晶升股份:南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

公司代码：688478公司简称：晶升股份

南京晶升装备股份有限公司

2025年年度报告摘要南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

第一节重要提示

1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。

2、重大风险提示

公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。

3、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在

虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

4、公司全体董事出席董事会会议。

5、容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

6、公司上市时未盈利且尚未实现盈利

□是√否

7、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

公司第二届董事会第十八次会议审议通过了《关于2025年年度利润分配方案的议案》，鉴于

2025年度公司实现的可分配利润为负值，不满足现金分红条件，且综合考虑公司经营发展情况及

未来资金需求，为实现公司持续、稳定、健康发展，更好地维护全体股东的长远利益，公司2025年度拟不进行利润分配，即不派发现金分红，不送红股，不进行资本公积转增股本。该事项尚需提交公司2025年年度股东会审议。

母公司存在未弥补亏损

√适用□不适用

经会计师事务所审计，截至报告期末，公司母公司财务报表中存在累计未弥补亏损人民币

69740048.44元。根据《中华人民共和国公司法》及《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》等相关法律法规的规定，公司目前不满足实施现金分红的前提条件。敬请广大投资者注意相关投资风险。

8、是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用√不适用南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

第二节公司基本情况

1、公司简介

1.1公司股票简况

√适用□不适用公司股票简况股票上市交易所股票种类股票简称股票代码变更前股票简称及板块

A 上海证券交易所股晶升股份 688478 不适用科创板

1.2公司存托凭证简况

□适用√不适用

1.3联系人和联系方式

董事会秘书证券事务代表姓名吴春生王薇联系地址南京经济技术开发区综辉路49号南京经济技术开发区综辉路49号

电话025-87137168025-87137168

传真025-87131200025-87131200

电子信箱 cgee@cgee.com.cn cgee@cgee.com.cn

2、报告期公司主要业务简介

2.1主要业务、主要产品或服务情况

1.公司的主营业务

公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂商的认可，陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、合晶科技、比亚迪等客户，已取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。

2.公司的主要产品南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化

工艺方案，公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备，以满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累，公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他设备等主要产品，具体情况如下：

（1）半导体级单晶硅炉

公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于8-12英寸半导体硅片制造，设备结构设计具有高稳定性、高可靠性等特点，通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统，能够满足不同技术规格半导体级硅片的生长及制造要求。

根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案，可为客户提供热场开发、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力强度及分布设计、氧化物过滤系统等主要构成要素的定制化“晶体生长设备+工艺方案”，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。

产品主要系列/产品特点应用领域产品图例型号

8英寸半导体级单晶硅炉

设备具有高稳定性、高可靠

性的结构设计，配备了自主研发的晶体生长控制系统，配合低能耗、高清洁度热场

SCG200 系列 8 英寸硅片制造

系统及超导磁场，可实现全自动长晶，生长晶体可满足半导体级8英寸轻掺硅片指标要求。

12英寸半导体级单晶硅炉

设备具有高稳定性、高真空

度、高可靠性的结构设计，配备自主研发的功率控制、锁

拉速等生长控制算法，热场SCG300 系列 12 英寸硅片制造系统具有高水平微缺陷控制能力，配合水冷套、超导磁场及工艺包，生长晶体可满足COP-FREE 硅片指标要求。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品主要系列/产品特点应用领域产品图例型号

设备具有大尺寸、高抽速的

真空设计，配备先进的液面距测量、宽幅炉压精确控制、12英寸重掺硅片及

SCG400 系列氧化物处理等系统，生长晶 12-18 英寸半导体硅体可满足12英寸重掺硅片、耗材制造

12-18英寸硅单晶耗材指标的要求。

公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流12英寸、8英寸轻掺、重掺硅片制备，生长晶体制备硅片可实现 19nm 存储芯片、28nm 以上通用处理器芯片、CIS/BSI 图像传感器芯片，以及 90nm 以上指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造，28nm 以上制程工艺已实现批量化生产。

产品主要系列/型号规格半导体器件应用领域可应用制程工艺

指纹识别、电源管理、信号管理、液

SCG200MCZ 系列 8 英寸 90nm 以上

晶驱动（面板驱动）芯片

CIS/BSI 图像传感器芯片、通用处理器

SCG300MCZ 系列 12 英寸 19nm 以上

芯片、存储芯片

SCG400MCZ 系列 12 英寸功率器件 65nm-90nm

（2）碳化硅单晶炉

公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-12英寸碳化硅单晶衬底的制备，具有高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行、结构设计模块化、占地小等特点。

