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。

同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。

随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。

（二）经营风险

1、重资产经营风险

掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。2024年度，随着经营规模扩大和产品结构升级，公司首次公开发行股票的募投项目中“高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目”已达到预定可使用状态，截至2024年12月31日，机器设备原值达到112197.53万元。目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。

如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。

2、主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险

公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内暂无供应商可提供替代品，原材料存在一定的进口依赖。2024年度，公司向前五大供应商采购原材料的金额为35985.56万元，占5原材料采购比例为83.41%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，

且供应商集中度较高。

未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。

3、主要客户相对集中的风险

2024年度，公司向前五大客户合计销售金额为64531.55万元，占当期营业

收入的比例为73.70%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。

（三）财务风险

1、应收账款回收风险

随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。2024年末，应收账款账面价值为25044.22万元，占期末流动资产的比例为36.06%。公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。

2024年度，公司主要对应收账款计提了坏账准备。

如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；如若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。

2、存货跌价风险

2024年末，公司存货净额为17662.88万元，占期末流动资产的比例为

25.43%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基

板价值较高，周转速度较快。2024年末，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为2.55%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致出现亏损合同、销售退回产

品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。

（四）行业风险

61、市场竞争不断加剧的风险

目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。根据 Omdia统计数据及公司实际经营数据，公司 2023年度平板显示掩膜版销售规模以8%的市场占有率位居全球第六位、国内第二位，市场份额与国际龙头企业之间尚存在较大差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场

份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。

2、未能及时跟随下游需求变化的风险

公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。

四、重大违规事项

2024年度，路维光电不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

2024年度，路维光电主要财务数据及指标如下所示：

20242023本期比上年同期增主要会计数据年度年度减（％）

营业收入（元）875548709.75672394411.1330.21

归属于上市公司股东的净利润190862198.71148801031.8028.27

（元）

归属于上市公司股东的扣除非173714759.90124472085.8139.56

经常性损益的净利润（元）

经营活动产生的现金流量净额266951875.53166689493.7960.15

（元）

202412本期末比上年度末年月末2023年12月末增减（％）

归属于上市公司股东的净资产1391895736.591461670576.89-4.77

（元）

总资产（元）2242816653.642322589909.48-3.43

720242023本期比上年同期增主要财务指标年度年度减（％）

基本每股收益（元/股）0.990.7728.57

稀释每股收益（元/股）0.990.7728.57扣除非经常性损益后的基本每

/0.910.6442.19股收益（元股）加权平均净资产收益率

%13.6010.61增加2.99个百分点（）扣除非经常性损益后的加权平

%12.388.87增加3.51个百分点均净资产收益率（）研发投入占营业收入的比例

%4.305.24减少0.94个百分点（）

2024年度，公司营业收入、归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公

司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长幅度较大，主要系2024年度面对旺盛的下游需求，公司坚持技术升级、服务优化与产能扩张，从而更好地满足各大客户的需求，驱动各项业务平稳发展，带动营业收入稳步增长；同时，公司持续强化资金管理，有效降低期间费用率，盈利水平持续提升。

经营活动产生的现金流量净额同比增长幅度较大，主要系2024年度销售规模增长。

基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增

长幅度较大，主要系公司营业收入实现增长；同时，公司持续强化资金管理，有效降低期间费用率盈利能力得以增强，净利润大幅增长。

六、核心竞争力的变化情况

随着我国掩膜版行业的发展，掩膜版技术革新的步伐不断加快。2019年，随着 G11 平板显示掩膜版的自主研发成功，有效填补国内空白。我国掩膜版行业正式跻身国际先进行列，开启了高质量发展的新篇章。

掩膜版产业位于电子信息产业的上游，是连接工业设计和工艺制造的关键，是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本，作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。

