陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要

公司代码：688498公司简称：源杰科技

陕西源杰半导体科技股份有限公司

2025年年度报告摘要陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要

第一节重要提示

1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所网站 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。

2、重大风险提示

公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。

3、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在

虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

4、公司全体董事出席董事会会议。

5、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

6、公司上市时未盈利且尚未实现盈利

□是√否

7、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

公司拟向全体股东每10股派发现金红利7元（含税）。截至2026年3月23日，公司总股本

85947726股，扣除目前回购专户的股份余额275169股后参与分配股数共85672557股以此计

算合计拟派发现金红利59970789.90元（含税）。本年度公司现金分红（包括2025年半年度已分配的现金红利25648673.10元）总额85619463.00元；占本年度归属于上市公司股东净利润的

比例为44.84%。

公司拟向全体股东每10股以资本公积金转增4.5股。截至2026年3月23日，公司总股本85947726股，本次转增股本后，公司的总股本为124500377股（最终以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司登记结果为准，如有尾差，系四舍五入所致）。

公司通过回购专用账户所持有本公司股份275169股，不参与本次利润分配及资本公积金转增股本。

以上利润分配及资本公积转增股本方案经公司第二届董事会第二十八次会议审议通过，尚需提交公司2025年年度股东会审议。

母公司存在未弥补亏损

□适用√不适用

8、是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用√不适用陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要

第二节公司基本情况

1、公司简介

1.1公司股票简况

√适用□不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所股票简称股票代码变更前股票简称及板块上海证券交易所

A股 源杰科技 688498 不适用科创板

1.2公司存托凭证简况

□适用√不适用

1.3联系人和联系方式

董事会秘书证券事务代表姓名程硕吴晶联系地址陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号

电话029-38011198029-38011198

传真029-38011198029-38011198

电子信箱 ir@yj-semitech.com ir@yj-semitech.com

2、报告期公司主要业务简介

2.1主要业务、主要产品或服务情况

公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，公司主要产品包括 2.5G、10G、25G、50G、

100G、200G 以及更高速率的 DFB、EML 激光器系列产品和 50mW、70mW、100mW 等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。

经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。

通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展成为国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。

应用领域速率产品类型

光纤接入 EPON 2.5G 1310nm FP

电信市 光纤接 2.5G 1310nm DFB

光纤接入 GPON

场类 入 2.5G 1490nm DFB

光纤接入 10G PON 2.5G 1270nm DFB陕西源杰半导体科技股份有限公司2025 年年度报告摘要

10G 1270nm DFB

10G 1577nm DFB

10G 1577nm EML

10G 1577nm w/SOA

25G 1300nm DFB

光纤接入 25G/50G 25G 1286nm DFB

PON 25G 1358nm EML & 1358nm w/SOA EML

50G 1286/1342nm EML & 1286/1342nm w/SOA EML

10G 1310nm FP

10G 1310nm DFB

4G 移动通信网络

10G 1310nm Antireflection DFB

10G 1270～1570nm CWDM16 DFB

25G 1310nm FP

移动通 25G 10G overclock 1270～1370nm CWDM6 DFB

信网络 25G 1270/1330nm DFB

25G 1310nm DFB

5G 移动通信网络

25G 1270～1370nm CWDM6 DFB

25G LWDM12 Channel DFB

25G MWDM12 Channel DFB

50G 1270～1370nm CWDM6 DFB

10G 1270～1330nm CWDM4 DFB

25G 1270～1330nm CWDM4 DFB

25G LWDM4 Channel DFB

50G 1270～1330nm CWDM4 PAM4 DFB

100G 1270～1330nm CWDM4 PAM4 EML

100G 1304/1307/1309/1311nm Narrow LWDM PAM4 EML

1270～1330 CWDM4 PAM4 Single &Differential

200G

数据中心类 数据中心 Drive EML

CW 100mW 1310nm CW DFB

CW 100mW CWDM4 CW DFB

CW 70mW CWDM4/8 CW DFB

CW 70mW 1310nm CW DFB

CW 70Mw LWDM4 CW DFB

CW 50mW 1310nm CW DFB

CW 25mW CWDM4 CW DFB

/ 1550nm Pulse DFB车载激光雷达及传感

/ CH4 sensor

注：

1、2.5G、10G、25G、50G、100G、200G 代表激光器芯片的传输速率；CWDM、LWDM、MWDM 代表陕西源杰半导体科技股份有限公司2025 年年度报告摘要