公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、工艺气体流

量精度、极限真空、压升率的指标参数要求，保证设备长晶产出的一致性和稳定性，满足客户特定压力及温度控制策略的应用需要，匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求，产品具有定制化特点。公司可根据不同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要，实现腔室结构、加热方式、生长过程监控、控制方式等主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。公司碳化硅单晶炉结构的模块化设计，可根据不同客户的不同需求，切换设备功能部件，便于备货并能大大缩短供货周期。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品主要系列产品特点应用领域产品图例

/型号

设备采用模块化架构设计，兼容主动水冷与气体对流双模式石英腔室冷却系统。采用全金属 VCR 密封结构，实现超高真空保持性。创新性JSSD 系列应用旋转液压驱动层流冷却

感应加热 PVT技术，使石英腔室壁面周向碳化硅单晶炉更为均匀。配置的 PID 智能温控系统（精度±0.5℃@2000℃）和压力闭环调节模块（波动±0.2%），显著提升晶体生长良率。

设备集成高频电磁屏蔽结构设计，采用真空腔体参数定点标定与温度二次补偿校准

SCET420 系列技术，配置独立装料模块，基感应加热 PVT 于二次定位技术的感应线圈

碳化硅单晶炉装配工艺，有效抑制系统偏差，提升制程复现性，保障装备长期运行稳定性与工艺一

主要用于生产6-12致性。

英寸碳化硅单晶衬

SCMP 系列感应加热 PVT 碳底化硅长晶炉拥有丰富型号配置，可支持6英寸、8英寸及

12英寸碳化硅单晶生长，设

备功能完善，已通过大批量市场验证，技术成熟、运行稳定、操作简便。

1、采用模块化结构设计有效

优化高度空间，占地面积，提SCMP 系列升设备适用性；

感应加热 PVT 2、集成感应线圈精密装配与

碳化硅单晶炉定位校准技术，超低速驱动技术及高稳定性（±3Pa）动

态压力控制技术，满足第三代半导体晶体生长的严苛工艺条件；

3、12英寸长晶设备配置高抽

速分子泵+联合开发低漏率 O圈，改善长晶环境，满足12英寸碳化硅单晶在 AR 镜片、

热沉片、AI 算力等新兴高端南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品主要系列产品特点应用领域产品图例

/型号

应用需求，为下一代功率与射频半导体提供核心材料支撑。

SCRP 系列电阻加热 PVT 碳化

硅长晶炉型号丰富，可支持6英寸、8英寸及12英寸碳化硅单晶生长。设备功能完备，具备晶体提升、旋转、测温等

常规功能，并采用创新可视化设计，打破传统“盲盒式”晶体生长无法实时观测的局

SCRP 系列限。主要用于生产 6-12电阻加热 PVT 1、采用多段式电阻加热，可英寸碳化硅单晶衬碳化硅单晶炉实现长晶过程温度梯度的动底态调整；

2、气路规划设计与热场防护技术，可降低长晶过程的热场衰减，增加热场寿命，提升热场稳定性；

3、配备长晶界面可视化系统，实时检测晶体生长状态，以提升长晶效率与良率。

设备基于顶部籽晶溶液生长法（TSSG），集成 CCD 在线晶体形貌监测系统、高精度质量传感器及电阻法熔体液

位动态反馈技术，实现籽晶-熔体接触界面精确调控与晶

SCMP/LP 系列体生长动力学参数原位监

TSSG 法碳化测，通过多物理场协同作用硅单晶炉优化晶体生长速率及缺陷抑制。结合径向梯度生长工艺，主要用于生产6-8英突破大尺寸（>6英寸）碳化寸碳化硅单晶衬底

硅单晶制备瓶颈，实现高载流子浓度导电晶体可控生长。

设备创新采用一体化结构设计，通过紧凑型热场布局与SCMP570D

模块化组件集成，显著提升系列空间利用率并降低厂房高度碳化硅单晶炉与设备占地面积需求。在核心部件选型中构建起关键部南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品主要系列产品特点应用领域产品图例

/型号

件国产化替代体系，通过定制化开发与验证流程，精准适配国产高精度温控、压力控制等关键模块。

设备框架采用轻量化支撑结构，优化电磁屏蔽方案，为晶体稳定生长提供可靠的磁场环境。

设备在 PVT 法线圈内置金属

炉技术架构基础上，创新开发感应耦合液相单晶生长系统，通过多物理场协同仿真模型实现温场梯度、磁场强度与熔体对流的精确匹配。

针对 8 英寸 SiC 晶体生长需

LP-SCMP1200 求，采用梯度致密化热场结系列构，温度梯度更加合理，可提液相碳化硅单升晶体生长速率与晶体品晶炉质。

采用的模块化炉体架构可实现设备快速组装并大幅提升维护便利性。创新设计的可调式感应线圈系统，支持±50mm 动态升降调节，结合熔体流动状态，实时优化磁场分布，提高工艺开发效率。