公司经过近三十年的发展，构筑了自己的核心技术体系、建立了一支高素质的研发团队，积累了一批优质的客户群体，形成了自己的核心竞争力。

1、领先的技术水平

8自成立以来公司一直致力于掩膜版的研发，在平板显示掩膜版和半导体掩膜

版两大核心产品领域不断突破，至今已突破多项关键核心技术。在平板显示领域，公司于 2019年在国内首次实现 G11掩膜版投产，是国内首家、世界第四家掌握G11高世代掩膜版制造技术的企业；是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业，可配套平板显示厂商所有世代产线。依托G11高世代掩膜版生产线，公司已逐步实现了高世代半色调（Half-tone）掩膜版、高世代灰阶（Gray-tone）掩膜版等高端掩膜版产品的国产化替代，打破国外技术垄断、产品技术指标达到国际先进水平。立足自主研发，公司在 LTPO（低温多晶硅氧化物）、Mini-LED、Micro-LED、硅基 OLED等新型显示技术领域取得突破，各类产品均已实现量产，产品技术指标达到国内领先水平。同时，针对我国掩膜版行业上游原材料高度依赖国外进口的现状，公司亦不断进行技术突破，目前已掌握光阻涂布技术、涂布洗边（（EBR）控制技术、涂布Mura控制技术、

基板切割打磨技术、G11掩膜版光阻涂布技术等多项上游材料的核心工艺技术。

此外，配合 OLED市场的飞速发展，在 AMOLED产品核心工艺方面，公司已掌握 G6及以下 AMOLED掩膜版制造技术、高 PPIAMOLED显示面板掩膜版 OPC

光刻补偿技术、高 PPIAMOLED 显示面板掩膜版缺陷检查技术、硅基 OLED 用

掩膜版制造技术、G6及以下 FMM用掩膜版制造技术等多项核心技术。

在半导体领域，公司把第三代半导体和先进封装作为主要的发展方向，围绕先进封装、功率器件、射频器件、MEMS传感器、光模块等下游产品应用，优化激光直写光刻、湿法制程、光学检测等成熟工艺，突破干法制程、电子显微检测、等离子束修补等较为先进的制造工艺，进一步扩大 180nm/150nm节点及以下产品的产能占比，不断壮大在先进封装、信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车、近眼显示等可穿戴显示器件等领域的客户群体。

2、丰富的行业经验

公司拥有多年的掩膜版研发和制造经验，一直紧跟平板显示、半导体等下游行业的发展动态，与下游平板显示、半导体行业知名企业建立了良好的沟通和战略合作，积累了丰富的行业经验。公司多年来紧跟下游行业的发展动态进行技术创新，随着下游移动智能终端的快速发展，消费电子产品更新换代速度不断加快，市场需求将不断变化与丰富，公司在掩膜版领域拥有多年丰富的行业经验，具有抓住市场机遇的有利条件。

93、突出的研发实力

公司深耕掩膜版行业近三十年，积累了深厚的行业洞察和研发实力，作为国家“专精特新小巨人”企业，公司已形成一套较为完整全面的核心技术体系，涵盖 G11 及以下 TFT（a-Si）掩膜版制造技术、G11 及以下平板显示用多灰阶（Multi-tone）掩膜版制造技术，到高世代高精度半色调掩膜版制造技术、AMOLED掩膜版制造技术、150nm节点半导体掩膜版制造技术、先进半导体封装，以及掩膜版光阻涂布技术、Mosi系双层 PSM掩膜版制造技术、PSM掩膜版制造技术、FMM用光掩膜版制造技术等一系列产品制造技术和核心工艺技术，广泛服务于平板显示、半导体、触控及电路板等掩膜版下游应用领域。

公司长期以来专注于掩膜版的技术研发，形成了系统化、规范化、科学化的研发体系，拥有一支技术经验丰富、技术精湛的研发团队。技术研发人员多数具备多年的研发实践经验和深厚的专业技能。公司多次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目，其中高世代光掩膜版产线建设项目获得国家发改委、工信部批复，纳入2017年电子信息产业技术改造专项。同时，公司产品屡获行业殊荣，彰显卓越的市场地位与技术影响力。

