格隆汇10月20日丨芯联集成(688469.SH)接受特定对象调研时表示，NPO、CPO是AI高速光互连中长期重要演进方向，核心诉求是实现光电高密度集成、缩短信号路径、降低功耗，对光芯片、电芯片、异质集成工艺的一体化能力提出很高要求，这也是芯联集成重点布局的赛道。

芯联集成差异化竞争优势主要体现在2个方面：

一是公司完整布局VCSEL、InP、硅光、TFLN(薄膜铌酸锂)、SiGe、MEMS OCS，涵盖光芯片、电芯片、异质集成及光交换四大模块，是国内少数具备端到端光互连全流程代工能力的企业之一。

二是面向NPO/CPO最关键的三维集成需求，公司拥有丰富的TSV工艺量产经验，可提供12吋TSV硅通孔、TCB晶圆级异质堆叠工艺、Cu Hybrid bonding(铜混合键合)集成工艺，可以在晶圆层面实现光电芯片高密度堆叠，缩短信号路径、降低功耗、减小封装尺寸，为共封装光学提供底层制造支撑。

在光芯片层面，公司12英寸Si/SiN光波导、Ge探测器平台持续推进90nm/55nm/40nm多代工艺节点；同时布局VCSEL、InP激光器，同步研发MicroLED新型光源，调制器也布局TFLN薄膜铌酸锂路线。

在电芯片方面，依托12英寸SiGe平台自研高速TIA跨阻放大器、激光驱动器，覆盖光模块收发端。我们可以做到光电协同设计，在同一工艺生态下完成接口匹配与寄生参数优化，减少互连带来的带宽损耗，充分释放高速带宽性能，匹配NPO/CPO等下一代光互连的中长期需求。

产能节奏方面，公司已拥有12英寸、8英寸、6英寸多尺寸产线组合，同时具备国内领先的MEMS产能，能够保障不同器件的规模化制造与工艺一致性：MEMS OCS光开关已经完成全流程验证，进入小批量试制。

四期项目12英寸数模混合产线为后续光芯片业务放量储备产能，随着项目的逐步投产，芯片业务将逐步上量。公司将跟随下游市场需求，持续升级工艺平台、扩充产能。