公司碳化硅单晶炉包含 PVT 感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG 单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：*在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅

外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET 等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS 等）、

光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；*在半绝缘型碳化

硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成 HEMT 等微波射频器件，下游应用领域主要包括 5G 通信、卫星、雷达等。

产品类型应用碳化硅衬底制备领域半导体器件应用领域

PVT 法感应加热碳化硅单晶炉碳化硅二极管、碳化硅MOSFET6-12 英寸导电型/半绝缘型

等功率器件；HEMT等微波射频

PVT 法电阻加热碳化硅单晶炉碳化硅衬底器件南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品类型应用碳化硅衬底制备领域半导体器件应用领域

6-8 英寸 P 型导电型碳化硅

LPE 法碳化硅单晶炉 P 型 IGBT 等高功率器件衬底

（3）其他设备

除上述主要产品外，公司根据客户差异化应用需求，研发并供应其他定制化设备。

凭借半导体级单晶硅炉的设计与制造经验，公司向新的业务领域进行拓展，自主开发了光伏级单晶硅炉。该设备具有高度的可靠性与稳定性，可满足光伏市场规模化生产、高自动化程度、高拉速等要求。为达到并匹配客户对于晶体技术指标的需求，公司开发了新一代晶体提拉机构、坩埚升降机构等，提高设备在引晶、转肩、等径、收尾运行过程中的稳定性；设备配备自主研发的自动化拉晶控制系统（软硬件），实现了拉晶过程全自动化运行，并可结合信息化集控软件，进行远程集控操作。且根据客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案，可为客户提供“单晶炉整机+控制系统+工艺方案”为主要构成要素的定制化服务方案，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。

公司自主研制的自动化拉晶控制系统（软硬件），主要应用于 G10 至 G12 太阳能电池片的制造，该全自动控制系统具有高可靠性、通用性、安全性等特点。通过配备自主研发的液面距精确控制、直径控制、生长控制等技术，可进一步提高系统的自动化程度和智能控制水平，能够满足光伏单晶硅片高效率、高产量的市场需求。该控制系统，依据多年积累的研发经验及工艺验证，在采用 PIDF 嵌套式、多循环控制算法的基础上，配备了自主开发的多功能视觉系统和信息化集成控制软件，可实现长晶过程全自动运行和即时监控反馈，同时可实现各辅助工步（例如复投、化料等）自动化操作，无需人工过多干预，极大地提高了客户处设备大规模生产的运行稳定性和单晶生产效率。

公司生产的碳化硅外延炉主要用于6-8英寸碳化硅外延片生产。贴合主流外延工艺路线，公司针对性开发了行星式外延炉与水平式外延炉，二者在外延片品质、生产效率、生产成本等方面相较于传统外延炉均有较大提升。系列产品搭载自主研发的晶圆传输系统，减少人员操作，稳定可靠，同时避免了过程污染。同时公司针对不同工艺路线的外延炉，定向开发了稳定成熟的工艺配方，可实现高品质外延生长。

加工设备是由晶体坯料转变成晶圆片不可缺少的工艺设备，在晶体生长完成后，使用多线切割机切片，再由减薄机进行厚度的减薄，最后由抛光机达到需要的表面平坦度。其中，减薄机还可以用在外延后及封装阶段。公司的加工设备具有高运动精度、高刚性、长效稳定性等特点。公司半导体多线切割机采用精密无反向间隙摇摆工作台机构，实现了机构整体结构刚性，防护和润南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要滑的优化配置，同时其自动寻边系统可以替代人工自动对工字轮寻边校准并实时检测，使设备具备自动化、智能化。减薄机配备了半导体晶圆减薄机 TTV 自动调整技术，减薄过程中实时检测晶圆中心和边缘的厚度差，通过精密机械调整机构调整晶圆的 TTV 和面形参数。此外，公司通过碳化硅化学机械抛光的工艺研究寻找合适的压力、转速、温度、化学抛光液的配比，使物理去除和化学去除的速度相匹配，从而提高效率并提升表面质量。

产品

产品主要系列/型号产品简介产品图例类别设备采用先进的磁流体

密封技术、新型旋片阀结

构、高拱型封头式炉盖结

构、高精度主副炉室提升

/旋转结构、稳定的提拉光伏级

机构及坩埚升降机构，使单晶硅 SG160S 系列

设备整体具有高稳定性、炉高可靠性。配备自主研发的自动化拉晶控制系统（软硬件），可实现拉晶过程全自动化运行，并能够进行远程集控操作。

设备采用先进的控制逻辑算法和模块化控制设计思路，可极大提高系统的可靠性、通用性、规模生产的重复性；在多功能视觉系统和逻辑算法的加持下，可实现液面距和拉速、直径的精确测量和

