本报告导读：

HBM 是AI、高性能计算、智能驾驶等的核心产品，DRAM 堆叠工艺的发展尤为关键。目前海外HBM 龙头公司SK Hynix 已迭代到HBM3E，我国较之仍有不小的差距，我们认为产业链相关的设备、材料公司将持续发展、力争不断实现技术突破。

投资要点：

投资建议。H BM（高频宽存储器，High Bandwidth Memory）是将DRAM 通过先进封装技术堆叠而成，与GPU 整合于同一块芯片上；目前AI 服务器是HBM 最重要的市场，未来智能驾驶汽车市场也会大量采用HBM。我国HBM 产业不断发展，目前能实现规模量产的是HBM2、HBM2E，有望在2026E/2027E 分别实现HBM3、HBM3E突破。虽然我国的HBM 产业发展较海外龙头公司落后较多，但我们认为伴随下游Fab、设计公司、设备公司、材料公司的共同努力，本土HBM 产业会不断向前发展，其中核心之一便是键合堆叠环节的突破。推荐标的包括长川科技（TCB 设备）、拓荆科技（混合键合设备）、华海诚科（LMC 材料）、华海清科（CMP、减薄设备），相关标的为百傲化学（混合键合设备）。

SK Hynix 为全球HBM 龙头。根据SemiWiki 援引Trendforce 数据，2023 年全球HBM 市场SK Hynix、Samsung、Micron 的市占分别为55%、41%、3%。SK Hynix 2013 年推出全球第一颗TSV 通孔的HBM产品，2017/2019/2021 年分别推出HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)，2023 年4 月完成12 层HBM3(24 GB)的功能验证，2023 年8 月推出业界高性能的第五代8 层HBM3E 产品，2024 年10 月12 层HBM3E 产品(36 GB)开始规模量产。2024 年底公司CEOKwak 提到，16 层HBM3E 产品正在研发中，可以达到48 GB 容量。

SK Hynix 的HBM 堆叠工艺从TC-NCF、MR-MUF 发展到Advanced MR-MUF。早在2000 年前后公司开始开发晶圆级WLP技术，2009 年研发TSV 通孔技术连接多层DRAM 晶圆，2013/2016年的HBM/HBM2 产品均采用TC-NCF 技术，HBM2E(2019 年)、8层HBM3(2021 年)采用MR-MUF 技术，12 层HBM3(2023 年)、HBM3E(2023 年)采用Advanced MR-MUF技术，研发的16 层HBM3E产品也会采用Advanced MR -MUF 技术进行规模量产，同时对混合键合（hybrid bonding）技术进行工艺的技术验证。

Samsung 和SK Hynix 都有自己的HBM 供应链。①、Samsung 的产线设备主要是日本的Toray、Sinkawa，和韩国SEMES；②、SKHynix 主要是HANMI Semiconductor、ASMPT、Hanhwa PrecisionMachinery。目前，HANMI Semiconductor 大概占据全球TC Bonder市场规模65%的份额，而在HBM3E 的TC Bonder 领域则几乎占据90%左右的份额。SEMES 的TC Bonder 非常擅长TC-NCF 工艺领域；HANMI Semiconductor 则是从2017 年开始和SK Hynix 共同开发TC Bonder 用于MR-MUF 工艺，但同时也兼容TC-NCF 工艺。

风险提示：技术研发进度慢无法实现关键突破、下游需求放缓等。