证券代码：688693证券简称：锴威特公告编号：2026-021

苏州锴威特半导体股份有限公司

关于未弥补的亏损达实收股本总额三分之一的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述

或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

2026年4月8日，苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“公司”）召开了第三届董事会第七次会议，审议通过了《关于未弥补的亏损达实收股本总额三分之一的议案》，该议案尚需提交公司股东会审议，现将有关事项说明如下：

一、情况概述

根据北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）出具的标准无保留意见的

公司2025年度审计报告（德皓审字[2026]00001119号），公司2025年度合并报表归属于上市公司股东的净利润为-9078.26万元。截止2025年12月31日，公司合并口径未分配利润为-10647.90万元。未弥补亏损为-10647.90万元，实收股本为7368.4211万元，根据《中华人民共和国公司法》和《公司章程》的相关规定，公司未弥补亏损达到实收股本总额三分之一时，需提交至股东会审议。

二、形成主要原因

报告期内，公司实现营业总收入25456.78万元，较上年同期增长95.62%；

实现归属于母公司所有者的净利润为-9078.26万元，较上年同期减少亏损640.67万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-10332.05万元，较上年同期减少亏损493.79万元。尽管营收显著增长且亏损幅度收窄，但公司当期业绩仍处于亏损状态，主要原因如下：

报告期内，虽然公司所处行业功率半导体行业迎来结构性复苏，但市场竞争格局依然严峻。为此，公司坚持创新驱动战略，持续加大研发投入与人才引进力1度，以巩固技术优势；同时强化市场开拓，通过扩充营销团队、加强品牌推广，

进一步完善销售渠道布局。此外，基于谨慎性原则，公司对报告期末存在减值迹象的相关资产计提了减值准备。受上述投入增加、产品结构持续调整以及行业竞争加剧等多重因素叠加影响，导致公司当期净利润仍为负值。

三、应对措施面对复杂的市场环境和行业竞争环境挑战，公司将坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的战略定位，深耕“功率器件+功率 IC”双轮驱动发展战略，聚焦高可靠、新能源、智能电网及工业控制等高附加值领域，通过持续的技术创新、产品迭代与市场拓展，深化产业链协同，提升核心竞争力，致力于成为国内领先的功率半导体解决方案提供商。主要举措如下：

1、深化研发创新体系，构建核心技术壁垒

研发创新是公司发展的核心驱动力。公司将持续保持高强度的研发投入，完善“产、学、研”相结合的技术创新机制，重点突破关键核心技术，丰富产品矩阵。巩固平面 MOSFET、FRMOS、沟槽MOSFET、超结 MOSFET 等成熟产品的市场地位，针对 BMS、电机驱动等核心应用场景持续优化产品性能。加快第三代半导体国产化突破，推进第 3代 SiC MOSFET、集成 SBD与 ESD保护器件的迭代及量产工作，重点适配新能源汽车、OBC、电驱系统等高端场景，实现SiC产品系列化发展与市场深度渗透。

2、精准拓展市场应用，强化“器件+IC”协同优势围绕电源管理与电机驱动两大核心方向，完善电源管理 IC（隔离/非隔离DC-DC、PFC等）、电机驱动 IC（单相/三相全桥、半桥驱动）的产品谱系，推动技术迭代与应用场景适配。推进器件与 IC融合创新，加快智能功率模块（IPM）、大电流固态继电器（适配 SiC器件）的研发与认证进程，缩短客户研发周期，降低客户系统整体成本。

3、优化人才梯队建设，深化业务协同整合

持续加大高技术人才引进力度，优化研发团队结构，提升硕士及以上学历人员占比；完善内部培养机制，推广“传、帮、带”模式，构建全方位的人才培养体系，打造高素质技术创新团队。深化控股子公司众享科技与总部的业务协同，快

2速整合市场、客户、技术及供应链资源，实现并购驱动的业务增长；通过产品矩

阵的拓展与丰富，增强公司综合抗风险能力与市场竞争力。

4、强化风险防控体系，提质增效严控成本

随着公司规模扩张，公司将进一步加强内部控制与合规管理，确保高质量健康发展。公司将密切跟踪国内功率半导体行业周期变化，动态调整产能规划与库存管理策略，避免库存积压风险。同时，优化国内客户结构，平衡高可靠领域与消费、工控领域的业务占比，提升公司抗行业周期风险能力。

针对国内功率半导体行业竞争态势，优化委外晶圆、封装测试的采购体系，与国内核心供应商建立长期稳定的战略合作关系，有效降低单位生产成本。严格执行产品全生命周期质量追溯体系，强化产品设计、流片、封装、测试全流程的质量管控，以卓越品质赢得市场认可。

特此公告。

苏州锴威特半导体股份有限公司董事会

2026年4月10日

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