自动化控制，且拉晶过程从调温拉晶控-引晶-放肩-转肩-等径-收

制系统 SG160 系列尾实现全自动化运行；配

（软硬备信息化集控软件，可实件）现单晶炉大批量数据的

远程监控、数据采集与分析，减少炉台间的机差，提升批量一致化生产的良率和产量。

该控制系统主要应用领

域为光伏电池片制造，可通过小幅改动匹配不同型号炉台的长晶控制需求，适应性强。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品

产品主要系列/型号产品简介产品图例类别设备采用行星式热场架构，支持9×6英寸与6×8英寸生产模式，外延成本、洁净间占地成本最低。配套全封闭晶圆装载系统，杜绝过程污染同时碳化硅释放超强产能。闭环式多SCMC8150 系列外延炉片晶圆表面温度自动检

测及控制，片间均匀性好，结合先进的热场结构，实现高品质外延生长。系列产品还可用于氮化镓、砷化镓等外延层的生长。

设备采用水平式热场结构设计。整合高稳定性氨气掺杂工艺与高精度晶圆旋转速率闭环控制技术，确保外延片品质。系统内置多通道独立气源

配比模块，通过动态碳硅碳化硅

SCML320A 系列比优化算法实现沉积过外延炉

程精准调控，显著降低设备停机维护频次，延长维护周期。同步配置全封闭式智能晶圆传输系统，以超净环境保障实现零人

工干预生产，降低缺陷数量。

设备采用水平式双腔布局，结构紧凑，占地面积小，完善的互锁系统，可实现 A、B 腔安全独立运行，更适合工厂的规模化碳化硅

SCMLD335 系列生产。标配 SMIF 模块，外延炉

适配 OHT 天车系统，实现全自动化生产。配备移载式热场，最大限度优化清理与维护方式，大幅降低维护时长。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品

产品主要系列/型号产品简介产品图例类别

设备采用高刚性床身，高精密主轴、进给和摇摆系

多线切 SCMWC8/SCMWC10 统，可持续稳定运行。具割机系列备断线检测、线弓检测、

工字轮寻边检测功能，切割精度和面形精度高。

设备采用高刚性床身，高精度进给系统，精密气浮轴承，高性能主轴，加工减薄机 SCMT8 系列范围大。全自动运行，可在线测厚，自动调整 TTV，自动寻边找中。干进干出，无污染无废物。

特制精修不锈钢抛光盘，持久耐用，长期使用仍可保持高精度。具备精细压抛光机 SCMP8 系列力调整，独立驱动，盘面恒温控制等功能，兼容无蜡、含蜡工艺。

设备采用高性能长寿命主轴，摇摆切割系统。断石材多

线、线弓检测可减少断线

线切割 STC3320 系列风险，罗拉中心距可调，机

节能降耗，操作智能简便。

设备采用感应加热的方式高效合成碳化硅原料；

配备高精度控温控压技碳化硅术和感应线圈高精度安

原料合 HC-SCMP 系列装与定位等技术，工艺重成炉复性高；同时多种碳化硅生长工艺压力控制方案可适应不同客户不同碳化硅原料生长工艺需求。

设备采用分段式高纯度石墨电阻加热及热场结构，温场均匀性好；通过碳化硅气流路径优化与热场防

原料合 HC-SCET1000 系列护技术，具有高腐蚀性气成炉

氛下排杂、杂质的定向沉

积与热场稳定的特点，可满足高品质碳化硅原料南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品

产品主要系列/型号产品简介产品图例类别合成；设备最大装料量达

到 100KG，大幅提升了原料合成效率。

设备采用全金属保温系统，可靠的密封设计可有效降低晶体中的碳和氧元素含量；分段式钨网加

热器温度梯度可控，周向氮化铝温度均匀性好；多种测温

原料提 ANET920 系列方式相结合使得测温精纯炉度高；自主开发的温度、

压力控制系统，可兼容多种温度、压力控制模式，满足不同长晶工艺的需求。

设备采用坩埚下降法，多集成电温区控温，通过优化气路路刻蚀设计，可有效避免热场和用硅材 MSIR1050 系列晶体的相互污染；自动化料长程度高；可根据需要定制

晶炉晶体形状，提高效率和原料的利用率。

设备配备36~37英寸热场系统，可满足直径24英寸的大尺寸晶体生长条件。设备结构可靠稳定，运行平稳，气体流量及温度控制精确，晶体生长过硅部件

SCG600 系列程由高可靠的可编程计单晶炉

算机控制器控制，结合自主研发的视觉软件控制系统，可实现长晶过程全自动控制。主要应用于制造刻蚀用单晶硅部件材料领域。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品