可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4 代表可应用于 PAM4 脉冲调制技术的激光器芯片；

2、报告期内，公司主要向客户销售激光器芯片，但为满足部分客户需求，公司会将激光器芯

片封装后进行销售。

2.2主要经营模式

1、销售模式

公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。

新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与其进行深度技术交流，研发中心在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。

2、采购模式

每月月末，采购部根据生产与运营部提报的次月生产计划及安全库存数据，制定配套的生产原物料采购计划（含需求预测）。采购员依据该计划向合格供应商下达采购订单（PO），明确技术规格、交货周期及相关合作条款；同时通过搭建供应商管理库存（VMI）机制，保障关键物料供应稳定。

进料检验工作由 IQC 部门负责，该部门严格依据可接受质量水平（AQL）标准开展检验，并运用统计过程控制（SPC）方法监控物料关键质量特性，最终出具的检验分析报告（COA），是物料入库放行的核心依据。物料到货后，由仓管科核对到货单与采购订单的物料数量；财务部负责执行采购款项的最终结算工作。

研发、厂务、行政等非生产部门，需结合公司经营需求制定各自采购计划，提前提交采购部审核，审核通过后由采购部统一组织采购。

在供应商管理层面，公司已建立健全的供应商认证及全生命周期管理流程：对新供应商开展资质评估与实地考察，对其提供的样品进行严格验证，通过评审的供应商纳入《合格供方名单》。

同时，公司对供应商实施动态绩效考核与分级管理，按需推进物料替代方案管理及供应商稽核工作，确保采购质量符合 ISO9001/14001 体系要求，采购活动全面达成质量、成本、交付、服务、环保（QCDS）综合目标。

3、生产模式

公司生产激光器芯片属于 IDM 模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的 IDM 模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。

公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。

4、研发模式公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发中心《设计和开发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：

（1）立项阶段

市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销售部、研发中心及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要

（2）设计输入输出阶段

项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。

（3）工程验证测试阶段（EVT）

研发中心根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。

（4）设计验证测试阶段（DVT）

研发中心根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测

试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。

（5）研发转生产培训考核阶段

研发转生产培训考核阶段，研发中心提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。

（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）

批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。

2.3所处行业情况

(1).行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

(1)行业的发展阶段及基本特点

随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。

电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至 2025年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.91亿户，全年净增2099万户。

1000Mbps 及以上接入速率的用户为 2.38 亿户，全年净增 3157 万户，占总用户数的 34.5%，占比

较上年末提高3.6个百分点。截至2025年底，固定互联网宽带接入端口数达到12.51亿个，比上年末净增 4877 万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端口达到 12.1 亿个，比上年末净增 5030 万个，占比由上年末的 96.5%提升至 96.8%。截至 2025 年底，具备千兆网络服务能力的 10G PON 端口数达 3162 万个，比上年末净增 341.9 万个。在无线通信领域，5G 网络建设覆盖持续深化。截至 2025年底，全国移动电话基站总数达 1287 万个，比上年末净增 22.7 万个。其中，4G 基站为 719.2万个，比上年末净增 8 万个。5G 基站为 483.8 万个，比上年末净增 58.8 万个，5G 基站占移动电话基站总数达 37.6%，占比较上年末提升 4 个百分点。其中，具备 5G RedCap 接入能力的基站数达 206.4 万个，占 5G 基站的 42.7%。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加速。作为 ITU-T 定义的下一代 PON 技术，50G PON 比

10G PON 带宽提升了 5 倍、时延降低了 100 倍，具备提供确定性业务体验的能力。万兆光网试点

逐步落地，拉动了 50G PON 的市场需求。同时，由于 5G-A 在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要联、车联、高端制造、感知等场景，运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整体来看，电信市场需求具有较强的稳定性和持续性，其建设节奏会受到技术迭代升级等因素的影响。

数据中心市场：随着 AI 技术规模化落地、大模型迭代及新兴应用爆发，算力需求指数级攀升，驱动数据中心高速率光模块需求爆发式增长。2025 年后，国内外 CSP 加速 AI 基础设施投资，光模块出货量激增同时拉动光芯片需求。速率方面，2025 年 1.6T 光模块已批量出货，2026 年迈入商业化爆发期。算力提升推动业界对光模块功耗、散热、成本要求更严苛，低功耗、小型化、集成化成为核心发展主线。技术上，硅光技术在高速率模块中渗透率快速提升，拉动了光芯片领域CW 产品的需求增长；CPO、NPO 等新型的封装技术持续推进，成为光互联领域新增量。由于光互联的需求增长，当前光芯片存在短期产能缺口。整体而言，AI 是光模块（光芯片）行业核心驱动力，增长确定性强。