4、优质的客户资源

掩膜版对客户产品良率起决定性作用，这使得客户对掩膜版供应商的导入和认可成为一个相对长期和严谨的过程。经过多年发展，路维光电已经成为了掩膜版行业知名供应商，凭借扎实的技术实力、可靠的产品质量与优质的客户服务，公司已赢得下游客户的广泛认可，与众多知名客户建立了长期稳定的合作关系。

在平板显示领域，公司的主要客户包括京东方、天马微电子、TCL 华星等；在半导体领域，公司的主要客户包括国内某些领先芯片公司及其配套供应商、晶方科技、华天科技、通富微电、三安光电、宁波中芯集成等。

综上所述，2024年度，公司核心竞争力未发生不利变化。

七、核心技术与研发进展

（一）核心技术及其先进性以及2024年度的变化情况公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。2024年度，公司新增7项核心工艺技术，现共拥有44项核心工艺技术，具体情况如下：

10在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

最小图形可达 3μm线/间（ CD）精度可控制在 G11及以下

G11及以下

±0.25μm以内；总长（TP）尺寸已获得

产品制 TFT（a-Si）自主

1 及位置（Position）精度可 a-SiTFT显专利保

造技术掩膜版制造研发

控制在±0.5μm以内，产品示面板用掩护技术

缺陷尺寸可控制在 1.0μm 膜版以内。

包含半色调及灰阶掩膜版，线/间（CD）精度可G11及以下控制在±0.10μm以内；总

平板显示用长（TP）精度可控制在

G11及以下已获得

产品制多灰阶 ±0.5um以内，两层图形之自主

2尺寸平板显专利保造技术（Multi-ton 间套合偏差研发示用掩膜版护

e）掩膜版制（OverlayShift）可控制在

造技术 ±0.5μm以内，半色调层透过率均匀性可控制在

2.0%以内。

最小图形可达 1.2μm，精度及均匀性高，线/间（ CD）精度可控制在

G6及以下 G6及以下

±0.1μm以内，均匀性可控已获得产品制 AMOLED AMOLED 自主

3 制在 80nm 以内；位置专利保

造技术掩膜版制造显示面板用研发（Position）及总长（TP）护技术掩膜版

精度可控制在±0.2μm 以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.75μm以内。

线/间（CD）精度可控制 150nm 节点

150nm 节点已获得

产品制在±50nm 以内；总长（TP）及第三代半自主

4半导体掩膜专利保

造技术精度可控制在±0.2μm 以导体用掩膜研发版制造技术护内。版最小图形可达 1.5μm线 /

间（CD）精度可控制在

±0.1μm以内，均匀性可控 G6及以下G6及以下已获得

产品制制在 100nm 以内；位置 LTPS显示自主

5 LTPS掩膜专利保

造技术（Position）及总长（TP）面板用掩膜研发版制造技术护

精度可控制在±0.30μm 以版内，产品缺陷尺寸可控制在 1.0μm以内。

先进半导体线/间（CD）精度可控制半导体、指已获得产品制自主

6 封装及指纹在±0.1μm以内，总长（TP）纹模组等封专利保

造技术研发

模组封装用精度可以控制在±0.2μm 装用掩膜版护

11在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

掩膜版制造以内，产品缺陷尺寸可控技术制在 1.0μm以内。

高精度蓝宝

线/间（CD）精度可控制

石衬底 PSS蓝宝石已获得

产品制在±0.1μm总长（TP）精度自主

7 (PSS)用掩衬底用掩膜专利保

造技术可控制在±0.15μm 以内，研发膜版制造技版护