产品主要系列/型号产品简介产品图例类别设备创新采用3层套管进气结构，显著减少进气口处的副产物沉积，提高产品品质及工艺稳定性；通过热场内部提前收集副产物，减少泵和管道的堵塞，降低清理难度；采用碳化硅闪蒸系统，实现硅源大流涂层设 TC-SCR2295 系列量液态源精确供给与稳备定控制；特殊的炉体防腐蚀措施，延长炉体使用寿命，降低设备漏水风险。

结合多场耦合热力学仿真模型，使反应区内轴向/径向温差控制在±5℃范围内，达到涂层均匀性好、附着力强的效果。

采用 CVD 工艺制备碳化钽涂层，涂层厚度均匀可控，致密结构可完全阻隔石墨基体与反应气体接触，涂层纯度达99.999%以上，耐卤素及强腐蚀性气氛侵蚀；涂层与基体结碳化钽

合强度优异，可在室温至涂层石碳化钽涂层石墨件

2200℃剧烈热循环下长

墨件期服役，有效延长石墨件使用寿命，降低设备维护频率。通过精准调控 CVD沉积参数，可获得柱状晶或细晶等不同微观织构，满足从长晶到外延的多样化工艺环境需求。

设备为高压环境下熔液提拉法晶体生长专项设计，采用电阻加热方式，专业用于碲锌镉、磷化电阻加热高压长晶

高压炉铟、砷化镓等高性能半导炉体晶体制备。设备最高承载压力可达 5MPa，在高压环境下稳定工作，高效抑制晶体原料组分挥发，南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要产品

产品主要系列/型号产品简介产品图例类别

保障晶体成分均匀、生长质量稳定。在高压承载条件下，实现坩埚高精度升降、旋转双运动，整机全程密封无泄漏，运行平稳可靠，满足高压下精密生长。采用多段式电阻加热结构，可精细调控温度梯度，为晶体定向生长、减少缺陷、提升晶体完整性提供优异温场条件。

2.2主要经营模式

1.盈利模式

公司主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，通过向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品，同时销售设备相关配件等配套产品，提供设备售后维护升级等技术服务，实现收入和利润。

2.研发模式

公司主要采取自主研发模式，以高温晶体生长设备为基础，以半导体级晶体生长设备为核心，持续进行研发投入，开展自主研发及创新，不断提升设备品质，优化设备性能，取得了晶体生长设备关键核心技术领域的重要成果，并同时积极推进新产品布局，不断拓展技术应用领域。

3.采购模式

公司采购的原材料主要包括机械加工件、机械标准件、热场件、系统部件、电气控制件、仪

器仪表及气路部件等。其中，机械加工件、热场件、系统部件及气路部件等零部件由公司进行设计开发，由第三方供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料，完成定制加工后向公司供应；其他标准零部件则面向市场独立进行采购。为了保证公司产品的质量，公司制定了严格的供应商引入、选择评价制度，对供应商进行多个维度评价，包括：品质管理体系、量具管理、制程管理、供方管理、售后服务等，进而选择优质的厂家进行合作。整个采购流程注重效率与质量控制，确保供应链的稳定性和产品的高品质。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

4.生产模式

公司主要采取订单式生产结合库存式生产的生产模式，根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，实施订单式生产为主，少量库存式生产为辅的生产方式。其中，订单式生产指公司在与客户签订订单或客户有较明确的采购预期后，根据订单情况进行设计并组织生产。库存式生产指公司对标准化模块或批量出货设备常用组件，根据内部需求及生产计划进行预生产，达到快速响应客户需求及平衡产能。

5.销售模式

公司通过直销模式销售产品，与潜在客户主要通过商务谈判等方式获取订单。公司配备了专业的销售与服务团队，负责市场推广、客户开发、销售及售后等服务。客户基于自身的业务发展情况及定制化需求，对公司产品提出要求，并在公司向其提供技术设计方案后进行评审确认。待客户通过公司制定的设计方案后，根据客户的要求提供公司相关的资质材料，完成客户对公司的资质认证，并将公司纳入客户的合格供应商体系中。经履行商务谈判程序后，公司与客户按照双方确认的产品技术设计方案、验收标准及生产、交付、结算等合同条款，签订合同及技术协议书。公司组织生产并完成产品交付、产品验收程序。

2.3所处行业情况

(1).行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

（1）所属行业

公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。

根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），公司所属行业为“专用设备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”（C3562）；根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2电子核心产业”中的“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。

