投资要点

算力需求爆发，叠加外部对HBM 在带宽等环节的管制，将刺激国产HBM 的突破和供应。周五受国产存储大客户的HBM3 通过验证的消息刺激，精智达、芯源微等核心标的涨幅明显。国产存储大客户已经具备DDR5 颗粒的制造能力，传输速率等核心指标已经达成，只是目前在散热和能耗等方面还有提升空间。HBM3 的底层存储颗粒具备量产条件。

且已经有部分设备公司拿到了HBM 相关的TCB 和CMP 等订单，国产HBM 扩产的确定性在快速加强。

测试机、键合解键合、CMP 环节弹性最大。目前各个关键工序如TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均实现国产或较容易买到，颗粒具备量产条件+各关键工序的设备处于ready 状态，我们认为国产HBM 的突破将落在今年下半年！预期今年HBM 的扩产量级有望实现5000 片的8层晶圆。扩产将为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机（专指HBM专用CP 测试机—KGSD）环节分别带来1.6 亿、10 亿、6 亿、4 亿、7亿的订单增量。

国产HBM 扩产同样利好前道设备，对应DRAM 扩产产生新增量。HBM扩产需要底层的DRAM 颗粒，目前市场预期此次HBM 扩产量级为5000片的8 层晶圆，则对应4 万片的底层DDR5 扩产，对应约350 亿的设备资本开支增量。对刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP 等环节分别带来85 亿、70 亿、16 亿、11 亿的市场增量。其余前道设备也将受益

投资建议。设备环节，我们推荐受益较多的精智达，其订单弹性最大。

风险提示：产业进展不及预期/需求不及预期