允许缺陷尺寸≤1.0μm。

术

G5.5及以线/间（CD）精度可控制 G5.5 及以

下在±0.3μm总长（TP）精度下已获得产品制自主

8 MetalMesh 可控制在±0.75μm 以内， MetalMesh 专利保

造技术研发

掩膜版制造产品缺陷可控制在 5.0μm 触控用掩膜护技术以内。版触控、线路

带 AF防护产品具有防指纹、耐划伤未单独

产品制板、LED等自主

9膜层的掩膜等功能，具有疏水性，水申请专

造技术行业用掩膜研发

版制造技术滴角可达115°及以上。利版

可实现不同粘度、对比度、敏感度及膜厚要求的光阻

应用于 G11涂布，1）光阻涂布膜厚均及以下平板

匀性可控制在3.0%以内；已获得核心工掩膜版光阻显示掩膜版自主

102）控制涂布过程中的流专利保

艺技术涂布技术/半导体掩研发

量、间隙、转速、气压等，护膜版的光阻消除涂布后因光阻不均匀涂布

造成的色差，达到控制涂布Mura 的目的。

采用高纯度有机溶液，通应用于 G11过调整 Nozzle 角度、喷洒及以下平板掩膜版涂布已获得

核心工状态等，可对不同粘度、显示掩膜版自主

11 洗边（EBR）专利保

艺技术膜厚的光阻进行洗边/半导体掩研发控制技术护

（EBR）处理，实现不同膜版的光阻范围内的光阻洗边。涂布洗边通过分析掩膜版图形线路

电学特性，针对性进行图掩膜版图档档设计优化处理，从而有 LCD/TP/TF 已获得核心工自主

12 防静电处理效避免因设计原因造成的 T用掩膜版专利保

艺技术研发

技术掩膜版静电击伤现象，提的生产护高了掩膜版品质及使用寿命。

针对面板制造中由于投影 G11及以下未单独

核心工 DCM补偿自主

13光刻过程造成的图形平板显示掩申请专

艺技术光刻技术研发

Distortion，通过相关算法膜版利

12在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况对掩膜版设计图档进行光

刻参数补偿，从而实现掩膜版图形与面板投影曝光的整体匹配。

针对多膜层结构掩膜版， G11及以下未单独

核心工多次对位光开发多次对位光刻技术，平板显示掩自主

14申请专

艺技术刻技术实现不同膜层图形套合精膜版/半导研发利度的要求。体掩膜版自主开发用于掩膜版显影

过程的浸润液，运用该浸掩膜版显影润液可保证掩膜版在显影未单独

核心工 G6及以下自主

15过程中缺陷过程中表面无气泡产生，申请专

艺技术尺寸掩膜版研发控制技术出现气泡的比率从目前的利

10%降低到0%，提升了产品品质。

针对掩膜版蚀刻后精度偏

G11及以下差问题，自主开发显影后未单独核心工显影后精度平板显示掩自主

16精度补偿技术，极大提高申请专

艺技术补偿技术膜版/半导研发

蚀刻后图形线条质量，减利体掩膜版小图形的精度误差。

自主开发针对掩膜版表面

有机异物的清洗技术，利用光学手段并结合化学方 G11及以下已获得

核心工掩膜版高效法，针对性去除掩膜版表平板显示掩自主

17专利保

艺技术清洗技术面的有机杂质和异物。与膜版/半导研发护传统单一化学清洗方式相体掩膜版比，极大提高了有机杂质和异物的清洗效率。

采用不同于传统气相化学

沉积的方式，可针对不同半色调透过率半色调膜层缺陷进 G11及以下未单独

核心工 (Half-tone) 行修补。最小修补图形可平板显示用自主

18申请专

艺技术掩膜版沉积达 1μm，可实现 10%到半色调掩膜研发利

式修补技术60%透过率范围膜层修版补，修补膜层透过率均匀性可控制在2%以内。

针对掩膜版贴膜过程中造

G11及以下

掩膜版贴膜成的异物缺陷，自主开发未单独核心工平板显示掩自主

19后缺陷处理贴膜后缺陷处理技术，运申请专

艺技术膜版/半导研发

技术用激光处理的方式，可实利体掩膜版现掩膜版贴膜后异物性缺