(2)主要技术门槛

面向更高速率、更高功率、更长传输距离需求的光芯片，其技术研发与工艺设计面临着极高的开发难度和行业门槛。首先，随着市场对光芯片性能需求的持续提升，芯片结构设计的精度要求已达到极高标准，其技术研发与工艺开发需深度融合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多个前沿学科，通过多维度技术协同，设计出兼具精度与尺寸要求的芯片结构，任何单一学科技术的短板都将制约研发进程。其次，生产工艺的高稳定性与高成熟度门槛。激光器芯片的生产流程极为复杂，需历经几十至几百道精密工序，每一道工序的参数偏差、操作误差都将直接影响产品最终的光电性能与长期可靠性，这就对生产线的工艺成熟度、流程稳定性以及过程管控能力提出了严苛要求，需实现全流程的精准把控，门槛显著高于普通半导体器件。此外，高速率产品的关键结构开发壁垒尤为突出。相较于中低速率光芯片，高速率激光器芯片需在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、

高频电极结构、谐振腔反射膜等多个关键结构的设计与开发中，综合平衡光电特性、产品可靠性与制备工艺可行性等相互制约的核心因素，既要保障各结构的独立性能达标，又要实现整体协同适配，进一步提升了技术开发的难度与行业壁垒。

(2).公司所处的行业地位分析及其变化情况

经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、市场、服务、产品等多个维度的协同发展，公司已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。

在电信市场中，目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；25G/50G PON 接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网的需求，使公司能够快速满足下游客户 25G/50G PON 的需求，研发出满足客户需求的光芯片产品，在下一代高速 PON 需求迭代过程中确保行业地位。

在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了 400G/800G、1.6T 或以上高速光模块的需求增加，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为 100G PAM4 EML 光芯片、

70mW、100mW 大功率激光器等。目前数据中心市场仍以海外供应商为主。公司基于多年在光芯片

领域的研发和生产积累，已推出相应的高速 EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的陕西源杰半导体科技股份有限公司2025 年年度报告摘要CWDM、LWDM 需求，来适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前，公司在 AI 数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块解决方案所需的全系列大功率CW 激光器产品，2025 年面向高速可插拔硅光模块的 CW 芯片产品已实现大批量的出货，奠定了公司在该领域较为领先的行业地位。同时，人工智能的发展导致数据中心领域光互联的技术迭代较快，更高速率、不同封装方式的需求均在快速发展，公司目前在数据中心领域实现了光芯片大批量出货的基础，相关技术、商务、产能储备处于行业领先地位，这些因素将有助于公司把握新一代的需求，巩固行业地位。

(3).报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

（1）硅光技术已成为算力场景降本增效的核心方案，渗透率持续加速提升

降本、降功耗、增效仍是全球算力发展的核心诉求，尤其随着 AI 大模型向万亿参数级迭代，算力需求爆发式增长，直接推动光模块速率与数量需求激增，进一步凸显硅光技术的核心优势，客户接受度已实现实质性提升，成为行业主流选择之一。硅光子技术基于硅和硅基衬底材料，依托现有 CMOS 工艺实现光器件的开发与集成，契合光模块规模化、低成本生产需求，适配 AI 数据中心短距高带宽场景的核心需求，相较于传统方案可实现功耗降低与更高的集成度。从当前渗透率来看，硅光方案在 400G/800G/1.6T 光模块中已形成规模化应用，且头部厂商硅光方案占比持续提升。在硅光方案中，CW 激光器芯片作为外置核心光源，硅基芯片承担速率调制功能。未来，CW大功率激光器芯片的性能要求进一步提高，需同时具备更大功率、高耦合效率、宽工作温度的核心指标。