（2）所属行业的发展情况

*半导体行业

半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游

应用广泛的特点，其技术水平与发展规模已成为衡量一个国家综合国力和产业竞争力的重要标准南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要之一。半导体行业遵循螺旋式上升规律，下游应用行业的需求增长是半导体产业快速发展的核心驱动力。人工智能、数据中心、云计算、物联网、汽车电子及消费电子等多个应用领域共同推动全球半导体行业快速发展，各领域以不同的技术与产品需求，形成多层次、强共振的增长动力。

其中，人工智能的颠覆性应用、数据中心基础设施的持续扩张，正推动逻辑芯片与存储芯片需求双双攀升。据 WSTS 报告，2025 年全球半导体市场规模约为 7720 亿美元，同比增长 22.5%，预计

2026年全球半导体销售额将达到9750亿美元，首次逼近万亿美元规模。半导体产业正打破传统

周期性定律，逐渐进入一个由 AI 长期驱动的新增长阶段。

碳化硅作为第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、5G 通讯等领域。特别是随着新能源汽车渗透率的不断升高以及多款搭载 800V 及以上高压平台的车型量产，碳化硅产业链被持续催化。根据 Yole 统计及预测，未来全球碳化硅器件市场将继续稳步攀升，2030年有望达到103亿美元的规模。在现有应用领域加速渗透的同时，碳化硅在 AR 眼镜、先进封装、算力建设等其他新兴领域也展现出显著的应用潜力。碳化硅作为AR 眼镜突破重量、显示效果、耐用性瓶颈的核心材料，将推动 AR/VR 设备从概念走向量产。此外，得益于碳化硅材料的高压耐受、高导热率等特性，碳化硅成为了构建 800V 乃至更高电压架构服务器电源的成熟选择，而碳化硅在先进封装中的应用也有望破解 AI 芯片高功耗带来的散热难题。未来，受下游应用领域发展驱动，第三代半导体材料的需求将持续增加，全球产业已迎来高速发展机遇。

*半导体设备行业

随着半导体产业的第三次转移，中国大陆半导体行业快速发展，而国际贸易纷争引发的电子信息安全等问题也驱动着国内半导体设备行业技术水平的不断提升。在国产设备不断取得突破，持续通过客户验证且下游客户产能顺利爬坡后，国产化率有望得到显著提升。但过去一段时间，受到终端市场需求疲软因素影响，半导体行业曾出现短暂调整期，导致主要晶圆厂商在资本投入方面较为谨慎，相应长晶设备采购节奏有所放缓。2024年以来，受贸易战及技术封锁等影响，以及下游部分终端需求复苏，行业自前期持续下滑的趋势有所好转。除传统硅基晶圆制造外，以碳化硅为代表的第三代半导体材料产业链也愈发成熟。但由于下游部分领域需求增速放缓以及大尺寸碳化硅衬底良率及技术水平发展相对缓慢，供应与需求短期错配导致碳化硅衬底市场竞争较为激烈，主要厂商放缓了扩产的节奏，设备采购需求也有所下降。但随着下游市场如新能源汽车领域、AI 领域的快速发展，未来第三代半导体设备市场仍具有良好的发展潜力。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要由于不同技术等级的芯片需求大量并存，决定了不同技术等级的半导体设备依然存在较大的市场需求，各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。受人工智能计算需求推动，全球半导体行业正展示出强大的增长潜力，其中中国的半导体设备支出尤为可观。

据 SEMI 预测，在先进逻辑、存储器及先进封装技术的持续催化下，半导体设备总销售额有望在

2026年、2027年继续攀升至1450亿和1560亿美元。

未来随着下游客户新建产线及更新升级，各半导体设备厂商将迎来巨大的成长机遇，拥有更多机会使设备产品获得验证和试用。这也为国内半导体设备企业开发新产品、扩大市场占有率构建有利的竞争环境，形成“设备—工艺—产品”良好的相互促进作用，使国内半导体产业进一步发展，缩小与国际产业水平的差距。

*半导体级晶体生长设备行业

半导体级晶体生长设备主要以硅片制备和化合物材料制备的晶体生长设备为主，其中，化合物材料主要以碳化硅为主。硅片/碳化硅材料主要用于制造芯片，应用于通信、消费电子、汽车、工业等领域。晶体生长设备的技术先进性对半导体级硅片、碳化硅单晶衬底的规格指标及性能优劣具有决定性作用。

基于成本等因素的考虑，半导体硅片不断向大尺寸方向演进，12英寸硅片占据市场主要份额，对大尺寸单晶硅晶体生长设备产生较大需求；此外，由于设备投入成本较高，技术难度较大等因素，国内12英寸硅片主要依赖于进口，国内厂商市场份额和国产化率较低，进口替代空间巨大。