13在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

陷的去除，处理效率高。

自主开发掩膜版光学膜贴

G11及以下附技术，结合自主开发的已获得核心工掩膜版光学平板显示掩自主

20自动、半自动装置，可将专利保

艺技术膜贴附技术膜版/半导研发

贴附精度控制在±0.5mm 护体掩膜版以内，效率高、品质优异。

自主开发化学清洗药液及

自动化装置，形成高效自G11及以下

高世代掩膜动化清洗工艺，能在短时已获得核心工平板显示掩自主

21版用包装材间内进行有效清洗，满足专利保

艺技术膜版包装材研发料清洗技术平板显示掩膜版产品包装护料的清洗

洁净度、防静电等品质要求。

自主开发相移掩膜版工艺技术，可用以实现嵌入式单层式衰减型相移掩膜版衰减型相移

的制造；使用该类掩膜版 180nm 及以未单独核心工掩膜版自主

22曝光时，光在图形边界处下节点半导申请专

艺技术 (ATTPSM) 研发的相位角相差180°（误差体用掩膜版利工艺技术在±2°以内），出现光的相消叠加，最终使得客户端的光刻分辨率有所提高。

可实现不同精度要求的半导体用掩膜版的光阻涂

高精度半导布、不同光阻涂布膜厚的已获得核心工半导体用掩自主

23体掩膜版光控制；涂布均匀性可控制专利保

艺技术膜版研发

阻涂布技术在1.0%以内，可满足不同护粘度、感光性光阻的涂布要求。

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现

980*1550TFT 掩膜版的制

980*1550T 980*1550T造。针对图形尺寸精度、未单独产品制 FTArray掩 FTArray显自主

24总长精度、图形套合精度申请专

造技术膜版制造技示面板用掩研发控制等方面进行开发研利术膜版究，实现产品 CD 精度±0.1μm ，位置精度±0.3μm。

新型掩膜版开发掩膜版显影后缺陷修 LCD/TP/TF 未单独核心工自主

25 缺陷修复技复技术，避免产品蚀刻后 T用掩膜版申请专

艺技术研发

术出现大尺寸缺陷，降低的生产利

14在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

CVD修复风险，提高产品制造良率，缺陷修复面积可达 200μm以上。

开发新型半导体掩膜版贴

半导体掩膜膜工艺及流程，降低已获得核心工半导体用掩自主

26 版贴膜缺陷 Particle 对贴膜成功造成专利保

艺技术膜版研发

控制技术的影响，提高产品贴膜良护率及品质。

通过研究混版间距、曝光及制程参数对混版图形位

G11及以下

混版图形置精度的影响，结合图形未单独核心工平板显示掩自主

27 Mura 控制重新设计排布，开发混版申请专

艺技术膜版/半导研发

技术图形 Mura 控制技术，实利体掩膜版

现不同混版图形的 Mura要求。

开发新型下置型半色调（Half-tone）掩膜版制造下置型半色技术，可实现二元图形和 G11及以下调

产品制半色调图形的一次制作，平板显示掩自主正在申28 （Half-tone造技术 CD 精度可控制在膜版/半导研发请专利

）掩膜版制

±0.10μm 以内；两层图形体掩膜版造技术之间套合偏差可控制在

±0.3μm以内。

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现

980*1150TFT 掩膜版的制

980*1150T 980*1150T造。针对图形尺寸精度、未单独产品制 FTArray掩 FTArray显自主

29总长精度、图形套合精度申请专

造技术膜版制造技示面板用掩研发控制等方面进行开发研利术膜版究，实现产品 CD 精度±0.1μm ，位置精度±0.3μm。