（2）关注 CPO、NPO 等新技术的演进

随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。因此，CPO/NPO 等新一代封装技术缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助电信号在芯片和引擎之间更快地传输，减少尺寸，提高效率，降低功耗。从技术路径来看，以 CPO 交换机为例，其中CW 光源单颗价值量与功率需求均持续提升，进一步带动大功率 CW 激光器芯片需求增长。在应用场景上看，CPO/NPO 在柜内的应用，也将带来新的需求增长。但目前 CPO/NPO 仍面临成本、解耦程度低、产业不成熟等问题，仍需产业链上下游协同发力突破。

（3）光芯片下游应用市场不断拓展

光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。

3、公司主要会计数据和财务指标

3.1近3年的主要会计数据和财务指标

单位：元币种：人民币本年比上年

2025年2024年2023年

增减(%)

总资产2577488956.702147544868.8320.022236682340.61归属于上市公

司股东的净资2332284683.212072766453.6212.522116687842.73产

营业收入601434509.56252172673.21138.50144403649.04

利润总额213772158.54-15312303.55/18153315.49归属于上市公

190924031.75-6133875.94/19479815.27

司股东的净利陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要润归属于上市公司股东的扣除

167222369.40-11426044.66/-238669.33

非经常性损益的净利润经营活动产生

的现金流量净150235546.0218960995.49692.34-17399733.48额

加权平均净资增加8.97个百分

8.68-0.290.92

产收益率（%）点基本每股收益

2.24-0.07/0.27（元／股）稀释每股收益

2.23-0.07/0.27（元／股）研发投入占营

减少8.18个百分

业收入的比例13.4421.6221.43点

（%）

3.2报告期分季度的主要会计数据

单位：元币种：人民币

第一季度第二季度第三季度第四季度

（1-3月份）（4-6月份）（7-9月份）（10-12月份）

120549649.178298608.218185022.0

营业收入84401229.37

86249

归属于上市公司股东的31943745.159628884.2

14320164.1385031238.26

净利润33归属于上市公司股东的

31406441.751385020.8

扣除非经常性损益后的13970919.6970459987.10

56

净利润

经营活动产生的现金流64241014.8

-5461966.728158338.8983298158.98量净额7季度数据与已披露定期报告数据差异说明

□适用√不适用

4、股东情况

4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10

名股东情况

单位:股

截至报告期末普通股股东总数(户)13299年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数

14388

(户)截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数

（户）年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要

股股东总数（户）截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数

（户）年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股

份的股东总数（户）

前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）

质押、标记或冻结持有有情况股东名称报告期内期末持股数比例限售条股东（全称）增减量(%)件股份性质股份数量数量状态境外自

ZHANG XINGANG 12480 10575438 12.30 无然人境内自

秦燕生46048595.36无然人境内自

秦卫星44788595.21无然人苏州瑞璜股权投资管理合伙企业（有限合伙）－宁波创泽云投-9520032944183.83无其他资合伙企业（有限合伙）境内自

张欣颖29440533.43无然人香港中央结算有限公

69677219086572.22无其他

司陕西科迈投资管理合

伙企业（有限合伙）

－陕西先导光电集成-86323415039911.75无其他科技投资合伙企业（有限合伙）中国人寿保险股份有

限公司－传统－普通

53653213714521.60无其他

保险产品－005L－

CT001 沪中信证券股份有限公

司－嘉实上证科创板

8442113672841.59无其他

芯片交易型开放式指数证券投资基金陕西欣芯聚源管理咨境内非

12600001.47无询合伙企业（有限合国有法陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要伙）人

上述股东关联关系或一致行动的说明 1、ZHANG XINGANG 和张欣颖系兄妹关系；

2、秦燕生和秦卫星系兄弟关系；

3、ZHANG XINGANG 与秦燕生、秦卫星、张欣颖为

一致行动人；

4、ZHANG XINGANG 与欣芯聚源为一致行动人；

5、公司未知上述其他股东是否存在关联关系或

一致行动人的情况。

表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明无存托凭证持有人情况

□适用√不适用截至报告期末表决权数量前十名股东情况表

□适用√不适用

4.2公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图

√适用□不适用

4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图

√适用□不适用陕西源杰半导体科技股份有限公司2025年年度报告摘要

4.4报告期末公司优先股股东总数及前10名股东情况

□适用√不适用

5、公司债券情况

□适用√不适用

第三节重要事项

1、公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对

公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

报告期公司实现营业收入60143.45万元，同比增加138.50%；归属于母公司所有者的净利润

19092.40万元，归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润16722.24万元。

2、公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终

止上市情形的原因。

□适用√不适用