半导体级单晶硅晶体生长设备，尤其是大尺寸设备未来市场前景广阔。

作为整个碳化硅产业链中成本占比最大、技术门槛最高的环节，碳化硅衬底同样处于由6英寸向大尺寸升级的阶段，国内外8英寸及12英寸碳化硅正加速布局。而碳化硅晶体生长设备的国产化率较高，衬底端的良率突破有望给设备端带来大规模放量。应用方面，国内新能源汽车、光伏逆变等应用领域在全球处于主导地位。以新能源汽车和光伏逆变技术为代表的碳化硅功率器件的广泛应用，是推动碳化硅衬底市场及其上游晶体生长设备市场规模显著增长的核心驱动因素。

此外，AR 眼镜、先进封装、算力建设等市场需求的快速增长及技术水平的突破进步也将推动碳化硅的产能扩张与成本下降，从而与新兴应用的发展和规模化普及形成正向循环。因此，不同尺寸、不同类型的碳化硅材料及不同的下游应用需求又将进一步大幅提升对碳化硅单晶炉的需求。在市场保持高景气度的情况下，在国内产能加速扩张叠加设备国产化率提升的双重因素驱动下，我国碳化硅晶体生长设备市场发展潜力巨大。南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要

(2).公司所处的行业地位分析及其变化情况

国内碳化硅晶体生长设备厂商已具备相对成熟的技术能力及产业应用经验，可满足下游碳化硅厂商产业发展需要，国内碳化硅晶体生长设备主要市场份额已由国内厂商占据。

公司为国内碳化硅单晶炉主要厂商之一，具备国内领先的碳化硅单晶炉产业技术能力和较强的竞争优势。公司产品在碳化硅单晶炉主要技术指标（设备规格指标参数及晶体生长控制指标参数）方面具有先进性。此外，公司产品具有国内行业领先的定制化能力，量产阶段的产业经验及下游量产应用进度较国内竞争对手具有领先性。公司产品已大批量交付多家国内下游碳化硅材料主流厂商，并已实现新能源汽车、光伏、工业等下游领域的认证及量产，形成认证壁垒。

为保持产品的持续竞争力，公司根据行业发展趋势及市场需求，不断对产品进行优化升级和迭代更新。公司较早开始8英寸和12英寸碳化硅长晶设备的布局，自主研发的8英寸碳化硅单晶炉已向市场批量供应，12英寸碳化硅单晶炉也已完成小批量发货。

半导体级单晶硅炉方面，国内产业发展时间较短，国内半导体级晶体生长设备市场由国外供应商占据主要份额，国内供应商市场份额快速增长。

公司为国内较早开展半导体级单晶硅炉产品研发及产业化的公司之一，实现了12英寸半导体级单晶硅炉国产化，产品下游量产应用进度、技术水平在国内厂商中均处于第一梯队。公司覆盖的硅片厂商均为国内行业龙头企业，并与其建立了稳定的合作关系。公司已实现批量产品供应的客户数量处于国内同行业前列。晶体生长控制指标参数方面，在单晶直径控制精度、液面距控制技术等参数，公司产品控制精度已达到国外竞争对手的指标参数水平。公司产品生长的晶体品质达到 COP-FREE 水平，可满足 19nm 工艺技术节点要求，处于国内领先水平。

随着下游半导体芯片认证进度推进、认证品类的不断丰富，公司将持续进行技术突破，积累产业应用时间和验证经验，以迎接国内半导体级晶体生长设备进口替代的更大机遇。

(3).报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

2025 年，半导体行业呈现出多点开花的技术创新局面。在人工智能的浪潮下，AI 芯片技术取

得重大突破，被广泛应用于数据中心、智能终端等领域，成为推动行业发展的关键力量。ChatGPT、DeepSeek 等生成式 AI 应用的兴起，对芯片的算力和能效等提出了更高要求，促使芯片厂商不断优化 AI 芯片架构。同时，Chiplet 技术逐渐成熟，通过模块化设计实现芯片性能跃升，成为 AI 芯片和高效能计算的核心路径。此外，随着 AI 和高性能计算的快速发展，HBM 市场需求也正持续增长。作为一种革命性的内存技术，HBM 能够满足高性能计算和海量数据处理的需求，成为未来存储市场的重要发展方向。汽车电子领域对半导体的需求也正持续增长。特别是在自动驾驶、车载南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要传感器和电动汽车充电系统中，半导体的应用大幅增加。特斯拉等公司的自动驾驶系统不断更新，对高性能芯片的需求持续攀升。随着电动汽车和智能驾驶技术的快速发展，半导体行业的技术进步和市场拓展也迎来进一步催化。