开发应用于 G6 及以下高

AMOLED 显示面板用掩

PPIAMOLE G6及以下

膜版产品的 OPC 光刻补未单独

核心工 D显示面板 AMOLED 自主

30 偿技术，使其中高 PPI 类申请专

艺技术掩膜版显示面板用研发产品的复杂图形以及更锐利

OPC光刻掩膜版利的尖角可以有良好的制补偿技术作效果。

15在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况通过优化自动扫描设备逻高

辑与算法，实现高 G6及以下PPIAMOLE 未单独

核心工 PPIAMOLED 显示面板用 AMOLED 自主

31 D显示面板申请专

艺技术掩膜版产品中 CH 图形缺显示面板用研发掩膜版缺陷利陷检查，检出能力可达掩膜版检查技术

0.5μm。

通过研究光阻涂布、光刻

及化学制程等关键工艺，开发 G8.5 灰阶掩膜版制高精度造技术，实现产品光阻涂 G8.5及以未单独产品制 G8.5灰阶自主

32布膜厚达到5000?，均匀下显示面板申请专

造技术掩膜版制造研发

性可达到1.5%以内；产品用掩膜版利技术

CD 精度灰阶区域可达

±0.1μm；图形修补精度可

达±0.15μm。

通过控制及调整优化

overlap区域能量，优化像半导体掩膜素能级分布，针对不同厚未单独核心工半导体用掩自主

33 版精细化光度膜层优化Defocus补偿，申请专

艺技术膜版研发刻控制技术实现精细化控制光刻过利程，将图形 localCD 精度控制在 20nm 内。

通过研究不同基板材质特性及半导体掩膜版霉变影响因素，从环境温湿度、保护气体填充、包装前的半导体掩膜已获得

核心工清洗干燥工艺控制、包装半导体用掩自主

34版防霉变清专利保

艺技术箱体设计等多方面因素出膜版研发洗包装技术护发，开发针对性的清洗包装方式及制具，改善半导体掩膜版霉变现象，延长产品使用寿命。

根据半导体掩膜版产品的图形设计及制作工艺差

半导体掩膜异，开发半导体掩膜版核心工半导体用掩自主正在申

35 版Mura 检 Mura 检查专用工具及检

艺技术膜版研发请专利

查技术查工艺，通过此技术可以检查出普通肉眼下无法分

辨出的Mura。

产品制硅基 OLED 通过开发对应涂布、光刻、半导体用掩自主未单独

造技术用掩膜版制制程、清洗等工艺，实现膜版研发申请专

16在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

造技术硅基 OLED用掩膜版产品利开发，线/间（CD）精度可控制在±0.07μm 以内，总长（TP）精度可以控制

在±0.15μm 以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.7μm 以

内同时产品无Mura。

开发产品制造中的扫描技

G6及以下术、基板镀膜前后清洗技

G6及以下未单独

产品制 FMM用掩术、图形缺陷处理技术；自主

37 FMM用掩申请专

造技术膜版制造技产品图形精度可达研发膜版利

术 ±0.5μm，表面水滴角可＞

100°，产品表面无Mura。

开发产品制造中 Mosi 系

Mosi系双膜层蚀刻技术、双层 PSM G11及以下

产品制层 PSM掩图形修复技术；产品透过平板显示掩自主正在申

造技术膜版制造技率精度可达±0.5%，range 膜版/半导研发请专利术＜0.8%，相移角精度可达体掩膜版±5°。

开发 PSM+OPC 相结合的

产品蚀刻技术、清洗技术、 G11及以下未单独

产品制 PSO掩膜版图形修复技术；最小图形平板显示掩自主

39申请专

造技术制造技术 0.5μm 可以有良好的制作膜版/半导研发利效果，产品精度可达体掩膜版±0.1μm半导体掩膜开发半导体掩膜版光刻图版

形处理补偿技术，改善极未单独核心工 MinContact 半导体用掩自主

40限方孔直角制作效果；申请专

艺技术 Hole圆弧膜版研发

1.5μm 方孔图形精度可达利

角形貌优化±0.1μm。

技术开发产品制造中的光阻涂

G5.5及以

MetalMesh 布、二次对位光刻、相移下未单独

产品制用 PSM掩层清洗、相移层缺陷处理自主

41 MetalMesh 申请专

造技术膜版制造技技术；产品图形精度可达研发触控用掩膜利

术 ±0.1μm，二次对位精度可版

达±0.3μm。

针对红外传感掩膜版图形红外传感用未单独

核心工设计进行研究，找到不同半导体用掩自主

42掩膜版条纹申请专

艺技术 pitch 设计对条纹影响的膜版研发控制技术利规律，对应开发针对性的

17在主要产品知识产

划分维技术序号核心技术技术内容中的应用情权保护度来源况情况

条纹控制技术，实现高 PPI红外传感掩膜版条纹的明显改善。

通过开发对应涂布、光刻、

制程、清洗等工艺，实现高精度应用于 LTPO 显示技术的 G6及以下未单独产品制自主

43 LTPO掩膜掩膜版产品制造，产品尺 LTPO掩膜申请专

造技术研发

版制造技术寸可达 850*1200mm，CD 版利精度±0.07um，位置精度±0.3um开发半导体掩膜版贴膜后半导体掩膜检查专用工具及检查工未单独

核心工版光学膜膜艺，并针对掩膜版光学膜半导体用掩自主

44申请专

艺技术面缺陷去除表面异物开发去除工艺，膜版研发利技术提升贴膜半导体掩膜版产品制作良率

（二）2024年度，公司获得的研发成果

公司在多年技术积累的基础上，不断对掩膜版产品及相关技术、设备等进行自主创新和技术研发。一方面，公司紧密对接客户定制化需求，精准捕捉客户需求并转化为技术创新动力，开展新产品开发和工艺迭代；另一方面，扎根日常生产实践，针对生产流程中涉及的各类工艺技术，公司深度挖掘改良优化空间，致力于以工艺革新赋能生产效能提升；此外，公司以前瞻性技术预研为抓手，力求突破技术瓶颈，抢占未来科技发展的制高点，为公司长远发展筑牢技术根基。

2024年度，公司聚焦工艺技术开发与研究、产品矩阵拓展和智能制造升级三方面。在工艺技术方面，公司完成了多项技术研发项目：掩膜版特殊表面处理与处理后清洗工艺研究与开发，此项目的研究成果提升了客户使用时，掩膜版的表面耐磨特性与静电抗性，解决行业共性问题，形成的产品工艺能够覆盖平板显示、触控等行业；TFT掩膜版清洗效果与环境关联性研究与清洗能力提升项目，该项目通过对掩膜版清洗关键影响因素研究，找到了清洗环境对掩膜版清洗效果的关键控制点，并开发出适合高精度 TFT，特别是 AMOLED产品的清洗工艺与流程，提升了产品清洗及贴膜良率；红外传感用掩膜版条纹控制技术开发，该项目依托已掌握的大尺寸平板显示掩膜版条纹控制技术与经验，结合红外传感器芯片的特性与设计特点，开发出适合红外传感用掩膜版制造和光刻技术、制程技术，

18提升了产品精度均匀性与客户端使用效果，该项目形成的技术与经验可拓展至表

面滤波器等行业。产品研发方面，公司开展了 LTPO掩膜版产品研究与开发、FPD用 PSM掩膜版产品研究与开发、大尺寸 FMM用光掩膜版产品开发、高精度柔

性显示用触控掩膜版研发等研发项目，其中公司 LTPO掩膜版产品的满足目前超高 PPI显示面板的要求，可应用与 AR/VR等近场显示；FPD用 PSM掩膜版产品研究与开发，契合当下平板显示产品对高分辨率、高像素密度的追求，通过开发相移层光刻、蚀刻、清洗工艺技术，实现对相移层图形精确控制，辅助 OPC技术，实现显示面板对于细线化的指标要求，公司已成功实现 G6尺寸 CF用 PSM的量产。同时，公司还推进了掩膜版产线数据采集系统研究与开发等智能制造升级项目。公司 G8.6TFT 用光掩膜版、CF 用光掩膜版分别被认定为 2024 年度四川省新材料国内首批次产品。