在材料方面，碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料的应用正进一步扩大。由于禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等优点，碳化硅在新能源车、光伏逆变器等领域正快速替代传统的硅材料。碳化硅器件主要被应用于逆变器、DC-DC 转换器、车载充电器等部件中，在新能源汽车的功率电子系统中起着关键作用。特斯拉、比亚迪等车企推动车规级 SiC 模块规模化应用。碳化硅在光伏领域的应用也愈发成熟。碳化硅器件可帮助有效提高光伏发电转换效率，降低能量损耗，提升设备循环寿命。新兴应用方面，智能产品如 AR 眼镜的创新也催生出碳化硅等高性能半导体材料的更多市场空间。不同于传统玻璃镜片，碳化硅凭借其高折射率、轻质高强、散热优异的特性，有望成为 AR 眼镜主流光学方案并推动行业迈向规模化商用。随着 AI 算力需求持续爆发、先进封装散热要求不断提升。在新一代 GPU 处理器的技术规划中，碳化硅被引入先进封装中介层方案，有望从热管理、结构可靠性与互连密度三个维度，突破高功耗、高密度封装带来的技术限制。此外，AI 算力需求的剧增也使得 AI 数据中心供配电系统的升级愈发迫切。英伟达在《下一代AI 基础设施的 800 伏直流架构》白皮书中，推出了面向未来 AI 数据中心的 800V 高压直流（HVDC）电源架构，碳化硅等第三代半导体将在其中发挥核心作用。为进一步降低碳化硅材料成本与满足新兴下游应用领域需求，国内外8英寸及12英寸碳化硅加速布局，碳化硅6英寸向大尺寸扩径成为目前碳化硅技术升级的核心方向。未来碳化硅成本的下降也将推动第三代半导体材料在更多领域的应用。

3、公司主要会计数据和财务指标

3.1近3年的主要会计数据和财务指标

单位：元币种：人民币本年比上年

2025年2024年2023年

增减(%)

总资产1788026198.771865042657.87-4.132109856954.53归属于上市公

司股东的净资1507834447.481575921423.74-4.321582992270.33产

营业收入115525141.02424966295.63-72.82405570772.55扣除与主营业务无关的业务

收入和不具备114941465.31424966295.63-72.95405567276.97商业实质的收入后的营业收南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要入

利润总额-50007423.1759356309.22-184.2577651652.20归属于上市公

司股东的净利-38330530.1353747098.58-171.3271017511.98润归属于上市公司股东的扣除

-57302291.8830225845.92-289.5842390985.42非经常性损益的净利润经营活动产生

的现金流量净-51195489.213187791.23-1705.99-91689806.41额

加权平均净资减少5.90个百

-2.493.415.77

产收益率（%）分点基本每股收益

-0.280.39-171.790.56（元／股）稀释每股收益

-0.280.39-171.790.56（元／股）研发投入占营

增加26.68个百

业收入的比例37.0910.419.37分点

（%）

3.2报告期分季度的主要会计数据

单位：元币种：人民币

第一季度第二季度第三季度第四季度

（1-3月份）（4-6月份）（7-9月份）（10-12月份）营业收入70813548.2911470809.6120594166.4412646616.68归属于上市公司股东的

-2533160.76-1652820.74-4214342.88-29930205.75净利润归属于上市公司股东的

扣除非经常性损益后的-7834671.65-8637843.47-7828398.52-33001378.24净利润经营活动产生的现金流

-50979416.1613492505.10-21616612.887908034.73量净额季度数据与已披露定期报告数据差异说明

√适用□不适用

公司在确认2025年销售收入时，将已完成发货、安装调试并获取了客户的验收单后的部分业务分批确认了收入。2025年，公司下游部分行业进入深度调整周期，客户的开工及生产都受到影响。在2025年年报审计过程中，会计师根据期后该业务中设备实际运行状态和对应的付款进度比例，基于谨慎性原则，将该项业务收入的确认时间点进行了调整。经公司与注册会计师进行充分沟通，尊重其专业判断，对相应的财务报表及披露信息进行更正。目前该业务项下相关设南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告摘要备已持续运行一定时间，上述所涉及调整的收入预计将于2026年上半年确认。本次调整属于会计核算层面的谨慎性处理。

4、股东情况

4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10

名股东情况

单位:股

截至报告期末普通股股东总数(户)6284年度报告披露日前上一月末的普通股股东总

7187

数(户)截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数

（户）年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优

先股股东总数（户）截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数（户）年度报告披露日前上一月末持有特别表决权

股份的股东总数（户）

前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）

质押、标记或冻结情况持有有限股东名称报告期内期末持股比例股东售条件股（全称）增减数量(%)性质份数量股份数量状态境内自