（三）研发支出变化及研发进展

2024年度，公司持续进行研发投入达3761.74万元，同比增长6.84%，占营

业收入比例4.30%。

项目2024年度2023年度变化幅度(%)

费用化研发投入（元）37617409.1335210233.066.84

资本化研发投入（元）000

研发投入合计（元）37617409.1335210233.066.84

研发投入总额占营业收入比例4.305.24减少0.94个百分点

（%）

研发投入资本化的比重（%）000

2024年度，公司新增7项核心技术，新获授权发明专利2件，实用新型6件，软件著作权6件。截至2024年末，公司累计申请专利158件，软件著作权

28件；有效授权的专利101件，软件著作权28件。2024年度，公司获得的知识

产权具体如下：

本期新增累计数量项目

申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）发明专利724115实用新型专利15611786软件著作权662828其他0022合计2814188131

八、新增业务进展是否与前期信息披露一致不适用。

19九、募集资金的使用情况及是否合规

1、截至2024年12月31日，募集资金存放专项账户的余额如下：

单位：元银行名称账号账户性质期末余额备注

华夏银行股份有限公10869000000334441活期存款15005739.99/司深圳后海支行

兴业银行股份有限公338100100100263823活期存款1498203.28已于2025年3司深圳新安支行月销户

中国银行股份有限公748476083055活期存款0.00已于2023年4司深圳沙井支行月销户中国农业银行股份有已于2025年2限公司成都高新技术22808301040017572活期存款26984500.90月销户产业开发区支行

合计43488444.17/

2、部分募投项目存在延期

公司于2024年4月24日召开第四届董事会第二十四次会议、第四届监事会

第十八次会议，审议通过了《关于募投项目延期的议案》，公司基于审慎性原则，综合考虑募投项目的实施进度，资金使用情况等因素影响，同意在项目实施主体、募集资金投资用途及投资规模均不发生变更的情况下，将“高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目”、“路维光电研发中心建设项目”达到预定可使用状态时间均由2024年5月延期至2024年12月。

截至2024年12月31日，募投项目“高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目”已达到预定可使用状态并结项。

募投项目“路维光电研发中心建设项目”虽然已在前期经过了充分的可行性论证，但前期因不可抗力因素及国内外经济环境波动的持续影响，在实施项目的过程中相对谨慎。目前公司已与“路维光电研发中心建设项目”涉及的定制化设备供应商签订合同，但由于设备定制化程度较高，设备订购周期较长，因而公司对该项目再次延期，计划延期至2025年12月。公司于2024年11月19日召开第五届董事会第九次会议、第五届监事会第九次会议，审议通过了《关于部分募投项目延期的议案》，公司基于审慎性原则，综合考虑募投项目的实施进度，资金使用情况等因素影响，同意在项目实施主体、募集资金项目投资用途及投资规模均不发生变更的情况下，将“路维光电研发中心建设项目”达到预定可使用状态时间由2024年12月延期至2025年12月。

综上，路维光电2024年度募集资金存放与使用情况符合《上市公司监管指20引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求（2022年修订）》《上市规则》以及《自律监管指引第11号》等法律法规和规范性文件的规定，上市公司对募集资金进行了专户存储和专项使用，募集资金使用及部分募投项目延期事项均已及时履行相关信息披露义务，不存在变相改变募集资金用途和损害股东利益的情形，不存在违规使用募集资金的情形。

十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况

截至2024年12月31日，路维光电实际控制人、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员持有上市公司股份的情况如下：

直接持有公司间接持有公司合计持有公司在公司担任的股份情况股份情况股份情况姓名职务数量数量数量比例比例比例（万股）（万股）（万股）

杜武兵董事长、总裁4602.5923.81%782.704.05%5385.2927.85%

董事、执行总

肖青1545.417.99%16.010.08%1561.428.08%

裁、董事会秘书

刘鹏董事、财务总监//50.750.26%50.750.26%

孙政民董事//////

刘臻董事//////

梁新清独立董事//////

李玉周独立董事//////